唐軍旗 李志光
(國(guó)家電子電路基材工程技術(shù)研究中心,廣東 東莞 523808)
通常情況下,雙面覆銅箔層壓板都使用厚度一樣的銅箔制作,且上下銅箔類型也一致(電解銅箔或者壓延銅箔),即使兩面銅箔不同,但至少兩面銅箔的特性不會(huì)相差太遠(yuǎn),如銅箔厚度、銅箔種類等,這是為了保證該雙面覆銅箔板在常態(tài)(A態(tài))、回流焊后等狀態(tài)下不會(huì)發(fā)生翹曲。而對(duì)于單面線路要求能通過大電流時(shí),需要覆銅板基材的兩面銅箔設(shè)計(jì)成不同厚度,把一面銅箔設(shè)計(jì)成厚銅,以滿足導(dǎo)通大電流的要求,但這樣無疑加劇了覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的翹曲風(fēng)險(xiǎn)。
產(chǎn)生翹曲的主要因素是應(yīng)力,應(yīng)力的產(chǎn)生因素可分為內(nèi)在因素和外在因素,內(nèi)在因素如樹脂配方、原材料種類等,外在因素如覆銅箔板材的生產(chǎn)工藝條件等。外在因素可以通過工藝綜合改善優(yōu)化很好的解決;內(nèi)在因素,也即基材本身的翹曲性,只能通過樹脂配方的設(shè)計(jì)、原材料種類的選擇等去解決。樹脂配方的設(shè)計(jì)主要為樹脂、固化劑、促進(jìn)劑的種類及其用量的選用。
本文介紹了對(duì)覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板翹曲性研究結(jié)果,通過靜態(tài)翹曲測(cè)試了覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板在A態(tài)和220 ℃高溫處理后的翹曲情況,并通過動(dòng)態(tài)翹曲測(cè)試了覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板在不同溫度下的翹曲情況,從而選出適合用在覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的基材種類。
選擇三種類型基材制成覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板,三種基材及其基本物性如表1所示。覆銅板采用單張PP厚度均為100 μm。表1中基本物性的測(cè)量方法參照IPC標(biāo)準(zhǔn),除XY CTE(熱膨脹系數(shù))(拉伸法)和動(dòng)態(tài)翹曲測(cè)試采用0.1 mm厚度的基材外,其余測(cè)試采用0.8 mm厚度的基材。
表1 三種基材基本物性表
1.2.1 靜態(tài)翹曲
覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的靜態(tài)翹曲類型為弓曲和扭曲,其定義和測(cè)試方法參照IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)。
弓曲的定義為:覆銅箔板材類似于柱形或曲球形的一種變形,對(duì)于形狀為矩形的覆銅箔板材,它的四個(gè)角位于同一平面。
弓曲測(cè)試方法為:樣品凸面向上置于測(cè)試平臺(tái)上,測(cè)量樣品與平臺(tái)最大垂直距離,弓曲百分率=最大垂直距離/被測(cè)量一邊的邊長(zhǎng)。
扭曲的定義為:矩形的覆銅箔板材在平行于對(duì)角線方向的一種變形,其中一個(gè)角不包含在另外三個(gè)角的平面上。扭曲測(cè)試方法為:樣品置于測(cè)試平臺(tái)上,使任意三個(gè)角接觸到平臺(tái),測(cè)量不接觸平臺(tái)的角與平臺(tái)最大垂直距離,扭曲百分率=最大垂直距離/對(duì)角線長(zhǎng)度。樣品尺寸為250(經(jīng))×300 mm,一面覆18 μm銅箔,一面覆210 μm銅箔,分別測(cè)量覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板在A態(tài)和220 ℃高溫處理1 h后的靜態(tài)翹曲情況。
1.2.2 動(dòng)態(tài)翹曲
采用翹曲測(cè)試儀測(cè)量。取覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板,樣品尺寸為240(經(jīng)向)×70 mm(緯向),分別測(cè)試一面覆18 μm銅箔、一面覆210 μm銅箔及將一面所覆18 μm銅箔蝕刻掉、保留另一面覆210 μm銅箔的樣品動(dòng)態(tài)翹曲情況,測(cè)試條件為30 ℃升溫到260 ℃再降溫到30 ℃,升降溫速率為0.5 ℃/min,記錄整個(gè)過程板材的翹曲大小變化情況。
1.2.3 材料漲縮率
采用TMA測(cè)量,樣品尺寸同IPC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試材料XY CTE(拉伸法),測(cè)試程序設(shè)定為,從30 ℃升溫到260 ℃,恒溫10 min,再從260 ℃降溫到30 ℃,速率均為10 ℃/min,結(jié)果取升溫段30 ℃的位置為l 1,降溫段30 ℃的位置為l2,材料漲縮率=絕對(duì)值(l2-l1)/樣品長(zhǎng)度。
