多晶
- 基于弱取向外延生長多晶薄膜的OLED研究進展
1,3-10]、多晶薄膜 OLED[11-16]、有機發(fā)光晶體管（Organic light-emitting transistors,OLET）[17-21]、有機光電泵浦激光[22-24]和光電性質研究[25-33]等。弱取向外延生長（Weak-epitaxy-growth,WEG）[34-36]是2007年閆東航研究組提出的一種基于真空物理氣相沉積技術制備有機多晶薄膜的方法。如圖1所示，WEG是在有機半導體和非晶襯底（如SiO2、導電聚合物等）之間引
發(fā)光學報 2023年1期2023-02-16
- 一種多晶冰糖煮糖二次蒸汽的回收工藝
要包括單晶冰糖、多晶冰糖（即“土冰”）、冰片糖，以及根據(jù)客戶需求制作成的其他冰糖品種，如咖啡冰糖、冰糖粉等[3-4]。冰糖可直接食用，也可以用來烹羹燉菜或制作甜點，著名的“冰糖湘蓮”是八大菜系中的湘菜珍饈；另外還有如“冰糖雪梨”、“冰糖燕窩”等滋補品。冰糖還可用于高級食品甜味劑，配制藥品浸漬酒類和滋補佐藥等，廣泛用于食品和保健行業(yè)作為高檔補品和保健品[5]。此外，中醫(yī)認為，冰糖味甘、性平，入肺、脾經，有補中益氣和潤肺的功效；冰糖養(yǎng)陰生津，潤肺止咳，對肺燥咳
甘蔗糖業(yè) 2022年5期2022-12-29
- 納米晶CoNiCrFeMn 高熵合金力學性能的原子尺度分析*
對納米晶(單晶、多晶)CoNiCrFeMn 高熵合金的力學性能評估有助于理解高熵合金材料物性,更好地服務于核反應堆包殼管、航空發(fā)動機、噴氣渦輪葉片等國防應用領域發(fā)展.本文提出對納米晶CoNiCrFeMn 高熵合金微結構演化與力學性能間的相關性展開研究.基于納米壓痕法,研究了納米晶高熵合金和納米晶鎳的變形行為與力學性能,比較了使役溫度對納米晶CoNiCrFeMn 高熵合金和納米晶Ni的力學性能與微結構演化差異.結果表明: 單晶高熵合金力學性能(最大承載荷、硬
物理學報 2022年19期2022-10-16
- 界面增強多晶點陣結構的耐撞吸能性能
不同取向組成宏觀多晶體構型，宏觀晶界也可以起到阻礙剪切帶擴展的作用，從而避免變形過度集中，有利于提高結構材料的承壓強度和吸能性能。隨后，一些學者也研究了包含第二相夾雜或孿晶界的點陣結構的力學性能，如Yin 等[18]、Xiao 等[19]、Lu 等[20]研究了第二相粒子對吸能性能的增強作用。Ma 等[21]借助機器學習方法研究了混雜點陣材料的力學性能優(yōu)化問題。Vangelatos 等[22]將octet 結構沿滑移面方向的胞元進行了局部替代，得到了具有更
高壓物理學報 2022年2期2022-04-20
- CH3NH3PbI3多晶薄片的制備及性能表征
3NH3PbI3多晶薄片的制備從前期制備的CH3NH3PbI3單晶中篩選出生長小且不規(guī)則的單晶廢料,然后將CH3NH3PbI3單晶廢料放入研缽中進行充分的研磨,再將粉末放入模具,將模具放入壓片機中,先將壓力設置為5 MPa,開始升溫,升溫至200 ℃后,將壓力增加到10 MPa,保溫30 min后取出模具,得到CH3NH3PbI3多晶薄片,具體制備示意圖如圖2所示。圖2 CH3NH3PbI3多晶薄片制備示意圖Fig.2 CH3NH3PbI3 polycry
沈陽師范大學學報(自然科學版) 2022年6期2022-03-21
- 六方氮化硼直接轉化合成多晶立方氮化硼的研究*
，于是人們開發(fā)了多晶立方氮化硼(PcBN)。目前，PcBN 主要采用cBN微粉并以金屬或陶瓷材料為黏結劑，在5～6 GPa、1 300～1 400 ℃的高壓高溫條件下燒結制成[3-6]。燒結時，cBN粒度大小、黏結劑組分及其含量要根據(jù)具體應用情況進行調整。此外，還可以采用cBN微粉或者六方氮化硼(hBN)在超高壓高溫條件下(壓強大于7.7 GPa、溫度大于2 000 ℃)直接燒結或轉化為無結合劑的PcBN，其硬度可達80 GPa并具有優(yōu)異的耐磨性。SOLO
金剛石與磨料磨具工程 2021年3期2021-07-21
- 高鎳多晶和高鎳單晶混合正極材料對三元電池性能的影響
