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    導(dǎo)通

    • 三有源橋DC-DC變換器的建模與控制技術(shù)
      驅(qū)動(dòng)信號(hào)始終互補(bǔ)導(dǎo)通,防止變換器直通短路。圖4:SPS 控制下三有源橋DC-DC 變換器工作波形圖圖4 中(t0~t6)為一個(gè)開關(guān)周期,根據(jù)電感電流在一個(gè)周期內(nèi)流經(jīng)變換器路徑的不同,將三有源橋DC-DC 變換器劃分出十二個(gè)工作模態(tài)??紤]到三有源橋DC-DC變換器前后半個(gè)周期的工作過程具有對稱性,本文以前半個(gè)周期的工作模態(tài)為例,詳細(xì)分析單移相控制下三有源橋DC-DC 變換器的工作過程。2.1 模態(tài)I:t0~t10時(shí)段t0時(shí)刻前,端口一開關(guān)管S12、S13導(dǎo)通

      電子技術(shù)與軟件工程 2023年7期2023-05-29

    • 基于二階擬合模型的SiC雙向LLC數(shù)字同步整流控制
      導(dǎo)致占空比丟失,導(dǎo)通損耗增大;而直接給定占空比的方法,無法跟隨負(fù)載變化,寬負(fù)載范圍下導(dǎo)通損耗急劇上升。該文提出基于二階擬合模型的SiC雙向LLC數(shù)字同步整流控制,跟蹤負(fù)載和開關(guān)頻率的變化,實(shí)時(shí)計(jì)算同步整流導(dǎo)通時(shí)間。LLC一次側(cè)和二次側(cè)開關(guān)管開通時(shí)刻一致,同步整流管關(guān)斷時(shí)刻由所計(jì)算的同步整流導(dǎo)通時(shí)間決定。在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通損耗,無需檢測高頻信號(hào),抗干擾性強(qiáng)。該文分析當(dāng)諧振電感和輸出等效電阻存在10% 誤差時(shí),同步整流導(dǎo)通時(shí)間誤差最大僅為2.73%。搭

      電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2022年24期2023-01-10

    • GaN器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻精確測試與影響因素分析
      璇GaN器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻精確測試與影響因素分析趙方瑋 李 艷 魏 超 張 楠 鄭妍璇(北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院 北京 100044)GaN器件較傳統(tǒng)Si器件具有耐高壓、耐高溫、導(dǎo)通電阻小和開關(guān)損耗小等優(yōu)勢,但其特有的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻現(xiàn)象是限制其大規(guī)模應(yīng)用的主要問題。該文基于動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻影響機(jī)理分析,首先提出一種GaN器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻綜合測試平臺(tái)及測試方法;然后測試了三款同電壓/電流等級(jí)、不同結(jié)構(gòu)GaN器件在各影響因素下的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻,分析影響因素占比及動(dòng)態(tài)導(dǎo)通

      電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2022年18期2022-09-26

    • 非隔離型防電流反灌技術(shù)在宇航領(lǐng)域中的研究與應(yīng)用
      由于Mos 管的導(dǎo)通阻抗較小,其電流流過時(shí)的壓降明顯小于二極管的正向導(dǎo)通壓降,從而顯著降低二次電源系統(tǒng)的損耗,大幅提升效率。雖然同步整流模式下的Buck 變換器的工作效率大幅提升,但是同步整流技術(shù)也帶來了新的問題[4-5]。當(dāng)輸出功率較大時(shí),Buck 變換器工作在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM,Current Continuous Mode)下,電感電流通過同步整流管續(xù)流。當(dāng)輸出功率較小時(shí),Buck 變換器工作在強(qiáng)制電流連續(xù)模式(FCCM,F(xiàn)orced Curren

      科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2022年25期2022-09-07

    • 同步發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)可控硅故障分析與研究
      陽極的6號(hào)晶閘管導(dǎo)通,每只晶閘管導(dǎo)通時(shí)間為120°,在t2時(shí)刻,共陽極的-B相6號(hào)晶閘管關(guān)斷換相至-A相2號(hào)晶閘管,而此時(shí)共陰極的+A相1號(hào)晶閘管持續(xù)導(dǎo)通600,直至在t3導(dǎo)通截止換相至共陰極的+B相,如此每隔600輪流發(fā)出觸發(fā)脈沖,按如圖1d所示順序導(dǎo)通,輸出轉(zhuǎn)子電壓整流波形[1]。圖1 正常整流狀況下的波形分析1.2 同相上橋臂(+B)與上下橋臂(+B、-B)缺相或者脈沖丟失從圖2中可以看出在t3時(shí)刻,共陰極的+B相3號(hào)晶閘管由于脈沖丟失無法換相,此時(shí)

      水電站機(jī)電技術(shù) 2022年2期2022-02-24

    • 石墨熱壓還原Cu/Cu2O金屬陶瓷電導(dǎo)逾滲行為與微觀結(jié)構(gòu)分形表征
      材料的特點(diǎn)是,當(dāng)導(dǎo)通相的體積分?jǐn)?shù)達(dá)到某一個(gè)臨界值(稱為逾滲閾值)時(shí),導(dǎo)通相會(huì)從孤立的彌散相轉(zhuǎn)變成連續(xù)的逾滲(percolation)集團(tuán)結(jié)構(gòu),導(dǎo)致材料的宏觀性能發(fā)生相應(yīng)的突變。對于性能的轉(zhuǎn)變及材料中非均勻組織的分布,必須借助逾滲理論和分形(fractal)方法才能對其進(jìn)行定量描述。在導(dǎo)體/絕緣體雙相復(fù)合材料逾滲體系中,對導(dǎo)通相逾滲行為和分形的研究,計(jì)算機(jī)計(jì)算結(jié)果是必不可少的部分。因?yàn)樵谡鎸?shí)材料中,無法通過實(shí)驗(yàn)對骨架密度和骨架結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征和驗(yàn)證,所以這部分的

      材料工程 2022年1期2022-01-27

    • 新型接地導(dǎo)通測試流程分析策略分析
      期進(jìn)行接地引下線導(dǎo)通測試,目的是檢查各種電氣設(shè)備之間各部分接地裝置及設(shè)備之間電氣連接情況,從而判斷各設(shè)備接地部分的接地是否良好。國家出臺(tái)了與接地引下線導(dǎo)通測試相關(guān)的電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)[1],規(guī)定了其參數(shù)測試、電器完整性測試、工頻特性參數(shù)測試及土壤電阻率測試等基本要求和方法。文獻(xiàn)[2-4]對比了幾種接地導(dǎo)通測試方法的優(yōu)缺點(diǎn),分析了各種測試方法的適用場景和數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度;文獻(xiàn)[5]通過設(shè)計(jì)新型接線鉗縮短了變電站變電運(yùn)維接地導(dǎo)通測試工作時(shí)長,提高了運(yùn)維人員的測試效率;文獻(xiàn)

