秦曉剛,李得天,湯道坦,柳 青,陳益峰
(蘭州空間技術(shù)物理研究所,真空低溫技術(shù)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,甘肅蘭州730000)
在地球外圍空間中,存在著大量的等離子體。以環(huán)繞地球的等離子體為主的空間區(qū)域稱為磁層,它是受太陽(yáng)風(fēng)和行星際磁場(chǎng)約束、地磁場(chǎng)起控制作用的一個(gè)有限空間范圍[1]。磁層等離子體的性質(zhì)一般用其粒子密度和粒子能量來(lái)描述,對(duì)其影響最顯著的因素是空間高度和緯度的變化[2]。其中有些軌道(如低/極軌道)的等離子體環(huán)境特點(diǎn)為高密度(1010~1012m-3)和低能量(0.1~0.3 eV),同時(shí)又存在高能電子(1~100 keV)的注入。這些特點(diǎn)給衛(wèi)星帶電帶來(lái)了新的內(nèi)容—衛(wèi)星的尾區(qū)帶電效應(yīng)[3]。
當(dāng)衛(wèi)星運(yùn)行在低溫度、高密度等離子體環(huán)境中時(shí),在其尾跡形成一明顯的“航跡”,這是一個(gè)不相等的電子和離子耗盡區(qū)。由于衛(wèi)星軌道速度大于離子熱速率而小于電子熱速率,因此電子可較容易地進(jìn)入這個(gè)區(qū)域從而形成一負(fù)電位勢(shì)壘,這就是所謂的“尾跡效應(yīng)”。它對(duì)衛(wèi)星的明顯作用是在尾區(qū)介質(zhì)表面將充電至較高的負(fù)電位,此表面電位主要依賴于收集的電子通量與離子通量之比[4]。衛(wèi)星因“尾跡效應(yīng)”而形成的表面高壓帶電是影響中低軌道特別是極軌衛(wèi)星安全運(yùn)行的重要原因之一。由于星尾區(qū)表面高壓帶電引起的放電危害小則可影響衛(wèi)星的正常工作,大則可使整星失效。實(shí)驗(yàn)主要通過(guò)數(shù)值分析的方法,研究衛(wèi)星尾跡的帶電情況。
運(yùn)行在低軌道中的衛(wèi)星可以看作是一個(gè)浸沒(méi)在低溫、高密度等離子體懸浮高壓探針。衛(wèi)星周圍的等離子體的平衡狀態(tài)可以用poisson方程和無(wú)碰撞的Vlasov方程表示[5]:
其中 φ是和無(wú)窮遠(yuǎn)處未繞動(dòng)等離子體比較的電勢(shì),fi和fe分別是離子和電子的分布函數(shù)。
當(dāng)衛(wèi)星的表面電勢(shì)處于平衡狀態(tài)時(shí),到達(dá)衛(wèi)星表面的離子電流和電子電流相等,可以表示為:
式中 je和ji分別是環(huán)境電子和離子的電流密度。平衡狀態(tài)時(shí)的電子布局可以用下式表示:
其中 k是玻爾茲曼常數(shù),Φw是衛(wèi)星的電勢(shì)。通過(guò)上面兩式并歸一化可以得出:
在給定的電子和離子參數(shù)情況下,上式表明離子電流決定了衛(wèi)星的電勢(shì)。
而在低軌道中,由于Cs<<vsc<<Ce(其中vsc是衛(wèi)星的速度,Ce是電子熱運(yùn)動(dòng)速度),離子很難到達(dá)衛(wèi)星的尾部,但是電子可以不受限制,即在式(5)中的離子電流將會(huì)減少,而電子電流基本沒(méi)有變化。從而衛(wèi)星的尾部,電勢(shì)將會(huì)出現(xiàn)一個(gè)更負(fù)的電勢(shì),這時(shí)衛(wèi)星的尾部將會(huì)出現(xiàn)所謂的尾區(qū)。
當(dāng)有極光電子注入時(shí),式(5)可以表示為:
從上式可以發(fā)現(xiàn),在高能電子電流注入時(shí),衛(wèi)星尾部收集的電子電流將會(huì)更大,即其尾部將出現(xiàn)比沒(méi)有高能電子注入時(shí)更負(fù)的電位。尾跡效應(yīng)的示意圖如下圖1所示。