二次顆粒以團聚、多晶的形式構成。高鎳材料中，隨著Ni含量的增加，材料的克容量也隨之升高，但高鎳二次顆粒材料還存在以下問題：1)由于以二次團聚體形成的高鎳正極材料的堆積密度低，制成的極片壓實密度低，進一步降低了電池的比能量；2)在通過增加壓實密度來提高比能量時，其極易導致二次顆粒材料破碎、材料的比表面積增加、電池副反應增多、電池產氣嚴重等問題[2-5]。然而，高鎳單晶正極材料可有效改善二次顆粒形成的多晶材料存在的高溫性能差、壓實低、電池產氣等問題。原因：1)
機械設計與制造工程 2021年6期2021-07-14
- 室溫鐵磁性Sr3YCo4O10.5+δ多晶有序化的燒結工藝及電磁性能
4O10.5+δ多晶，發(fā)現(xiàn)變形鈣鈦礦Sr3YCo4O10.5+δ屬于四方相結構，I4/mmm空間群，晶格常數(shù)a=b=0.762 38 nm，c=1.531 44 nm[2-8]。c軸方向上，Sr2+、Y3+按-Sr-Y-Y-Sr-順序排布，缺氧CoO4.25+δ四面體層與富氧CoO6八面體層交替堆垛[12-15]，4層一周期使c軸長度為原始鈣鈦礦型晶胞的4倍，a、b軸長度為原始晶胞的2倍。ab面內 Sr2+和Y3+比值為3∶1。目前對Sr3YCo4O10.
人工晶體學報 2021年6期2021-07-12
- C12A7∶Yb3+/Eu3+多晶粉制備及上轉換光學性能的研究
u3+/Yb3+多晶粉，并對其晶體結構和光學性能進行了研究．1 實驗部分1.1 合成C12A7∶Yb3+/Eu3+多晶粉采用高溫固相法合成C12A7∶Yb3+/Eu3+多晶粉．首先稱取摩爾比為r(Ca)∶r(Al)=12∶14的CaO和Al2O3，以及摩爾百分比x(Yb3+)∶y(Eu3+)分別為1∶1，2∶1，5∶1，8∶1，5∶0.2，5∶0.5，5∶2和5∶5的Yb2O3和Eu2O3．將原料在球磨機中以180 r/min轉速充分球磨12 h，球磨完畢
材料研究與應用 2021年2期2021-07-02
- 單晶、多晶銅油滑動磨損行為及浸泡腐蝕行為對比研究
萌，商 劍單晶、多晶銅油滑動磨損行為及浸泡腐蝕行為對比研究劉思萌，商 劍（遼寧工業(yè)大學 材料科學與工程學院，遼寧 錦州 121001）對比考察了多晶及單晶銅與鋼配副，在油潤滑條件下，不同載荷和速度下的摩擦磨損性能；3.5%NaCl溶液中的耐腐蝕性能。研究表明，潤滑油條件下單晶銅與多晶銅的摩擦系數(shù)差別不明顯，但多晶銅的磨損量相對較小，磨損表面塑性變形較輕，即多晶銅的耐磨性能優(yōu)于單晶銅。多晶及單晶銅在3.5%NaCl溶液中浸泡腐蝕后，腐蝕速率隨著腐蝕時間的增加
遼寧工業(yè)大學學報(自然科學版) 2021年2期2021-04-27
- 多晶硒化鋅的制備方法
本公開提供了一種多晶硒化鋅的制備方法，其包括步驟：將厚度為30mm～50mm的多晶硒化鋅片的表面進行處理，得到粗糙度小于Ra20的硒化鋅拋光片，將硒化鋅拋光片等離子清洗后置于石墨襯底上；步驟二，將鋅料安裝在坩堝內；步驟三，將石墨襯底沉積器安裝在石墨坩堝上，再置于化學氣相沉積真空爐內；步驟四，在室溫下，化學氣相沉積真空爐通氬氣；步驟五，坩堝升溫，石墨襯底沉積器升溫；步驟六，鋅開始蒸發(fā)，向石墨襯底沉積器內通入氬氣攜帶的硒化氫氣體，向坩堝內通入氬氣；步驟七，鋅蒸
低溫與特氣 2021年5期2021-04-04
- 專利名稱: 一種控制大尺寸鉬鈮合金單晶棒材等徑生長的方法
下步驟：一、選取多晶坯料和單晶籽晶為原料；二、將多晶坯料和單晶籽晶安裝在位于電子束懸浮區(qū)域熔煉爐熔煉室內的夾持頭上，然后調節(jié)多晶坯料與單晶籽晶之間的距離，之后進行相對逆向旋轉，接著進行熔接處理，將熔接后的多晶坯料和單晶籽晶相對電子槍運動，得到等徑生長的大尺寸鉬鈮合金單晶棒材。利用本發(fā)明方法得到的大尺寸鉬鈮合金單晶棒材，其直徑為20～40 mm，長度為100～800 mm，晶體取向與單晶籽晶一致，晶向偏離角不大于3°，雜質元素總濃度不高于70 μg/g，直線
中國鉬業(yè) 2021年4期2021-04-04
- 大面積碘化汞多晶薄膜的氣相沉積生長和成像探測器