      內(nèi)蒙古電力技術(shù) 2021年5期2021-11-21

    • 基于Petri網(wǎng)的無刷直流電機(jī)混合導(dǎo)通DSP控制方法
      式包括二二和三三導(dǎo)通。前者可以獲得較大轉(zhuǎn)矩,但是換相時(shí)易引起電流畸變,導(dǎo)致轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)增強(qiáng);后者可以降低轉(zhuǎn)矩波動(dòng),提高繞組的利用率,但會(huì)使空載時(shí)平均電流增加,導(dǎo)致電機(jī)的效率和扭力下降。為了提升電機(jī)的驅(qū)動(dòng)效率和控制精度,一般將二二導(dǎo)通用于精度要求不高的場合,三三導(dǎo)通用于所需扭力不大的場合,但某些場合需要用到兩種驅(qū)動(dòng)方式,所以有必要研究兩種驅(qū)動(dòng)方式的混合導(dǎo)通切換方法[1]。無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的切換類型與功率管個(gè)數(shù)呈指數(shù)增長,這使得二二和三三混合導(dǎo)通切換控制問題非

      莆田學(xué)院學(xué)報(bào) 2021年5期2021-11-13

    • 提高降壓變換器輕載效率的改進(jìn)型恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方法
      發(fā)模式控制和恒定導(dǎo)通時(shí)間(constant on-time,COT)控制,可以降低開關(guān)損耗,從而提高系統(tǒng)效率。其中,常應(yīng)用于Buck變換器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方法通過輸出電壓紋波的反饋來實(shí)現(xiàn)快速的頻率控制[4-7],在提高變換器負(fù)載響應(yīng)能力[8-9]的基礎(chǔ)上可有效降低輕載情況下的開關(guān)頻率及其損耗[10-12]。通常,輕載(小于滿載效率的20%左右)狀態(tài)下,Buck變換器的功率損耗主要由驅(qū)動(dòng)損耗和開關(guān)損耗決定。為進(jìn)一步提高恒定導(dǎo)通時(shí)間控制下Buck變換器的輕載

      電氣技術(shù) 2021年5期2021-05-23

    • 實(shí)用電源管理技術(shù)中幾種基本電荷泵電路結(jié)構(gòu)
      1 和S3 同時(shí)導(dǎo)通,開關(guān)S2 和S4 同時(shí)導(dǎo)通,且S1 和S3導(dǎo) 通 時(shí),S2 和S4 斷 開;S2 和S4 導(dǎo) 通 時(shí),S1 和S3 斷開;即它們交替導(dǎo)通。工作原理分析如下:(一)當(dāng)S1 和S3 導(dǎo)通,S2 和S4 斷開時(shí)電容C 被電源VIN充電,并充電至其兩端電壓達(dá)到VIN。(二)當(dāng)S2 和S4 導(dǎo)通,S1 和S3 斷開時(shí)由于電容C 兩端的電壓不能突變,保持為VIN,電荷泵的輸出電壓VO為:VIN為電荷泵的輸入電壓,UC為電容C的電壓,由式(1)可知

      環(huán)球市場 2021年7期2021-04-01

    • H橋多電平逆變器的新型調(diào)制
      時(shí),開關(guān)管K11導(dǎo)通;-Vm>Vc時(shí),K12導(dǎo)通;初始調(diào)制波Vref>3時(shí),K41導(dǎo)通;Vref<-3時(shí),K42導(dǎo)通;初始調(diào)制波Vref>2時(shí),K21導(dǎo)通;Vref<-2時(shí),開關(guān)管K22導(dǎo)通;初始調(diào)制波Vref>1時(shí),K31導(dǎo)通;Vref<-1時(shí),K32導(dǎo)通.圖4的輸出電壓波形與圖2基本一致,所以兩種方法的逆變器的等效開關(guān)頻率基本相同,由于載波頻率降為原來的一半,所以逆變器的最高工作頻率也降為了原來的一半,各單元各自的四個(gè)開關(guān)管頻率一致.在同時(shí)實(shí)現(xiàn)逆變器輸

      蘭州理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2020年5期2020-11-05

    • 某型號(hào)產(chǎn)品電性能測試數(shù)據(jù)漏項(xiàng)問題分析
      一工序。關(guān)鍵詞:導(dǎo)通 ;絕緣; 自動(dòng)顯示 ;功能檢查1.引言某型號(hào)產(chǎn)品電氣系統(tǒng)主要由產(chǎn)品電纜網(wǎng)、電氣控制盒和電源設(shè)備等組成,在產(chǎn)品研制生產(chǎn)過程中,必須對電氣系統(tǒng)的性能進(jìn)行檢測,保證電氣系統(tǒng)工作的正確性。本文主要概述了產(chǎn)品測試數(shù)據(jù)漏項(xiàng)問題的改進(jìn)及解決辦法。在使用線束儀完成電性能檢查后,存在測試數(shù)據(jù)漏項(xiàng)的隱患,通過開發(fā)一款數(shù)據(jù)檢查軟件,用來作為產(chǎn)品電氣系統(tǒng)測試數(shù)據(jù)齊全性檢測的工具,可以實(shí)現(xiàn)測試報(bào)表的自動(dòng)化檢測,操作方便快捷,檢測效率高,且投入成本低,達(dá)到降本增

      科學(xué)與財(cái)富 2020年24期2020-10-27

    • 君越轎車剎車燈監(jiān)視器的研究與設(shè)計(jì)
      定三極管發(fā)射極的導(dǎo)通壓降為0.7V,那么當(dāng)輸入端的電壓μI為低電平時(shí)(μI=0),必有:μI-μE=μBE1則T1將截止而T2飽和導(dǎo)通。若μI逐漸升高并使μBE1>0.7V時(shí),T1進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài),并有如下的正反饋過程發(fā)生:從而使電路迅速進(jìn)入T1飽和導(dǎo)通、T2截止的狀態(tài)。若μI從高電平逐漸下降,并且降到μBE1只有0.7V左右時(shí),iC1開始減小,于是又引發(fā)了另一個(gè)正反饋過程: 使電路迅速返回T1截止、T2飽和導(dǎo)通的狀態(tài)??梢?,無論T2由導(dǎo)通變?yōu)榻刂惯€是由截止變

