點(diǎn)缺陷
- 瓶裝模具失效分析引發(fā)的思考
上多個(gè)部位存在點(diǎn)缺陷。模具的外觀形貌如圖1 所示，其中圖1（a）圖為模具的整體外觀形貌，圖1（b）圖模具表面拋光面上點(diǎn)缺陷的局部放大。現(xiàn)在我們對(duì)該模具材料進(jìn)行化學(xué)成分分析、點(diǎn)缺陷的微觀形貌分析、金相組織分析和硬度檢測(cè)，以確定模具表面點(diǎn)缺陷產(chǎn)生的主要原因。圖1 送檢模具及點(diǎn)缺陷的宏觀形貌首先對(duì)圖1 所示的點(diǎn)缺陷切割分析試樣，并采用丙酮對(duì)其進(jìn)行多次的超聲清洗，然后對(duì)其進(jìn)行微觀形貌觀察和能譜分析。點(diǎn)缺陷的微觀形貌如圖2 所示，其中圖2（a） 圖所示為點(diǎn)缺陷的低倍
橡塑技術(shù)與裝備 2023年10期2023-10-06
- 點(diǎn)缺陷對(duì)單晶硅力學(xué)性能影響的分子動(dòng)力學(xué)研究
單晶硅中會(huì)形成點(diǎn)缺陷、點(diǎn)缺陷團(tuán)簇甚至原子規(guī)模的小孔洞，這些因素都會(huì)對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量造成不可忽略的影響. 因此，本文將點(diǎn)缺陷納入研究范圍，對(duì)單晶硅力學(xué)性能的影響因素加以討論和完善. 目前在點(diǎn)缺陷對(duì)金屬[7, 8]、化合物[9-11]和碳基材料[12, 13]的力學(xué)性能研究中，已經(jīng)通過理論分析、實(shí)驗(yàn)測(cè)試和分子動(dòng)力學(xué)模擬等方式開展了較多高水平的工作. 作為單晶硅主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)象的鑄造多晶硅，點(diǎn)缺陷對(duì)其力學(xué)性能的影響亦有過系統(tǒng)性研究[14]. 但點(diǎn)缺陷對(duì)單晶硅的力學(xué)性能的
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2022年1期2022-12-07
- 大規(guī)格5CrNiMo鋼鍛件白點(diǎn)成因及預(yù)防措施
感，極易產(chǎn)生白點(diǎn)缺陷，并且由于公司生產(chǎn)的鍛件規(guī)格較大，相應(yīng)的鍛材氫溶解度較大，去氫比較緩慢困難，導(dǎo)致退火周期比較長、能耗大，嚴(yán)重制約著生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的提高。公司從白點(diǎn)成因和預(yù)防措施著手，制定適合內(nèi)部生產(chǎn)的去氫退火工藝，旨在生產(chǎn)的鍛件無白點(diǎn)缺陷。1 白點(diǎn)形成原因分析白點(diǎn)是鍛件中不允許存在的內(nèi)部裂紋缺陷，會(huì)嚴(yán)重降低鋼的力學(xué)性能、破壞鋼的基體連續(xù)性，使鋼的塑性降低，具有極大的危害性，目前常用低倍檢驗(yàn)方法來檢驗(yàn)白點(diǎn)的存在[2]。GB/T 1979—2001《結(jié)
大型鑄鍛件 2022年6期2022-11-23
- 光子晶體多組元缺陷態(tài)問題研究
一般是通過引入點(diǎn)缺陷或者線缺陷來破壞其周期性結(jié)構(gòu)。在設(shè)計(jì)點(diǎn)缺陷時(shí)，波將聚集在微米量級(jí)區(qū)域中形成微腔[10]，由于介電常數(shù)不連續(xù)所產(chǎn)生的反射、散射和衍射使得光在很小的區(qū)域中來回振蕩。當(dāng)設(shè)計(jì)線缺陷時(shí)，會(huì)使之前處于某一禁帶范圍內(nèi)的波開始傳播。于是，基于以上光子晶體的局域性特征，衍生出來很多有價(jià)值的應(yīng)用，比如將線缺陷引入到常規(guī)光子晶體中的光波導(dǎo)。光子帶隙的存在使拐角無損耗傳播得以實(shí)現(xiàn)，這個(gè)特性對(duì)光學(xué)微電路非常有用[11]。再如，由于光的偏振而通常具有高品質(zhì)因數(shù)并會(huì)
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年6期2022-07-30
- MnTe 單晶薄膜的外延制備、本征點(diǎn)缺陷結(jié)構(gòu)及電輸運(yùn)優(yōu)化*
化、能帶工程和點(diǎn)缺陷工程等策略，能實(shí)現(xiàn)電輸運(yùn)和熱輸運(yùn)的協(xié)同優(yōu)化.Deng 等[10]研究表明，SnTe納米晶復(fù)合MnTe 塊體可實(shí)現(xiàn)多重優(yōu)化效果，大幅提高了材料的ZT值.一方面，SnTe 的少量固溶提高了MnTe 價(jià)帶電子結(jié)構(gòu)的簡并度，顯著增加了m*和Seebeck 系數(shù);另一方面，Sn 的固溶結(jié)合SnTe 納米晶引入了顯著的聲子散射并大幅度降低了晶格熱導(dǎo)率.最終，由于固溶和納米第二相對(duì)電熱輸運(yùn)的協(xié)同優(yōu)化作用，MnTe-2%SnTe 復(fù)合熱電材料在873
物理學(xué)報(bào) 2022年13期2022-07-22
- 冷軋退火帶鋼表面銹點(diǎn)缺陷的成因及控制
文針對(duì)退火板銹點(diǎn)缺陷，解釋了其成因，并提出相應(yīng)改進(jìn)措施，這對(duì)消除缺陷，提升板表面質(zhì)量，具有十分重要的現(xiàn)實(shí)意義。1 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與方法選取某鋼廠具有銹點(diǎn)缺陷的冷軋退火板作為試樣，規(guī)格為0.65 mm×20 mm×20 mm。首先對(duì)銹點(diǎn)缺陷的宏觀形貌進(jìn)行觀察記錄，并對(duì)典型試樣缺陷進(jìn)行丙酮超聲波清洗，具體操作為：用丙酮洗去制作好的試樣表面污漬，用酒精擦拭干凈，再用超聲波清洗器進(jìn)一步清洗，然后用風(fēng)機(jī)烘干，后用信號(hào)筆在銹點(diǎn)周圍標(biāo)點(diǎn)定位，并在銹點(diǎn)缺陷區(qū)域標(biāo)記為a 區(qū)，正常
山西冶金 2022年1期2022-04-02
- N-，C-空位缺陷g-C3N4光催化劑的應(yīng)用
g-C3N4 點(diǎn)缺陷中圖分類號(hào)：O43;O62 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1007-0745（2022）03-0052-031 背景介紹在過去的數(shù)十年里，人類社會(huì)取得了飛速的發(fā)展，然而在這背后，伴隨的是能源的大量消耗及附帶產(chǎn)生的環(huán)境污染[1]。為了克服這個(gè)問題，眾多科學(xué)家對(duì)可持續(xù)綠色新能源展開了大量研究，例如太陽能、風(fēng)能等[2-3]。在各種可再生能源中，太陽能是能量來源最大的一種可再生能源，且每小時(shí)照射到地球表面的能量夠人類社會(huì)一年的消耗，盡管太陽能如此豐
科海故事博覽·中旬刊 2022年3期2022-03-23