獲得純度約5N的多晶HgI2粉體；通過在小面積(1 cm2) ITO玻璃上的沉積，生長了厚度100～1 000 μm、電阻率1 010～1 011 Ω·cm的薄膜，獲得了成熟可靠的薄膜沉積工藝。通過自行設計和精密加工的大面積沉積設備，采用優(yōu)化工藝，嚴格控制薄膜沉積溫度變化范圍(0.5～1 ℃)，成功的生長了36 cm2的大面積碘化汞多晶薄膜。在北京某公司制備的成像探測器性能測試中，采用80 keV的射線(工作電流4 mA)，曝光時間5 ms，成功地獲得了不
西安工業(yè)大學學報 2020年1期2020-12-09
- 準單晶電池片生產工藝研究
需要大量資金，而多晶市場逐漸退出市場，在多晶設備的基礎上改造同樣需要大量資金。對部分企業(yè)來說，如何尋求最優(yōu)的發(fā)展生存路線是關鍵，準單晶也是一個研究方向。單晶硅是通過直拉法制得，制得的單晶硅片每片只有一個晶粒，具有低缺陷和高的轉換效率，但成本高、產量小。而多晶硅片往往含有大量的晶界及缺陷，轉換效率較低[1]。準單晶[2]是基于多晶鑄錠的工藝，在長晶時通過部分使用單晶籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶片。相較于多晶，準單晶硅片晶界少，位錯密度低；相較于單晶
山西化工 2020年3期2020-07-16
- 多晶石墨烯納米帶熱電性能的理論研究*
個積極的效應, 多晶石墨烯納米帶的熱電轉換性能得到了顯著的增強.在室溫下, 多晶石墨烯納米帶的熱電品質因子約為0.3, 較完美石墨烯納米帶(約為0.05)提升了6倍左右.并且發(fā)現(xiàn)晶界的數(shù)量和系統(tǒng)的長度還能進一步提升多晶石墨烯納米帶的熱電性能, 但系統(tǒng)的寬度對其影響有限.這些結果表明, 多晶結構可以顯著提升石墨烯納米帶的熱電轉換效率.這將為設計和制備基于石墨烯納米帶的熱電器件提供新的途徑.1 引 言熱電材料作為能將熱能和電能進行相互轉換的一種功能材料, 其應
物理學報 2019年24期2019-12-24
- 納米多晶銅單點金剛石切削亞表層損傷機理
的系統(tǒng)研究。納米多晶金屬材料具備納米級晶粒和高強度晶界，可將高強度、高硬度和高韌性集于一身，具有廣泛的應用前景。目前，關于納米多晶材料的研究多集中在缺陷演化行為[6-7]、材料變形機理[8]及晶粒尺寸對材料性能的影響[9]，研究發(fā)現(xiàn)，多晶材料變形過程中會產生孿晶變形[10]，且當孿晶界間距減小到臨界值時，多晶材料的強度會降低，塑性韌性會提高[11]。針對納米孿晶材料變形的相關研究[12]發(fā)現(xiàn)，隨著孿晶界間距逐漸減小到某一臨界值時，Hall-Petch強化效
中國機械工程 2019年23期2019-12-17
- 大面積碘化汞多晶薄膜的氣相沉積生長和成像探測器
獲得純度約5N的多晶HgI2粉體；通過在小面積(1 cm2)ITO玻璃上的沉積，生長了厚度100～1 000 μm、電阻率1 010～1 011 Ω·cm的薄膜，獲得了成熟可靠的薄膜沉積工藝。通過自行設計和精密加工的大面積沉積設備，采用優(yōu)化工藝，嚴格控制薄膜沉積溫度變化范圍(0.5 ℃～1 ℃)，成功的生長了36 cm2的大面積碘化汞多晶薄膜。在北京某公司制備的成像探測器性能測試中，采用80 keV的射線(工作電流4 mA)，曝光時間5 ms，成功的獲得了
西安工業(yè)大學學報 2019年6期2019-02-21
- 藥物多晶型轉變因素的研究進展
70)最早發(fā)現(xiàn)的多晶現(xiàn)象是1798年克拉普羅特發(fā)現(xiàn)的方解石和文石的組成都是碳酸鈣，從此多晶型開始走進人們的視線。物質在結晶的過程中，各種外界以及內部因素的影響使得分子內或分子間鍵合方式改變，造成了分子或原子在晶格空間上排列不同，從而形成不同分子結構，即同一種物質具有兩種或兩種以上的晶格空間排列方式或晶胞參數(shù)，形成多晶型的現(xiàn)象被稱為多晶型現(xiàn)象[1]。藥物多晶型在18世紀20年代進入人們的視線，到上世紀60年代后對其研究才迅猛地開展。Mc Crone在1965
天津藥學 2018年6期2019-01-22
- 鋁中氣泡在電子束輻照下的異常放熱現(xiàn)象?