圖1 尾跡效應(yīng)示意圖
PIC方法對(duì)等離子體粒子的模擬就是通過(guò)跟蹤大量電子和離子在電磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)來(lái)描述等離子體的動(dòng)力學(xué)行為。通常假設(shè)大量的帶電粒子具有初始位置和速度,再根據(jù)邊界條件等,對(duì)它們統(tǒng)計(jì)平均求出等離子體空間的電荷和電流密度分布,主要是通過(guò)計(jì)算描述電磁場(chǎng)演化的Maxwell方程組[6~8]來(lái)實(shí)現(xiàn)。
對(duì)于空間低能等離子體與衛(wèi)星相互作用來(lái)說(shuō),主要是衛(wèi)星充電產(chǎn)生的電場(chǎng)和空間等離子體及其自洽電場(chǎng)相互作用的過(guò)程。針對(duì)LEO軌道空間等離子體與航天器相互作用的PIC模擬技術(shù),由于地磁場(chǎng)的影響被忽略不計(jì)了。因此,利用PIC方法來(lái)描述等離子體的運(yùn)動(dòng)和航天器表面充電過(guò)程可以采用靜電模型。
在靜電模型中,等離子體的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)變化主要是由于電荷分離產(chǎn)生靜電場(chǎng)所引起的。對(duì)于靜電模型來(lái)說(shuō),只需要求解泊松方程即可:
從上面的理論分析可以知道,衛(wèi)星尾區(qū)效應(yīng)主要是由離子速度和衛(wèi)星運(yùn)動(dòng)速度的可比性造成。因此為了分析尾區(qū)的帶電特性,需要著重考慮航天器相對(duì)與等離子體流的運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)速度。計(jì)算模擬時(shí),可以考慮運(yùn)動(dòng)的相對(duì)性,即離子可以認(rèn)為是朝著衛(wèi)星迎風(fēng)面進(jìn)入模擬區(qū)域,而電子的運(yùn)動(dòng)方向是各項(xiàng)同性的,具體的示意圖如圖2所示。且模擬計(jì)算時(shí),一般二維平面的情況就可以反應(yīng)出尾區(qū)帶電的物理特性,本章就二維PIC數(shù)值模擬程序進(jìn)行數(shù)值方法分析。
圖2 尾區(qū)效應(yīng)計(jì)算模型示意圖
為了提高模擬精度,程序中采用了leap-frog(蛙跳)格式。計(jì)算粒子運(yùn)動(dòng)時(shí),在整時(shí)間點(diǎn)計(jì)算粒子位置,而在半時(shí)間點(diǎn)計(jì)算粒子速度,以該速度代替相鄰兩整時(shí)間點(diǎn)間的平均速度。網(wǎng)格電場(chǎng)的計(jì)算也借鑒leapfrog格式的思想,在網(wǎng)格點(diǎn)上計(jì)算電勢(shì),而在網(wǎng)格中心處計(jì)算電場(chǎng)。
利用PIC方法計(jì)算等離子體時(shí),對(duì)于空間網(wǎng)格的和時(shí)間步長(zhǎng)的設(shè)置要兼顧計(jì)算量以及精度的要求。對(duì)于模擬空間大小,網(wǎng)格劃分,時(shí)間步長(zhǎng)取值依據(jù)模擬空間的等離子體密度,溫度等參數(shù)確定。
主程序運(yùn)行都需要終止的平衡條件,程序運(yùn)行的平衡條件是由衛(wèi)星表面電位,空間等離子體和電位分布決定的。當(dāng)程序運(yùn)行到這些量基本達(dá)到一個(gè)比較小的波動(dòng)變化時(shí),即認(rèn)為系統(tǒng)狀態(tài)達(dá)到了平衡,這時(shí)統(tǒng)計(jì)所需要的物理量。