- 固體電解質(zhì)缺陷化學(xué)分析：晶粒體點(diǎn)缺陷及晶界空間電荷層
率通過引入摻雜點(diǎn)缺陷最優(yōu)能達(dá)到10-3S/cm 數(shù)量級(jí)，進(jìn)一步提高固體電解質(zhì)的離子電導(dǎo)率對(duì)于推動(dòng)相關(guān)器件進(jìn)一步發(fā)展和實(shí)用化具有重要意義[9-10]。固體電解質(zhì)的離子電導(dǎo)由離子從晶格位置躍遷至鄰近的能量狀態(tài)相近或相等的空位或者間隙位置所產(chǎn)生(圖1)，因此，其可歸結(jié)為點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生和定向運(yùn)動(dòng)。例如鋰離子傳導(dǎo)固體電解質(zhì)，鋰離子從晶格位置躍遷至鄰近的間隙位置，形成間隙位點(diǎn)缺陷(L和鋰空位(V，表示為缺陷化學(xué)反應(yīng)方程式(1)圖1 相鄰晶粒離子傳導(dǎo)示意圖Fig.1 Sc
儲(chǔ)能科學(xué)與技術(shù) 2022年3期2022-03-23
- 基于缺陷鏡的空心結(jié)構(gòu)光束直接產(chǎn)生研究
制備大小合適的點(diǎn)缺陷來實(shí)現(xiàn)這一目的。缺陷鏡方法在高階渦旋激光的產(chǎn)生方面具有巨大潛力[20],但從當(dāng)前的研究現(xiàn)狀來看,這種方法主要用于產(chǎn)生連續(xù)波渦旋光[20?22],脈沖渦旋光的研究相對(duì)較少[23],尤其是尚無調(diào)Q脈沖運(yùn)轉(zhuǎn)的相關(guān)報(bào)道。本文工作中制備了點(diǎn)缺陷鏡,并將其用于連續(xù)波高階渦旋光的直接產(chǎn)生研究,進(jìn)而通過在激光諧振腔內(nèi)插入可飽和吸收體,實(shí)現(xiàn)具有正反手性的高階渦旋光同時(shí)被動(dòng)調(diào)Q輸出。1 實(shí)驗(yàn)裝置全固態(tài)端面泵浦Nd:YVO4激光晶體直接產(chǎn)生空心結(jié)構(gòu)光束的實(shí)驗(yàn)
量子電子學(xué)報(bào) 2022年1期2022-02-25
- 碳化硅中點(diǎn)缺陷對(duì)熱傳導(dǎo)性能影響的分子動(dòng)力學(xué)研究*
子、錯(cuò)位原子等點(diǎn)缺陷,這些缺陷將改變材料的熱物性能,劣化材料的服役性能.因此,本文利用平衡分子動(dòng)力學(xué)方法(Green-Kubo 方法)采用Tersoff型勢(shì)函數(shù)研究了點(diǎn)缺陷對(duì)立方碳化硅(β-SiC 或 3C-SiC)熱傳導(dǎo)性能的影響規(guī)律.研究過程中考慮的點(diǎn)缺陷包括:Si 間隙原子(SiI)、Si 空位(SiV)、Si 錯(cuò)位原子(SiC)、C 間隙原子(CI)、C 空位(CV)和C 錯(cuò)位原子(CSi).研究結(jié)果表明,熱導(dǎo)率(λ)隨點(diǎn)缺陷濃度(c)的增加而減小
物理學(xué)報(bào) 2022年3期2022-02-17
- 漏斗型完全光子帶隙光波導(dǎo)單向傳輸*
對(duì)稱傳輸,引入點(diǎn)缺陷通過模式轉(zhuǎn)換與失配進(jìn)一步抑制反向透射,并研究了不同的點(diǎn)缺陷類型與位置對(duì)反向透射的影響.采用時(shí)域有限差分法進(jìn)行數(shù)值計(jì)算,優(yōu)化選取了最佳的點(diǎn)缺陷模式.結(jié)果顯示,單柱型點(diǎn)缺陷在向左移動(dòng)5a(a 為光子晶體晶格常數(shù),a=470 nm)時(shí),橫電(TE)偏振光在工作波長1550 nm 處正向透射率為0.716,透射對(duì)比度為0.929,工作帶寬為111 nm.另外,本文提出的光波單向傳輸器件結(jié)構(gòu)簡單、工藝要求低,有望為集成光路中單向傳輸器件設(shè)計(jì)提供新
物理學(xué)報(bào) 2022年3期2022-02-17
- 高壓下BaLiF3晶體光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
沖擊誘導(dǎo)的空位點(diǎn)缺陷(在強(qiáng)沖擊壓縮下, 固體材料內(nèi)部會(huì)出現(xiàn)高濃度的空位點(diǎn)缺陷，而且這些缺陷可能對(duì)材料的光學(xué)性質(zhì)有顯著的影響[10, 11]). 于是, 探究這些因素對(duì)BaLiF3吸收光譜的影響有重要的科學(xué)意義和技術(shù)需求. 另外, BaLiF3晶體在沖擊壓縮下其折射率的變化規(guī)律也需要研究, 因?yàn)檫@些信息對(duì)正確解讀VISAR(velocity interferometer system for any reflector)測(cè)量數(shù)據(jù)至關(guān)重要[12, 13]. V
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2021年6期2021-12-27
- 相變及空位缺陷對(duì)SrF2在高壓下光學(xué)性質(zhì)的影響
素：壓力、空位點(diǎn)缺陷和溫度，所以探究這些因素對(duì)SrF2光吸收譜的影響有重要意義.實(shí)驗(yàn)研究表明，在6.8 GPa處，SrF2晶體將從立方fluorite結(jié)構(gòu)相轉(zhuǎn)變?yōu)樾狈絚otunnite-type結(jié)構(gòu)相[第一個(gè)相變]，在29.5 GPa處，從斜方cotunnite-type結(jié)構(gòu)相轉(zhuǎn)變?yōu)榱荖i2In-type結(jié)構(gòu)相[第二個(gè)相變][11，12].因此，SrF2的高壓結(jié)構(gòu)相變對(duì)其光學(xué)性質(zhì)的影響是值得我們?nèi)パ芯康?與此同時(shí)，SrF2的折射率在高壓下變化行為也需要探
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2021年3期2021-08-16
- 高速線材點(diǎn)線缺陷特性及形成機(jī)理研究
過程跟蹤，分析點(diǎn)缺陷和線缺陷的特征及形成機(jī)理差異，旨在精準(zhǔn)定位缺陷形成位置，便于有效指導(dǎo)實(shí)際生產(chǎn)。1 點(diǎn)線缺陷特征1.1 點(diǎn)缺陷特征為論述高速線材表面缺陷特征，根據(jù)缺陷長度和線材直徑的比值，將表面缺陷分為點(diǎn)缺陷和線缺陷兩種。當(dāng)缺陷長度遠(yuǎn)大于線材直徑，該缺陷定義為線缺陷，其他為點(diǎn)缺陷。如圖1，結(jié)疤、凸塊、翹皮是高速線材常見的不連續(xù)點(diǎn)缺陷，通常與基體連接，其具有周期性和非周期性兩種形態(tài)。結(jié)疤的形貌特征為月牙形或魚鱗形，周圍一般分布異常紅銹（圖1a、圖1c），凸
中國鑄造裝備與技術(shù) 2021年4期2021-08-06
- 彩涂鋼板表面微小點(diǎn)銹原因分析