      山西電子技術(shù) 2020年5期2020-10-23

    • 快速定量裝車站氣流導(dǎo)通設(shè)計(jì)應(yīng)用
      定量倉頂部的氣流導(dǎo)通管道導(dǎo)回緩沖倉頂部,但是還有相當(dāng)一部分氣體被煤流覆蓋擠壓在定量倉底部形成較大沖擊氣團(tuán),對定量倉閘板縫隙形成巨大沖擊壓力,大量煤塵外溢,對周圍環(huán)境產(chǎn)生較大污染,同時(shí)增加衛(wèi)生清理工作量。1 定量倉蓋板溢塵機(jī)理原煤經(jīng)膠帶機(jī)輸送至快速定量裝車站緩沖倉內(nèi)進(jìn)行緩沖[2],快速定量裝車站結(jié)構(gòu)如圖1 所示。在快速定量時(shí),需先打開2~4個(gè)緩沖倉閘板,根據(jù)所裝車廂容量進(jìn)行放煤,70 t 煤瞬間落入定量倉內(nèi),由于定量倉結(jié)構(gòu)為倒錐形結(jié)構(gòu),在定量倉底部空氣無法瞬

      設(shè)備管理與維修 2020年14期2020-08-12

    • 脈沖電壓作用下晶閘管反向恢復(fù)期二次導(dǎo)通特性*
      脈沖沖擊,引起誤導(dǎo)通、器件損傷甚至擊穿.因此,研究脈沖電壓下晶閘管反向恢復(fù)期二次導(dǎo)通特性,對于確定器件保護(hù)策略,并進(jìn)一步保證設(shè)備可靠運(yùn)行具有重要意義.由于晶閘管在反向恢復(fù)期出現(xiàn)誤導(dǎo)通時(shí),容易引起器件失效,工程人員在器件應(yīng)用過程中也對其二次導(dǎo)通特性進(jìn)行關(guān)注.文獻(xiàn)[8]對晶閘管進(jìn)行反向恢復(fù)期脈沖電壓耐受試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)二次導(dǎo)通可能引起極高的導(dǎo)通電流并發(fā)生擊穿,對晶閘管是十分嚴(yán)峻的考驗(yàn),需要加強(qiáng)恢復(fù)期的保護(hù).以高壓直流輸電換流閥為例,反向恢復(fù)期保護(hù)(RP)是晶閘管級(jí)控

      沈陽工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2020年4期2020-08-01

    • 基于模塊導(dǎo)通電阻的碳化硅MOSFET鍵合線健康狀態(tài)評(píng)估方法
      阻斷電壓,更低的導(dǎo)通電阻,更高的開關(guān)速度和更好的傳導(dǎo)性[1-9]。碳化硅電力電子器件在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、柔性輸電等領(lǐng)域具有越來越重要的地位并擁有廣闊的前景[10-15]。SiC MOSFET模塊是功率變換器的核心器件,隨著器件的老化,會(huì)發(fā)生不可預(yù)見的故障,引起經(jīng)濟(jì)損失[16-19]。因此,對SiC MOSFET的在線監(jiān)測可以提前發(fā)現(xiàn)故障,為提前解決故障提供數(shù)據(jù),提高可靠性,減少故障時(shí)間。文獻(xiàn)[20]~[22]指出,鍵合線的斷裂是一種故障率很高的封裝級(jí)失

      華北電力大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2020年2期2020-04-10

    • MOS管毫歐級(jí)導(dǎo)通電阻測試方法
      同應(yīng)用的需求,其導(dǎo)通電阻從幾毫歐到數(shù)百歐,漏源極擊穿電壓的范圍從幾伏到上千伏,最大漏極耗散功率從幾瓦到幾百瓦,隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,MOS管的性能不斷提升。當(dāng)MOS管作為開關(guān)管使用時(shí),擊穿電壓越來越高,導(dǎo)通電阻越來越小,很多產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻已經(jīng)在毫歐級(jí)的數(shù)量級(jí)(稱為低導(dǎo)通電阻MOS管),對于產(chǎn)品使用非常有利,大大降低了MOS管的功耗,可以通過更大的工作電流,也提高了電路的轉(zhuǎn)換效率。2 測試現(xiàn)狀和問題隨著MOS管的大量使用,具體應(yīng)用中選取的MOS管的導(dǎo)

      電子技術(shù)與軟件工程 2019年21期2020-01-16

    • 一種NMOS高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路
      ,但是PMOS的導(dǎo)通電阻比較大,負(fù)載電流大,PMOS管發(fā)熱嚴(yán)重,所以選擇NMOS作為控制器件,這里選用IRFB7437PbF。1 負(fù)載供電使能控制電路(RL為負(fù)載)負(fù)載供電電壓為12 V。NMOS管的漏極接電源正極,其驅(qū)動(dòng)電路屬于NMOS的高側(cè)驅(qū)動(dòng)。由于這個(gè)NMOS是控制供電,其導(dǎo)通時(shí)間很長。負(fù)載RL不斷電,NMOS就一直導(dǎo)通,這不同于高頻應(yīng)用的情況,因此,不能采用普通的自舉供電驅(qū)動(dòng)方式[2],也不能用變壓器驅(qū)動(dòng)。負(fù)載供電使能控制電路可以很好地完成高側(cè)NM

      長春工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年6期2020-01-03

    • 串聯(lián)晶閘管同步導(dǎo)通設(shè)計(jì)研究
      梅摘 要:晶閘管導(dǎo)通能力強(qiáng),但是耐壓性較弱,隨著高壓與特高壓在工業(yè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用企業(yè)多采用晶閘管串聯(lián)的方式以此來增加晶閘管的抗壓性。我們利用MOSFET的快導(dǎo)通和通流能力強(qiáng)的特點(diǎn),搭建了一套實(shí)現(xiàn)光纖控制的四只晶閘管同步導(dǎo)通的強(qiáng)觸發(fā)平臺(tái),而且對這套系統(tǒng)進(jìn)行了間接光觸發(fā)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),經(jīng)過測試表明,晶閘管觸發(fā)時(shí)延和門極觸發(fā)電流相關(guān),觸發(fā)電流峰值越大,前沿小,導(dǎo)通越快,時(shí)延越小。關(guān)鍵詞:串聯(lián)晶閘管;導(dǎo)通;實(shí)驗(yàn);設(shè)計(jì);電壓我們知道當(dāng)前主流的晶閘管單只耐壓不高,在斷

      速讀·下旬 2019年3期2019-04-11

    • 一種增強(qiáng)BOOST轉(zhuǎn)換器抗干擾能力的電路設(shè)計(jì)
      PWM方法,恒定導(dǎo)通時(shí)間控制(constant on the time control, COT)方法的轉(zhuǎn)換效率較高,其開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間為一定值,通過改變開關(guān)的關(guān)斷時(shí)間來調(diào)整占空比,這就導(dǎo)致其開關(guān)頻率不固定,給后續(xù)濾波器的設(shè)計(jì)帶來很大的困難[10]。針對COT方法的局限性,文獻(xiàn)[11]設(shè)計(jì)了一種新型導(dǎo)通時(shí)間產(chǎn)生電路,根據(jù)不同的工作狀態(tài)產(chǎn)生相應(yīng)的開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間,消除外界參數(shù)的影響,從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率的恒定。這種方案電路簡單,但是頻率誤差較大。另外,該架構(gòu)需要較大的

