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    場(chǎng)效應(yīng)

    • 基于硅納米材料生物電氣接口的研究進(jìn)展
      是微電極陣列、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等納米級(jí)神經(jīng)調(diào)控和記錄器件。1 微電極陣列微電極陣列是生物接口的主要手段之一,是控制神經(jīng)活動(dòng)狀態(tài)、記錄神經(jīng)元細(xì)胞電信號(hào)的一種電極器件。在以硅材料作為基礎(chǔ)的微電極陣列中,猶他電極與密歇根電極極具代表性,相比于金屬電極,硅電極陣列具有良好的機(jī)械特性和生物相容性,密歇根電極在一個(gè)電極上有多個(gè)記錄位點(diǎn),形成的高密度電極陣列可同時(shí)記錄大量腦電信號(hào)[2]。1.1 工作原理微電極陣列可檢測(cè)細(xì)胞外或細(xì)胞內(nèi)的電信號(hào),將電極放在神經(jīng)細(xì)胞的附近或其內(nèi)部

      電子技術(shù)與軟件工程 2023年2期2023-05-05

    • 六角型人工魚(yú)礁流場(chǎng)效應(yīng)數(shù)值模擬
      方式成為影響流場(chǎng)效應(yīng)的重要因素。由此可見(jiàn),人工魚(yú)礁的結(jié)構(gòu)型式、特有的相關(guān)參數(shù)、礁體之間的布設(shè)間距和布置方式以及投放的外部環(huán)境均會(huì)影響到人工魚(yú)礁的流場(chǎng)效應(yīng)[1-5]。六角型人工魚(yú)礁是一種新型魚(yú)礁結(jié)構(gòu)型式,由六邊形多層結(jié)構(gòu)框架、傾斜導(dǎo)流板和支撐腳組成。六角型人工魚(yú)礁構(gòu)造復(fù)雜,結(jié)構(gòu)內(nèi)部的空腔較大,其透水特性使得水流在通過(guò)結(jié)構(gòu)整體時(shí)不會(huì)顯著地沿著固定邊界剝離,有效減小旋渦結(jié)構(gòu)的生成,更易于構(gòu)造適宜魚(yú)類生存的柔和流場(chǎng)。但相關(guān)六角型人工魚(yú)礁流場(chǎng)效應(yīng)的研究文獻(xiàn)較少,故本

      中國(guó)水運(yùn) 2023年2期2023-03-13

    • 場(chǎng)效應(yīng)”視域下校園網(wǎng)的育人功能提升路徑探析
      生思政教育中“場(chǎng)效應(yīng)”的優(yōu)勢(shì),并就以“場(chǎng)效應(yīng)”提升校園網(wǎng)育人功能的現(xiàn)實(shí)路徑展開(kāi)探討,指出應(yīng)從強(qiáng)調(diào)價(jià)值引導(dǎo)、注重主體建設(shè)、豐富產(chǎn)品創(chuàng)新、完善硬件條件四方面入手,全面提升校園網(wǎng)的育人功能。關(guān)鍵詞:場(chǎng)效應(yīng);校園網(wǎng);育人功能中圖分類號(hào):G647? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A? ? 文章編號(hào):1673-7164(2021)38-0058-03在“三全育人”背景下,檢視大學(xué)生的思想政治教育可以發(fā)現(xiàn),教育資源系統(tǒng)性整合程度不高是高校普遍存在的問(wèn)題。校園網(wǎng)絡(luò)文化的建設(shè)與大學(xué)生的學(xué)

      大學(xué)·研究與管理 2021年10期2021-12-12

    • 場(chǎng)效應(yīng)”視域下校園網(wǎng)的育人功能提升路徑探析
      觀起著特殊的“場(chǎng)效應(yīng)”。一、網(wǎng)絡(luò)生活中大學(xué)生行為特征(一)網(wǎng)絡(luò)使用能力較強(qiáng),自我管控能力不足當(dāng)代大學(xué)生是網(wǎng)絡(luò)世界的“原住民”,對(duì)網(wǎng)絡(luò)媒介的使用能力明顯高于其他社會(huì)群體。網(wǎng)絡(luò)的便攜性使他們輕松地實(shí)現(xiàn)了在網(wǎng)上學(xué)習(xí)、游戲、購(gòu)物、交友、旅游、發(fā)表意見(jiàn),網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)成為當(dāng)代大學(xué)生生活不可或缺的組成部分。大學(xué)階段是青年學(xué)生身心成長(zhǎng)的重要時(shí)期。這一時(shí)期,他們的心智日趨成熟,世界觀、人生觀、價(jià)值觀也基本形成。這一時(shí)期的大學(xué)生自我管控能力尚顯不足,容易受到外界因素的干擾,把握不

      大學(xué) 2021年10期2021-11-21

    • 石墨烯晶體管優(yōu)化制備工藝在單片集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵微型發(fā)光二極管中的應(yīng)用*
      將新興的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動(dòng)元件與氮化鎵(GaN) micro-LED 進(jìn)行單片集成,因?yàn)槎咧苯又苽溆谕灰r底上,所以從根源上規(guī)避了巨量轉(zhuǎn)移的技術(shù)難題.此外,傳統(tǒng)光刻工藝中紫外光刻膠直接接觸石墨烯,會(huì)引入嚴(yán)重?fù)诫s導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能較差,進(jìn)而影響集成器件性能.本文提出了一種利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作為保護(hù)層,直接旋涂紫外光刻膠進(jìn)行墊層光刻的全新工藝方法,優(yōu)化了石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備工藝.首先在分立的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管中進(jìn)行驗(yàn)證,相比于沒(méi)

      物理學(xué)報(bào) 2021年19期2021-11-01

    • 電紡硼摻雜氧化銦場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究
      大比表面積、高場(chǎng)效應(yīng)遷移率和靈活的機(jī)械柔韌性等優(yōu)點(diǎn)而成為研究的熱點(diǎn)[1-2]。通常一維半導(dǎo)體納米纖維采用電化學(xué)蝕刻、物理/化學(xué)氣相沉積、水熱合成等方法制備,但這些方法比較復(fù)雜且昂貴,不利于低成本電子器件的制備[3-7]。靜電紡絲工藝簡(jiǎn)單、無(wú)高真空要求,適用于制備低成本、大面積、低損耗的電子器件。采用靜電紡絲方法制備的納米纖維具有直徑均勻、可連續(xù)制造等優(yōu)點(diǎn),因此在傳感器和顯示電子等領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛[8-9]。在眾多一維半導(dǎo)體納米纖維中,氧化銦納米纖維因其優(yōu)異的

      電子元件與材料 2021年7期2021-08-06

    • 理論研究晶體場(chǎng)效應(yīng)和電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)對(duì)Co2+的2p電子X(jué)射線L2,3吸收邊光譜的影響
      程 效,BORA Debajeet K.,GLANS Per-Anders,GUO Jinghua,羅 毅(1.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家研究中心,合肥230026;2.Advanced Light Source,Lawrence Berkeley National Laboratory,Berkeley CA 94720,USA)1 IntroductionCobalt-containing materials are receiving r