觀察到多個(gè)微小點(diǎn)缺陷,尺寸均小于1 mm。在白灰色的彩涂板表面,點(diǎn)缺陷顏色發(fā)黃,疑似點(diǎn)銹。標(biāo)記點(diǎn)缺陷位置后,使用超聲波酒精清洗3 min,然后使用Zeiss EVO 25掃描電鏡進(jìn)行表面形貌觀察及能譜分析。將試樣浸泡在丁酮溶液中,并使用蘸有丁酮溶液的棉花擦拭試樣表面,將點(diǎn)缺陷表面的漆膜去除,然后在掃描電鏡下觀察漆膜去除后的基板表面形貌并進(jìn)行能譜分析。精心制備點(diǎn)缺陷的截面后,在Leica DM2500顯微鏡下觀察截面金相。2 試驗(yàn)結(jié)果及討論同一塊樣板上4個(gè)不
寶鋼技術(shù) 2021年3期2021-07-16
- 300系奧氏體不銹鋼冷軋小白點(diǎn)缺陷分析
冷軋后板面小白點(diǎn)缺陷，對(duì)小白點(diǎn)進(jìn)行微觀分析，結(jié)果表明鋼帶邊部發(fā)黑主要為Fe/Cr氧化物，經(jīng)分析主要與No.1表面粗糙度及酸洗不足銹點(diǎn)殘留存在較大相關(guān)性，通過改善白皮酸洗工藝可明顯改善此問題，本文對(duì)熱酸線的生產(chǎn)具有參考意義。關(guān)鍵詞：300系不銹鋼;小白點(diǎn);粗糙度;酸洗不足;冷軋隨著人們生活水平的提高，需求量越來越大，市場(chǎng)前景廣闊。300系不銹鋼冷軋板拋光后廣泛應(yīng)用于家庭用品、櫥柜、室內(nèi)管線、熱水器、鍋爐、汽車配件、醫(yī)療器具、建材、化學(xué)、食品工業(yè)、農(nóng)業(yè)、船舶部
科技風(fēng) 2021年5期2021-04-28
- 中子輻照SiC晶格腫脹及退火回復(fù)機(jī)理研究
晶體內(nèi)部缺陷，點(diǎn)缺陷是晶體腫脹的直接原因，空位、間隙原子等點(diǎn)缺陷均可破壞晶格點(diǎn)陣的周期性結(jié)構(gòu)，并產(chǎn)生晶格腫脹。一個(gè)空位增加約0.5個(gè)原子體積的晶格腫脹，一個(gè)間隙原子增加約1個(gè)原子體積的晶格腫脹[6]。空位和間隙原子是輻照過程中產(chǎn)生的最基礎(chǔ)的點(diǎn)缺陷，隨著輻照條件的變化，輻照缺陷發(fā)生演變，輻照通量越大，產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷密度越大，甚至產(chǎn)生位錯(cuò)及產(chǎn)生非晶化現(xiàn)象。輻照晶體一旦產(chǎn)生非晶化現(xiàn)象，高溫作用將無法使晶格回復(fù)，晶體測(cè)溫性能將失效。Niu等[7]利用分子動(dòng)力學(xué)方法(
測(cè)控技術(shù) 2021年3期2021-04-07
- 優(yōu)特鋼白點(diǎn)缺陷產(chǎn)生原因及解決措施
104）1 白點(diǎn)缺陷的概念在《結(jié)構(gòu)鋼的一般技術(shù)》上就曾指出：“如果在一根鋼材上發(fā)現(xiàn)了白點(diǎn)，這批鋼材就全部作廢，不允許第二次檢查”所以說白點(diǎn)缺陷在鋼廠中是一種不可以產(chǎn)生和進(jìn)行第二次復(fù)檢的缺陷。白點(diǎn)缺陷會(huì)對(duì)鋼材產(chǎn)生極大的危害，它能破壞鋼材的紋理和連續(xù)性，使鋼材產(chǎn)生裂紋嚴(yán)重破壞鋼材的結(jié)構(gòu)性能，白點(diǎn)在鋼材不同的橫向和縱向面上呈現(xiàn)的形態(tài)各不相同，如圖1所示的鍛造方鋼橫向低倍白點(diǎn)，沒有規(guī)則取向，一般是分布不規(guī)則呈輻射狀，是一條條鋸齒形的短小裂紋；如圖2所示的鋼材縱向斷
山西冶金 2021年1期2021-03-27
- 減少ZnGeP2晶體1～2.5 μm光學(xué)吸收的研究
GP晶體中引入點(diǎn)缺陷使其在0.7～2.5 μm具有額外光學(xué)吸收，從而影響ZGP晶體在光參量振蕩器中應(yīng)用性能。ZGP中影響其額外吸收的點(diǎn)缺陷主要為VP、GeZn和VZn[7-8]，為此，本文探索了減少ZGP晶體中不同類型點(diǎn)缺陷的方法路徑，以提高ZGP晶體在非線性光學(xué)器件中的應(yīng)用性能。1 實(shí) 驗(yàn)1.1 晶體生長通常化學(xué)計(jì)量比生長的ZnGeP2晶體中有三種點(diǎn)缺陷：Vp、GeZn以及VZn，這是因?yàn)楹铣稍现泻幸讚]發(fā)成分，為了更好地對(duì)比退火熱處理和電子輻照前后Z
人工晶體學(xué)報(bào) 2021年1期2021-02-23
- 材料輻照損傷中的點(diǎn)缺陷團(tuán)簇與一維遷移現(xiàn)象
新的熱點(diǎn).2 點(diǎn)缺陷與點(diǎn)缺陷團(tuán)簇高能粒子的輻照在材料中會(huì)產(chǎn)生弗倫克爾點(diǎn)缺陷對(duì)（Frenkel pair），即間隙原子（Interstitial atom）和空位（Vacancy）.這些間隙原子與材料基體原子相同，又可稱為自間隙原子（Self interstitial atom,SIA），以區(qū)別由那些尺寸更小的雜質(zhì)原子形成的間隙原子.高能粒子輻照產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷是產(chǎn)生材料輻照損傷的根源.對(duì)于形成點(diǎn)缺陷的級(jí)聯(lián)碰撞過程，以分子動(dòng)力學(xué)為主的計(jì)算機(jī)模擬研究做出了很大貢獻(xiàn)
工程科學(xué)學(xué)報(bào) 2020年12期2021-01-04
- 沉沒輥WC-12Co涂層爆點(diǎn)缺陷原因分析
會(huì)產(chǎn)生少量的爆點(diǎn)缺陷。為了提高涂層質(zhì)量，研究涂層鋅腐蝕失效機(jī)理 ，筆者以研究沉沒輥WC-12Co涂層爆點(diǎn)缺陷產(chǎn)生的原因?yàn)槌霭l(fā)點(diǎn)，著重對(duì)制備涂層的粉末、涂層封孔前后的表面形貌、涂層腐蝕前后的截面形貌進(jìn)行了對(duì)比分析。1 實(shí)驗(yàn)材料與實(shí)驗(yàn)方法1.1 實(shí)驗(yàn)材料與工藝樣品的基體材料為316L不銹鋼，樣品規(guī)格為Φ16 mm×100 mm和Φ16 mm×150 mm，噴涂原料采用 WC-12Co合金粉末，涂層制備采用美國普萊克斯生產(chǎn)的JP-8000超音速火焰噴涂設(shè)備，樣品
河南冶金 2020年3期2020-09-10
- 關(guān)于天然氣長輸管道埋地漏點(diǎn)分析研究
則對(duì)防腐層破損點(diǎn)缺陷進(jìn)行分類：DB值70以上設(shè)為一類；DB值50～70列為二類；DB值50以下列為三類。依據(jù)以上防腐層破損點(diǎn)缺陷分類原則對(duì)所有破損點(diǎn)進(jìn)行分類，一類點(diǎn)6 個(gè)，占破損點(diǎn)總數(shù)的28.57%；二類點(diǎn)12個(gè)，占破損點(diǎn)總數(shù)的57.14%；三類點(diǎn)3 個(gè)，占破損點(diǎn)總數(shù)的14.28%。其防腐層破損點(diǎn)缺陷分類統(tǒng)計(jì)見表1。表1 A管線防腐層破損點(diǎn)缺陷分類統(tǒng)計(jì)表（2）B管線長度76Km，檢測(cè)點(diǎn)數(shù)82處，破損點(diǎn)21處，平均每公里0.27 個(gè)。根據(jù)以下原則對(duì)防腐層破損