從表2可以看出,A板的靜態(tài)翹曲,無論是A態(tài)還是220 ℃高溫處理1 h后,其翹曲度均遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過B板和C板的翹曲度?;牡母邉傂詻]有有效降低覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的翹曲,反而產(chǎn)生不可逆的翹曲。另外,A板在A態(tài)的靜態(tài)翹曲形態(tài)為較大的弓曲,與其他兩種覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板較低的扭曲在種類和大小上有明顯的差異,這也表示應(yīng)力殘留對(duì)覆不對(duì)稱銅箔的高模量、高Tg覆銅板的影響極其嚴(yán)重,即使基材具備低翹曲特性,但一旦應(yīng)力不能及時(shí)被緩沖并釋放出去,勢(shì)必造成嚴(yán)重的翹曲情況。
表2 覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的靜態(tài)翹曲結(jié)果
B板和C板使用的基材由于具備低模量特性,對(duì)應(yīng)力的緩沖有明顯的作用,應(yīng)力的殘留及產(chǎn)生沒有造成嚴(yán)重的翹曲,其A態(tài)和220 ℃高溫處理1 h后的翹曲度較低。220 ℃高溫處理1 h后的翹曲度,C板的較低,這與基材Tg的高低有關(guān)。220 ℃高溫,已經(jīng)遠(yuǎn)超過低Tg基材的Tg,在此溫度下處理1 h,過度固化,內(nèi)應(yīng)力殘留嚴(yán)重,低Tg覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板受內(nèi)應(yīng)力的影響容易形變。
值得注意的是,在實(shí)際測(cè)試靜態(tài)翹曲的過程中,有額外的影響因素,對(duì)于低模量基材,由于厚銅箔較重,基材本身較柔軟,覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板在重力的作用下,翹曲度進(jìn)一步減少,因此,靜態(tài)翹曲測(cè)試不能完全反應(yīng)覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的翹曲情況,有必要考察覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的動(dòng)態(tài)翹曲情況。B板和C板的靜態(tài)翹曲度相近,選擇這兩種覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板做動(dòng)態(tài)翹曲對(duì)比測(cè)試,并分別考察保留兩面銅箔(18 μm/210 μm)及一面蝕刻薄銅箔(0/210 μm)覆銅板的動(dòng)態(tài)翹曲情況。
從圖1可知,覆不對(duì)稱銅箔的低模量、高Tg覆銅板(C板)的動(dòng)態(tài)翹曲較低,特別是一面蝕刻掉銅箔、保留另一面覆210 μm銅箔的樣品,C板的動(dòng)態(tài)翹曲大小與覆不對(duì)稱銅箔的低模量、低Tg覆銅板(B板)的差距更大,差距近50%。與2.1的解析一樣,高于基材Tg的處理溫度下,過度固化,內(nèi)應(yīng)力殘留嚴(yán)重,覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板受內(nèi)應(yīng)力的影響容易形變,導(dǎo)致B板的動(dòng)態(tài)翹曲度較大。
圖1 動(dòng)態(tài)翹曲測(cè)試結(jié)果圖
C板的翹曲較低,除與Tg較高和模量較低外,更重要關(guān)鍵點(diǎn)在于基材在不同溫度下翹曲變化小,對(duì)比低模量、高Tg基材和低模量、低Tg基材的動(dòng)態(tài)翹曲性,如圖2所示。從圖2可以看出,低模量、高Tg基材具備在整個(gè)動(dòng)態(tài)翹曲測(cè)試的過程中,30 ℃升溫到260 ℃再降溫到30 ℃,翹曲變化很小,最大翹曲和最小翹曲差為90 μm,而低模量、低Tg基材的最大翹曲和最小翹曲差達(dá)到230 μm,是前者的2.5倍多,也因此,低模量、高Tg基材在覆不對(duì)稱銅箔覆銅板的應(yīng)用上,比低模量、低Tg基材具有更低的翹曲性表現(xiàn),能滿足覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的低翹曲性的要求。
圖2 低模量、高Tg基材和低模量、低Tg基材的動(dòng)態(tài)翹曲性
低模量、高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度基材能明顯降低覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的翹曲,其A態(tài)和220 ℃高溫處理后均有較低的翹曲度,動(dòng)態(tài)翹曲測(cè)試也顯示其具有較低的翹曲,其根本原因在于基材具備高Tg和低模量特性。這類基材可滿足下游對(duì)覆不對(duì)稱銅箔的覆銅板的低翹曲性應(yīng)用需要,市場(chǎng)前景廣闊。