      高等學(xué)?;瘜W(xué)學(xué)報(bào) 2021年7期2021-07-11

    • 油氣潤(rùn)滑ECT系統(tǒng)靈敏度矩陣的秩虧問(wèn)題及其影響因素
      圖像重建中,軟場(chǎng)效應(yīng)和不適定問(wèn)題仍是必須面對(duì)的問(wèn)題。軟場(chǎng)效應(yīng)即敏感場(chǎng)靈敏度分布不均勻,靈敏度分布函數(shù)受介電分布函數(shù)的影響[1]。不適定問(wèn)題的一般定義為:“解不連續(xù)依賴數(shù)據(jù)”,它滿足下述3個(gè)條件中的任何一個(gè)即稱系統(tǒng)為不適定:①解不存在;②解不唯一;③解不穩(wěn)定[2]。筆者暫不討論條件①。條件②是指若圖像重建過(guò)程中靈敏度矩陣的秩小于待求的未知參數(shù)個(gè)數(shù)[3],即其解不唯一,稱該系數(shù)陣是秩虧的;而條件③是指若圖像重建過(guò)程中,由于法矩陣條件數(shù)很大(如大于1),法矩陣的

      內(nèi)蒙古科技與經(jīng)濟(jì) 2021年8期2021-06-08

    • 一種提高離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管靈敏度的方法
      斷發(fā)展,人們對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究也不斷深入。1970年P(guān).Bergveld 將MOSFET 去掉金屬柵極,使絕緣體直接與電解質(zhì)接觸,得到的源漏電流與電解質(zhì)離子濃度呈線性關(guān)系,從此揭開(kāi)了離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究(離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管)[1]。目前該器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用于pH 傳感器、生物醫(yī)療、環(huán)境監(jiān)測(cè)等多個(gè)研究領(lǐng)域[2]。離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管的快速發(fā)展歸功于他的尺寸小、靈敏度高,并且具有良好的CMOS 工藝兼容性,可簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝的同時(shí)提高產(chǎn)量[3]。這使得離子

      電子技術(shù)與軟件工程 2021年2期2021-04-20

    • 一種離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管的建模策略
      )引言離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管為一種主要的生物傳感器平臺(tái),被研究者們廣泛應(yīng)用于監(jiān)測(cè)電解質(zhì)溶液中的離子活度(pH 值)[1]。這種高精度傳感器具有響應(yīng)速度快、成本低、體積小和CMOS 制造技術(shù)兼容性強(qiáng)的特點(diǎn)。也常被應(yīng)用于醫(yī)療保健、食品安全、環(huán)境監(jiān)測(cè)以及最近DNA 測(cè)序等生物反應(yīng)檢測(cè)等多種應(yīng)用檢測(cè)平臺(tái)[2]。正因?yàn)榇?,越?lái)越多的研究者對(duì)離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)生了濃厚的興趣[3]。但由于離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺寸為納米量級(jí),一般只能通過(guò)仿真軟件對(duì)其進(jìn)行研究,而半導(dǎo)體

      科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2021年11期2021-03-20

    • 基于原子層沉積的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造及其性能研究
      發(fā)展,傳統(tǒng)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺寸已經(jīng)達(dá)到10 nm以下,但是,由于量子隧穿效應(yīng),其制造成本急劇增加.為解決這一問(wèn)題,具有優(yōu)異電學(xué)和力學(xué)性能的二硫化鉬等二維層狀半導(dǎo)體材料得到了廣泛的關(guān)注[1-3].研究表明,常溫下二硫化鉬的載流子遷移率可以達(dá)到410 cm2/(V·s),其斷裂強(qiáng)度達(dá)到23 GPa,可承受11%的形變,是一種理想的場(chǎng)效應(yīng)晶體管材料[4-5];文獻(xiàn)[6]基于機(jī)械剝離的二硫化鉬制備單層二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其開(kāi)關(guān)比和載流子遷移率分別達(dá)到1×108

      南京工程學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2021年4期2021-02-23

    • Massive MIMO系統(tǒng)的信道建模及其性能研究
      就應(yīng)該將模擬近場(chǎng)效應(yīng)的SW納入考慮。筆者提出了一種ULA型3D幾何信道模型,該模型考慮了遠(yuǎn)場(chǎng)效應(yīng)和近場(chǎng)效應(yīng)兩種傳輸場(chǎng)景?;诮y(tǒng)計(jì)物理信道模型分析了AAoA和EAoA的關(guān)系,研究了參數(shù)對(duì)平均相關(guān)性和信道容量的影響。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明近場(chǎng)效應(yīng)有助于對(duì)天線進(jìn)行去相關(guān)性,隨著天線數(shù)量的增加,特定天線和系統(tǒng)天線的平均相關(guān)性都將在一定程度上降低, SW效應(yīng)隨著發(fā)射端和接收端的距離增加而減弱,其信道容量逐漸趨近于PW模擬的信道容量曲線,當(dāng)距離足夠遠(yuǎn)時(shí),SW可以被看作PW。

      廣西大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2020年3期2020-07-13

    • 一種采用介電突起消除邊緣場(chǎng)效應(yīng)的LCoS
      (為了降低邊緣場(chǎng)效應(yīng)對(duì)液晶顯示器顯示效果的影響,劉紹錦等人提出了混合排列模式(HAN)的方法[13]。在混合排列模式方法下,液晶盒一側(cè)基板上的液晶分子垂直表面排列,施加電場(chǎng)后液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)較為平滑,在像素邊界處不會(huì)產(chǎn)生明顯的擾動(dòng),可以大大提高顯示性能,但是這會(huì)使取向工藝變得復(fù)雜。而李朋等人提出了雙邊叉指電極結(jié)構(gòu)的方法[14],液晶盒的頂部和底部都使用叉指電極結(jié)構(gòu),偏置電壓施加到同一平面內(nèi)的相鄰電極上和上下相對(duì)的電極上。這種特殊的電極結(jié)構(gòu)在相鄰電極之間產(chǎn)生一個(gè)

      液晶與顯示 2020年1期2020-03-13

    • 離子注入和退火對(duì)LTPS-TFT特性的影響
      要技術(shù)便是薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而具有源矩陣尋址的平板技術(shù)都需要薄膜場(chǎng)效晶體管來(lái)進(jìn)行控制與驅(qū)動(dòng)。而主動(dòng)型面板按照薄膜晶體管技術(shù)可劃分為高溫多晶硅、低溫多晶硅以及非晶硅三類。傳統(tǒng)的氫化非晶硅薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的載流子遷移率不高,因此無(wú)法有效驅(qū)動(dòng)尺寸龐大的AMOLED。高溫多晶硅具有工藝溫度較高的特點(diǎn),所以不能使用熔點(diǎn)不高的玻璃作為基板,必須使用石英作為基板。但低溫多晶硅可以完美解決所有問(wèn)題,低溫多晶薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有遷移率較高的載流子,可以在面板中將驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行

