Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級(jí)MICRO FOOT?封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc.宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8×0.8×0.4 mm MICRO FOOT?封裝的 CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12 V和20 V的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。

此次發(fā)布的器件將用于智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中的電池或負(fù)載開(kāi)關(guān)。MOSFET的外形緊湊小巧，可節(jié)省PCB空間并實(shí)現(xiàn)超薄的外形，使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，以減少功耗并延長(zhǎng)電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還可以降低負(fù)載開(kāi)關(guān)上的壓降，避免討厭的欠壓鎖定。

這些MOSFET是首批采用這種規(guī)格尺寸的產(chǎn)品，采用超高密度技術(shù)制造，使用自對(duì)齊工藝技術(shù)，將10億個(gè)晶體管單元裝到1平方英寸的硅片里。通過(guò)MICROFOOT的無(wú)封裝CSP技術(shù)，使器件在給定的外形面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了盡可能低的導(dǎo)通電阻。

12 V Si8806DB是P溝道器件，在4.5 V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為43 mΩ。如需要20 V電壓，Si8812DB提供59 mΩ的最大導(dǎo)通電阻。N溝道器件適用于DC/DC升壓轉(zhuǎn)化器等高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，開(kāi)啟/關(guān)斷時(shí)間小于100 ns。

20 V P溝道Si8817DB和Si8489EDB適用于降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。更小的0.8×0.8×0.4 mm Si8817DB在4.5 V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為76 mΩ，可用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場(chǎng)合。1×1 mm的Si8489EDB在4.5 V的導(dǎo)通電阻更低，只有54 mΩ，適用于導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用。

Si8489EDB是首個(gè)1×1 mm規(guī)格尺寸的P溝道Gen III器件，典型ESD保護(hù)達(dá)2 500 V。此外，Si8817DB可以在1.5 V電壓下導(dǎo)通，可以搭配手持設(shè)備中常見(jiàn)的更低電壓柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓一起工作，節(jié)省電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。