      西安郵電大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年5期2019-03-13

    • 改進(jìn)型交錯(cuò)并聯(lián)Buck變換器的通道控制
      輕載效率,且減少導(dǎo)通通道數(shù)后,電流紋波顯著增大,基本喪失了交錯(cuò)并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)。本文以4通道交錯(cuò)并聯(lián)Buck變換器為研究對象,提出一種改進(jìn)型交錯(cuò)并聯(lián)Buck變換器的通道控制方案,在改變導(dǎo)通通道數(shù)的同時(shí),也改變各通道的相位。通過優(yōu)化減少導(dǎo)通通道數(shù)的變換器,使制約直流變換器發(fā)展的關(guān)鍵問題即輕載效率偏低得到根本解決,且控制能夠達(dá)到交錯(cuò)并聯(lián)的控制要求。負(fù)載逐漸增加和減少兩種情況下,工作過程和結(jié)論基本一致。本文以負(fù)載逐漸較少情況為例進(jìn)行分析,仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了理論分析的正確

      電源學(xué)報(bào) 2018年6期2018-12-17

    • 晶閘管導(dǎo)通測試儀的研制
      70 V時(shí)晶閘管導(dǎo)通,加在晶閘管上電壓瞬時(shí)下跌,如圖1所示。圖1 傳統(tǒng)試驗(yàn)方法根據(jù)廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司《變壓器中性點(diǎn)電容隔直裝置驗(yàn)收規(guī)范》中交接試驗(yàn)的要求及中國南方電網(wǎng)《檢修預(yù)試規(guī)程》,需要對晶閘管回路進(jìn)行定期試驗(yàn)。由于沒有一種專門檢測電力行業(yè)大功率晶閘管導(dǎo)通的測試儀,每次試驗(yàn)都需要采用傳統(tǒng)的老方法?,F(xiàn)場需要用到多種儀器連接起來試驗(yàn),由幾個(gè)人互相協(xié)調(diào)溝通才能完成,存在儀器攜帶不方便、接線繁雜、工作效率低下、安全性差等問題??偨Y(jié)多次現(xiàn)場晶閘管的試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn),研制

      機(jī)電信息 2018年30期2018-10-24

    • 一種基于模擬電路的倍頻單極性SPWM控制策略
      正,此時(shí),VT4導(dǎo)通而VT4關(guān)斷,即有VT4導(dǎo)通或VD4續(xù)流導(dǎo)通,這取決于電流iα的方向。同時(shí)。比較器A根據(jù)調(diào)制波與載波的調(diào)制而輸出SPWM信號(hào),當(dāng)VT1導(dǎo)通有效而VT2關(guān)斷有效時(shí),VT1導(dǎo)通或VD1續(xù)流導(dǎo)通,當(dāng)VT2關(guān)斷,反之,當(dāng)VT2導(dǎo)通有效而VT1關(guān)斷有效時(shí),VT2導(dǎo)通或VD2續(xù)流導(dǎo)通,而VT1關(guān)斷。顯然正弦調(diào)制波正半周時(shí),逆變器輸出正極性的SPWM電壓脈沖。同理,當(dāng)正弦調(diào)制波負(fù)半周時(shí),由于三角載波極性為負(fù),則 比較器B輸出極性為負(fù),逆變器輸出負(fù)極性

      中國設(shè)備工程 2018年9期2018-05-23

    • MATLAB在電力電子技術(shù)課程教學(xué)中的應(yīng)用研究
      R=4Ω,VT1導(dǎo)通180°之后,VT2開始導(dǎo)通,導(dǎo)致VT2時(shí)間比VT1大0.01s,所以:仿真結(jié)果如圖3-2所示。從圖3-2波形可以看出,當(dāng)α=0°時(shí),相當(dāng)于晶閘管一直導(dǎo)通,VT1導(dǎo)通180°后,VT2導(dǎo)通,兩管交替導(dǎo)通,輸出電壓最大,uo=u1,功率因數(shù)角λ=1。圖3-2 單相調(diào)功電阻負(fù)載時(shí)α=0°時(shí)的波形(2)當(dāng)α=30°時(shí),電阻R=4Ω,延遲30°,VT1導(dǎo)通180°之后,VT2導(dǎo)通,導(dǎo)致VT2的時(shí)間比VT1大0.01s,所以:仿真結(jié)果如圖3-3所

      電子世界 2017年23期2017-12-19

    • 100 A級(jí)同步流整流器
      整流狀態(tài)下需要低導(dǎo)通電阻、大電流承受能力和低熱阻的特點(diǎn)和目前商用低壓MOSFET最新水平。分析了工作在整流器狀態(tài)的MOSFET導(dǎo)通電阻對導(dǎo)通電壓的影響,提出采用極低導(dǎo)通電阻作為100 A級(jí)整流器的MOSFET所需要滿足的主要參數(shù)。最后,通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了本文提出的方法及理論。同步整流器;MOSFET;極低導(dǎo)通電阻;導(dǎo)通電壓越來越多的低壓大電流直流應(yīng)用要求整流器需要具有盡可能高的整流效率,例如汽車發(fā)電機(jī)整流器輸出電流達(dá)100~200 A。當(dāng)整流電路輸出電流達(dá)到1

      遼寧工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2017年5期2017-11-07

    • 淺談電纜網(wǎng)電性能檢查常見故障分析及預(yù)防
      田華摘 要: 導(dǎo)通不良、絕緣不良是彈上電纜網(wǎng)常見的故障。本文通過對這兩種常見故障現(xiàn)象的總結(jié)與分析,提出了對應(yīng)的預(yù)防措施,能有效提高導(dǎo)彈電纜網(wǎng)的質(zhì)量。關(guān)鍵詞: 電纜網(wǎng);導(dǎo)通;絕緣1引言彈上電纜網(wǎng)主要由電連接器和導(dǎo)線組成,負(fù)責(zé)彈上器件與器件、組件與組件、系統(tǒng)與系統(tǒng)之間的電氣連接和信號(hào)傳遞,其性能的好壞,直接關(guān)系到整個(gè)導(dǎo)彈系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行。彈上電纜網(wǎng)的制造通常選用高可靠性的軍用連接器和導(dǎo)線,與民用電纜網(wǎng)相比,嚴(yán)格的制造公差、堅(jiān)固的結(jié)構(gòu),必須經(jīng)受高水平嚴(yán)格測試,

