李玉平,沈冠群,袁 昂,陳功田
(1.湖南大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,湖南 長沙 410082;2.郴州高斯貝爾科技有限責(zé)任公司,湖南 郴州 424500)
陶瓷諧振器、濾波器和微波介質(zhì)天線等是微波通訊領(lǐng)域中的關(guān)鍵元器件,高介電常數(shù)(εr),高品質(zhì)因數(shù)(Qf)和接近于0的諧振頻率溫度系數(shù)(τf)的介質(zhì)陶瓷是制備上述器件的關(guān)鍵材料[1-3].0.7CaTiO3-0.3NdAlO3(簡稱CTNA30)體系雖然實(shí)現(xiàn)了對諧振頻率溫度系數(shù)的調(diào)節(jié),但因燒結(jié)溫度(達(dá)1600 ℃左右)高,燒結(jié)溫度范圍較窄,影響了其廣泛的應(yīng)用.
添加玻璃或其它燒成助劑是常用的降低介質(zhì)陶瓷的燒結(jié)溫度及拓寬其燒成溫度范圍的方法.李斌[4]等人通過在Ba4Sm28/3Ti18O54介質(zhì)陶瓷體系中添加Bi2O3,可將其燒結(jié)溫度降低至1260 ℃,而當(dāng)Bi2O3的添加量為0.15%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)時,可得到介電常數(shù)εr約為81,頻率溫度系數(shù)τf為-21×10-6/ ℃的介質(zhì)陶瓷;王茹玉[5]等人在ZnNb2O6陶瓷加入CuO和V2O5,當(dāng)CuO和V2O5添加量都為0.25% 時,ZnNb2O6陶瓷的燒成溫度可降到1 025 ℃,所得樣品的介電常εr= 35,頻率溫度系數(shù)τf=-44.41×10-6/ ℃;Ki Hyun Yoon[6]等人在(Ca0.275Sm0.4Li0.25)TiO3同時添加B2O3-Li2O來降低燒成溫度,當(dāng)B2O3-Li2O加入量為0.5%,體系的燒結(jié)溫度就可降到1 200 ℃,εr達(dá)到98.7,Qf為5 930 GHz,τf=3.7×10-6/ ℃;陳文文[7]等人在CLNZ陶瓷中添加了2.5%B2O3,在1 000 ℃燒成的樣品,就可獲得εr=31.3,Qf=13 680 GHz,τf=8.7×10-6/ ℃介電性能.
本文通過在CTNA30添加B2O3,以期將其燒成溫度降低到1 300 ℃以下,并保持較佳的介電性能,以拓寬其應(yīng)用范圍.
以分析純CaCO3,TiO2,Al2O3和Nd2O3為原料,按0.7CaTiO3-0.3NdAlO3的化學(xué)計量比進(jìn)行配料,以氧化鋯球?yàn)榍蚰ソ橘|(zhì),將粉料在滾動球磨機(jī)上研磨8 h,球磨后的漿料烘干后在1 255 ℃預(yù)燒4 h.預(yù)燒產(chǎn)物經(jīng)手工研磨后平均分成5份,分別添加0%,0.5%,1%,2%,4%B2O3,分別球磨6h后烘干,加入7%的PVA溶液造粒.造粒后的粉料過80目篩,最后將粉料干壓成型,成型壓力為150 MPa,成型尺寸為直徑7.5 mm,高2.2~2.7 mm.成型坯體在600 ℃保溫2 h排膠,然后在1 200 ℃~1 450 ℃下燒結(jié)4 h,最后以2 ℃/min的速率降溫至1 000 ℃后隨爐冷卻.
所燒成的樣品用排水法測定體積密度,用日本Rigaku 2500型X射線衍射儀分析物相,用FEI QUNTA 200環(huán)境掃描電子顯微鏡觀察表面微觀形貌,用HP8720B型網(wǎng)絡(luò)分析儀測量在130 kHz~20 GHz頻率范圍內(nèi)的介電性能,用Hakki-Coleman法在室溫下測試介電常數(shù)值、頻率值及Qf值,在-40~70 ℃溫度范圍內(nèi)測量頻率溫度系數(shù)τf.
圖1是未摻雜的CTNA30樣品體積密度,εr,Qf以及τf隨燒結(jié)溫度的變化曲線.由于燒結(jié)溫度在1 400 ℃以下的密度較低,因此,在測定性能時,選擇了1 400~1 500 ℃范圍內(nèi)的樣品進(jìn)行性能測試.圖中顯示,未摻雜的CTNA30陶瓷最佳燒結(jié)溫度為1450 ℃.