化工管理 2020年17期2020-07-17
- 大型模具鋼鍛件中白點(diǎn)的梳形反射波形的識(shí)別
入分析。1 白點(diǎn)缺陷檢測(cè)實(shí)例分析我公司生產(chǎn)的一批大型模具鋼棒材的材質(zhì)為4Cr5MoSiV1，尺寸為?785 mm×1080 mm。大型模具鋼棒材調(diào)質(zhì)前需要按GBT 1299—2014標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行超聲檢測(cè)，驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)Ee級(jí)，標(biāo)準(zhǔn)中要求不允許存在白點(diǎn)類型的危險(xiǎn)性缺陷。1.1 超聲檢測(cè)1.1.1 鋼棒外圓檢測(cè)1.1.2 鋼棒端面檢測(cè)1.1.3 檢測(cè)結(jié)果分析缺陷波形密集尖銳活躍，波形無明顯鋸齒特征，探頭移動(dòng)過程中波峰此起彼伏，相鄰缺陷波間根部有一定間距、彼此獨(dú)立并且清晰
大型鑄鍛件 2020年4期2020-07-15
- 基于第一性原理研究三氧化二釔本征點(diǎn)缺陷的熱動(dòng)力學(xué)性質(zhì)
將容易產(chǎn)生大量點(diǎn)缺陷，而帶電荷的點(diǎn)缺陷會(huì)與摻雜離子交換能量，從而降低材料的發(fā)光效率，影響光學(xué)和介電性質(zhì)[7-10]。文獻(xiàn)[11]指出， 當(dāng)研究ODS（ oxide dispersion strengthened）鐵素體鋼時(shí)，空位型缺陷可能是影響氧化釔抗輻射性的關(guān)鍵因素。因此，深入研究氧化釔晶體本征點(diǎn)缺陷的基本性質(zhì)十分必要。文獻(xiàn)[12-13]研究了氧化釔的電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)。Zheng 等[14]利用第一性原理計(jì)算了氧化釔中的點(diǎn)缺陷形成能，缺陷形成能作為溫度
上海理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2020年2期2020-05-30
- Lu2O3晶體在高壓下的光學(xué)性質(zhì)第一性原理研究
、 溫度和空位點(diǎn)缺陷.所以探究這些因素對(duì)Lu2O3晶體的光吸收譜的影響有重要科學(xué)意義.實(shí)驗(yàn)研究指明, 壓力大約在12.7-18.2 GPa的范圍內(nèi), Lu2O3晶體將從立方體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡苯Y(jié)構(gòu)[12], 該高壓結(jié)構(gòu)相變對(duì)Lu2O3晶體的光吸收譜有何影響是令人感興趣的.與此同時(shí), Lu2O3在高壓下的折射率變化規(guī)律也需要探究, 因?yàn)檫@些結(jié)果對(duì)正確解讀沖擊波實(shí)驗(yàn)中的VISAR(velocity interferometer system for any ref
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2020年3期2020-05-15
- 相變及空位缺陷對(duì)高壓下BeO光學(xué)性質(zhì)的影響
1)沖擊誘導(dǎo)的點(diǎn)缺陷，實(shí)驗(yàn)研究表明，強(qiáng)沖擊壓縮下，固體材料中存在高濃度的空位點(diǎn)缺陷，且這些缺陷可能會(huì)在材料的能隙中產(chǎn)生缺陷電子態(tài)，從而使材料的光吸收性發(fā)生變化[7,8].所以，空位點(diǎn)缺陷將對(duì)BeO晶體的光吸收譜造成什么影響是一個(gè)令人感興趣的問題.目前獲得的信息是，BeO晶體中氧空位點(diǎn)缺陷的形成能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于鈹空位點(diǎn)缺陷[9].由MgO和Al2O3等材料的計(jì)算數(shù)據(jù)和沖擊實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對(duì)比分析結(jié)果來看[10-12]，本文只需研究氧空位點(diǎn)缺陷對(duì)BeO晶體吸收譜性質(zhì)的影響
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2020年2期2020-05-15
- B2-AgMg金屬間化合物點(diǎn)缺陷行為的理論研究
郝志強(qiáng)， 李 輝， 姚建剛， 尹登峰,2(1. 煙臺(tái)南山學(xué)院 工學(xué)院，煙臺(tái)265713； 2. 中南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，長沙410083)1IntroductionWith the trials of lower density and higher specific strength, specific stiff, Mg-based alloy plays an important role in the fields of electronic,
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2020年4期2020-05-13
- 二維光子晶體波導(dǎo)傳輸分析
體結(jié)構(gòu)中，形成點(diǎn)缺陷或線缺陷，可以形成具有一定特性的光子晶體波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。光子晶體波導(dǎo)的原理是利用光子帶隙特性來控制光的傳播，在光子禁帶內(nèi)的電磁波入射到光子晶體波導(dǎo)時(shí)，電磁波將沿著缺陷的方向傳播，當(dāng)偏離缺陷時(shí)，能量將迅速衰減，并且光子晶體波導(dǎo)幾乎不受轉(zhuǎn)角的限制，而且在傳輸過程中有著很小的彎曲損耗。而傳統(tǒng)波導(dǎo)不能很好地實(shí)現(xiàn)90度的垂直轉(zhuǎn)彎，在實(shí)現(xiàn)90度垂直轉(zhuǎn)彎時(shí)，理論上會(huì)出現(xiàn)30%的傳輸能量損失，而光子晶體波導(dǎo)的損耗很小，只有2%左右[11]。因此，光子晶體波導(dǎo)
- 三維球內(nèi)近晶A相液晶徑向?qū)ΨQ缺陷構(gòu)型的穩(wěn)定性
明其徑向?qū)ΨQ的點(diǎn)缺陷構(gòu)型的穩(wěn)定性。關(guān)鍵詞：液晶;近晶A相;點(diǎn)缺陷;徑向?qū)ΨQ性;穩(wěn)定性中圖分類號(hào)：O175.2; O176文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A液晶是介于通常液體和固態(tài)晶體之間的中間態(tài)物質(zhì)， 它既有晶體的分子有向特性，又有流體那樣的流動(dòng)性。液晶分子幾何的各向異性促使液晶系統(tǒng)表現(xiàn)出像晶體一樣的各向異性，其復(fù)雜而迷人的結(jié)構(gòu)以及獨(dú)特的物理化學(xué)性能吸引著眾多科學(xué)家的關(guān)注。 隨著溫度從高到低的變化，液晶材料往往表現(xiàn)出從均勻相到向列相再到近晶相的相變過程。詳細(xì)的液晶介紹可以參
