制程

1月17日，新亞制程（002388.SZ）發(fā)布公告，公司股東擬通過“股份轉(zhuǎn)讓+表決權(quán)放棄+股份發(fā)行”的整體方案變更控制權(quán)，自此開始一系列資本操作。2022年12月9日發(fā)布公告，擬成立子公司，用于收購鋰電池電解液公司51%股權(quán)。在一系列令投資者眼花繚亂的資本操作剛剛開始之際，2022年12月27日迎來了廣東證監(jiān)局當(dāng)頭一棒：公司收到廣東證監(jiān)局下發(fā)警示函，披露新亞制程（002388.SZ）控股股東新力達(dá)集團(tuán)及其關(guān)聯(lián)方存在非經(jīng)營性占用上市公司巨額資金等違規(guī)行為。截

el4（7nm）制程的產(chǎn)品。從目前已知信息來看，新一代 CPU 采用了模塊化設(shè)計，可以搭配不同制程的小芯片進(jìn)行堆疊，再借助 EMIB 技術(shù)互聯(lián)和 Foveros 封裝技術(shù)進(jìn)行整合。隨著英特爾改變計劃，3nm制程今年下半年至明年首波客戶僅剩蘋果，其產(chǎn)品包含M系列芯片及A17 Bionic。據(jù)悉，臺積電目前在考慮優(yōu)先處理來自 AMD、聯(lián)發(fā)科和高通等先進(jìn)制程客戶的訂單，以填補(bǔ)因英特爾取消而留下的3nm產(chǎn)能。大家要多等一年，才能看到英特爾采用臺積電N3工藝了。

繞柵極(GAA)制程工藝節(jié)點(diǎn)芯片，外界開始預(yù)測三星電子與臺積電的未來競爭格局。韓國業(yè)內(nèi)評估認(rèn)為，三星電子搶先引入最新工藝技術(shù)為趕超臺積電打下基礎(chǔ)，臺積電與三星電子現(xiàn)有的技術(shù)差距“無法輕易彌補(bǔ)”。市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢最新的數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度臺積電在全球半導(dǎo)體代工銷售中的份額為53.6%,約為三星(16.3%)的三倍。但隨著首次開始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子加快追趕步伐。憑借新技術(shù)，三星將通過爭取蘋果、英特爾和AMD等潛在客戶來縮小與臺積電的差距。韓國《朝鮮

目的是探討SMT制程質(zhì)量改善的方法，可以將企業(yè)的SMT制程改善分成改善前、提升零件進(jìn)料品質(zhì)以及整體質(zhì)量改善等三個階段，并在各階段中利用車間系統(tǒng)資料統(tǒng)計及分析的手法，找出影響制程質(zhì)量的主要原因，提出改善對策，執(zhí)行改善方案，檢查分析結(jié)果，并持續(xù)改善直到問題被解決。1 SMT制程概述1.1 SMT基本制程SMT基本制程如圖1所示，包括如下順序和環(huán)節(jié)：領(lǐng)料→備料→架料→送板→錫膏印刷→SPI檢驗(yàn)→置件→回流焊接→AOI檢驗(yàn)→X-Ray檢驗(yàn)。圖1 SMT基本制程圖中

括7nm及更先進(jìn)制程芯片的價格再上調(diào)10%。公司將把16nm 及以上的成熟制程芯片價格上調(diào)10%至20%;此次價格上調(diào)將于2022年第一季度生效。業(yè)界人士稱，臺積電在評估持續(xù)擴(kuò)建5nm 及3nm 新廠，以及考量未來在國外擴(kuò)大投資等情況下，為了維持毛利率及股東報酬率等財務(wù)指標(biāo)的長期成長趨勢，計劃明年起全面調(diào)漲晶圓代工價格。臺積電預(yù)期，其毛利率將在今年第三季度有望守住50%，2022年逐季回升至53%，代表其獲利有望再度刷新歷史最高。對臺積電而言，明年下半年3