      科學(xué)與財(cái)富 2017年27期2017-10-17

    • 一種汽車發(fā)電機(jī)主動(dòng)整流器
      態(tài)的MOSFET導(dǎo)通電阻對導(dǎo)通電壓的影響,提出采用極低導(dǎo)通電阻作為100 A級(jí)整流器需要的MOSFET要求的參數(shù)。最后,通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了提出的方法及理論。汽車發(fā)電機(jī);MOSFET;主動(dòng)整流器;導(dǎo)通電壓越來越多汽車電子設(shè)備的出現(xiàn),要求汽車的供電電流越來越大。這個(gè)供電要求需要由汽車發(fā)電機(jī)提供。使得汽車發(fā)電機(jī)輸出電流增加到150~200 A。汽車發(fā)電機(jī)輸出電流的幅度增加,帶來的最大問題是整流器散熱問題。汽車發(fā)電機(jī)輸出電流150 A狀態(tài)下,整流器產(chǎn)生的損耗在210~

      遼寧工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2017年3期2017-07-07

    • 基于無線傳輸技術(shù)的接地導(dǎo)通測試儀的研究與設(shè)計(jì)
      線傳輸技術(shù)的接地導(dǎo)通測試儀的研究與設(shè)計(jì)王海歐,白金泉,陳群鋒,陳行曉(國網(wǎng)浙江省電力公司檢修分公司,杭州311232)為提高變電站接地電阻檢測工作的效率和安全性,需對現(xiàn)有接地導(dǎo)通測試儀的工作模式加以改進(jìn)。不同于傳統(tǒng)的一體式設(shè)計(jì),研發(fā)的分離式接地導(dǎo)通測試儀,在設(shè)計(jì)中通過功能劃分將測量和控制分離開,由測量裝置負(fù)責(zé)接地電阻的測量,由控制裝置利用無線傳輸技術(shù)完成對測量部分的啟??刂坪蜏y量結(jié)果的傳輸、存儲(chǔ)等。測量過程實(shí)現(xiàn)了單人操作,可有效降低測量過程中因信息傳遞不暢

      浙江電力 2017年5期2017-06-13

    • 中壓配電網(wǎng)串聯(lián)TCSC調(diào)壓的應(yīng)用研究
      式;由于晶閘管的導(dǎo)通壓降會(huì)影響TCSC的等效基波容抗,因而采用串接受控電壓源來消除影響;最后通過TCSC對輻射線路電壓調(diào)節(jié)的仿真分析,說明仿真時(shí)通過串接受控電壓源可以消除晶閘管導(dǎo)通壓降對調(diào)壓的影響,而在實(shí)際應(yīng)用中只需對查表進(jìn)行修正,則同樣可實(shí)現(xiàn)對電壓進(jìn)行精確調(diào)節(jié)。中壓配電網(wǎng);串聯(lián)調(diào)壓;橫向壓降;TCSC;導(dǎo)通壓降0 引 言可控串聯(lián)補(bǔ)償器TCSC(Thyristor Controlled Series Capacitor)[1-2]目前主要應(yīng)用于輸電網(wǎng),利用

      電氣自動(dòng)化 2017年2期2017-04-21

    • 人工心臟無位置傳感器無刷直流電動(dòng)機(jī)非導(dǎo)通相端電壓分析
      無刷直流電動(dòng)機(jī)非導(dǎo)通相端電壓分析尹成科1,談雪丹2(1.蘇州大學(xué),蘇州 215021; 2.蘇州同心醫(yī)療器械有限公司,江蘇蘇州215125)人工心臟無位置傳感器無刷直流電動(dòng)機(jī)輕載時(shí),通過采集PWM關(guān)閉期間的非導(dǎo)通相端電壓來獲取反電勢過零點(diǎn)存在一定的局限。以逆變橋上管PWM調(diào)制、下管恒通的控制方法為例,理論分析了非導(dǎo)通相端電壓在PWM導(dǎo)通與關(guān)斷期間的波形,并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明,在PWM關(guān)閉階段,非導(dǎo)通相端電壓會(huì)受到導(dǎo)通相懸空、非導(dǎo)通相嵌位等影響發(fā)生波動(dòng),反

      微特電機(jī) 2016年3期2016-11-29

    • 民用飛機(jī)全機(jī)自動(dòng)導(dǎo)通測試原理及新方法研究
      民用飛機(jī)全機(jī)自動(dòng)導(dǎo)通測試原理及新方法研究韓建賓1,2陳峰1王豐超1丁紅瑜1(1.上海飛機(jī)制造有限公司,上海 200436;2.上海交通大學(xué),上海 200240)民用飛機(jī)全機(jī)電纜完整性測試(WIT)主要分為導(dǎo)通測試和絕緣測試。本文主要介紹了自動(dòng)導(dǎo)通測試的基本原理,討論了如何把工程文件中的導(dǎo)通表整理、編制成符合測試要求的形式,制定一套標(biāo)準(zhǔn)、統(tǒng)一的編程方法,以符合全機(jī)電纜完整性測試(WIT)進(jìn)入自動(dòng)化之后的新要求。全機(jī)導(dǎo)通 電纜完整性測試(WIT) 測試程序1

      中國科技縱橫 2015年2期2015-11-05

    • 基于預(yù)測電流控制的BLDCM轉(zhuǎn)矩控制
      對無刷直流電機(jī)的導(dǎo)通方式及換相轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)做了詳細(xì)研究:文獻(xiàn)[1]對無刷直流電機(jī)的120°導(dǎo)通方式和180°導(dǎo)通方式的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)進(jìn)行了比較,得出180°導(dǎo)通方式更適合于使用在高速場合中的結(jié)論;文獻(xiàn)[2]提出在換相階段采用180°導(dǎo)通方式,而在非換相階段采用120°的導(dǎo)通方式的控制方法,對單一120°導(dǎo)通方式在換相期間,由非導(dǎo)通相續(xù)流造成的換相轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)起到了明顯的抑制作用.也有學(xué)者將成功應(yīng)用于異步電機(jī)和交流同步電機(jī)上的直接轉(zhuǎn)矩控制(direct torque co

      江蘇大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2015年1期2015-07-25

    • 混合導(dǎo)通模式Boost PFC的控制策略研究
      62000)混合導(dǎo)通模式Boost PFC的控制策略研究王 武1,葉開明1,2,陳浩龍1,蔡逢煌1,洪巧文1(1.福州大學(xué)電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院,福建福州350108;2.國網(wǎng)泉州供電公司,福建泉州362000)工作在寬負(fù)載輸出應(yīng)用場合的Boost PFC變換器(如不間斷電源)單獨(dú)采用連續(xù)導(dǎo)通模式算法和斷續(xù)導(dǎo)通模式算法時(shí)存在電流畸變問題,本文針對此問題提出了混合導(dǎo)通模式控制策略。詳細(xì)分析了混合導(dǎo)通模式控制策略的工作原理及其控制優(yōu)勢,基于DSP設(shè)計(jì)了相對應(yīng)的數(shù)