- 某車型鍍鋅后蓋外板渣點(diǎn)缺陷研究
在沖壓后出現(xiàn)渣點(diǎn)缺陷，經(jīng)涂裝后表面質(zhì)量不合格，需人工對(duì)零件進(jìn)行打磨，費(fèi)時(shí)費(fèi)力。為保證客戶使用效果，邯鋼針對(duì)該渣點(diǎn)缺陷進(jìn)行了分析研究。1 渣點(diǎn)缺陷原因分析1.1 缺陷表觀形貌該外板材質(zhì)為HC180YD+Z，GI50/50，厚0.65mm。在生產(chǎn)過程中斷續(xù)出現(xiàn)大小0.3mm～0.7mm的渣點(diǎn)、位置帶中下表，呈線狀排列，渣點(diǎn)間距不等；沖壓后打磨上表明顯亮點(diǎn)，如下圖所示。圖1 沖壓打磨后渣點(diǎn)宏觀形貌1.2 試樣準(zhǔn)備從已經(jīng)沖壓成型的后蓋外板上取缺陷試樣。使用KH22
中國金屬通報(bào) 2019年9期2019-10-21
- 點(diǎn)缺陷石墨烯的電導(dǎo)
劉南舒，周思，趙紀(jì)軍大連理工大學(xué)三束材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，遼寧 大連 1160241 lntroductionOwing to the fascinating properties, such as ultra-high carrier mobility, superior electrical and thermal conductivities,graphene is among the most promising materials for f
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2019年10期2019-10-14
- 函數(shù)點(diǎn)缺陷對(duì)光子晶體帶隙結(jié)構(gòu)的調(diào)制
電常數(shù)為常數(shù)的點(diǎn)缺陷對(duì)光子晶體帶隙結(jié)構(gòu)的影響，并為光學(xué)器件的設(shè)計(jì)提供了很好的思路[12-14]。本課題組進(jìn)一步研究當(dāng)介質(zhì)柱的介電常數(shù)為函數(shù)形式時(shí)，函數(shù)系數(shù)k的改變對(duì)光子晶體帶隙結(jié)構(gòu)的調(diào)節(jié)作用。文獻(xiàn)[15-18]提出了二維函數(shù)光子晶體的概念，并研究了二維函數(shù)光子晶體中TE和TM波的帶隙結(jié)構(gòu)及Dirac點(diǎn)分布。二維函數(shù)光子晶體不同于二維常規(guī)光子晶體，其介質(zhì)柱折射率是隨空間位置分布的函數(shù)，可通過對(duì)介質(zhì)柱施加外電場(chǎng)、光場(chǎng)來改變其折射率，即通過電光效應(yīng)和Kerr效應(yīng)
- 離子輻照和氧化對(duì)IG-110核級(jí)石墨中的點(diǎn)缺陷的影響*
認(rèn)為輻照產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷(間隙原子和空位),結(jié)構(gòu)性能的變化源自點(diǎn)缺陷的移動(dòng)、聚合、復(fù)合等演化行為[10],對(duì)石墨中缺陷的模型也有一些討論[11],但對(duì)原子尺度上石墨缺陷演化的研究還不充分.在氧化方面,核級(jí)石墨孔隙結(jié)構(gòu)[12]和化學(xué)成分[13]的復(fù)雜性對(duì)氧化行為有很大的影響,使得不同牌號(hào)石墨的氧化行為有所差別.對(duì)于氣體流速[14]及溫度[15,16]等影響石墨氧化的外部因素,在實(shí)驗(yàn)和模擬上已有很多研究.王鵬和于溯源[17]總結(jié)了核級(jí)石墨氧化的化學(xué)動(dòng)力學(xué)模型、失重
物理學(xué)報(bào) 2019年12期2019-06-29
- GaN中質(zhì)子輻照損傷的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究
器還很難觀察到點(diǎn)缺陷的動(dòng)態(tài)演化過程，因此常借助于計(jì)算機(jī)模擬的方法進(jìn)行相關(guān)研究。分子動(dòng)力學(xué)方法是一種廣泛用于材料輻照效應(yīng)研究的方法，目前還多用于金屬材料在反應(yīng)堆和聚變堆中的中子輻照損傷研究，而關(guān)于半導(dǎo)體材料的研究較少。目前國內(nèi)尚無文獻(xiàn)報(bào)道有關(guān)GaN中質(zhì)子輻照損傷的分子動(dòng)力學(xué)研究。國際上的研究也多關(guān)于重離子輻照損傷的分子動(dòng)力學(xué)研究[3-4]，其研究多關(guān)注于點(diǎn)缺陷數(shù)，并未對(duì)點(diǎn)缺陷的演化過程和空間分布情況進(jìn)行討論。本文采用分子動(dòng)力學(xué)中應(yīng)用較多的lammps軟件[5
原子能科學(xué)技術(shù) 2019年6期2019-06-14
- 磷酸釔晶體物理性質(zhì)及本征缺陷的研究
的運(yùn)算時(shí)間,將點(diǎn)缺陷周圍的晶格用Mott-Littleton法簡化成3個(gè)區(qū)域,分別為 Ⅰ,Ⅱa,Ⅱb[15].再利用勢(shì)參數(shù)模擬計(jì)算完整磷酸釔晶體的力學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì).其中,區(qū)域 Ⅰ 采用原子水平處理,所有的離子由于缺陷的存在會(huì)發(fā)生弛豫,直到重新達(dá)到平衡為止.而區(qū)域 Ⅱ 因與缺陷位置的距離較遠(yuǎn),受到缺陷的作用力較小,所以,采用準(zhǔn)連續(xù)介質(zhì)的方法模擬缺陷周圍離子的擴(kuò)散.使用GULP軟件模擬計(jì)算YPO4晶體的物理性質(zhì)和本征點(diǎn)缺陷的缺陷形成能時(shí),最常用的勢(shì)參數(shù)是描述
上海理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2018年1期2018-02-03
- 氧化鈰和氧化鈧摻雜對(duì)氧化鋯材料中點(diǎn)缺陷的影響
對(duì)氧化鋯材料中點(diǎn)缺陷的影響陶景超(上海交通大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,上海 200240)介紹了兩種稀土元素?fù)诫s的氧化鋯(ZrO2)材料:氧化鈰(CeO2)摻雜ZrO2和氧化鈧(Sc2O3)摻雜ZrO2.CeO2摻雜ZrO2材料的研究重點(diǎn)是溫度和氧分壓對(duì)其氧空位形成的影響,以及由此帶來的其熱力學(xué)參數(shù)的變化.Sc2O3摻雜ZrO2材料的研究重點(diǎn)在ZrO2的摻雜含量對(duì)其氧空位數(shù)量的影響,以及氧空位作為離子導(dǎo)通的載體在晶體和晶界上的變化對(duì)材料導(dǎo)電性能的作用.氧化鋯