斑點衍射花樣變?yōu)?span id="j5i0abt0b" class="hl">多晶衍射環(huán).這一現(xiàn)象的原因可能是氣泡在電子束輻照過程中發(fā)生了放熱反應,使氣泡附近鋁熔化后再結晶產生多晶,從而在電子衍射花樣中觀察到了多晶衍射環(huán).然而,氦氣泡在80 keV電子束輻照下氦氣泡形貌和選區(qū)電子衍射花樣保持不變,輻照后衍射花樣中無多晶衍射環(huán)產生;氦氬混合氣體氣泡在200 keV電子束輻照下氣泡形貌和選區(qū)電子衍射花樣同樣保持不變;這可能與電子束能量和氣泡內氣體壓力有關.1 引 言核反應堆環(huán)境中存在的大量氣體離子進入材料時,會在材料內部
物理學報 2018年21期2018-12-02
- 基于Al誘導結晶在SiO2襯底上生長（111）晶向平面多晶Ge薄膜的研究
000）高質量的多晶Ge薄膜在制備半導體材料中具有非常廣泛的應用，例如，可以用來制備薄膜晶體管或具有高光電轉換效率的太陽電池的有源層［1］。如果是大顆粒的并且是（111）晶向平面比例非常高的多晶Ge薄膜，用其來制備半導體材料的有源層就更為理想了，該薄膜非常適合用作III-V族化合物半導體材料外延生長的模板層［2］。尤其是多晶Ge薄膜的（111）晶向平面能夠提供很高的載流子遷移率，在低溫生長過程中可以當作半導體材料外延層的模板［3］。對于在SiO2襯底上生長
佛山科學技術學院學報（自然科學版） 2018年4期2018-10-22
- 納米多晶金剛石微結構及塑性形變機制的研究進展*
30081)納米多晶金剛石是指晶粒尺寸小于100 nm的金剛石晶粒直接結合而形成的金剛石多晶材料。實驗研究顯示，納米多晶金剛石不僅硬度超過了金剛石單晶，其斷裂韌性、耐磨性和熱穩(wěn)定性也優(yōu)于金剛石單晶及傳統(tǒng)金剛石燒結體[1-8]。因此，納米多晶金剛石不僅可以用于傳統(tǒng)金剛石材料幾乎所有的應用領域，而且已經在遠紅外相機ZnS菲涅爾透鏡、碳化鎢硬質合金等脆硬材料超精細加工中也表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，具有極大的應用價值[9-11]。制備納米尺度金剛石常見的方法有動高壓法(爆
金剛石與磨料磨具工程 2018年4期2018-09-14
- 多晶面銀納米線拉伸形變的分子動力學模擬
{111}表面的多晶面孿晶納米線比普通的孿晶納米線具有更高的屈服應力和屈服應變.Sun等[13]也證實了多晶面孿晶納米線是一種有效的孿晶界-表面硬化材料，其高強度是以犧牲其延展性來實現(xiàn)的.Gao等[14]設計了內部含有孔洞缺陷的多晶面單晶Ag納米線，通過與普通方形納米線對比發(fā)現(xiàn)，多晶面納米線的機械強度容易受到孔洞缺陷的影響.Zhang等[15]發(fā)現(xiàn)表面形貌可決定孿晶界的引入對納米線起到強化作用還是弱化作用.其研究表明，當納米線為圓柱形時孿晶界表現(xiàn)為弱化作用
復旦學報（自然科學版） 2018年4期2018-09-12
- 純凈的晶體 -候選藥物晶型的選擇
同的結晶形式或者多晶型。多晶型不同的物理性質不僅對藥品的生產過程有著重要的影響而且也對藥品的藥效有著重要的影響，因此，多晶型晶態(tài)變型的初步檢驗分析是可能導致錯誤結論的，因為通過晶化結晶可以改變，諸如溶解速率或者生物活性等藥品性質。在藥品研發(fā)過程中對藥物活性成分不同晶態(tài)結構進行的多晶型檢測就是一個必不可少的重要步驟。而在多晶型檢驗中檢測到的數(shù)據(jù)則可以用來優(yōu)化活性化合物的物理性質，從而保證其功效、配方和藥品生產。圖1 在藥品研發(fā)過程中可以利用Genevac公司
實驗與分析 2018年2期2018-08-09
- 砷化鎵多晶表面清洗技術的研究
升溫將預先投入的多晶料熔化，而后緩慢降溫，實現(xiàn)熔體的凝固和單晶的生長。在實際工業(yè)生產中，制備GaAs單晶所用到多晶料的主要來源包括：一次合成料、二次及多次復拉料等。其中，一次合成料是指通過合成工藝直接制得 GaAs多晶，二次及多次復拉料是指生長出的晶體(單晶或多晶)經切削加工后，從晶體的剩余部分中得到的回收料。由于多晶料的來源不同，它們表面所附著的雜質的種類和數(shù)量也有著很大的差異。在后續(xù)的單晶生長過程中，這些雜質的存在對于單晶質量和性能產生較大的影響，因此
天津科技 2018年4期2018-05-04
- 直接轉化法合成大尺寸純相多晶金剛石
韌性不足。而納米多晶金剛石(nano polycrystalline diamond，NPD)的硬度高于單晶金剛石且宏觀表現(xiàn)為各向同性[1-6]，被視為新一代超硬材料。BUNDY[7]在約13 GPa、3300 K的條件下，使用金剛石對頂砧裝置首次觀察到無觸媒參與下，石墨向金剛石的直接轉化。IRIFUNE[2]發(fā)現(xiàn)，多晶石墨在12～25 GPa、1600～2200 ℃的條件下可發(fā)生相變，直接轉化成NPD，其努普硬度高達120～140 GPa，高于單晶金剛石
金剛石與磨料磨具工程 2018年1期2018-03-12
- 單晶六方SiC和多晶化學氣相沉積SiC的常溫輻照腫脹差異性?