      電工電能新技術(shù) 2015年7期2015-06-01

    • 安森美半導(dǎo)體推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容
      得令人難以置信的導(dǎo)通電阻RDS(on)值,從而將導(dǎo)通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2 164 pF的門極電容(Ciss),確保保持盡可能低的驅(qū)動(dòng)損耗安森美半導(dǎo)體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40 V,最大導(dǎo)通電阻值(Vgs為10 V時(shí))分別為0.74 mΩ、0.9 mΩ和2.8 mΩ,連續(xù)漏電流分別為352 A、315 A和127 A。與這些器件相輔相成

      電子設(shè)計(jì)工程 2015年11期2015-03-25

    • T型三電平與二極管箝位型三電平導(dǎo)通損耗的對比
      損耗、關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗。如果對器件開關(guān)特性進(jìn)行優(yōu)化,那么開通關(guān)斷損耗占的比例就會(huì)大大減小,導(dǎo)通損耗就會(huì)成為主要的功率損耗源。因此,有必要對兩種結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通損耗進(jìn)行討論和比較。圖1 兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖1 兩種拓?fù)涞钠骷ぷ髑闆r分析要想對兩種拓?fù)涞?span id="j5i0abt0b" class="hl">導(dǎo)通損耗進(jìn)行計(jì)算,首先要對兩種拓?fù)涞墓ぷ髑闆r進(jìn)行充分的了解。下面將對兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的工作情況進(jìn)行分析[7]。1.1 NPC結(jié)構(gòu)工作情況分析NPC結(jié)構(gòu)在穩(wěn)定工作時(shí)有三種運(yùn)行狀態(tài),分別對應(yīng)的輸出電壓為+E/2,0,-E/2

      現(xiàn)代機(jī)械 2015年2期2015-01-15

    • 汽車線束生產(chǎn)中導(dǎo)通測試設(shè)備的應(yīng)用
      束的發(fā)展也給線束導(dǎo)通測試帶來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。汽車線束作為汽車的關(guān)鍵零部件之一,可靠性對汽車至關(guān)重要。如果線束裝配完成后不進(jìn)行導(dǎo)通測試,線束就有可能發(fā)生錯(cuò)路和短路等情況,直接或者間接影響到汽車的安全性。現(xiàn)在更多的汽車廠家把導(dǎo)通測試作為一項(xiàng)技術(shù)要求來執(zhí)行,這也是汽車線束廠家保證線束品質(zhì)的重要手段。目前汽車線束導(dǎo)通采用的方式有3種:①門鈴式導(dǎo)通;②推拉塊式導(dǎo)通測試臺(tái);③氣動(dòng)式導(dǎo)通測試臺(tái)。筆者根據(jù)多年的工作經(jīng)驗(yàn),分別描述3種導(dǎo)通方式的特點(diǎn)。1 門鈴式導(dǎo)通門鈴式導(dǎo)

      汽車電器 2014年2期2014-12-02

    • 一種簡易的無刷直流電動(dòng)機(jī)直接轉(zhuǎn)矩控制
      析,計(jì)算出了兩相導(dǎo)通模式靜止坐標(biāo)系下的無刷直流電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)轉(zhuǎn)矩表達(dá)式,通過加入微分調(diào)節(jié)觀測磁鏈,降低轉(zhuǎn)矩脈動(dòng),但是計(jì)算方法較復(fù)雜。文獻(xiàn)[5]舍去磁鏈估算環(huán)節(jié),對最優(yōu)的電壓矢量進(jìn)行選擇實(shí)現(xiàn)無刷直流電動(dòng)機(jī)的直接轉(zhuǎn)矩控制,達(dá)到抑制轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)的目的。傳統(tǒng)的直接轉(zhuǎn)矩控制方法通過對轉(zhuǎn)矩和磁鏈計(jì)算,然后選擇適合的電壓矢量調(diào)節(jié),可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)矩的控制[6],但大多采用6分區(qū)的電壓矢量空間。由于分區(qū)較寬,會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)矩不夠平穩(wěn),未能完全發(fā)揮直接轉(zhuǎn)矩控制的優(yōu)良性能[7]。所以,為

      微特電機(jī) 2014年7期2014-10-31

    • 一種新型雙通道MOS開關(guān)柵壓自舉電路
      低了MOS開關(guān)的導(dǎo)通電阻值,同時(shí)在輸入信號(hào)的全擺幅范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了常數(shù)的導(dǎo)通電阻;考慮了器件可靠性要求且與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝技術(shù)兼容.采用0.13μm CMOS工藝和1.2 V工作電壓的仿真實(shí)驗(yàn)表明,提出開關(guān)的導(dǎo)通電阻在全擺幅輸入信號(hào)范圍內(nèi)的變化量小于4.3%;在采樣頻率為100 MHz,輸入峰峰值為1 V,輸入頻率為100 MHz時(shí),提出開關(guān)的總諧波失真達(dá)到-88.33dB,較之傳統(tǒng)的NMOS自舉開關(guān)以及標(biāo)準(zhǔn)的CMOS傳輸門開關(guān),分別提高了約-14.8dB和

      西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年3期2014-07-31

    • 基于混合驅(qū)動(dòng)的無刷直流電機(jī)特性研究
      無刷直流電機(jī)兩相導(dǎo)通與三相導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)控制的特點(diǎn),改變功率器件導(dǎo)通角度能夠?qū)崿F(xiàn)混合驅(qū)動(dòng)。隨著導(dǎo)通角度的增加,電機(jī)的輸出最大轉(zhuǎn)速和功率增加,穩(wěn)速時(shí)的負(fù)載范圍擴(kuò)大,同時(shí)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)下降。利用轉(zhuǎn)子位置傳感器能夠?qū)崿F(xiàn)任意角度的混合驅(qū)動(dòng)。采用混合驅(qū)動(dòng)技術(shù)能夠提高電機(jī)的輸出能力,更加充分利用電機(jī),為電機(jī)的選擇和設(shè)計(jì)提供參考。無刷直流電機(jī);混合驅(qū)動(dòng);機(jī)械特性;轉(zhuǎn)矩脈動(dòng);導(dǎo)通角度1 引言無刷直流電機(jī)通常采用全橋驅(qū)動(dòng)電路,功率器件根據(jù)轉(zhuǎn)子位置信息邏輯信號(hào)實(shí)現(xiàn)電機(jī)三相繞組導(dǎo)通和關(guān)斷。