Temperature/℃
從添加了幾種B2O3的CTNA30樣品來看,陶瓷的密度在1 300~1 350 ℃范圍內(nèi)可達(dá)到最大值(圖2),與未添加B2O3的CTNA30陶瓷燒結(jié)溫度相比,至少降低了100 ℃.B2O3的添加量高,到達(dá)最大密度的溫度就會低些,B2O3添加量少些,到達(dá)最大密度的溫度就會高些,這說明了B2O3對燒結(jié)具有很好的促進(jìn)作用.這也說明,CTNA30屬于液相燒成.液相的出現(xiàn)及其演化,從液相中新晶相的析出,最后到材料的顯微結(jié)構(gòu)形成,都會對材料的密度有一定的影響.B2O3的加入,有助于樣品的液相形成,因而隨B2O3摻入量的增加會導(dǎo)致材料致密化溫度下降,1 350 ℃下添加0.5%和1.0%的陶瓷密度和1 300 ℃下添加2.0%和4.0%的陶瓷密度相當(dāng),均達(dá)到4.85 g/cm3(如圖2).可見,添加適量的B2O3可降低CTNA30的燒結(jié)溫度,改變樣品的燒成性能.
CTNA30具有典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu).添加不大于1% B2O3時,材料的主晶相保持不變,仍為鈣鈦礦結(jié)構(gòu),沒有其它雜相的出現(xiàn),隨著B2O3添加量的增加,衍射峰逐漸增強(qiáng),說明鈣鈦礦晶體在不斷長大,結(jié)晶程度越來越高.而當(dāng)B2O3的添加量達(dá)到2 %時,體系中有新相Ca(Al0.84Ti0.16)12O9(圖3)生成.結(jié)合圖2可知,經(jīng)1350 ℃燒結(jié)后,一方面溫度的升高使原子活化能增強(qiáng),另一方面添加劑B2O3的增加,使形成的液相增多,最終促進(jìn)原子的遷移,加速新物相的形成.液相增加到一定程度時(2% B2O3),原子的遷移導(dǎo)致生成非鈣鈦礦相,并伴隨氧空位的產(chǎn)生,降低了致密度.這一結(jié)果與圖2展示的致密度結(jié)果吻合.
T/℃
2θ/(°)
圖4為添加不同B2O3含量的CTNA30在同一燒結(jié)溫度(1 300 ℃)的斷面SEM圖.從該圖中也可以看到,隨著B2O3添加量的增加,晶粒發(fā)育越來越完整,晶型越來越規(guī)則,晶粒尺寸變大,未添加 B2O3的CTNA30,其晶粒尺寸很小,接近圓球狀,晶粒未開始生長.當(dāng)添加量為0.5%和1%時,晶粒團(tuán)聚嚴(yán)重.添加量達(dá)到2%時,晶粒尺寸繼續(xù)增大,大小相對均勻,大部分晶粒發(fā)育完全.結(jié)合密度分析(圖2)可知,添加2% B2O3在1 300 ℃下燒結(jié)能達(dá)到燒結(jié)致密.添加量為4%時,晶粒發(fā)育很好,但晶粒尺寸不均勻,部分晶粒異常長大,并且晶粒出現(xiàn)了氣孔,這是因?yàn)楫?dāng)添加的B2O3增加時,生成液相增加,促進(jìn)陶瓷晶粒的生長,添加量過多時生成過多的液相,一些小顆粒被液相分散隔離,不能致密排列,導(dǎo)致陶瓷密度下降[8].總體來說B2O3添加量大于或等于2%時,能促進(jìn)陶瓷的燒結(jié).