單晶六方SiC和多晶化學氣相沉積SiC的常溫輻照腫脹差異性?臧航?黃智晟 李濤 郭榮明(西安交通大學核科學與技術學院,西安 710049)(2016年11月17日收到;2016年12月22日收到修改稿)SiC具有耐輻射、低感生放射性、耐高溫等特點,在先進核能系統(tǒng)中具有重要的應用.用1.5 M eV的Si離子在常溫下注入單晶六方SiC和多晶化學氣相沉積SiC,注量分別為1×1014—2×1016cm?2和1×1015—2×1016cm?2,利用X射線衍射(X
物理學報 2017年6期2017-08-03
- 向西挺進，開發(fā)新“烏金”多晶聚能腐植酸正在研發(fā)中
——記上海通微生物技術有限公司
，開發(fā)新“烏金”多晶聚能腐植酸正在研發(fā)中 ——記上海通微生物技術有限公司2016年4月，上海通微生物技術有限公司（以下簡稱“上海通微”）年近八旬的張常書高級工程師，應邀擔任清華啟迪科技園新疆涵龍生物科技有限公司首席科學家，從事“多晶聚能腐植酸”的研發(fā)工作。多晶聚能腐植酸，是一種全新概念的新型肥料產品，是國內乃至國外腐植酸產品中的創(chuàng)新產品。目前，該產品研發(fā)項目已在新疆沙灣縣立項，初步定名為“沙灣聚能1號”多晶聚能腐植酸。本品是用具有高能微波共振的多晶聚能礦粉
腐植酸 2016年4期2016-12-16
- 一種改善器件性能的Halo工藝
工藝波動，比較了多晶條寬變化對器件參數(shù)的影響。為了增加不同條件的可比性，以室溫下的飽和電流作為基準，通過調節(jié)注入劑量，使不同Halo注入條件在室溫下的飽和電流都相等。結果表明，對于130 nm多晶柵長，注入傾角60°，注入能量100 KeV時器件特性有最好的溫度穩(wěn)定性和工藝容寬。Halo；短溝效應；離子注入；摻雜分布；多晶條寬1 引言隨著集成度的不斷提高，器件特征尺寸不斷減小，出現(xiàn)了一系列新的物理效應和有待解決的問題。當溝長不斷縮小時，柵壓引起的溝道耗盡區(qū)
電子與封裝 2016年9期2016-10-26
- 冰糖，表面透明的好
來說，大塊冰糖叫多晶冰糖，它是未經過深加工處理，比較原始的冰糖。個頭小的，一粒粒很整齊的叫單晶冰糖，它的加工工藝相對復雜。二者在口味上有差異，單晶冰糖比多晶冰糖甜。我們發(fā)現(xiàn)市面上的冰糖有深黃色、淺黃色、白色的，那到底哪種好？其實，顏色不同只是在制作過程中添加了不同的原料或食品添加劑。想買到好冰糖可以記住以下幾個原則：1.選擇表面透亮、無雜質的；2.多晶冰糖最好買呈柱狀、有棱角，看起來像好多個單晶冰糖粘在一起的那種，用手抹一下，不掉渣，顏色不深的就行；3.單
戀愛婚姻家庭 2016年18期2016-07-23
- 多晶體電子衍射花樣的標定
336000)多晶體電子衍射花樣的標定宋寶來(江西宜春職業(yè)技術學院,江西宜春 336000)論述了多晶電子衍射斑點的形成原理，并對多晶電子衍射花樣的標定方法進行了分析，總結出各種標定方法的優(yōu)點和不足?并采用CAD法對多晶衍射花樣進行了測量，計算與標定。多晶電子衍射花樣；標定；測量1 形成原理多晶相當于是由隨機的無定向分布的微晶（單晶）組成的。每一個單晶中一組（hkl）晶面對應一個倒易點．這種取向混亂的單晶集合體，也可以看作是一個單晶圍繞一點在三維空間內作
中國鑄造裝備與技術 2016年5期2016-05-11
- 常規(guī)多晶與高效率n型晶體硅太陽電池組件光譜響應趨勢及原因分析
兩種：一種是常規(guī)多晶太陽電池組件，一種是高效率n型晶體硅太陽電池組件。由于兩種組件在設計原理上存在很大差異，導致它們對光譜響應時間的要求也是各自不同。文章通過對兩種電池組件在不同光譜響應時間內進行I-V測試，分析兩種組件對光譜響應時間上的需求情況以及原因分析。關鍵詞：多晶;n型晶體硅;太陽電池組件;光譜響應0 引言太陽電池是基于空間航天器應用發(fā)展而來的，其材料是利用晶體Si制作成電池。這種電池具有較高的電池轉換效率以及穩(wěn)定的工作狀態(tài)。其工作壽命大于25年。