計(jì)算時(shí),地球軌道等離子體參數(shù)選取中采用DEMETER衛(wèi)星的一組測(cè)量數(shù)據(jù):ne=ni=109/cm3,電子溫度為0.26 eV,離子溫度為0.13 eV,衛(wèi)星速度vs/c=7.5 km/s。衛(wèi)星表面材料OSR熱控膜,其二次電子發(fā)射系數(shù)為2.5,對(duì)應(yīng)的能量為0.3 keV。同時(shí)我們忽略了地磁場(chǎng)和自洽磁場(chǎng)的作用,衛(wèi)星的運(yùn)動(dòng)方向沿-X方向,衛(wèi)星的尺寸我們選擇為1 m,模擬空間為10×10 m,空間網(wǎng)格為0.05 m。
圖3所示的為我們采用自編PIC程序計(jì)算的衛(wèi)星本體及周圍電勢(shì)分布。從上圖可以看出,衛(wèi)星尾部電位大約為-1 V左右,而衛(wèi)星迎風(fēng)面的電位可以達(dá)到0.1 V左右,尾區(qū)的擾動(dòng)區(qū)域?yàn)榧s為1~2 m范圍。
衛(wèi)星尾區(qū)帶電和衛(wèi)星的尺寸是密切相關(guān)的,國(guó)外研究結(jié)果表明衛(wèi)星尾區(qū)帶電和衛(wèi)星尺寸呈正比關(guān)系,即衛(wèi)星尺寸越大,尾區(qū)效應(yīng)帶電越嚴(yán)重。因此,我們也分析不同衛(wèi)星尺寸的尾區(qū)帶電情況。圖4所示的就是衛(wèi)星尺寸為2 m時(shí)的衛(wèi)星周圍電勢(shì)分布。從圖中可以看出,2 m衛(wèi)星的尾部表面電位約為-2 V,大約為1 m尺寸衛(wèi)星尾部電位的2倍左右,結(jié)果符合前面的理論分析。
圖3 自編PIC程序計(jì)算的1 m衛(wèi)星周圍電勢(shì)分布
圖4 自編PIC程序計(jì)算的2 m衛(wèi)星周圍電勢(shì)分布
從上面的分析結(jié)果可以看出,當(dāng)衛(wèi)星處于低軌時(shí),其尾區(qū)表面帶電基本都是負(fù)幾伏的數(shù)量級(jí),對(duì)衛(wèi)星基本不能造成危害。但是當(dāng)衛(wèi)星運(yùn)行到極軌時(shí),由于極光電子(能量約為數(shù)KeV)的注入,其尾區(qū)帶電可能就是主要的帶電問(wèn)題。圖5所示的為我們?cè)诔绦蛑刑砑痈吣茈娮訒r(shí),衛(wèi)星的尾區(qū)帶電效應(yīng)。由于網(wǎng)格劃分的兼容性問(wèn)題,添加的高能電子能量為0.5 KeV,密度為107m3。從圖中可以看出,衛(wèi)星迎風(fēng)面的電位和其尾部的電位相差接近200 V。
圖5 高能電子注入時(shí)衛(wèi)星尾區(qū)帶電情況
本文在分析衛(wèi)星尾區(qū)帶電物理機(jī)制的基礎(chǔ)上,建立簡(jiǎn)單的二維計(jì)算分析模型,并利用PIC方法編制二維計(jì)算程序。運(yùn)用程序計(jì)算不同衛(wèi)星尺寸的尾區(qū)帶電情況和高能電子對(duì)尾區(qū)的帶電影響。通過(guò)對(duì)比計(jì)算結(jié)果,我們得出衛(wèi)星尺寸和衛(wèi)星尾區(qū)帶電效應(yīng)是呈正比關(guān)系。模擬計(jì)算的結(jié)論可以為低軌衛(wèi)星的帶電防護(hù)提供指導(dǎo)。
[1]WHIPPLE E C.Potentials of Surfaces in Space.Reports on Progress in Physics.Vol.44,1981.1197 ~1250.