      電子技術(shù)與軟件工程 2019年1期2019-11-30

    • 氮摻雜石墨烯的p型場(chǎng)效應(yīng)及其精細(xì)調(diào)控
      彭鵬,劉洪濤,武斌,湯慶鑫,劉云圻1東北師范大學(xué)先進(jìn)光電子功能材料研究中心,紫外光發(fā)射材料與技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,長(zhǎng)春 1300242中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所有機(jī)固體院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京分子科學(xué)國(guó)家研究中心,北京 1001901 lntroductionGraphene, a two-dimensional crystal formed by covalent connection of sp2hybridized carbon atoms, is well k

      物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2019年11期2019-11-04

    • Comparison of treatment modalities in pancreatic pseudocyst: A population based study
      1).其中Γ是場(chǎng)效應(yīng)增強(qiáng)系數(shù),F(xiàn)是場(chǎng)強(qiáng),.ni 是本征載流子濃度。τn和τp分別是電子和空穴的壽命, Ei和ET分別是本征費(fèi)米能級(jí)和復(fù)合中心能級(jí)。k是玻爾茲曼常數(shù),T是絕對(duì)溫度,?是狄拉克常數(shù),q是單位電子的電荷,mt*是電子的有效隧穿質(zhì)量。Table1 Baseline characteristics of the study cohort,n (%)Treatments and outcomesLaparoscopic approach associa

      World Journal of Gastrointestinal Surgery 2019年9期2019-10-31

    • 大學(xué)生思想政治教育中的場(chǎng)效應(yīng)運(yùn)用探究
      極運(yùn)用,探究了場(chǎng)效應(yīng)對(duì)大學(xué)生思想政治教育的綜合提升與人才多樣化、綜合性培養(yǎng)的實(shí)踐模式的實(shí)際效果。關(guān)鍵詞:場(chǎng)效應(yīng);思政教育;大學(xué)生高校是思想政治教育的第一陣地,有著豐富的教育資源,除傳統(tǒng)的課堂教育以外,還擁有豐富多彩的校園文化。由校園活動(dòng)、校園文化、校園建筑等形成的思想政治教育場(chǎng),對(duì)學(xué)生成長(zhǎng)成才起到無(wú)形的引導(dǎo)、凝聚和激勵(lì)作用,對(duì)高校思想政治教育具有較強(qiáng)的指導(dǎo)意義。思想政治教育場(chǎng)是以思想政治教育工作為中心所形成的“生活圈圍”,是指與思想政治工作有關(guān)的或是表現(xiàn)形

      山東青年 2019年8期2019-10-30

    • Phototransistor Based on Single TaON Nanobelt and Its Photoresponse from Ultraviolet to Near-infrared
      N單根納米帶的場(chǎng)效應(yīng)晶體管; 該晶體管的電子遷移率和開(kāi)關(guān)比分別為9.53×10–4cm2/(V·s)和3.4, 在254~850 nm范圍內(nèi)顯示良好的光響應(yīng)。在405 nm (42 mW/cm2)的光照下, 外加5.0 V的偏壓時(shí), 光響應(yīng)為249 mA/W, 光開(kāi)關(guān)比為11。因此, 該器件具有良好的光探測(cè)性, TaON納米帶可作為光電子器件的候選材料。另外, 實(shí)驗(yàn)還控制合成出Ta2O5@TaON納米帶, 并加工成單根納米帶的場(chǎng)效應(yīng)晶體管, 雖然相同光照條

      無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào) 2019年9期2019-10-10

    • 探索場(chǎng)效應(yīng)模式提升學(xué)生課外閱讀品質(zhì)
      會(huì)環(huán)境下的心理場(chǎng)效應(yīng),能激發(fā)學(xué)生的閱讀潛能,養(yǎng)成其良好的閱讀習(xí)慣。三者的合力效應(yīng)是很顯著的,能改善目前的不良狀況,從而提升學(xué)生的課外閱讀品質(zhì)?!娟P(guān)鍵詞】課外閱讀 場(chǎng)效應(yīng) 營(yíng)建 “三位一體化”【基金項(xiàng)目】本文系甘肅省教育科學(xué)規(guī)劃“十三五”課題研究成果之一,課題批準(zhǔn)號(hào):GS[2018] GHB2929。【中圖分類號(hào)】G623.23 【文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼】A 【文章編號(hào)】2095-3089(2019)33-0106-01課外閱讀在語(yǔ)文學(xué)習(xí)中的重要性是毋庸置疑的。很多名家

      課程教育研究 2019年33期2019-08-30

    • 場(chǎng)效應(yīng)晶體管短路失效的數(shù)值模型
      于碳化硅材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管更適合于高頻、高溫、高耐壓等功率變換場(chǎng)合。在實(shí)際的應(yīng)用中,功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管經(jīng)常會(huì)遭遇短路事故,尤其是電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),在保護(hù)電路能夠介于之前,人們希望功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管能夠具有一定的短路抵御能力。然而,由于碳化硅/氧化物界面陷阱密度比硅/氧化物高兩個(gè)數(shù)量級(jí),為了取得較高的閾值電壓,碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的氧化層厚度往往設(shè)計(jì)得比硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的薄,這使得在高電應(yīng)力的條件下,碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的氧化層更容易失效[3];同時(shí),由于同樣功率等級(jí)的情

      西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年4期2019-08-20

    • 光電協(xié)同增強(qiáng)的場(chǎng)效應(yīng)對(duì)LaAlO3/SrTiO3界面中持續(xù)光電導(dǎo)的調(diào)控*
      . 本文研究了場(chǎng)效應(yīng)對(duì)LaAlO3/SrTiO3 界面光電導(dǎo)效應(yīng)的調(diào)控,發(fā)現(xiàn)光電協(xié)同增強(qiáng)的場(chǎng)效應(yīng)可以使得LaAlO3/SrTiO3 界面產(chǎn)生顯著的持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng),進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn): 在光電協(xié)同效應(yīng)的影響下,隨著負(fù)的背柵門電壓的增加,持續(xù)光電導(dǎo)的數(shù)值增大,在–70 V 附近達(dá)到極值;隨著負(fù)的背柵門電壓處理時(shí)間的增加,持續(xù)光電導(dǎo)的數(shù)值單調(diào)增加. LaAlO3/SrTiO3 異質(zhì)結(jié)中這種場(chǎng)增強(qiáng)的持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng)可為多參數(shù)可調(diào)的光電子記憶器件的研發(fā)提供參考依據(jù).1 引