中小企業(yè)管理與科技·上旬刊 2015年6期2015-05-30
- Trench VDMOS制造流程中多晶相關工藝問題研究
程中，Poly（多晶）的相關工藝，目的是完成柵極的制作。具體步驟如圖1所示，當溝槽刻蝕完成，并且柵氧化層生長以后，進行多晶的淀積、回蝕。將溝槽內部填滿多晶，溝槽外部區(qū)域的多晶全部去除。圖1 Trench VDMOS 多晶柵極的制作過程這些工序中，如果工藝控制不好，有些問題非常容易出現(xiàn)，且會對器件的部分電學參數(shù)（如Vth、Igss等）產生嚴重的影響，造成良率損失[1]。2 多晶的淀積多晶淀積有兩處需要重點關注：（1）多晶的生長速率要控制，如果生長太快，則容易
電子與封裝 2014年7期2014-12-05
- 一種用于亞微米多晶柵TiSi電阻優(yōu)化的方法
越重要。重摻雜的多晶硅由于自身雜質固溶度的限制，使得RC延時變長從而限制了特征尺寸的進一步減小。為了克服這一限制，發(fā)展了低電阻率的硅化物工藝[1]。CMOS超大規(guī)模集成電路的關鍵就是降低源漏區(qū)與柵電極的寄生電阻，而自對準硅化鈦工藝可以在有效降低電阻的同時保存基本的多晶硅柵MOS結構[2]。但是在實際半導體工藝流程中，由于受到光刻設備工藝能力的限制，0.6 μm及以下工藝的多晶柵條上套刻精度無法保證。這導致了后續(xù)源漏注入劑量在多晶柵上有所偏差，工藝容寬較小，
電子與封裝 2014年1期2014-09-19
- 多晶型藥物研發(fā)與制劑新研究進展探討
任紅燕 楊曉琴多晶型藥物研發(fā)與制劑新研究進展探討任紅燕 楊曉琴目的 通過對多晶型藥物的研究考察, 闡明多晶型藥物的重要性, 指導實際生產多晶型制劑, 并合理安全用藥。方法 80例患者隨機分為對照組和實驗組, 每組40例, 給予其不同晶型藥物作為研究, 觀察藥物的顯效情況。結果 無味氯霉素的B型有較高的自由能, 溶出速度快, 血藥濃度高達A型的7倍, 起效例數(shù)高達38例, 而A型無一例起效。但法莫替丁A、B兩種晶型, 藥效幾乎沒差別。結論 多晶型藥物對藥效有
中國現(xiàn)代藥物應用 2014年17期2014-07-18
- 美國開發(fā)將溫室氣體轉為工業(yè)原料新型催化劑
轉化工藝中，常用多晶銀作為電化學催化劑。為了使上述轉化制備過程更高效，特拉華大學的專家研制出一種新型催化劑——納米多孔銀，其內表面面積很大且高度彎曲，其內表面面積是多晶銀的約150倍，固有活性是多晶銀的約20倍。而在將二氧化碳轉化為一氧化碳的反應過程中，納米多孔銀的電化學催化活性是多晶銀的3 000倍。如此生成的一氧化碳可用作生產某些合成燃料的工業(yè)原料。此外，一氧化碳還可用作冶金還原劑。參與該研究的專家認為，從理論上講，上述轉化工藝有助于研究如何把發(fā)電廠、
石油煉制與化工 2014年6期2014-04-07
- 單晶多晶之爭：是否最終將回歸單晶市場？
單晶多晶之爭：是否最終將回歸單晶市場？誰將領導晶硅電池市場，單晶還是多晶？這是一個業(yè)內經常被問到的問題。回到2007年的時候，單晶和多晶硅片產量是一半一半，而這個比例現(xiàn)在已經變成了三七分成，因為多晶由于成本優(yōu)勢推動搶占的大型電力項目市場以及幫助降低組件成本而受到大多數(shù)人青睞。即使這樣，有關于哪一種技術未來能夠提供更大的價值仍然是存在爭議的。單晶硅片能夠使電池效率比多晶硅片的電池效率基本上升2%，然而，標準的單晶硅片的賣價高于多晶硅片在30%左右。但是，由于
電子工業(yè)專用設備 2014年8期2014-03-24