京廠擴(kuò)大28nm制程產(chǎn)能，目標(biāo)在2023年中前達(dá)到每月4萬片。除此之外，聯(lián)電除了與聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠、瑞昱等IC設(shè)計公司討論投資28nm產(chǎn)能合作之外，奇景光電、三星以及高通似乎也愿意加入這一合作行列。對于臺積電來說，擴(kuò)充28nm制程主要是增加汽車芯片產(chǎn)能以及因應(yīng)其他遠(yuǎn)距應(yīng)用所需。對于聯(lián)電來說，無論是電源管理、顯示驅(qū)動、車用甚至圖像處理器都是采用28nm制程生產(chǎn)。在過去十年當(dāng)中，28nm仍不斷地在發(fā)展中，其中高介電層/金屬閘極（High-K Metal Gate，

了14納米及以上制程的設(shè)備供應(yīng)。然而許可證以10納米為分界點(diǎn)，14納米及以上工藝制程相關(guān)產(chǎn)品獲得許可，10納米及以下節(jié)點(diǎn)未拿到許可證。芯片，人類智慧之璀璨結(jié)晶，國家科技產(chǎn)業(yè)之命脈。以納米尺度工藝制造的芯片，是人類自工業(yè)革命至今能夠量產(chǎn)的最精巧、最神奇的造物。目前高性能芯片的運(yùn)算能力早已遠(yuǎn)超人類，且正在幫助人類將過往只存在于科幻小說和科學(xué)家們頭腦中的概念轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)。在中國，擁有較先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的便是中芯國際。中芯國際被人們所熟知，是從2020年開始的。2020

聲稱，與的5nm制程相比，其3nm制程將使芯片性能提高10%—15%。此外，3nm芯片將降低20%到25%的能耗。臺積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠，該公司的客戶包括蘋果、高通、英偉達(dá)等。目前，該公司在美國華盛頓州卡馬斯市設(shè)有一座晶圓廠，在德州奧斯汀市、加州圣何西市皆設(shè)有設(shè)計中心。2020年5月15日，臺積電宣布，該公司擬在美國亞利桑那州建設(shè)一座先進(jìn)晶圓廠，該工廠將采用5nm制程技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片，規(guī)劃月產(chǎn)能為20000片晶圓，計劃于

站發(fā)布半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)專利趨勢分析結(jié)果，研究發(fā)現(xiàn)，引領(lǐng)半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)的鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)（Fin Field-Effect Transistor，F(xiàn)inFET）正在失勢，全環(huán)柵晶體管技術(shù)（Gate all around Field Effect Transistor，GAAFET）正在興起。未來人工智能等技術(shù)領(lǐng)域需要處理的數(shù)據(jù)量將劇增，為了處理大量的數(shù)據(jù)，需要比目前的5nm制程工藝更精密的3nm制程工藝。因此，相對于FinFET更先進(jìn)的下一代半導(dǎo)體

標(biāo)準(zhǔn);質(zhì)量案例;制程改善引 言Sigma是希臘語，即標(biāo)準(zhǔn)變差之意。6Sigma是一種排查和解決問題的方法，是上世紀(jì)80年代起源于當(dāng)時的通信巨頭摩托羅拉公司一個叫比爾·史密斯工程師提出。90年代初期開始被GE這樣的巨頭公司借用，幫助GE快速成長，這才使得當(dāng)時不多的幾個跨國企業(yè)開始紛紛學(xué)習(xí)，6Sigma是一個系統(tǒng)的界定、測量、分析、改進(jìn)、控制的過程，同時結(jié)合PDCA的持續(xù)改善全面質(zhì)量管理方法，后續(xù)逐步被全球的各中小企業(yè)學(xué)習(xí)和采用。6Sigma后來被引用成為一種