      物理學(xué)報(bào) 2019年6期2019-04-10

    • 石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器在醫(yī)學(xué)檢測(cè)中的研究進(jìn)展
      ,特別是石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器。與傳統(tǒng)檢測(cè)技術(shù)相比,在核酸、蛋白質(zhì)、細(xì)菌等的檢測(cè)方面,石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備一定的優(yōu)勢(shì),主要表現(xiàn)在靈敏度高和選擇性高、分析速度快、免標(biāo)記、廉價(jià)、能夠微型化和一體化等[1],這些優(yōu)點(diǎn)助力石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管在生物分子的床旁化檢測(cè)中發(fā)揮重要作用。迄今為止,關(guān)于石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管在醫(yī)學(xué)檢測(cè)中的研究越來(lái)越多。本文簡(jiǎn)要綜述石墨烯器件的制備及工作原理,石墨烯的制備及功能化,重點(diǎn)綜述石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管在醫(yī)學(xué)檢測(cè)中的運(yùn)用,包括核酸、蛋白

      國(guó)際檢驗(yàn)醫(yī)學(xué)雜志 2019年3期2019-02-14

    • 綠色住宅價(jià)值場(chǎng)效應(yīng)評(píng)述
      及影響程度即為場(chǎng)效應(yīng)。通過(guò)構(gòu)建場(chǎng)效應(yīng)模型,找到影響消費(fèi)者綠色住宅消費(fèi)行為的影響因素。關(guān)鍵詞:綠色住宅價(jià)值;場(chǎng)論;價(jià)值場(chǎng);場(chǎng)效應(yīng)中圖分類號(hào):F294文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):1001-9138-(2019)12-0051-59收稿日期:2019-09-241引言隨著綠色建筑在全球范圍內(nèi)被推廣和發(fā)展,一種新型住宅模式一綠色住宅應(yīng)運(yùn)而生。與傳統(tǒng)住宅相比,綠色住宅強(qiáng)調(diào)在住宅開(kāi)發(fā)及使用過(guò)程中節(jié)約資源、減少能源消耗,側(cè)重住宅的低碳節(jié)能和可持續(xù)發(fā)展。綠色住宅在我國(guó)已經(jīng)取得

      中國(guó)房地產(chǎn)·市場(chǎng)版 2019年12期2019-01-03

    • 三維Saddle FET的溫度特性仿真及量子仿真驗(yàn)證
      結(jié)構(gòu),其中無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管就是最有發(fā)展前景的器件類型之一[1-2]。無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在簡(jiǎn)單的工藝制作流程和較好的電學(xué)特性[3-6]。此后研究人員又提出了多柵結(jié)構(gòu),包括最開(kāi)始的雙柵結(jié)構(gòu),以及后來(lái)出現(xiàn)的各種三維結(jié)構(gòu)如FinFET、I形柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、Saddle無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及H形柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管等[7-8]。然而隨著器件尺寸的不斷縮小,相應(yīng)的,很多負(fù)面反應(yīng),如短溝道效應(yīng),ION-IOFF比降低和器件在不同溫度、壓力等環(huán)境下性能不穩(wěn)定等狀況

      微處理機(jī) 2018年5期2018-10-30

    • 高性能折疊I型柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
      柵極技術(shù)的無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)成為深納米級(jí)硅基VLSI技術(shù)領(lǐng)域中最流行的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)之一[1-2]。由于超薄硅膜SOI技術(shù)可以使柵極能夠輕易控制溝道在完全耗盡狀態(tài)下工作,因此器件制造不再需要PN結(jié)[3]。與常規(guī)的基于PN結(jié)的三柵極(TG)MOSFET類似,在關(guān)斷狀態(tài)下,三柵極無(wú)結(jié)(TG JL)FET的柵極電壓反向偏置時(shí)會(huì)引起帶間隧穿的增強(qiáng),特別是在柵極角區(qū)域和柵極至漏極或源極的延長(zhǎng)區(qū),它極大地增加了由于帶間隧穿所引起的泄漏電流,并在靜態(tài)關(guān)斷狀態(tài)下導(dǎo)致了更

      微處理機(jī) 2018年5期2018-10-30

    • 基于硅納米線的場(chǎng)效應(yīng)晶體管電學(xué)性質(zhì)仿真
      基于硅納米線的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電學(xué)特性進(jìn)行了仿真模擬。并對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)分析。2.參數(shù)設(shè)置我們以直徑為100nm的P型單晶硅納米線作為研究對(duì)象,設(shè)計(jì)了以單根硅納米線作為導(dǎo)電通道的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)(FET)。硅納米線的摻雜濃度為1016cm-3。漏極和源極之間的距離為1um,即場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電通道長(zhǎng)度是1um;柵極介質(zhì)層為100nm厚的SiO2。我們模擬了不同條件下空穴和電子濃度的分布圖以及硅納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線及轉(zhuǎn)移特性曲線。通過(guò)對(duì)仿真結(jié)果

      電子世界 2018年17期2018-09-14

    • Graphenea石墨烯晶體管正式上市銷售
      ETs(石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管)新產(chǎn)品。該舉措進(jìn)一步降低了石墨烯應(yīng)用的障礙,特別是在傳感器市場(chǎng)。Graphenea提供的GFETs(石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管)可以為氣體傳感器、生物傳感器或其他傳感器領(lǐng)域的科學(xué)研究提供高質(zhì)量的GFET器件。Graphenea已經(jīng)上市的兩種用于傳感器領(lǐng)域的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括兩種標(biāo)準(zhǔn)的GFET-for-sensing配置,稱為GFET-S10和GFET-S20,每種均包括一個(gè)位于一平方厘米芯片上36個(gè)獨(dú)立的GFET,但器件布局不同。G

      中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào) 2018年20期2018-08-28

    • 2010年一汽馬自達(dá)睿翼不能升入4擋
      圖5所示MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制。因?yàn)榭刂茊卧獌H報(bào)此電磁閥故障,在控制器內(nèi)部電磁閥A和C也是由相同結(jié)構(gòu)的電路控制,所以在不拆卸元件的條件下可以,即可進(jìn)行初步的對(duì)比測(cè)量,測(cè)量結(jié)果如圖6所示,根據(jù)測(cè)量結(jié)果J600 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和R10(采樣電阻1W 5% 100mΩ)電阻已經(jīng)損壞。將R 1 0電阻拆下后測(cè)量,其電阻為無(wú)窮大(R10采樣電阻1W 5%1 0 0 m Ω),說(shuō)明已經(jīng)斷路。拆下J600 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其電阻值只有4Ω,正常情況下其電阻值應(yīng)大

      汽車維修與保養(yǎng) 2018年3期2018-06-08

    • Call for Papers Journal of Electronic Science and Technology Special Section on Energy-Efficient Technologies
      的液柵型石墨烯場(chǎng)效應(yīng)器件,因石墨烯直接與待測(cè)液接觸,使得石墨烯溝道極易被污染,致使器件的穩(wěn)定性減小,也不能被重復(fù)利用。因此,頂柵型石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管pH傳感器[19]得到了關(guān)注,它以石墨烯材料為溝道并在其表面沉積了絕緣層(如HfO2等),其結(jié)構(gòu)及電學(xué)檢測(cè)示意圖如圖4所示。◆ Energy-efficient transport and logisticsGuest Editors are also cordially invited to submit pro