      電氣傳動(dòng) 2014年12期2014-07-07

    • 固態(tài)平板Blumlein線中的GaAs光導(dǎo)開關(guān)導(dǎo)通電阻實(shí)驗(yàn)
      GaAs光導(dǎo)開關(guān)導(dǎo)通電阻實(shí)驗(yàn)諶 怡,王 衛(wèi),劉 毅,夏連勝,張 篁,朱 雋,石金水,章林文(中國工程物理研究院流體物理研究所脈沖功率科學(xué)與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,四川綿陽621900)為了研制緊湊型脈沖功率系統(tǒng),開展了基于固態(tài)Blumlein線的GaAs光導(dǎo)開關(guān)(PCSS)導(dǎo)通電阻的初步研究實(shí)驗(yàn)。結(jié)合2mm厚固態(tài)平板Blumlein線,利用高功率脈沖激光二極管觸發(fā)GaAs光導(dǎo)開關(guān),在脈沖偏置電壓下,GaAs光導(dǎo)開關(guān)非線性導(dǎo)通,經(jīng)Blumlein線輸出22.3 kV

      電工電能新技術(shù) 2014年7期2014-06-01

    • 智能型導(dǎo)通電阻測試儀的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
      定性的影響,其中導(dǎo)通電阻的大小反映出電信號(hào)接觸偶的接觸情況,如果導(dǎo)通電阻過大,容易造成接觸不良,如何在不同的工作環(huán)境中快速準(zhǔn)確地對毫歐級(jí)的導(dǎo)通電阻進(jìn)行測試成為科研人員面臨的一個(gè)重要問題.利用毫歐表可以對導(dǎo)通電阻進(jìn)行準(zhǔn)確測試,但是人工無法在高低溫、振動(dòng)等惡劣環(huán)境中操作毫歐表,無法適應(yīng)快速復(fù)雜的生產(chǎn)流程.本文針對這種需求,提出了一種基于該接口的導(dǎo)通電阻測試方法.1 系統(tǒng)原理GJBZ188A接口中的電氣信號(hào)主要可分為直流供電信號(hào)、交流供電信號(hào)、多路總線、地址信號(hào)

      測試技術(shù)學(xué)報(bào) 2014年3期2014-02-10

    • Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET?功率MOSFET
      T具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,采用1×1×0.55 mm和1.6×1.6×0.6 mm的CSP MICRO FOOT?封裝。在智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中,今天推出的器件將用于電池和負(fù)載切換。MOSFET的小尺寸可節(jié)約PCB空間,實(shí)現(xiàn)超薄的外形,讓便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕,而且器件的低導(dǎo)通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗,從而降低能耗,延長兩次充電間的電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還意味著在負(fù)載開關(guān)上的壓降更低,防止出現(xiàn)討厭的欠壓

      電子設(shè)計(jì)工程 2013年3期2013-03-26

    • 基于輸入電壓前饋補(bǔ)償?shù)拈_關(guān)變換器恒定導(dǎo)通時(shí)間控制技術(shù)
      的控制方法。恒定導(dǎo)通時(shí)間(Constant On-Time, COT)控制技術(shù)是一種在工業(yè)界中得到廣泛應(yīng)用的基于 PFM調(diào)制的技術(shù)[4-5],它使開關(guān)變換器的功率開關(guān)管在一個(gè)固定的時(shí)間間隙內(nèi)導(dǎo)通,通過控制關(guān)斷時(shí)間實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)占空比的調(diào)節(jié),以維持輸出電壓的穩(wěn)定[6-8]。COT控制開關(guān)變換器具有瞬態(tài)響應(yīng)速度快,系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡單[9],無需誤差放大器等優(yōu)點(diǎn)。但是COT控制開關(guān)變換器的開關(guān)頻率隨著輸入電壓的變化而變化[10],對EMI濾波器的優(yōu)化設(shè)計(jì)帶來困難。為了解

      電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2012年2期2012-09-16

    • 大功率半導(dǎo)體開關(guān)RSD觸發(fā)導(dǎo)通特性的實(shí)驗(yàn)研究
      開關(guān)中,反向觸發(fā)導(dǎo)通雙極晶閘管(Reversly Switched-on Dynistor,RSD)是目前通流能力最強(qiáng)的半導(dǎo)體器件之一[1]。它的導(dǎo)通速度快,電流上升速率最高可達(dá)70kA/μs[2]。相比其他大電流開關(guān),RSD還具有長壽命、可靠性高、無污染等優(yōu)點(diǎn)。在高壓大功率電源中[3-7]有廣泛的應(yīng)用前景。RSD應(yīng)用技術(shù)的關(guān)鍵在于觸發(fā)技術(shù),俄羅斯Ioffe物理研究所對RSD觸發(fā)導(dǎo)通的物理過程進(jìn)行了理論分析[2],提出以臨界觸發(fā)電荷量作為RSD觸發(fā)充分與否

      電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2012年10期2012-06-06

    • 基于STM32F103的SVPWM算法實(shí)現(xiàn)
      要包括判斷扇區(qū)、導(dǎo)通時(shí)間長度計(jì)算及其過調(diào)制處理、導(dǎo)通時(shí)刻計(jì)算。在計(jì)算導(dǎo)通時(shí)間長度時(shí),首先如下定義X、Y、Z,式中Vdc為直流母線電壓。根據(jù)不同扇區(qū),把 X、Y、Z 分別賦予 T1、T2,且當(dāng) T1+T2>T 時(shí),則取得到導(dǎo)通時(shí)間T1、T2后,再計(jì)算三相開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)刻這里用到了大量的除法,而為了保證計(jì)算速率和計(jì)算精度,傳統(tǒng)的方法(基于TIC2000)是把數(shù)據(jù)進(jìn)行標(biāo)幺,用Q格式來表示數(shù)據(jù),用移位來代替除法,但是這樣做也就使得程序看起來不是很直觀,雖然仍然可以從

      電氣傳動(dòng)自動(dòng)化 2012年4期2012-04-16

    • Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級(jí)MICRO FOOT?封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET
      寸,具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12 V和20 V的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。此次發(fā)布的器件將用于智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中的電池或負(fù)載開關(guān)。MOSFET的外形緊湊小巧,可節(jié)省PCB空間并實(shí)現(xiàn)超薄的外形,使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕,低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗,以減少功耗并延長電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還可以降低負(fù)載開關(guān)上的壓降,避免討厭的欠壓鎖定。這些MOSFET是首批采用這種規(guī)格尺寸的

      電子設(shè)計(jì)工程 2012年24期2012-03-31

    • 安森美半導(dǎo)體推出低靜態(tài)電流4通道及6通道開關(guān),支持下一代高速接口
      據(jù)傳輸速率。它的導(dǎo)通電容(CON)為2.1 pF(典型值),導(dǎo)通電阻 (RDSON)為8 Ω (典型值)。與這器件相輔相成的是同樣能支持8 Gbps工作的4通道差分開關(guān)NCN3411。NCN3411的導(dǎo)通電容為2 pF(典型值),導(dǎo)通電阻(RDSON)為7.5 Ω(典型值)。這些特性使這兩款新器件非常適合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信號(hào)路由。NCN3612B的電源電壓范圍為3~3.6 V,消耗的供電電流僅為25