，同樣采用7nm制程的Zen 2架構(gòu)，這才是對英特爾真正的釜底抽薪。工藝制程大幅落后AMD，英特爾的困境已經(jīng)不是單純的營銷問題，而是產(chǎn)品本身競爭力的問題了。拿14nm對戰(zhàn)7nm，哪怕英特爾的技術(shù)沉淀再強(qiáng)，也無法擊敗摩爾定律。英特爾公司在最近的一次股東大會上，英特爾正式回應(yīng)了投資者的擔(dān)憂：當(dāng)前，英特爾的工作重點(diǎn)是加速10nm工藝量產(chǎn)，即將發(fā)布高性能的10nm處理器，同時7nm制程將在2021年首發(fā)，不過7nm制程并不會用在CPU上。最重要的是，英特爾公司準(zhǔn)備

積電在2納米先進(jìn)制程研發(fā)上取得重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極（GAA）技術(shù)。利用成熟的特色工藝追求更;先進(jìn)的制程，一直是臺積電和三星等芯片廠商致力的方向。此前，三星表示將在3納米率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，表達(dá)了其取得全球芯片代工龍頭地位的野心。此次臺積電在2納米制程研發(fā)上取得重大突破，凸顯了其強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，也讓兩大芯片代工巨頭的競爭加劇。角逐更先進(jìn)制程目前芯片尺寸的縮小能夠帶來集成度的提升，在增強(qiáng)產(chǎn)品的性能的同時，也能夠降低產(chǎn)品的成本。摩爾定律誕生

電2021年先進(jìn)制程的產(chǎn)能已經(jīng)被“預(yù)訂一空”。其中，蘋果iPhone應(yīng)用處理器及ARM架構(gòu)電腦處理器擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模，獨(dú)占5nm超過八成產(chǎn)能。蘋果空出的7nm產(chǎn)能，也被超微半導(dǎo)體接手。臺積電Fab 18廠第三期將在2021年第一季開始進(jìn)入量產(chǎn)，5nm生產(chǎn)線全數(shù)到位，每月可提供超過9萬片的投片產(chǎn)能。據(jù)分析，臺積電會進(jìn)行上、下半年產(chǎn)能調(diào)配，部分產(chǎn)品線會在上半年預(yù)先投片，避免下半年旺季訂單涌現(xiàn)后的產(chǎn)能短缺。除了蘋果，高通、聯(lián)發(fā)科、超微、博通、美滿電子都有5nm投產(chǎn)計

蒸鍍與噴墨印刷制程技術(shù)示意圖2017年，JOLED推出了21.6寸的噴墨印刷OLED面板，分辨率為3840x2160（4K，204 PPI），亮度為350cd/m2，整個面板厚度僅為1.3毫米，重量僅為500克。此后，華碩的ProArt PQ22UC顯示器開始采用JOLED的印刷OLED面板，吸引了無數(shù)關(guān)注。噴墨印刷技術(shù)被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)大尺寸、低成本OLED的途徑之一，本文對于當(dāng)前噴墨印刷OLED生產(chǎn)技術(shù)的原理、優(yōu)勢、難點(diǎn)、現(xiàn)狀進(jìn)行詳細(xì)分析。噴墨印刷制程的原

認(rèn)為，臺積電芯片制程5年內(nèi)將稱霸晶圓代工業(yè)，3D封裝是新挑戰(zhàn)。英特爾（Intel）7nm芯片制程進(jìn)度延遲，并可能釋出委外代工訂單;同時，手機(jī)芯片廠高通（Qualcomm）也傳出5nm處理器可能自三星（Samsung）轉(zhuǎn)由臺積電代工生產(chǎn)，讓臺積電制程領(lǐng)先地位成為市場近期關(guān)注焦點(diǎn)。臺積電繼7nm芯片制程于2018年領(lǐng)先量產(chǎn)，并在強(qiáng)效版7nm芯片制程搶先導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)，5nm芯片制程在今年持續(xù)領(lǐng)先量產(chǎn)，下半年將強(qiáng)勁成長，貢獻(xiàn)全年約8%業(yè)績。臺積電