- 醋酸烏利司他假多晶型分子熱分解機理及動力學
)醋酸烏利司他假多晶型分子熱分解機理及動力學雷絨絨1，朱 亮1，沙作良1，王彥飛1，王 海2(1. 天津市海洋資源與化學重點實驗室，天津科技大學海洋科學與工程學院，天津 300457；2. 華潤紫竹藥業(yè)有限公司，北京 100024)通過冷卻結晶實驗制備醋酸烏利司他以乙醇為溶劑的假多晶型晶體．熱重實驗結果表明醋酸烏利司他假多晶型在升溫過程中包含溶劑脫除與分子熱分解2個過程．利用非等溫熱重法對醋酸烏利司他假多晶型的分子熱分解過程機理及其動力學進行研究．基于不同
天津科技大學學報 2014年1期2014-02-27
- 硅化鈦場板的工藝條件與特性研究
襯底－SiO2－多晶－硅化鈦－金屬。針對該結構的特點，分析其不同工藝條件下電容特性、BT CV特性、電阻特性的變化，可以更深入地了解該場板結構的內部性質，從而對工藝進行條件優(yōu)化，達到產品設計的需求。2.1 SiO2層制備工藝、多晶層厚度對場板CV特性的影響2.1.1 樣品制備采用N＜100> 5-9?·cm為襯底材料片，分別采用LPCVD與PECVD進行100 nm的SiO2淀積，再完成40 nm與200 nm的LPCVD多晶硅淀積；然后再用PVD淀積金屬
電子與封裝 2013年10期2013-09-05
- 多晶發(fā)射極結構三極管抗總劑量能力研究
035）1 概述多晶發(fā)射極三極管結構和傳統(tǒng)三極管結構相比，具有很多優(yōu)勢，包括極大的放大倍數(shù)、更高的響應頻率和更小的尺寸結構，這些優(yōu)勢使得該結構在亞微米和深亞微米BiCMOS工藝中完全取代傳統(tǒng)三極管結構而被廣泛采用。實際上，在和傳統(tǒng)三極管結構比較中，我們比較容易忽略多晶發(fā)射極結構三極管的另外一個優(yōu)勢，那就是多晶發(fā)射極結構具有更強的抗總劑量輻照能力。2 三極管總劑量機理分析總劑量輻照效應是由于伽馬射線入射到SiO2介質中，產生能量沉積，形成電子空穴對。由于電子
電子與封裝 2012年7期2012-12-05
- 多晶拉伸試樣表面各晶?；茙а芯?/a>
530004)多晶拉伸試樣表面各晶?；茙а芯渴G柯1，張慶華1，張克實2(1.華北水利水電學院，河南鄭州 450011;2.廣西大學，廣西南寧 530004)采用建立在晶體塑性理論基礎上的晶體塑性有限變形計算方法，針對多晶銅試樣單軸拉伸過程中晶體滑移造成試樣的滑移痕跡進行了數(shù)值研究，并對拉伸過程中材料內部的應力、應變的不均勻分布進行了初步統(tǒng)計分析.利用三維有限元模擬多晶銅試樣的拉伸變形，通過晶體塑性滑移面與試樣觀察面交線的幾何分析，得到了不同滑移系啟動
華北水利水電大學學報(自然科學版) 2012年2期2012-07-15
- 消除區(qū)熔硅單晶生長中“硅刺”的研究
或者操作不當，在多晶硅棒的固液交界面的邊緣容易留下不熔化的小柱狀體，通常稱為“硅刺”，如圖1 所示。硅刺一旦形成，由于其吸熱慢，散熱快，便不容易熔化，隨著區(qū)熔過程的進行，迅速長大，無法再熔化，直至觸到加熱線圈，導致中途停爐。特別是生長75 mm(3 英寸)以上直徑的單晶，如果不采取有效措施，幾乎難以正常生長單晶。本文就通過對FZ 硅單晶生長過程中，經常出現(xiàn)的“硅刺”現(xiàn)象進行研究，著重分析了“硅刺”產生的原因，并采用了有效防止“硅刺”產生的措施。圖1 多晶邊
電子工業(yè)專用設備 2012年5期2012-07-04
- 天然與Fe－C（H）系高溫高壓合成金剛石多晶的光學屬性對比研究及意義（下）①