      Journal of Electronic Science and Technology 2018年1期2018-02-14

    • 從“場(chǎng)效應(yīng)”看觀眾對(duì)戲劇演出的影響
      眾;戲劇活動(dòng);場(chǎng)效應(yīng)中圖分類號(hào):J82 文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A 文章編號(hào):1007-0125(2017)23-0021-01美國(guó)戲劇家小羅杰斯·M·巴斯菲爾德說(shuō):“觀眾是最迷人的學(xué)問(wèn)。有如此多的東西確實(shí)都與他們有關(guān),但人們不知道原因何在?!雹賾騽∈侨祟悇?chuàng)造的最古老的藝術(shù)之一,迄今已有兩千多年的歷史。盡管戲劇在其發(fā)展的漫長(zhǎng)過(guò)程中經(jīng)歷了許多變化,但戲劇的本質(zhì)并沒(méi)有變化。觀眾作為戲劇活動(dòng)的重要組成部分,已經(jīng)不是戲劇單純的享受者和旁觀者,而是一種參與者。觀眾在觀看演出時(shí),

      戲劇之家 2017年23期2018-01-12

    • 場(chǎng)效應(yīng)理論”在體育教學(xué)中的應(yīng)用研究
      東禮,杜曉俠“場(chǎng)效應(yīng)理論”在體育教學(xué)中的應(yīng)用研究李小芳,張朝法,王東禮,杜曉俠引入“場(chǎng)”的概念,利用場(chǎng)效應(yīng)動(dòng)力原理來(lái)診斷課堂教學(xué),按照不同的體育項(xiàng)目技術(shù)特點(diǎn),有針對(duì)性的進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)教學(xué)實(shí)驗(yàn),創(chuàng)建適合不同類型體育項(xiàng)目的場(chǎng)效應(yīng)教學(xué)模式,旨在為公共體育課中的選項(xiàng)課教學(xué)提供借鑒和參考。結(jié)果表明:場(chǎng)效應(yīng)教學(xué)模式,能充分挖掘項(xiàng)目特色,提高學(xué)生參與的廣度與深度,有效提高提高課堂教學(xué)的效率和質(zhì)量。建議:體育教師在教學(xué)過(guò)程中充分發(fā)揮主導(dǎo)作用,合理安排課堂教學(xué),創(chuàng)建積極的體育教

      體育科技文獻(xiàn)通報(bào) 2017年12期2017-12-13

    • 用于高品質(zhì)光電探測(cè)器的砷化鎵光場(chǎng)效應(yīng)晶體管
      測(cè)器的砷化鎵光場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電探測(cè)器已經(jīng)成為汽車行業(yè)的一個(gè)重要組成部分。汽車上利用光電傳感器實(shí)現(xiàn)對(duì)汽車前照燈、倒車燈、儀表燈和轉(zhuǎn)向燈等光電系統(tǒng)的控制。光電探測(cè)器利用光照引起被照射材料電導(dǎo)率變化的原理,將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),實(shí)現(xiàn)對(duì)汽車相應(yīng)裝置的控制。光電探測(cè)器的關(guān)鍵組件為光場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其品質(zhì)高低直接關(guān)系到光電探測(cè)器的品質(zhì)。另外,近些年汽車行業(yè)朝著智能化、自動(dòng)駕駛的方向發(fā)展,開(kāi)始將光電探測(cè)器應(yīng)用到自動(dòng)導(dǎo)航、自適應(yīng)巡航中,因而對(duì)光電探測(cè)器品質(zhì)的要求進(jìn)一步提高。

      汽車文摘 2017年2期2017-12-04

    • 石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管參數(shù)提取及建模研究
      009)石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管參數(shù)提取及建模研究陳榮敏,王 研(合肥工業(yè)大學(xué) 光電技術(shù)研究院,安徽 合肥 230009)現(xiàn)有的傳統(tǒng)器件模型已不能完全表征石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性。文中介紹了GFET的器件結(jié)構(gòu),分析了GFET的工作原理及其基本電特性,提出了基于等效電路思想的小信號(hào)模型。模型的參數(shù)值來(lái)源于晶體管電流-電壓和S參數(shù)的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),采用測(cè)試結(jié)構(gòu)法對(duì)模型參數(shù)進(jìn)行提取與分析。并針對(duì)柵寬16 μm,柵長(zhǎng)150 nm的GFET,將參數(shù)初值代入ADS仿真工具中優(yōu)化仿

      電子科技 2017年11期2017-11-16

    • 雜質(zhì)對(duì)二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管磁滯效應(yīng)的影響
      雜質(zhì)對(duì)二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管磁滯效應(yīng)的影響方佳佳,楊啟志,王 權(quán)(江蘇大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院,江蘇 鎮(zhèn)江 212013)二硫化鉬(MoS2)具有優(yōu)異的理化性能,但是磁滯效應(yīng)限制了其在半導(dǎo)體器件上的大量應(yīng)用。研究了化學(xué)氣相沉積法(CVD)生長(zhǎng)的MoS2薄膜制備的懸置和非懸置場(chǎng)效應(yīng)晶體管在室溫下(20℃左右)的電學(xué)特性曲線。發(fā)現(xiàn)非懸置場(chǎng)效應(yīng)晶體管和懸置場(chǎng)效應(yīng)晶體管中都存在磁滯現(xiàn)象,但是非懸置場(chǎng)效應(yīng)晶體管的磁滯現(xiàn)象比懸置場(chǎng)效應(yīng)晶體管更強(qiáng)。說(shuō)明在樣品制備過(guò)程中引入的水分

      電子元件與材料 2017年4期2017-10-13

    • 中藥辨證外敷加場(chǎng)效應(yīng)透入治療膝關(guān)節(jié)骨性關(guān)節(jié)炎患者的臨床觀察
      中藥辨證外敷加場(chǎng)效應(yīng)透入療法對(duì)膝關(guān)節(jié)骨性關(guān)節(jié)炎治療效果的影響。 方法 選取2015年11月~2017年2月來(lái)我院接受治療的42例膝關(guān)節(jié)骨性關(guān)節(jié)炎患者,隨機(jī)分為治療組和對(duì)照組,每組各21例。對(duì)照組給予健膝止痛膏外敷治療,通過(guò)辨證后對(duì)中藥進(jìn)行加減;治療組除了使用健膝止痛膏外敷治療以外,還另外加用場(chǎng)效應(yīng)治療。兩組觀察指標(biāo)采用Lequesne指數(shù)進(jìn)行評(píng)分,評(píng)分越低,恢復(fù)效果越好。然后觀察比較兩組患者的治療總有效率,以及兩組治療后Lequesne指數(shù)評(píng)分,數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)統(tǒng)