工龍頭臺積電先進(jìn)制程近期又推新產(chǎn)品——7納米深紫外DUV（N7）和5納米極紫外EUV（N5）制程的性能增強(qiáng)版本。被稱為NTP和N5P的制程技術(shù)，專門為需要7納米設(shè)計運(yùn)算更快或消耗電量更少的客戶所設(shè)計。據(jù)悉，臺積電全新N7P制程技術(shù)采用與N7相同設(shè)計規(guī)則，但優(yōu)化前端（FEOL）和中端（MOL）架構(gòu)，可在相同耗能下，將性能提升7%，或者在相同的性能頻率下，降低10%的能耗。臺積電最早是于今年在日本舉辦的VLSI研討會透露的有關(guān)全新N7P制程技術(shù)的相關(guān)信息，不過

有ArF液浸設(shè)備制程的1/14，有效縮小電路大小，電路圖案越小，越能提高電效率，井縮小芯片尺寸。目前，三星電子在EUV翩程中占領(lǐng)先地位。過去代工廠紛紛進(jìn)入7納米時代時，三星電子選擇采用EUV制程，并于上個月?lián)屜攘慨a(chǎn)EUV制程的7納米產(chǎn)品冶積電則以現(xiàn)有技術(shù)搶占7納米市場，在訂單競爭中占據(jù)優(yōu)勢，在2010年從三星手中搶下高通的訂單合作至今。但細(xì)微工程仍是未來趨勢，臺積電預(yù)計在5納米制程引入EUV技術(shù)。部分分析指出，三星電子將在EUV時代重掌主導(dǎo)權(quán)。NH投資證券

nm和40nm等制程的產(chǎn)能。而非進(jìn)一步跟投更先進(jìn)的制程，另外公司報告期內(nèi)嚴(yán)重依賴政府補(bǔ)助，扣非后的歸母凈利潤全部為負(fù)，公司還被媒體曝光人才流失嚴(yán)重的問題。生產(chǎn)工藝恐停滯不前和艦芯片此次申請在科創(chuàng)板上市的資產(chǎn)共有三個實(shí)體：一個公司本部，主做8英寸晶圓代工;一個是協(xié)議控制的子公司廈門聯(lián)芯，主要從事12英寸晶圓代工;一個是子公司山東聯(lián)噪，主要從事集成電路設(shè)計服務(wù)業(yè)務(wù)。和艦芯片招股書顯示，該公司12英寸晶圓制造的最先進(jìn)制程為28nm，8英寸晶圓制造的最先進(jìn)制程為0

段，其中光伏組件制程質(zhì)量控制為整個行業(yè)的研究重點(diǎn)?；趯夥M件制程中質(zhì)量影響因素的了解和研究，本文提出光伏組件制程中的質(zhì)量控制方法，保證光伏組件的安全穩(wěn)定高效運(yùn)行。關(guān)鍵詞：光伏組件 ?制程 ?質(zhì)量控制中圖分類號：TP274 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?文章編號：1674-098X（2019）02（a）-0129-02光伏組件本質(zhì)上為太陽能電池板，在太陽能發(fā)現(xiàn)

納米甚至14納米制程，期待以更小的線寬、更高的產(chǎn)量，帶來更多的收益。對于廠務(wù)水處理部門來說，生產(chǎn)線上的各個部門中與之關(guān)系最緊密的是Wet（濕式蝕刻）和CMP（化學(xué)機(jī)械研磨）[1]，這兩個部門耗用了全廠80%以上的純凈水，產(chǎn)生了大量的各種廢水；光照部門SCAN設(shè)備除了浸沒模塊少量用水外，幾乎不用水。Truck機(jī)臺用水量也不大，主要是一些有機(jī)溶劑收集排放。其它部門產(chǎn)生的排水主要有濕式淋洗塔排水，Tube Clean排水，Wafer Reclaim排水等清洗排水