- ZnO和ZnS本征點(diǎn)缺陷的理論研究
O和ZnS本征點(diǎn)缺陷的理論研究馬昌敏, 劉廷禹, 常秋香, 羅國胤(上海理工大學(xué)理學(xué)院, 上海 200093)摘要基于第一性原理和熱動(dòng)力學(xué)方法, 通過模擬計(jì)算分析了不同溫度和分壓下ZnS和ZnO晶體本征點(diǎn)缺陷的性質(zhì). 振動(dòng)熵的計(jì)算結(jié)果表明, 在高溫條件下, 振動(dòng)熵對(duì)缺陷形成能的貢獻(xiàn)不能忽略. 對(duì)比分析2種晶體本征點(diǎn)缺陷隨環(huán)境條件變化的規(guī)律, 結(jié)果表明, 2種晶體的主導(dǎo)缺陷均為空位型. 氧空位(VO)在ZnO中更易形成, 富氧和低溫條件有利用于ZnO的p型本
高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報(bào) 2016年5期2016-08-11
- 應(yīng)變玻璃轉(zhuǎn)變的相場(chǎng)模擬
學(xué)；相變相圖；點(diǎn)缺陷1前言眾所周知，玻璃態(tài)是材料中普遍存在的一種特殊狀態(tài)，它可以描述為材料損失了晶體的長程有序結(jié)構(gòu)，但是仍然以穩(wěn)定的固體形式存在,并且表現(xiàn)處類似液體的短程有序結(jié)構(gòu)。通常來說，玻璃態(tài)一般是由于物質(zhì)在從液態(tài)冷卻的時(shí)候由于冷卻速度太快或者結(jié)晶速度太慢等動(dòng)力學(xué)原因，或者由于分子自身不存在重復(fù)單元而無法形成晶體，被凍結(jié)在液態(tài)的分子排布狀態(tài)的一種形態(tài)，例如結(jié)構(gòu)玻璃和金屬玻璃。一般來說，如果在一個(gè)體系中存在缺陷或者別的阻礙(如溫度太快，弛豫時(shí)間太長等)時(shí)
中國材料進(jìn)展 2016年6期2016-08-01
- 鐵電材料的時(shí)效效應(yīng)及超大可回復(fù)電致應(yīng)變
鐵電時(shí)效與可動(dòng)點(diǎn)缺陷(如氧空位)的擴(kuò)散密切相關(guān)，但其微觀機(jī)理一直未被闡釋清楚。核心問題是無法理解鐵電相變?yōu)槭裁磿?huì)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)缺陷擴(kuò)散。作者基于其所提出的鐵電晶體中的點(diǎn)缺陷短程有序?qū)ΨQ性原理，指出：鐵電相變后，晶體對(duì)稱性發(fā)生改變，點(diǎn)缺陷短程有序?qū)ΨQ性受控于晶體對(duì)稱性而發(fā)生改變的這一原理驅(qū)動(dòng)了點(diǎn)缺陷的擴(kuò)散。進(jìn)一步，通過時(shí)效調(diào)控晶體點(diǎn)缺陷的對(duì)稱性，產(chǎn)生電場(chǎng)下可逆的電疇翻轉(zhuǎn)，在鈦酸鋇鐵電材料中發(fā)現(xiàn)了40倍于傳統(tǒng)電致應(yīng)變的巨大可回復(fù)電致應(yīng)變效應(yīng)。該結(jié)果為開發(fā)大電致應(yīng)變材料
中國材料進(jìn)展 2016年6期2016-08-01
- 氫氦在鎢中的影響的第一性原理研究
或氦在鎢中產(chǎn)生點(diǎn)缺陷的形成能以及缺陷形成后對(duì)鎢的彈性的影響；采用同樣的方法研究了空位和自間隙原子這兩種缺陷。經(jīng)計(jì)算發(fā)現(xiàn)：氫氦摻雜在鎢的晶體結(jié)構(gòu)中會(huì)引起晶體體積的變化，其變化結(jié)果跟摻雜的位置有關(guān)，在四面體或八面體處的摻雜會(huì)使晶體體積增加，替位摻雜會(huì)引起晶體體積減?。粡男纬赡軄砜?，氫摻雜在鎢中最占優(yōu)的位置是四面體處，而氦最占優(yōu)的則是替位摻雜。在幾種缺陷中，形成能最小的是氫的四面體摻雜，形成能最大的則是鎢的自間隙原子形成；鎢中若含有氫或氦的點(diǎn)缺陷，晶體的體彈模量
核化學(xué)與放射化學(xué) 2016年1期2016-07-26
- 結(jié)合第一性原理和熱力學(xué)計(jì)算對(duì)HfO2晶體本征點(diǎn)缺陷的預(yù)測(cè)
fO2晶體本征點(diǎn)缺陷的預(yù)測(cè)劉鳳明 劉廷禹*劉 檢 李海心(上海理工大學(xué)理學(xué)院,上海200093)基于第一性原理和熱動(dòng)力學(xué)方法模擬計(jì)算得到了不同溫度和氧分壓下HfO2晶體本征點(diǎn)缺陷的形成能,并討論了各種點(diǎn)缺陷的形成能隨費(fèi)米能級(jí)變化的規(guī)律.結(jié)果表明:當(dāng)費(fèi)米能級(jí)在價(jià)帶頂附近時(shí),隨著溫度和氧分壓的變化,出現(xiàn)了不同的最穩(wěn)定點(diǎn)缺陷(O0i、V2+O3和Hfi4+).當(dāng)費(fèi)米能級(jí)大于3.40 eV時(shí),主要點(diǎn)缺陷是帶-4價(jià)的Hf空位.該晶體除Hf空位在價(jià)帶頂附近出現(xiàn)了奇數(shù)價(jià)
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2015年3期2015-12-29
- As代P點(diǎn)缺陷對(duì)KDP晶體近紫外光損傷的影響
3 )As代P點(diǎn)缺陷對(duì)KDP晶體近紫外光損傷的影響高慧， 沙貝， 孫剛， 李華， 閆靜( 齊魯師范學(xué)院 物理與電子工程學(xué)院， 山東 濟(jì)南 250013 )通過基于第一性原理的CASTEP軟件計(jì)算發(fā)現(xiàn),KDP晶體中As代P點(diǎn)缺陷的形成能約是4.0 eV,說明晶體中比較容易形成這種點(diǎn)缺陷.通過模擬點(diǎn)缺陷形成前后晶體的電子結(jié)構(gòu)和能態(tài)密度發(fā)現(xiàn)，As替代P后，晶體能帶寬度變?yōu)?.2 eV,這有可能會(huì)造成晶體對(duì)波長為355 nm的雙光子吸收.As替代P后，As—O四面
- 基于ANSYS/LS-DYNA的鐵路貨車缺陷軸承振動(dòng)特性研究
、外圈及滾子的點(diǎn)缺陷模型進(jìn)行動(dòng)力學(xué)仿真分析，研究軸承主要元件有點(diǎn)缺陷時(shí)對(duì)振動(dòng)的影響及振動(dòng)特征，找出判斷依據(jù)。1 點(diǎn)缺陷及軸承有限元模型滾子軸承會(huì)因疲勞、裂紋、壓痕、膠合等失效形式引起滾動(dòng)體和內(nèi)、外圈表面剝落,這是滾動(dòng)軸承常見的故障。表面剝落所形成的點(diǎn)缺陷惡化會(huì)導(dǎo)致整個(gè)軸承的故障甚至報(bào)廢[10]。內(nèi)、外圈和滾子的點(diǎn)缺陷模型是在正常軸承353130B模型[11～16]的基礎(chǔ)上通過引人“人工點(diǎn)缺陷”建立的。在內(nèi)、外圈和滾子承載區(qū)分別構(gòu)造1個(gè)凹坑，點(diǎn)缺陷半徑約1m
制造業(yè)自動(dòng)化 2015年24期2015-12-23
- 熱鍍鋁鋅硅鍍層凸點(diǎn)缺陷組織分析及生產(chǎn)工藝優(yōu)化