      中國(guó)醫(yī)藥科學(xué) 2017年13期2017-08-22

    • 電學(xué)層析成像中軟場(chǎng)效應(yīng)的度量與應(yīng)用*
      學(xué)層析成像中軟場(chǎng)效應(yīng)的度量與應(yīng)用*楊家輝, 岳士弘, 于 曉(天津大學(xué) 電氣與自動(dòng)化工程學(xué)院, 天津 300072)“軟場(chǎng)效應(yīng)”的存在導(dǎo)致電學(xué)層析(ET)成像技術(shù)重建圖像分辨率低,為了度量“軟場(chǎng)效應(yīng)”并降低其影響,提出了一個(gè)基于靈敏度系數(shù)的“軟場(chǎng)效應(yīng)”度量指標(biāo),據(jù)此實(shí)施ET測(cè)量數(shù)據(jù)的重構(gòu)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:軟場(chǎng)效應(yīng)指標(biāo)能夠有效地反映“軟場(chǎng)效應(yīng)”對(duì)ET成像空間分辨率的影響,重構(gòu)的數(shù)據(jù)能夠提高已有ET算法的空間分辨率。電學(xué)層析成像; 靈敏度系數(shù); 軟場(chǎng)效應(yīng); 空間

      傳感器與微系統(tǒng) 2017年7期2017-08-09

    • 戲劇特有的場(chǎng)效應(yīng)
      意?!娟P(guān)鍵詞】場(chǎng)效應(yīng);觀演關(guān)系;假定性;互動(dòng)中圖分類號(hào):J80 文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A 文章編號(hào):1007-0125(2017)10-0030-01戲劇,是以演員的生理?xiàng)l件為中心媒介、當(dāng)眾敘演一定長(zhǎng)度的故事、觀眾與戲劇創(chuàng)演者以假定性為協(xié)作活動(dòng)前提的藝術(shù)活動(dòng)。觀演關(guān)系作為戲劇“場(chǎng)效應(yīng)”的創(chuàng)造者與承受者,這種無(wú)形中的關(guān)系似乎看不見(jiàn)也摸不著,但它確實(shí)存在。戲劇以“場(chǎng)效應(yīng)”為載體為觀眾帶去享受的同時(shí),也能為觀眾帶去對(duì)于人性的思考。一、小劇場(chǎng)話劇的場(chǎng)效應(yīng)話劇在表演場(chǎng)地、舞臺(tái)

      戲劇之家 2017年10期2017-06-21

    • 基于CH3NH3PbI3單晶的Ta2O5頂柵雙極性場(chǎng)效應(yīng)晶體管
      O5頂柵雙極性場(chǎng)效應(yīng)晶體管呂乾睿 李 晶 廉志鵬 趙昊巖 董桂芳*李 強(qiáng) 王立鐸 嚴(yán)清峰*(清華大學(xué)化學(xué)系,北京100084)具有無(wú)機(jī)-有機(jī)雜化鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的CH3NH3PbI3通常偏向于顯示n型半導(dǎo)體特性,本文以五氧化二鉭(Ta2O5)作為絕緣層,制備了基于鈣鈦礦CH3NH3PbI3單晶的頂柵結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,暗態(tài)下更明顯地觀察到了CH3NH3PbI3所具有的p型場(chǎng)效應(yīng)特性,空穴場(chǎng)效應(yīng)遷移率達(dá)到8.7×10-5cm2·V-1·s-1,此暗態(tài)空穴遷移率比原有

      物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2017年1期2017-03-13

    • 觸發(fā)課堂場(chǎng)效應(yīng)的探索與實(shí)踐
      營(yíng)造課堂上的“場(chǎng)效應(yīng)”??茖W(xué)研究表明,相互作用場(chǎng)是物質(zhì)存在的兩種基本形態(tài)之一,它存在于一切空間區(qū)域,如電磁場(chǎng)、引力場(chǎng)。帶電粒子在電磁場(chǎng)中會(huì)受到電磁力的作用,物體在引力場(chǎng)中會(huì)受到萬(wàn)有引力的作用。課堂教學(xué)場(chǎng)境我們可以稱為“語(yǔ)文課堂教學(xué)場(chǎng)”。在這樣的“教學(xué)場(chǎng)”中,每個(gè)學(xué)生都仿佛是一個(gè)帶電“粒子”,接受“場(chǎng)”的作用,并且作為組成“場(chǎng)”的一分子,發(fā)揮自身能量,產(chǎn)生交互作用。在這樣的“場(chǎng)”作用下,教學(xué)主體可實(shí)現(xiàn)能量升級(jí)──思想、情感、意志等人格因素和語(yǔ)文能力得到整體提

      語(yǔ)文世界(教師版) 2016年11期2016-12-09

    • 移動(dòng)通信基站天線近場(chǎng)效應(yīng)影響分析
      通信基站天線近場(chǎng)效應(yīng)影響分析福建省輻射環(huán)境監(jiān)督站陳瓊霞高一弘該文介紹了移動(dòng)通信基站天線的近場(chǎng)效應(yīng),推導(dǎo)出該效應(yīng)的修正因子公式,并通過(guò)計(jì)算幾種常見(jiàn)類型天線的近場(chǎng)效應(yīng)修正因子,得出修正因子隨距離變化的規(guī)律,對(duì)近場(chǎng)效應(yīng)的影響范圍進(jìn)行了分析。研究表明,常見(jiàn)天線近場(chǎng)效應(yīng)在距天線5m外影響較小。基站天線 近場(chǎng)效應(yīng)1 天線近場(chǎng)效應(yīng)微波頻段天線產(chǎn)生的電磁場(chǎng)區(qū)主要為遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)和輻射近場(chǎng)區(qū)(以下簡(jiǎn)稱“近場(chǎng)區(qū)”),近場(chǎng)區(qū)和遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)的分界點(diǎn)距離為2D2/λ[1],其中D為天線的最大尺寸

      海峽科學(xué) 2016年4期2016-09-24

    • 談?wù)剰V播精品節(jié)目中的制作環(huán)節(jié)
      播節(jié)目 制作 場(chǎng)效應(yīng) 二度創(chuàng)作【中圖分類號(hào)】G222 【文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼】A傳統(tǒng)觀念認(rèn)為廣播的鏈條是采編播,對(duì)于從業(yè)者的訓(xùn)練也是從這三個(gè)維度切入的。但是,現(xiàn)代廣播的實(shí)踐證明,單一的鏈條模式已經(jīng)遠(yuǎn)不能滿足精品節(jié)目的要求,制播思維開(kāi)始向矩陣化方向發(fā)展。對(duì)于廣播精品節(jié)目制作來(lái)說(shuō),多元復(fù)合式思維顯得尤為重要。精品節(jié)目從開(kāi)始的策劃、采訪、編輯,再到后期的制作、播出,整個(gè)過(guò)程環(huán)環(huán)相扣,任何一環(huán)的缺失都會(huì)導(dǎo)致整個(gè)鏈條的崩潰。因此,制作在廣播精品節(jié)目的生產(chǎn)流程中擔(dān)負(fù)著重要的角色