次強(qiáng)調(diào)了10nm制程的芯片確定會在今年年底前推出，希望股東們不要懷疑這一點(diǎn)。英特爾 CEO 布萊恩·卡扎尼奇（Brian Krzanich）表示，10nm首批芯片的進(jìn)程一切都在計劃內(nèi)，今年年底前肯定能夠發(fā)貨，不過數(shù)量不會很多。分析認(rèn)為，年底的這批10nm芯片屬于早期量產(chǎn)，真正想要大批量出貨預(yù)計要等到2018年下半年，那時候才有可能裝載到PC平臺上。當(dāng)然目前市面上10nm的芯片并非英特爾一家，比如高通驍龍835也是10nm制程，只不過英特爾認(rèn)為自家的10nm

pen cell制程，TFT-LCD open cell制程一般分為前段、中段和后段制程，前段制程主要是進(jìn)行TFT玻璃的制作；中段制程主要指將TFT玻璃與彩色濾光片貼合；后段制程指驅(qū)動IC、印刷電路板和液晶板的壓合。關(guān)鍵詞：TFT-LCD；open cell；制程；驅(qū)動IC；印刷電路板中圖分類號：TP391 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1009-3044（2016）27-0232-021 TFT-LCD open cell 制程簡述TFT-LCD open

有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。多年以來，技術(shù)的發(fā)展都在遵循摩爾定律，即當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18～24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18～24個月翻一倍以上。眼下，我們使用的主流芯片制程為14nm，而明年，整個業(yè)界就將開始向10nm制程發(fā)展。此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室走在了前面，它們的1nm晶

采用14nm改進(jìn)制程產(chǎn)品、代號為Kady Lake已經(jīng)正式發(fā)布。對消費(fèi)者來說，好的消息是100系列芯片組可以直接使用，只需要更新相應(yīng)固件即可。當(dāng)然，畝田Kady Lake還僅發(fā)布了移動版本，桌面版本預(yù)計要接近年底才能亮相。目前，戴爾已經(jīng)推出了采用升級版處理器的XPS 13系列超薄筆記本電腦，產(chǎn)品售價保持不變。然而在另一方面，英特爾的7nm制程工藝傳出不好的消息，即原本計劃的2020年啟用時間難以達(dá)成，最樂觀的估計也要到2022年方可啟用。雖然距離遙遠(yuǎn)，但是

）時代來臨，相關(guān)制程技術(shù)也開始朝系統(tǒng)級封裝（SiP）發(fā)展，新制程的演進(jìn)卻意想不到地為舊制程的二手設(shè)備市場點(diǎn)燃了新火花，讓設(shè)備商開始投入二手設(shè)備的相關(guān)業(yè)務(wù)。Semiconductor Engineering網(wǎng)站報導(dǎo)，雖然部分高階物聯(lián)網(wǎng)裝置必須采用由鰭式場效電晶體（FinFET）、全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）等新制程技術(shù)所生產(chǎn)的系統(tǒng)單芯片（SoC），然在市場里的數(shù)百億芯片中絕大多仍是采用較舊的制程來生產(chǎn)，也讓舊制程的設(shè)備變得炙手可熱。換言之，雖然部分芯片商

于臺積電擁有后段制程競爭力。臺積電具備扇出型晶圓級封裝（Fan-out WLP；FoWLP）技術(shù)，將其稱為整合型扇型封裝（Intgrated Fan Out；InFO）。FoWLP封裝在技術(shù)上最大特點(diǎn)是無需使用印刷電路板（PCB），加上I/O Port能彈性擴(kuò)充、封裝面積較小等優(yōu)點(diǎn)，能大幅降低生產(chǎn)成本，且性能更佳提升。由于三星電子 （Samsung Electronics）系統(tǒng)LSI事業(yè)部認(rèn)為，臺積電搶下蘋果A10處理器代工訂單的關(guān)鍵是后段制程競爭力問題，