(a) 0%;(b) 0.5%;(c) 1.0%;
圖5為添加2%B2O3的CTNA30陶瓷在不同燒結(jié)溫度下的SEM圖.隨著燒結(jié)溫度的升高,晶粒不斷長大,1 240 ℃時,晶粒排列疏松,尺寸較小,未燒結(jié)致密.1 300 ℃時,液相開始出現(xiàn),燒結(jié)開始,一些小顆粒開始通過液相,按一定的方位(與晶體的生長方向有關(guān))附著在較大顆粒上,晶粒長大,晶界明顯,晶粒排列緊密,開始出現(xiàn)部分異常長大的晶粒.繼續(xù)升高燒結(jié)溫度,這些尺寸較大的晶粒表面呈凹形,晶界向外擴(kuò)展的能量較大,能越過雜質(zhì)或氣孔并將周圍臨近均勻基質(zhì)晶粒吞并,迅速長大成更大的顆粒,如圖4(c)和圖4(d)所示晶粒形貌.這種機(jī)制使晶粒均勻長大,排列緊密,從而使陶瓷樣品致密度提高,如圖2所示.溫度達(dá)到1 410 ℃時,出現(xiàn)了一些異常長大的顆粒,導(dǎo)致密度降低.因此,摻雜2% B2O3的陶瓷致密燒結(jié)溫度在1 300 ℃到1 350 ℃.
(a) 1 240 ℃;(b) 1 300 ℃;(c) 1 350 ℃;(d) 1 410 ℃
未添加B2O3的CTNA30陶瓷介電常數(shù)εr均低于40,如圖1所示,相比之下,摻雜B2O3后,εr明顯提高.不同燒結(jié)溫度下陶瓷的介電常數(shù)εr在B2O3添加量為2%時,出現(xiàn)了極大值,而且在1 270~1 350 ℃范圍內(nèi),介電常數(shù)εr的值非常接近.燒結(jié)溫度達(dá)到1 410 ℃時,所得到的介電常數(shù)的極大值較其它幾種溫度下所得到的略小(見圖6).由此可見,B2O3的添加量對陶瓷介電性能影響很大,結(jié)合SEM圖可知,添加量為2%時,晶粒排列緊密,晶界相對較少,氣孔較少,所以相應(yīng)的介電常數(shù)較大.當(dāng)B2O3的含量繼續(xù)增加,燒結(jié)時生成的液相過多,晶粒被液相分隔包圍,不能密排,甚至造成晶粒的異常長大,同時,晶界處會聚集多余的玻璃相,不利于晶相的均勻,這些都將導(dǎo)致陶瓷體積密度的減小,從而降低陶瓷的介電常數(shù).
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當(dāng)B2O3添加量在1%~2%時,不同燒結(jié)溫度下樣品的Qf值都可獲得最大值,說明1%~2%的B2O3添加量是合理的,B2O3摻加量超過一定量后,將顯著降低陶瓷介電性能.并且燒結(jié)溫度超過1 300 ℃后,Qf值均高于55 000 GHz,如圖7所示.而未摻雜B2O3時,CTNA30陶瓷的Qf值只有在1 450 ℃時最高,超過55 000 GHz,其它燒結(jié)溫度下均在35 000~45 000 GHz(圖1),相對較低.另外,CTNA30的Qf值隨燒結(jié)溫度的升高而增大(圖7).這是由于燒結(jié)溫度較高時,原子活化能較高,遷移速率加快,促進(jìn)晶體長大,減少晶界,并有助于晶粒密排,實(shí)現(xiàn)致密化,從而提高了頻率品質(zhì)因數(shù),Qf值增大.當(dāng)添加量高于1.0%B2O3時,Qf值降低,這可能是由于過多的B2O3聚集在晶界處形成雜質(zhì)缺陷.另外圖3顯示,B2O3添加量高于1.0%時,出現(xiàn)第二相Ca(Al0.84Ti0.16)12O9,再結(jié)合SEM圖得知,隨B2O3含量的增加,陶瓷晶粒異常增長,體積密度下降,這些都將使Qf值迅速下降[9].
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圖1顯示,未添加B2O3的CTNA30陶瓷其諧振頻率溫度系數(shù)τf隨燒結(jié)溫度的升高從高于0降低到低于0.圖7顯示,同一燒結(jié)溫度情況下,CTNA30陶瓷的τf隨B2O3含量的增加而表現(xiàn)出降低趨勢,當(dāng)燒結(jié)溫度為1 410 ℃時,摻加2%和4%B2O3時,陶瓷的τf分別為1.15×10-6/ ℃和-1.15×10-6/ ℃.添加不同含量B2O3的CTNA30陶瓷的τf隨燒結(jié)溫度升高而降低.添加量為2%時,在1 300~1 380 ℃燒結(jié)區(qū)間內(nèi)τf變化不大,均在5.0×10-6/ ℃左右(圖8).總體來看,τf受燒結(jié)溫度的影響較大,燒結(jié)溫度越高,諧振頻率溫度系數(shù)就會越高.雖然添加B2O3會使τf偏離0,但可通過調(diào)節(jié)燒結(jié)溫度,實(shí)現(xiàn)諧振頻率溫度系數(shù)接近“0”.