      電子設(shè)計(jì)工程 2012年8期2012-03-31

    • Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有諸如超低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷等高性能指標(biāo)
      n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3~36 A電流,采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術(shù),使效率和功率密度達(dá)到新的水平。器件的條帶設(shè)計(jì)加上更小的裸片尺寸和端接,使柵極電荷比前一代方案低50%,同時(shí)提高了開關(guān)速度,降低了導(dǎo)通電阻和輸入電容。400 V、500 V和600 V器件的導(dǎo)通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導(dǎo)通電阻意味著極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,能夠在服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、等離子切割、電池充電器、

      電子設(shè)計(jì)工程 2012年10期2012-03-31

    • 恩智浦超小型MOSFET采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤
      10 V時(shí)的超低導(dǎo)通電阻Rds(on)分別為12 mΩ(典型值)和 16.5 mΩ(典型值),因此導(dǎo)通損失小,功耗更低,電池使用壽命更長。新型 DFN2020MOSFET高度僅為 0.6 mm,比當(dāng)今市場上大多數(shù)2 mm×2 mm的產(chǎn)品更加輕薄,是智能手機(jī)和平板電腦等便攜應(yīng)用設(shè)備中超小型負(fù)載開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換器和充電開關(guān)的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應(yīng)用,其中包括直流電機(jī)、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信以及LED照明,在這類應(yīng)用中功率密度和效率尤為關(guān)鍵。D

      電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年7期2012-03-30

    • 利用鉗形表測量線路桿塔接地性能的可行性研究
      通道不通 (接地導(dǎo)通不良),從而產(chǎn)生較高的反擊電壓導(dǎo)致絕緣子閃絡(luò),致使線路跳閘。湖南省是多酸雨地區(qū),腐蝕對輸變電接地網(wǎng)的危害尤為嚴(yán)重〔3〕。湖南省電力公司從上世紀(jì)90年代起至今,為摸清接地網(wǎng)的腐蝕情況及存在的問題,在雷雨季節(jié)來臨之前均對輸電線路桿塔地網(wǎng)進(jìn)行接地通道導(dǎo)通情況進(jìn)行檢查。從近3年來的檢查情況來看:湖南電網(wǎng)110 kV及以上線路雷擊跳閘事故中,由于接地電阻偏高或接地通道不通 (接地導(dǎo)通不良)造成的雷擊跳閘約占總雷擊跳閘事故率的70%。因此,認(rèn)真分析

      湖南電力 2011年5期2011-07-13

    • 場效應(yīng)管在自動(dòng)控制電路中的應(yīng)用一例
      場效應(yīng)管MOS的導(dǎo)通電壓(一般2.5V以上)時(shí),場效應(yīng)管MOS導(dǎo)通,電機(jī)DJ旋轉(zhuǎn)。場效應(yīng)管MOS的型號(hào)應(yīng)根據(jù)電機(jī)DJ的功率大小來選擇,較小時(shí)可用M95O2,功率較大時(shí)可用IRF45O、IRF54O、K2746等。為使場效應(yīng)管MOS可靠飽和導(dǎo)通,柵壓一般設(shè)定在4-6V之間,過低可能退出飽和區(qū),過高容易損壞場效應(yīng)管。場效應(yīng)管MOS的導(dǎo)通時(shí)間,可通過調(diào)整R1、R2、C的大小來實(shí)現(xiàn),當(dāng)R1、R2、C較大時(shí),場效應(yīng)管開啟較慢,當(dāng)R1、R2、C取值較小時(shí),場效應(yīng)管導(dǎo)通

      電子世界 2011年14期2011-06-02

    • 采用PowerPAK 1212-8封裝的30VP溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
      ET中,該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗,節(jié)省能源,延長兩次充電之間的電池壽命,同時(shí)還可以減少發(fā)熱,減小PCB焊盤的面積。對于工業(yè)/通用系統(tǒng)中的電壓達(dá)24 V的負(fù)載切換和熱插拔應(yīng)用,該MOSFET的低導(dǎo)通電阻還可以減小電壓降。Si7625DN在10 V和

      電子設(shè)計(jì)工程 2010年6期2010-04-05

    • 采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
      OSFET最低的導(dǎo)通電阻。新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級(jí)產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝,將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實(shí)現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半:在4.5、2.5、2和1.8 V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為32、46、65和 120 mΩ。Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù),器件的芯片級(jí)封裝具有最大的裸片與占位比,在非常緊湊的器件內(nèi)提供了超低導(dǎo)通電阻。MICRO FOOT封

      電子設(shè)計(jì)工程 2010年5期2010-04-04

    • VDMOSFET低導(dǎo)通電阻改良研究
      DMOSFET的導(dǎo)通電阻以降低消耗功率,成為有必要解決的問題。本文介紹了通過在引線孔蝕刻時(shí)采取soft-etch工藝來改良導(dǎo)通電阻的方法。2 VDMOSFET導(dǎo)通電阻模型2.1 理論模型圖1是VDMOSFET的示意圖。導(dǎo)通電阻可以分成以下幾個(gè)部分:源極接觸電阻Rcs,源區(qū)體電阻Rhs,MOSFET溝道電阻Rch,積累層電阻Ra,寄生結(jié)型管電阻Rj,外延層電阻Re和襯底電阻Rhd,以及漏極接觸電阻Red。一般來說,漏源極接觸電阻和漏源區(qū)體電阻在正常工藝條件下

      電子與封裝 2010年11期2010-02-26

    • 一種高線性度CMOS自舉采樣開關(guān)
      非線性,但是開關(guān)導(dǎo)通電阻的非線性變化仍然存在,并限制著MOS采樣開關(guān)動(dòng)態(tài)范圍的進(jìn)一步提高。通過采用柵壓自舉采樣開關(guān)[2~5],固定MOS采樣開關(guān)的柵源電壓可以更徹底地克服輸入信號(hào)變化帶來的開關(guān)導(dǎo)通電阻的非線性特性。本文設(shè)計(jì)了一種高線性度CMOS采樣開關(guān),可以克服輸入信號(hào)變化帶來的開關(guān)導(dǎo)通電阻的非線性特性,具有非常優(yōu)越的動(dòng)態(tài)特性。2 MOS采樣開關(guān)的非理想特性分析圖1所示為一個(gè)簡單的采樣保持電路,它包括一個(gè)開關(guān)和一個(gè)電容。其中,Vin為輸入信號(hào),MOS管Ml

      電子與封裝 2010年11期2010-02-26

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