      中國(guó)廣播 2016年2期2016-05-30

    • 場(chǎng)效應(yīng)對(duì)CSAMT一維反演的影響分析
      21000)近場(chǎng)效應(yīng)對(duì)CSAMT一維反演的影響分析■盧蕾劉登董志泉徐揚(yáng)威 (內(nèi)蒙古自治區(qū)第六地質(zhì)礦產(chǎn)勘查開(kāi)發(fā)院內(nèi)蒙古呼倫貝爾021000)CSAMT是由MT發(fā)展而來(lái),但MT的很多成熟理論CSAMT還不能完全應(yīng)用,其主要原因在于人工控制源帶來(lái)的一系類效應(yīng),CSAMT的幾種效應(yīng)主要有:靜態(tài)效應(yīng);近場(chǎng)效應(yīng);場(chǎng)源效應(yīng);陰影效應(yīng)及地形效應(yīng),其中近場(chǎng)效應(yīng)對(duì)可控源測(cè)深效果的好壞起著非常重要的作用,所謂近場(chǎng)效應(yīng)是因?yàn)镃SAMT的場(chǎng)源距離是有限的,當(dāng)發(fā)射的頻率降低到一定程度

      地球 2016年1期2016-04-14

    • 培育“學(xué)習(xí)場(chǎng)”,形成“場(chǎng)效應(yīng)
      ,這就是心理“場(chǎng)效應(yīng)”。湖南師范大學(xué)吳小歐教授認(rèn)為,教學(xué)場(chǎng)就是教學(xué)信息輻射與作用的時(shí)空整體。吳斌武認(rèn)為,課堂教學(xué)場(chǎng)的產(chǎn)生,對(duì)課堂教學(xué)情境的各個(gè)因素“對(duì)個(gè)體內(nèi)部知識(shí)吸收,外部的教學(xué)交流都產(chǎn)生影響,即存在場(chǎng)效應(yīng)”。這種“場(chǎng)”的培育和形成“場(chǎng)效應(yīng)”對(duì)于提高思想品德課堂教學(xué)效果有一定的借鑒意義。思想品德課教學(xué)離不開(kāi)教師、學(xué)生、教材、教學(xué)手段等因素,也離不開(kāi)師生能力、情緒、意志等因素。準(zhǔn)確地分析、把握教材的要求,通過(guò)教師最佳的組織、安排、導(dǎo)引,可以讓每個(gè)學(xué)生成為“場(chǎng)

      教學(xué)月刊·小學(xué)綜合 2015年3期2015-03-18

    • 建筑學(xué)專業(yè)設(shè)計(jì)系列課程“場(chǎng)效應(yīng)”教學(xué)模式探索與實(shí)踐
      設(shè)計(jì)系列課程“場(chǎng)效應(yīng)”教學(xué)模式及其實(shí)踐操作方法。關(guān)鍵詞:建筑學(xué)專業(yè);場(chǎng)效應(yīng);教學(xué)模式;教學(xué)實(shí)踐中圖分類號(hào):G420;TU 文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A 文章編號(hào):10052909(2015)01009205 時(shí)代的發(fā)展,科技的進(jìn)步,對(duì)建筑學(xué)科提出了的新要求。建筑學(xué)專業(yè)新教學(xué)模式的探討對(duì)專業(yè)人才的培養(yǎng)有著極其重要的作用。重視課堂教學(xué)的效率與效果,促進(jìn)學(xué)生間的相互交流和啟發(fā),增強(qiáng)學(xué)生對(duì)專業(yè)學(xué)習(xí)的探索性與研究性,提升學(xué)生的專業(yè)設(shè)計(jì)思維能力已成為當(dāng)前建筑學(xué)專業(yè)教育的目標(biāo)。為培養(yǎng)

      高等建筑教育 2015年1期2015-03-12

    • 課堂場(chǎng)效應(yīng)的觸發(fā)在教學(xué)中的探索與實(shí)踐
      營(yíng)造課堂上的“場(chǎng)效應(yīng)”??茖W(xué)研究表明,相互作用場(chǎng)是物質(zhì)存在的兩種基本形態(tài)之一,它存在于一切空間區(qū)域,如電磁場(chǎng)、引力場(chǎng)。帶電粒子在電磁場(chǎng)中會(huì)受到電磁力的作用,物體在引力場(chǎng)中會(huì)受到萬(wàn)有引力的作用。上述這種成功的課堂教學(xué)場(chǎng)境我們也可以稱為“語(yǔ)文課堂教學(xué)場(chǎng)”。在這樣的“教學(xué)場(chǎng)”中,每個(gè)學(xué)生都仿佛是一個(gè)帶電“粒子”,接受“場(chǎng)”的作用,并且作為“場(chǎng)”組成的一分子,發(fā)揮自身能量,產(chǎn)生交互作用。在這樣的“場(chǎng)”作用下,教學(xué)主體可實(shí)現(xiàn)能量升級(jí)──思想、情感、意志等人格因素和語(yǔ)

      小學(xué)教學(xué)研究·理論版 2014年6期2014-06-11

    • 科學(xué)家成功制備二維黑磷場(chǎng)效應(yīng)晶體管
      功制備二維黑磷場(chǎng)效應(yīng)晶體管文/吳長(zhǎng)鋒 楊保國(guó)記者從中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉,該校微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室陳仙輝教授課題組與復(fù)旦大學(xué)張遠(yuǎn)波教授、封東來(lái)教授和吳驊教授課題組合作,在二維類石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究中取得重要進(jìn)展,成功制備出具有幾個(gè)納米厚度的二維黑磷場(chǎng)效應(yīng)晶體管。研究成果近日在線發(fā)表在《自然·納米科技》雜志上。單層原子厚度的石墨烯的發(fā)現(xiàn),標(biāo)志著二維晶體作為一類可能影響人類未來(lái)電子技術(shù)的材料問(wèn)世。然而二維石墨烯的電子結(jié)構(gòu)中不具備能隙,在電子學(xué)應(yīng)用中不能實(shí)現(xiàn)

      化工管理 2014年10期2014-04-04

    • 美科學(xué)家構(gòu)造出一個(gè)超薄超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
      一個(gè)超薄的超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,以洞悉絕緣材料變成高溫超導(dǎo)體的環(huán)境細(xì)節(jié)。這種突破將使科學(xué)家能更好地理解高溫超導(dǎo)性,加速無(wú)電阻電子設(shè)備的研發(fā)進(jìn)程。相關(guān)研究報(bào)告發(fā)表在最近出版的 《自然》雜志上普通絕緣材料銅酸鹽在何種情況下從絕緣態(tài)躍遷到超導(dǎo)態(tài)?這種躍遷發(fā)生時(shí),會(huì)發(fā)生什么情況?這些問(wèn)題一直困擾著物理學(xué)家。探究這種躍遷的一種方法是,施加外電場(chǎng)來(lái)增加或減少該材料中的自由電子濃度,并觀察其對(duì)材料負(fù)載電流能力的影響。但要在銅酸鹽超導(dǎo)體中做到這一點(diǎn),還需要構(gòu)建成分始終如一的超