鍍鋁鋅硅鍍層凸點(diǎn)缺陷組織分析及生產(chǎn)工藝優(yōu)化岳崇鋒1,2,江社明1,王銀軍3,劉 昕1,張啟富1,曲選輝2(1. 鋼鐵研究總院 先進(jìn)金屬材料涂鍍國家工程實(shí)驗(yàn)室,北京 100081; 2. 北京科技大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,北京 100083;3. 梅山鋼鐵公司 技術(shù)中心,南京 210039)熱鍍鋁鋅硅鍍層板(Galvalum)因其優(yōu)異的耐蝕性得到廣泛的應(yīng)用，其生產(chǎn)技術(shù)已較成熟，而其產(chǎn)品(尤其是厚規(guī)格產(chǎn)品)表面質(zhì)量控制一直是生產(chǎn)中的技術(shù)難點(diǎn)。凸點(diǎn)缺陷是該產(chǎn)品的
腐蝕與防護(hù) 2015年3期2015-11-19
- 基于LS-DYNA鐵路貨車缺陷軸承動(dòng)力學(xué)分析
。下文主要研究點(diǎn)缺陷對(duì)軸承應(yīng)力、位移、速度和加速度的影響，建立了軸承內(nèi)外圈及滾子的點(diǎn)缺陷模型，進(jìn)行動(dòng)力學(xué)分析，最后通過對(duì)比，分析有缺陷軸承和正常軸承應(yīng)力及加速度之間的關(guān)系。1 缺陷軸承動(dòng)力學(xué)仿真1.1 點(diǎn)缺陷滾動(dòng)軸承會(huì)因疲勞、裂紋、壓痕、膠合等失效形式引起滾動(dòng)體和內(nèi)、外圈表面剝落，這是滾動(dòng)軸承常見的故障。表面剝落所形成的點(diǎn)缺陷惡化會(huì)導(dǎo)致整個(gè)軸承產(chǎn)生故障甚至報(bào)廢［4］。滾子缺陷軸承模型是在正常軸承353130B模型［5-10］的基礎(chǔ)上建立的。在內(nèi)、外圈和滾子
軸承 2015年6期2015-07-26
- Lu2SiO5晶體電子結(jié)構(gòu)的模擬研究
電子結(jié)構(gòu)； 點(diǎn)缺陷中圖分類號(hào)： O 482文獻(xiàn)標(biāo)志碼： Adoi： 10.3969/j.issn.10055630.2015.02.010Study on electronic properties of Lu2SiO5 crystalsXIA Guanfang， LIU Tingyu， YAN Feinan， CHEN Jun（School of Science， University of Shanghai for Science and Techn
光學(xué)儀器 2015年2期2015-05-20
- 點(diǎn)缺陷對(duì)L12-Al3Li金屬間化合物熱力學(xué)性能的影響
410083)點(diǎn)缺陷對(duì)L12-Al3Li金屬間化合物熱力學(xué)性能的影響田兆蕓1，姚建剛1，張朝民1，尹登峰2, 3, 江 勇3(1. 煙臺(tái)南山學(xué)院數(shù)學(xué)物理教學(xué)部，煙臺(tái) 265713； 2. 煙臺(tái)南山學(xué)院材料系，煙臺(tái) 265713;3.中南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，長沙 410083)運(yùn)用基于第一性原理的平面波贗勢(shì)法研究了L12-Al3Li金屬間化合物中Li原子空位和Al原子反位缺陷對(duì)Al3Li熱力學(xué)性能的影響，結(jié)果表明： Al反位缺陷易與周圍原子形成局域共價(jià)鍵
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2015年4期2015-03-23
- 光子晶體耦合缺陷的透射特性研究
5-8]，其中點(diǎn)缺陷因其結(jié)構(gòu)簡單、應(yīng)用性強(qiáng)而備受關(guān)注，它的重要應(yīng)用之一是全光二極管[9].全光二極管的物理機(jī)制是在具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)和非線性材料兩個(gè)特征的情況下，相同的連續(xù)波分別從器件兩端入射所得透射率不同，因此呈現(xiàn)出單向透射性.當(dāng)具有一定頻率失諧的連續(xù)波從容易耦合進(jìn)缺陷的一端入射時(shí)，點(diǎn)缺陷的折射率在電場(chǎng)能量的影響下發(fā)生變化，使得缺陷透射譜即缺陷模的位置發(fā)生偏移，原本不高的透射率增大，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通的狀態(tài).而當(dāng)該連續(xù)波從很難耦合進(jìn)缺陷的一端入射時(shí)，缺陷模受影響不大，
通化師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2014年10期2014-06-12
- 線缺陷光子晶體波導(dǎo)的透射特性研究
波導(dǎo)是通過多個(gè)點(diǎn)缺陷的耦合形成的波導(dǎo)[7,8]，它的應(yīng)用范圍更廣。它的物理機(jī)制是光能量被束縛在點(diǎn)缺陷中諧振并依次耦合通過各個(gè)點(diǎn)缺陷最終傳播出去，這種線缺陷波導(dǎo)有著傳統(tǒng)波導(dǎo)無法比擬的優(yōu)點(diǎn)，如可以在原禁帶中形成一個(gè)準(zhǔn)平坦的雜質(zhì)帶，透射譜的范圍比傳統(tǒng)波導(dǎo)更寬。當(dāng)引入克爾非線性時(shí)，該波導(dǎo)結(jié)構(gòu)還可以被用來制作高效全光開關(guān)。[9-11]目前，在線缺陷方面的研究比較多，但研究方向多在光學(xué)器件的設(shè)計(jì)方面，并未對(duì)如何獲得超平坦、寬頻帶的線缺波導(dǎo)進(jìn)行分析。因此，分析影響線缺陷
黃山學(xué)院學(xué)報(bào) 2014年3期2014-06-07
- 二維光子晶體可調(diào)諧光能量分配器研究
波導(dǎo)的下方引入點(diǎn)缺陷.采用基于時(shí)域有限差分技術(shù)（FDTD）的數(shù)值模擬方法分析光波在兩個(gè)通道中的透射特性，發(fā)現(xiàn)點(diǎn)缺陷可以選擇特定頻率的光波導(dǎo)通.當(dāng)在點(diǎn)缺陷區(qū)域引入克爾非線性并選擇具有一定頻率失諧的光波入射時(shí)，從點(diǎn)缺陷波導(dǎo)輸出的光透射率會(huì)隨光功率的增大而增加，從而實(shí)現(xiàn)兩個(gè)通道分光比的任意分配.該結(jié)論為設(shè)計(jì)光能量分配器提供了理論依據(jù).光能量分配器；光子晶體；時(shí)域有限差分技術(shù)；點(diǎn)缺陷；線缺陷0 引言光子晶體［1］是一種將不同介電材料按周期性排列的新型微結(jié)構(gòu)材料，它
渭南師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2014年19期2014-05-25
- 基于復(fù)合光子晶體缺陷的THz波調(diào)制器研究