天然與合成金剛石多晶的紅外光譜圖中均包括金剛石雙聲子峰、氫相關峰和氮相關峰三大類吸收峰。其中金剛石峰是由雙聲子作用所引起的［14］；氫相關峰分別包括由亞乙烯基團（＞C＝CH2）的伸縮振動、彎曲振動所引起的3107cm－1或3111cm－1、1402cm－1處的吸收峰，由sp3雜化C－H鍵的反對稱、對稱伸縮振動所引起的2935cm－1、2848cm－1附近的吸收峰［14］，H2O的反對稱、對稱伸縮和彎曲振動所引起的3637cm－1（3597cm－1）、324
超硬材料工程 2012年1期2012-01-25
- 改進的兩溫區(qū)氣相輸運法合成碘化鉛(PbI2)多晶
化鉛(PbI2)多晶趙 欣＊,1金應榮2賀 毅2(1中國民用航空飛行學院研究生處，廣漢 618307)(2西華大學材料科學與工程學院，成都 610039)采用改進的兩溫區(qū)氣相輸運合成方法(MTVTM)合成PbI2多晶原料，簡化了合成工藝，有效避免了合成安瓿爆炸。XRD分析結果表明：新方法合成的PbI2多晶原料純度高，具有2H結構，P3ml空間群，晶格常數(shù)a=b=0.4560 nm，c=0.6979 nm。以此為原料，用垂直布里奇曼法(VBM)生長出電阻率達
無機化學學報 2011年2期2011-09-15
- 天然與Fe－C（H）系高溫高壓合成金剛石多晶的光學屬性對比研究及意義①
1004）金剛石多晶，雖然不如金剛石單晶那樣受到人們的廣泛喜愛，但是卻受到了材料科學、地球科學等領域專家的高度關注。究其原因，一方面，金剛石多晶中晶粒隨機定向、晶粒邊界高密度發(fā)育，這有效地阻止了金剛石單晶中｛111｝解理的傳播，使其硬度、韌性及耐磨性等比金剛石單晶還大，這也正是金剛石多晶被廣泛應用于鉆頭、切削刀具、拉絲模具及各種耐磨器件等的關鍵性原因。當前，合成金剛石多晶研究已成為國際上超硬材料研究方面的熱點和前沿領域，尤其是在如何提高其硬度、韌性等方面?zhèn)?/div>
超硬材料工程 2011年6期2011-01-25
- 0.8 μm多晶柵等離子刻蝕研究
決定特征尺寸的是多晶柵，所以在半導體器件的制造中，多晶柵刻蝕是最關鍵工序之一。在當今流行的MOS器件中，作為介電材料的多晶柵是由LPCVD摻雜生長的。但多晶硅是較難刻蝕的結構，它必須對下層的柵氧化層有高的選擇比并有非常好的均勻性，同時多晶柵的側面傾斜角度必須控制在合理范圍內。首先過刻蝕會導致柵氧化層擊穿，需要刻蝕的高度各向異性；其次多晶硅柵的寬度決定著器件有效溝道的長度，所以要將傾斜的角度嚴格控制在合理的范圍內。本文主要采用DOE正交實驗來研究多晶柵刻蝕的電子與封裝 2010年8期2010-04-20
- 藥物多晶型現(xiàn)象研究進展
的晶體，稱為藥物多晶型現(xiàn)象。藥物多晶型自18世紀20年代開始引起人們的關注，20世紀60年代以后隨著相關學科的發(fā)展和實驗分析手段的提高，如熱分析、紅外吸收光譜、X-射線粉末衍射等分析方法的運用，藥物多晶型研究進展快速[1]。人們對藥物多晶型現(xiàn)象以及藥物多晶型對藥物的物理化學性質、穩(wěn)定性、生物利用度[2]和安全性的影響，有了全面深刻的理解。藥物多晶型一般認為有4種類型：構象多晶型、構型多晶型、色多晶型、假多晶型。晶體中分子在晶格空間的排列不同形成的晶體稱為構化學與生物工程 2010年10期2010-04-11
- 多晶硅真空區(qū)熔提純技術研究
制過程中，需要對多晶硅進行真空區(qū)熔提純。通過真空區(qū)熔提純，可以對多晶硅的電阻率、型號及外型等參數(shù)加以控制，是成功研制真空單晶的關鍵步驟之一。1 實驗條件多晶提純設備：L4375-ZE型區(qū)熔硅單晶爐。真空區(qū)熔提純時的爐內真空度≤1×10-2Pa。原料：美國ASiMI多晶硅料，基硼電阻率≥9000 Ω·cm，基磷電阻率≥1000 Ω·cm，少子壽命≥1000μs，原始電阻率≥3000Ω·cm，直徑50mm。熱場：單匝平板線圈。線圈為偏心結構，內徑短軸28mm、電子工業(yè)專用設備 2010年8期2010-03-23
- 0.8 μm多晶柵等離子刻蝕研究