張婷新亞制程（002388）近期股價波動較大，在連續(xù)三個交易日漲停后，本周一幾近跌停。新亞制程對此發(fā)布了股票交易異常波動的公告，稱不存在應(yīng)披露而未披露的重大事項(xiàng)。事實(shí)上，作為話題公司，新亞制程今年以來麻煩纏身。前獨(dú)立董事起訴前董事長許偉明一事還未平息，近期又爆出市民謝先生實(shí)名舉報新亞制程財務(wù)造假。為此，新亞制程于10月底對此進(jìn)行了澄清。但是，日前前獨(dú)董梁先生也站出來發(fā)聲，稱新亞制程確實(shí)存在財務(wù)造假?！叭绻C監(jiān)機(jī)構(gòu)要調(diào)查，我愿意以公司及個人名義作證。”他表示

的市場需求，加上制程技術(shù)的局限性，讓中國大陸成為投資半導(dǎo)體制造的新熱門。2014年底終于見到28 nm工藝營收曙光的臺聯(lián)電，在臺灣經(jīng)濟(jì)部確定沒有技術(shù)外流疑慮等條件下，經(jīng)過了審查，確定登陸中國大陸，投資合建一個新的300 mm晶圓廠。項(xiàng)目將采用40與55 nm制程，預(yù)計正式投產(chǎn)后將每月生產(chǎn)300 mm晶圓5萬片。在技術(shù)和市場占有率上更為先進(jìn)的臺積電，目前僅在上海有一座200 mm晶圓廠，也同樣正在考慮在大陸投資300 mm晶圓廠，并以28 nm制程切入。但由

由于物聯(lián)網(wǎng)需要的制程多以成熟的200 mm晶圓技術(shù)為主，晶圓雙雄新產(chǎn)能到位之后，將更能掌握先機(jī)。臺積電松江廠主攻高壓特殊制程、微控制器（MCU）、智慧卡、嵌入式單晶片（SoC）等，主要制程集中于0.15～0.18μm，一旦完成產(chǎn)能擴(kuò)建至12萬片，將是大陸少數(shù)月產(chǎn)能超過10萬片的大型200 mm晶圓廠。聯(lián)電蘇州和艦廠目前200 mm月產(chǎn)能逾4萬片，預(yù)計再追加1.1萬片產(chǎn)能，主要針對面板驅(qū)動、電源管理等晶片進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，規(guī)劃月產(chǎn)能提升至近6萬片，增幅約三成。（來自

用其28納米工藝制程的Qualcomm驍龍410處理器已成功應(yīng)用于主流智能手機(jī)。業(yè)界普遍認(rèn)為，此舉不僅標(biāo)志著Qualcomm與中芯國際在工藝制程和晶圓制造合作上的又一重要里程碑，同時也開啟了中國晶圓制造的新紀(jì)元。事實(shí)上，Qualcomm與中芯國際的合作歷史源遠(yuǎn)流長，此前雙方就已經(jīng)在電源管理、無線及連接IC產(chǎn)品的不同工藝制程方面展開了緊密合作。在此基礎(chǔ)之上，雙方于2014年7月宣布開展28納米工藝制程和晶圓制造服務(wù)方面的合作，并宣布將在中國制造驍龍?zhí)幚砥?；?/div>

通信世界 2015年22期2015-03-16

過程中會收集關(guān)鍵制程步驟的量測數(shù)據(jù)，這些量測數(shù)據(jù)包括：（1）氧化、淀積及腐蝕后的膜厚量測；（2）AA/POLY/WX/AlX等光刻和腐蝕后的條寬寬度；（3）光刻的套刻；（4）關(guān)鍵層次上的顆粒及圖形缺損多余情況的缺陷檢測；（5）流片完成后的電性參數(shù)量測。這些制程量測數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性體現(xiàn)了工廠對制程的控制能力。2 制程能力評估標(biāo)準(zhǔn)2.1 制程能力制程能力由統(tǒng)計過程控制SPC中的CPK來體現(xiàn)，一般都要求每一個量測項(xiàng)的CPK>1.33。1.67>CPK>1.33 意味