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1)體系中添加B2O3,可顯著降低燒結(jié)溫度,合理添加B2O3的CTNA30陶瓷的致密燒結(jié)溫度可降低到1 300~1 350 ℃.
2)B2O3添加量為2%時,εr可達(dá)到最大值,這是確定B2O3添加量的主要指標(biāo).在任意燒結(jié)溫度下其值均是隨添加量增加先增大后減小,在摻加2% B2O3時達(dá)到最大值,為49.99;Qf值隨燒結(jié)溫度的的升高而增大,同一溫度下隨B2O3含量增大呈現(xiàn)出先上升后下降的趨勢,添加1%B2O3時Qf值最高,2%時稍有下降;τf隨溫度的升高而降低,同一溫度下隨B2O3含量的增加表現(xiàn)出降低趨勢.
3)綜合考慮各項(xiàng)性能,本實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:添加B2O3后,CTNA30在1 300~1 350 ℃燒結(jié)最致密,Qf值和τf雖不是實(shí)驗(yàn)最佳值,但都比較符合要求.B2O3添加范圍可以是1%~2%,其中添加2%時,其介電性能為:εr=49.99,Qf達(dá)到57 862 GHz,τf=5.39×10-6/℃.
[1]IQBAL Y,MUHAMMAD R.Phase,microstructure,and microwave dielectric propertiesof NaCa4-xSrxNb5O17(x= 0 to 4) Ceramics[J].Journal of Electronic Materials,2013,42(3):452-457.
[2]EUNGSOOKIM,KI HYUN YOON.Microwave dielectric properties of(1-x)CaTiO3-xLi1/2Sm1/2TiO3ceramics[J].Journal of the European Ceramic Society,2003,23:2397-2401.
[3]CHENG Liang-huang,CHEN Hui-liang,WU Chen-cher.Improved high Q value of CaTiO3-Ca(Mg1/3Nb2/3)O3solid solution with near zero temperature coefficient of resonant frequency[J].Materials Research Bulletin,2001,36:1645-1652.
[4]李斌,張其土,萬慧榮.摻雜Bi2O3對Ba4Sm28/3Ti18O54微波介質(zhì)陶瓷性能的影響[J].電子元件與材料,2007,26(3):44-46.
LI Bin,ZHANG Qi-tu,WAN Hui-rong.Effects of Bi2O3dopingonthe performance of Ba4Sm28/3Ti18O54microwave dielectric ceramics[J].Electronic Components & Materials,2007,26(3):44-46.(In Chinese)
[5]王茹玉,黃金亮,周煥福,等.CuO和V2O5摻雜對ZnNb2O6陶瓷介電性能的影響[J].硅酸鹽學(xué)報,2006,34(4):442-445.
WANG Ru-yu,HUANG Jin-liang,ZHOU Huan-fu,etal.Effect of CuO and V2O5doping on dielectric properties of ZnNb2O6ceramics[J].Journal of the Chinese Ceramics Society,2006,34(4):442-445.(In Chinese)
[6]KI HYUN YOON,MOON SOO PARK,JOON YEO CHO,etal.Effect of B2O3-Li2O on microwave dielectric properties of(Ca0.275Sm0.4Li0.25)TiO3ceramics[J].Journal of the European Ceramic Society,2003,23:2423-2427.
[7]陳文文,熊鋼,周東祥.B2O3對CLNZ陶瓷微波介電性能的影響[J].壓電與聲光,2010,132(6):1038-1040.
CHEN Wen-wen,XIONG Gang,ZHOU Dong-xiang.Effect of B2O3on microwave dielectric properties of CLNZ ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2010,132(6):1038-1040.(In Chinese)
[8]許建明.B2O3對BMT微波陶瓷結(jié)構(gòu)及介電性能的影響[J].壓電與聲光,2012,34(3):417-420.
XU Jian-ming.Effect of B2O3on the structure and dielectric properties of BMT microwave ceramics [J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2012,34(3):417-420.(In Chinese)
[9]方有維,劉林,莊文東,等.CTLA陶瓷微波介電性能及燒結(jié)特性研究[J].壓電與聲光,2012,34(2):288-292.
FANG You-wei,LIU Lin,ZHUANG Wen-dong,etal.Study on the microwave dielectric and sintering properties of CTLA ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2012,34(2):288-292.(In Chinese)