體中引入非線性點(diǎn)缺陷，它的應(yīng)用更加廣泛，如全光開關(guān)[6]、全光二極管[7]、光功率分配器[8]、THz波調(diào)制器[9]，這些光學(xué)器件的出現(xiàn)使信息處理技術(shù)的“全光子化”成為可能，很可能在不久的將來導(dǎo)致一次信息技術(shù)的產(chǎn)業(yè)革命。THz波調(diào)制器作為一種光學(xué)邏輯開關(guān)器件，它可以通過光功率或電流信號(hào)調(diào)制光路的開、關(guān)狀態(tài)，被認(rèn)為是未來全光通信的核心元件。因?yàn)楣庾泳w控制的光波處在THz（太赫茲）頻率范圍段，所以采用光子晶體制備THz波調(diào)制器成為該領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。文中選擇一
科技視界 2014年25期2014-04-27
- 光子晶體太赫茲雙波長濾波器的設(shè)計(jì)
，大多利用一個(gè)點(diǎn)缺陷來產(chǎn)生一個(gè)諧振腔來實(shí)現(xiàn)單個(gè)波長太赫茲波的濾出，而現(xiàn)階段實(shí)現(xiàn)的多通道濾波器，也是通過引入多個(gè)點(diǎn)缺陷來實(shí)現(xiàn)多波長濾波[4]，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，插入損耗較大，無法滿足高速的太赫茲通信要求。本文提出了一種利用單個(gè)點(diǎn)缺陷實(shí)現(xiàn)雙波長高效濾波的光子晶體太赫茲濾波器，利用點(diǎn)、線缺陷結(jié)合的結(jié)構(gòu)，采用非線性物質(zhì)砷化鎵[5]填充點(diǎn)缺陷，通過引入一個(gè)點(diǎn)缺陷實(shí)現(xiàn)對(duì)某兩個(gè)波長的耦合，達(dá)到雙波長窄帶濾波的功能。1 結(jié)構(gòu)模型和濾波機(jī)理1.1 濾波器結(jié)構(gòu)本文設(shè)計(jì)的太赫茲濾波器基
通信技術(shù) 2013年7期2013-10-31
- 新型高速調(diào)制太赫茲波調(diào)制器理論研究
、線缺陷，利用點(diǎn)缺陷處聚苯胺的光控特性實(shí)現(xiàn)點(diǎn)缺陷處的缺陷模的動(dòng)態(tài)遷移，實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波的通、斷調(diào)制。仿真結(jié)果表明該調(diào)制器與現(xiàn)有的太赫茲波調(diào)制器相比，具有響應(yīng)時(shí)間短、調(diào)制速率高等優(yōu)點(diǎn)。1 調(diào)制器結(jié)構(gòu)和調(diào)制機(jī)理1.1 調(diào)制器結(jié)構(gòu)圖1為本文提出的復(fù)式三角晶格光子晶體太赫茲波調(diào)制器。晶格常數(shù)a=30 μm，由21×23個(gè)介質(zhì)柱組成。介質(zhì)柱為圓形高純硅，在太赫茲波段折射率為3.4，損耗可忽略。圓形介質(zhì)柱半徑r=5 μm，方形介質(zhì)柱邊長為b=9 μm?；捉橘|(zhì)為空氣，其
通信技術(shù) 2013年7期2013-10-31
- 貴金屬原子與點(diǎn)缺陷石墨烯的鍵增強(qiáng)作用
)貴金屬原子與點(diǎn)缺陷石墨烯的鍵增強(qiáng)作用解鵬洋 莊桂林*呂永安 王建國*李小年(浙江工業(yè)大學(xué)化學(xué)工程與材料學(xué)院,杭州310014)通過密度泛函理論研究了Ag、Au、Pt原子在完美和點(diǎn)缺陷(包括N摻雜、B摻雜、空位點(diǎn)缺陷)石墨烯上的吸附以及這些體系的界面性質(zhì).研究表明Ag、Au不能在完美的石墨烯上吸附,N、B摻雜增強(qiáng)了三種金屬與石墨烯之間的相互作用.而空位點(diǎn)缺陷誘發(fā)三種金屬在石墨烯上具有強(qiáng)化學(xué)吸附作用.通過電子結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn),N摻雜增強(qiáng)了Au、Pt與C形成的共價(jià)
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2012年2期2012-12-05
- 1060鋁箔表面白點(diǎn)缺陷的分析
象，雖然此類白點(diǎn)缺陷對(duì)箔材力學(xué)性能的影響還未進(jìn)行試驗(yàn)分析，但因其大大降低了箔材表面質(zhì)量，所以必然會(huì)對(duì)產(chǎn)品的銷售、使用和壽命產(chǎn)生不利影響。所以，確定白點(diǎn)的類別、種類進(jìn)而從根源上消除此類缺陷就顯得尤為重要。本文通過現(xiàn)場(chǎng)觀察、試軋及實(shí)驗(yàn)分析，對(duì)白點(diǎn)缺陷的類別進(jìn)行了確定，并定性分析了該白點(diǎn)缺陷產(chǎn)生的原因。1 試軋方案及結(jié)果1.1 1060鋁箔成分1060為一種不可熱處理強(qiáng)化型的變形純鋁，其耐蝕性、壓力加工性及焊接性能良好，強(qiáng)度不高。某企業(yè)生產(chǎn)1060箔材的化學(xué)成分
有色金屬加工 2012年5期2012-07-28
- 氧化鋅點(diǎn)缺陷發(fā)光機(jī)理的研究進(jìn)展
047）氧化鋅點(diǎn)缺陷發(fā)光機(jī)理的研究進(jìn)展鄧 泉 張學(xué)忠（重慶師范大學(xué)，重慶 400047）綜述氧化鋅點(diǎn)缺陷發(fā)光機(jī)理的研究進(jìn)展。由于純氧化鋅發(fā)光歸因于本征點(diǎn)缺陷，理論計(jì)算方法可以得到幾種本征點(diǎn)缺陷對(duì)應(yīng)的缺陷能級(jí)，通過摻雜不同元素和改變氧分壓、濺射功率、襯底溫度和退火溫度等制備條件，觀察氧化鋅薄膜光致發(fā)光的變化，進(jìn)而推測(cè)氧化鋅薄膜發(fā)光機(jī)理，得到了不同的機(jī)理解釋。氧化鋅；點(diǎn)缺陷；光致發(fā)光氧化鋅是Ⅱ-Ⅵ族直接寬帶隙氧化物半導(dǎo)體材料，呈六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)。其晶格常數(shù)a=b
- bcc－Fe空位濃度對(duì)輻照損傷影響的分子動(dòng)力學(xué)模擬
過0.5ps后點(diǎn)缺陷數(shù)量NF達(dá)到最大值1632，之后其逐漸減少，10ps后穩(wěn)定在60。預(yù)置空位的存在加速了級(jí)聯(lián)過程中點(diǎn)缺陷的湮滅。進(jìn)一步的模擬指出，預(yù)置空位濃度越高，則點(diǎn)缺陷復(fù)合也就越快。這些結(jié)果有助于描述核反應(yīng)堆結(jié)構(gòu)鋼的某些微觀失效機(jī)理。中子輻照；分子動(dòng)力學(xué)；空位濃度；位移級(jí)聯(lián)；間隙原子團(tuán)反應(yīng)堆壓力容器（RPV）是在高溫、高壓等強(qiáng)烈的輻照等惡劣條件下運(yùn)行的，A508－Ⅲ鋼是國產(chǎn)反應(yīng)堆壓力容器用鋼，具有較高的抗中子輻照脆化性，設(shè)計(jì)壽命預(yù)計(jì)在40年以上［1］
材料工程 2011年10期2011-10-30