nm高K金屬柵制程技術(shù)（HKMG）的半導(dǎo)體晶圓。這一里程碑體現(xiàn)了GLOBALFOUNDRIES同其它代工廠相比在HKMG制程技術(shù)制造方面的重要領(lǐng)先性和其一直秉承的將前沿技術(shù)快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的歷史傳統(tǒng)。按單位計，32 nm晶圓前5個季度的累計出貨量是45 nm技術(shù)同期出貨量的2倍，充分說明32 nm米技術(shù)已整體領(lǐng)先于45 nm技術(shù)，盡管這兩種設(shè)計和工藝技術(shù)都融合了大量的全新且復(fù)雜的因素。GLOBALFOUNDRIES德累斯頓Fab1工廠近期完工了一個新的制造車

AM存儲器半導(dǎo)體制程技術(shù)水平，再拉大與其它競爭業(yè)者間差距。三星半導(dǎo)體事業(yè)部專務(wù)趙南成表示，2010年采用30nm級制程制造DRAM，2011年上半計劃采行20nm級制程推出產(chǎn)品。三星計劃每年提升DRAM制程技術(shù)，維護(hù)業(yè)界領(lǐng)先地位。20nm后半制程并非采用極紫外線(EUV)這種次世代曝光方式，而是采用既有的浸潤方式制作。納米制程是將半導(dǎo)體電路線幅微縮至人類頭發(fā)4000分之1粗細(xì)的制造工程。半導(dǎo)體制程越是微細(xì)，可以大幅縮減半導(dǎo)體體積，在單一晶圓(wafer)上

5 nm以下先進(jìn)制程產(chǎn)能仍短缺，40 nm及28 nm產(chǎn)能更是供不應(yīng)求，晶圓雙雄臺積電及聯(lián)電仍然擴(kuò)產(chǎn)不停歇。設(shè)備業(yè)者表示，手機(jī)及網(wǎng)通芯片、中央處理器及芯片組等產(chǎn)品線，明年將大量導(dǎo)入40 nm制程，是晶圓雙雄積極建置300 mm(12英寸)廠產(chǎn)能的重要原因。設(shè)備業(yè)者表示，晶圓雙雄的300 mm廠至今仍然產(chǎn)能滿載，65/55 nm產(chǎn)能仍不足，40 nm及28 nm產(chǎn)能更是供不應(yīng)求，最主要原因仍是受制于浸潤式微影設(shè)備機(jī)臺交期長達(dá)10個月以上。而臺積電積極擴(kuò)產(chǎn)，尤

近來在半導(dǎo)體制程微縮的進(jìn)展速度逐漸趨緩下，觀察未來的產(chǎn)業(yè)走勢，明導(dǎo)國際(MentorGraphics)董事兼執(zhí)行總裁阮華德(WaldenC.Rhines)表示：“未來10年內(nèi)，制程微縮將遇到經(jīng)濟(jì)效益上的考慮，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將不再完全依循摩爾定律(Moore’sLaw)發(fā)展。投入3DIC發(fā)展是延續(xù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長動能”。阮華德認(rèn)為，摩爾定律是一個從觀察中并歸納成的產(chǎn)業(yè)趨勢，并非不變的法則，而摩爾定律提出者GordonMoore近年來也已修正此定律。阮華德表示，摩

Fab-8，生產(chǎn)制程更從28 nm起跳，目標(biāo)就是希望超越臺積電，成為全球最大晶圓代工廠。Global Foundries加入競爭，亦掀起晶圓代工產(chǎn)業(yè)新一波12英寸晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充競賽。包括臺積電、聯(lián)電、中芯等晶圓代工廠于2010年皆相繼調(diào)高資本支出金額，柴煥欣分析，除加快12英寸晶圓產(chǎn)能擴(kuò)充腳步外，為爭取更廣大訂單機(jī)會，亦為掌握整合組件廠(Integrated Devicd Manufacturer，IDM)訂單擴(kuò)大委外代工的趨勢，提高45/40 nm及其以