[2]徐家鸞,金尚憲,等.離子體物理學(xué).第一版.北京:原子能出版社,1981.
[3]J.Forest,L.Eliasson,A.Hilgers.a new spacecraft plasma simulation software,PicUp3D/SPIS.7th spacecraft charging technology conference,The Netherlands,2001.
[4]沈超,劉振興.外輻射帶動(dòng)態(tài)演化的粒子模擬研究,空間科學(xué)學(xué)報(bào),2001,21(3):230~237.
[5]黃文耿,古士芬.大功率高頻無(wú)線電波對(duì)赤道E區(qū)雙流不穩(wěn)定性的影響-PIC靜電粒子模擬研究,空間科學(xué)學(xué)報(bào),2003,23(2):102~109.
[6]黃文耿,樂(lè)貴明,古士芬,等.電離層中SEE現(xiàn)象的靜電粒子模擬,空間科學(xué)學(xué)報(bào),2002,22(2):113~118.
[7]郭俊,陸全明,王水,等.磁場(chǎng)重聯(lián)的二維粒子模擬研究,空間科學(xué)學(xué)報(bào),2003,23(4):248~255.
[8]陸全明,郭俊,竇賢康,等.二維粒子模擬方法及在空間物理中的應(yīng)用,計(jì)算物理,2004,21(2):137~142.
[9]曹晉濱、汪學(xué)毅、周國(guó)成,等.低軌道磁化等離子體中運(yùn)動(dòng)航天器等離子體鞘層特性,地球物理學(xué)報(bào),2000,43(4):459~463.
[10]Yu.N.Grigoryev,V.A.Vshivkov,M.P.Fedoruk.Numerical"particle-in-cell"methods:theory and applications,The Netherlands:VSP BV.2002.
[11]R.W.Hockney,J.W.Eastwood.Computer Simulation Using Particles.France:Taylor,1988.
[12]D.P.Grote,A.Friedman,S.M.Lund,I.Haber.3D Particle Simulation of Space-Charge-Dominated Beams in HIF Accelerator Experiments.Particle accelerator conference.Canada,1997.
[13]Chung Chen,Jim Bronwning,Steve Meassick.Current collection in a spacecraft wake;laboratory and computer simulations,5th spacecraft charging technology conference.1989.
[14]A.Soubeyran,L.Levy.Numerical simulation of the wake of non equipotential spacecraft in the ionospere.5th spacecraft charging technology conference.1989.
[15]Eric Engwall,Anders Eriksson,Arne Pedersen,Julien Forest,Goetz Paschmann,et al.Wake effects on positively charged spacecraft in flowing tenuous plasma:cluster observations and modeling.8th spacecraft charging technology conference.2004.
[16]I.Katz,M.J.Mandell,G.A.Jongeward,et al.Three-Dimensional computer models of current collected by active spacecraft in low earth orbit.5th spacecraft charging technology conference.1989.
[17]David L.Cooke,M.S.Gussenhoven,David A.Hardy.Polar code simulation of DMSP satellite auroral charging.5th spacecraft charging technology conference.1989.
[18]G.Vannaroni,M.Dobrowolny,F(xiàn).De Venuto,L.Iess.Current collection by rapidly moving charged bodies in the ionosphere.6th spacecraft charging technology conference.2000.
[19]L.W.Parker.Contribution to Satellite Sheath and Wake Modeling.In:Proc.17th Symp.On Spacecraft/Plasma Interaction ESASP-198,Noorwijk,Netherlands,1983.
[20]R.Biasca,J.Wang.Transient charging of objects in spacecraft wakes:Numerical simulations.AIAA 94-0331,1994.