      電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn) 2012年6期2012-03-30

    • 中科院化學(xué)研究所在聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管材料研究方面取得重要進(jìn)展
      ,可溶液法加工場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件,研究結(jié)果表明:兩個(gè)聚合物都表現(xiàn)出良好的空穴傳輸性能,其遷移率均高于2.0 cm2/V·s,電流開(kāi)關(guān)比大約在105~107。其中,含長(zhǎng)鏈側(cè)基的聚合物PDVT-10的遷移率最高可以達(dá)到8.2 cm2/V·s,這一結(jié)果是目前所報(bào)道的溶液法加工聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的最高值。研究人員采用掠入式X-射線衍射(GIXRD)研究了聚合物的堆積結(jié)構(gòu),解析了聚合物PDVT-8和PDVT-10薄膜的堆積形態(tài)。兩個(gè)聚合物的烷基鏈間距d-d分別為1

      中國(guó)材料進(jìn)展 2012年11期2012-01-26

    • 碳納米管隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)場(chǎng)效應(yīng)晶體管電學(xué)性能分析
      納米管隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)場(chǎng)效應(yīng)晶體管電學(xué)性能分析常永嘉,皇 華,黃文龍(合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院,安徽合肥 230009)利用電子束蒸發(fā)技術(shù)在Si襯底形成Au電極作為底柵電極,在底柵電極上生長(zhǎng)SiO2薄膜。超聲分散CVD法合成的商用單壁碳納米管(SWCNTs),使用勻膠機(jī)將單壁碳納米管懸浮液均勻旋涂于SiO2薄膜上。再利用蔭罩式電子束蒸發(fā)技術(shù),在單壁碳納米管隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)薄膜表面制備漏源電極。該工藝過(guò)程避免了碳納米管過(guò)多的化學(xué)接觸,有效地保護(hù)了碳納米管的性狀。在

      電子科技 2012年8期2012-01-19

    • 碳化硅功率場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管仿真模型及其驅(qū)動(dòng)研究
      2)碳化硅功率場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管仿真模型及其驅(qū)動(dòng)研究郝夏斐,潘三博(安陽(yáng)師范學(xué)院,安陽(yáng) 455002)0 引言碳化硅半導(dǎo)體器件具有耐壓高、通態(tài)電阻低、漏電流小、開(kāi)關(guān)速度高、電流密度高、耐高溫等優(yōu)點(diǎn),這決定了它在高溫、高頻率、高功率的應(yīng)用場(chǎng)合是理想的下一代電力電子器件[1]。近年來(lái),國(guó)內(nèi)外對(duì)碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管在高性能電力電子裝置的應(yīng)用開(kāi)始了探索性的研究[2,3]。本文從功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)出發(fā),通過(guò)對(duì)靜態(tài)、動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)量,計(jì)算出器件耗盡層寬度等半導(dǎo)體參數(shù),建

      制造業(yè)自動(dòng)化 2011年8期2011-05-11

    • 論翻譯的語(yǔ)義場(chǎng)效應(yīng)關(guān)聯(lián)性與可及性
      ,涉及詞匯語(yǔ)義場(chǎng)效應(yīng)理論、關(guān)聯(lián)理論和可及性理論的綜合運(yùn)用,這就是本文提出的詞匯語(yǔ)義場(chǎng)效應(yīng)關(guān)聯(lián)性可及翻譯觀。2.語(yǔ)義場(chǎng)效應(yīng)關(guān)聯(lián)性可及詞匯間語(yǔ)義關(guān)聯(lián)源于生成語(yǔ)法描寫語(yǔ)言結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性階標(biāo)理論,詞聚合必須反映語(yǔ)義內(nèi)容(Ouhalla,1999:113),首詞與后續(xù)詞或結(jié)構(gòu)的語(yǔ)義關(guān)系必須合符論旨關(guān)系準(zhǔn)則(吳炳章,2003)。詞匯論旨關(guān)系是對(duì)詞匯語(yǔ)義進(jìn)行邏輯關(guān)聯(lián)性可及的分析結(jié)果。由于詞匯語(yǔ)義場(chǎng)效應(yīng)關(guān)聯(lián)性可及的約束,詞匯意義關(guān)聯(lián)性程度取決于人對(duì)相似事物認(rèn)知的范疇化程度。越

      外國(guó)語(yǔ)文 2011年5期2011-03-20

    • 四方晶系下釹離子的基態(tài)分裂
      數(shù),并分析了晶場(chǎng)效應(yīng)對(duì)化合物磁性質(zhì)的影響.結(jié)果表明,Kramers離子Nd3+的十重簡(jiǎn)并基態(tài)4I9/2在晶場(chǎng)效應(yīng)的作用下分裂為5個(gè)雙態(tài),計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合得較好.NdCuAs2;Nd2Ge2In;磁化率;晶場(chǎng)效應(yīng)稀土元素特殊的外電子層結(jié)構(gòu)使稀土化合物具有獨(dú)特的光、電、磁等性能,稀土化合物被譽(yù)為“新材料的寶庫(kù)”.稀土化合物中存在各種磁性效應(yīng),這些磁性效應(yīng)各自都以不同的物理機(jī)制使稀土磁性材料起著轉(zhuǎn)換、傳遞和存儲(chǔ)能量、信息的作用,所以對(duì)稀土化合物進(jìn)行深入細(xì)致的研

      溫州大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2011年2期2011-01-12

    • 建構(gòu)課堂教學(xué)場(chǎng),煥發(fā)語(yǔ)文生命力
      堂教學(xué)場(chǎng),發(fā)揮場(chǎng)效應(yīng),讓語(yǔ)文課堂煥發(fā)生命活力。關(guān)鍵詞:語(yǔ)文課堂 場(chǎng)效應(yīng) 朗讀 演講對(duì)話一、研究的現(xiàn)實(shí)背景及意義目前,語(yǔ)文教學(xué)以聽(tīng)說(shuō)讀寫能力要素為框架、以分項(xiàng)訓(xùn)練為手段建構(gòu)的語(yǔ)文教學(xué)體系,追求語(yǔ)文訓(xùn)練的系統(tǒng)性,卻忽視了語(yǔ)文的情感性和人文性。大量的練習(xí),確實(shí)也能使學(xué)生的能力得到一定的提高,但這在一定程度上導(dǎo)致了教師在課堂上的串講串問(wèn)現(xiàn)象,影響了學(xué)生的自讀自悟和對(duì)文章主旨的把握。課堂是學(xué)校教學(xué)的基本形式,是實(shí)現(xiàn)教師、學(xué)生、教材和教學(xué)環(huán)境等教學(xué)諸因素之間的相互作用

      新課程·上旬 2009年5期2009-07-16

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