還以為是45nm制程的K8雙核構(gòu)架，大概是被命名所迷惑。從技術(shù)規(guī)格上看，這顆4.5nm速龍X25000+為Socket AM2+接口，并不是最新的Socket AM3支持AMD V技術(shù)，而且其構(gòu)架屬于增強(qiáng)型K10的幾率很大，同時它的主頻為2.2GHz，頻率方面相比65nm的Brisbane核心2.6GHz的主頻有定降低，但是默認(rèn)低主頻意味著更強(qiáng)的超頻能力再加上1MB的L2 Cache它在價格上也與速龍II X2不發(fā)生沖突。算上今天介紹的這款采用45nm工藝

發(fā)展規(guī)律，就單從制程方面來說，新產(chǎn)品的制程是肯定會優(yōu)于老版本，以GeForce 9600GT為例，制程從65nm升級至55nm之后，發(fā)熱量大大降低。我們還記得當(dāng)公版65nm白勺GeForce 9600GT推出的時候，盡管采用了單槽渦輪風(fēng)扇，但發(fā)熱量卻非常高，而價格高達(dá)千元。隨著制程的改變，淘汰掉之前的65mm，取而代之的則是新版的55nm，所以散熱性能才得到顯著的改善，而價格也慢慢降了下來。同樣的道理，55nm的GTX260+推出來之后，原本65nm的GT

。流言第三條：新制程性能比老制程好在芯片界最常聽說的便是架構(gòu)、制程的轉(zhuǎn)換了，Intel的Tick-Tock便是如此規(guī)律地循環(huán)著。新工藝、新制程的引入確實(shí)降低了功耗、發(fā)熱量并提高了頻率，看起來新制程優(yōu)點(diǎn)多多完全沒有缺點(diǎn)，究竟是不是這樣呢？確實(shí)在CPU領(lǐng)域新制程優(yōu)點(diǎn)太多太多，但是在顯示芯片領(lǐng)域又是另一番景象。我們就拿中端最熱門的顯卡Geforce GTX260+來講。制程進(jìn)步到了55nm，但發(fā)熱量、功耗不降反升，超頻潛力也是沒有任何提升。我們錯就錯在目標(biāo)全部集

率先邁人40nm制程工藝后，NVIDIA也不甘落后，于近日推出了基于40nm制程工藝的GeForce GT 220。微型計算機(jī)評測室也在第一時間收到了名為七彩虹GT220-GD3 CF黃金版512M N12(以下簡稱“GT220-GD3”)的GeForce GT 220顯卡，并進(jìn)行了測試。NVIDIA推出GeForce GT 220的目的是替代GeForce 9500 GT，主打399元低端市場。它的核心編號為GT216-300-A2，擁有48個流處理器(

產(chǎn)品線比較寬泛，制程也不盡相同，因此幾乎不太可能轉(zhuǎn)為IDM。高通似乎是唯一可能在幾年內(nèi)有建設(shè)Fab(生產(chǎn)線)需求的公司：雄厚的資金實(shí)力，出色的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)身，以及制程需求相對集中并且一直要緊跟制程革新的核心產(chǎn)品。然而高通CDMA技術(shù)集團(tuán)高級副總裁兼運(yùn)營總經(jīng)理Iim Clifford認(rèn)為：“無論公司增長到何種程度。建造半導(dǎo)體生產(chǎn)線對高通都不是—個明智的策略。因?yàn)閾碛邪雽?dǎo)體生產(chǎn)線的廠商都必須努力使其半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，結(jié)果會使其無暇顧及技術(shù)創(chuàng)新。芯片生產(chǎn)線的維