王多笑,羅 浩,梁清清
(1. 中國電子科技集團公司第四十三研究所,安徽 合肥 230088;2. 合肥工業(yè)大學(xué)數(shù)學(xué)學(xué)院,安徽 合肥 230009)
電源組件應(yīng)用范圍的擴大、功能的多樣化、小型化、輕型化以及高溫、震動、潮濕和灰塵等嚴(yán)酷的工作環(huán)境,給電子組件的可靠性設(shè)計和熱管理提出了許多新的挑戰(zhàn)。電源組件工作模式復(fù)雜,必須對其進行合理的熱設(shè)計才可保證產(chǎn)品長壽命、高可靠地穩(wěn)定運行。同時要求在產(chǎn)品研發(fā)階段綜合考慮產(chǎn)品的可靠性以及重量和體積空間問題,以消除造成產(chǎn)品破壞或失效的潛在影響因素,最終滿足產(chǎn)品的長期工作環(huán)境適應(yīng)性要求[1]。
隨著計算機科學(xué)、計算力學(xué)、計算數(shù)學(xué)等的迅猛發(fā)展,計算機輔助設(shè)計(Computer Aided Design, CAD)技術(shù)、計算機輔助工程(Computer Aided Engineering,CAE)技術(shù)等也在實際工程中得到廣泛應(yīng)用。CAE技術(shù)中的杰出代表有限元分析系統(tǒng)已經(jīng)成為當(dāng)今工程中應(yīng)用最廣泛的數(shù)值計算方法[2]。
本文針對某型大功率電源組件,借助有限元分析軟件,根據(jù)熱分析的結(jié)果改進了散熱結(jié)構(gòu),并基于響應(yīng)面法對改進后的結(jié)構(gòu)參數(shù)進行了優(yōu)化設(shè)計。
本文的研究對象為某型機載電源組件。該組件采用的是ASAAC模塊化結(jié)構(gòu)(圖1),外形尺寸為233.4 mm(長)×160 mm(寬)×24 mm(高)。電源組件通過兩側(cè)導(dǎo)軌及標(biāo)準(zhǔn)鎖緊機構(gòu)進行安裝固定,兩側(cè)導(dǎo)軌為產(chǎn)品主散熱面。組件內(nèi)部主要發(fā)熱器件為4個斷續(xù)導(dǎo)通模式(Discontinuous Conduction Mode,DCM)電源模塊,頂面以鋁合金壓板壓緊固定,鋁合金壓板與外殼固定。在模塊底面和外殼底板之間、模塊頂面和鋁合金壓板之間各墊一層導(dǎo)熱絕緣膜,以緊配合的形式固定模塊,也可為模塊提供較好的散熱通道,并以GD320膠進行局部灌封。
圖1 電源組件三維結(jié)構(gòu)模型
1)電源組件工作溫度為65°C,穩(wěn)態(tài)工作。
2)安裝冷板的溫度為定溫度邊界,溫度為54°C。
3)電源組件與冷板采用鎖緊機構(gòu)進行固定,兩者之間的接觸熱阻為0.6°C/W。導(dǎo)軌安裝面尺寸為190 mm×7.6 mm,則導(dǎo)軌與冷板間的換熱系數(shù)約為1.2×103W/(m2·K)。
4)熱源為4個DCM電源模塊,每個模塊的熱耗P=22.25 W,總功耗為89 W。
5)將模塊與殼體之間的接觸傳熱系數(shù)設(shè)置為1 500 W/(m2·K)。
電源組件的殼體材料為5A06鋁合金,開板電源模塊采用GD320導(dǎo)熱膠灌封固定。電源模塊采用表面貼裝技術(shù)(Surface Mount Technology, SMT)塑封封裝,內(nèi)部為多種材料的組合,很難建立其真實的模型及材料屬性。但是,電源工況為穩(wěn)態(tài)工作,以模塊殼溫為考核項時,可以將模塊視為單一材料,且材料屬性不影響模塊殼溫分布,因此熱分析時以模塊殼溫作為考核對象。模塊手冊給出了結(jié)至底殼等效熱阻λ1和結(jié)至頂殼等效熱阻λ2,則模塊結(jié)溫為:
式中:λ1= 2.36°C/W;λ2= 2.08°C/W;P=22.25 W;tc1為底殼殼溫,°C;tc2為頂殼殼溫,°C。最高允許結(jié)溫為125°C,根據(jù)式(1)可計算出允許的最高殼溫約為98°C。
電源組件主要元器件材料參數(shù)設(shè)置見表1。
表1 材料參數(shù)設(shè)置
對組件的幾何模型進行網(wǎng)格劃分,共670 926個單元,1 045 559個節(jié)點。
仿真求解后,組件內(nèi)電源模塊的殼溫分布如圖2所示。模塊底面最高殼溫tc1= 93.3°C,模塊頂面最高殼溫tc2= 97.4°C。根據(jù)式(1)計算對應(yīng)的模塊最高結(jié)溫tj= 119.8°C。此溫度雖低于最高允許溫度(125°C),但僅有5°C的安全裕量,需要優(yōu)化散熱結(jié)構(gòu)以降低結(jié)溫。
圖2 優(yōu)化前模塊底部和頂部殼溫
電源組件內(nèi)部的傳熱方式主要為傳導(dǎo)散熱,熱流路徑方向如圖3所示,從熱源經(jīng)外殼底板流向側(cè)壁后,通過肋板流向冷板(熱沉)。改進前,外殼底板和側(cè)壁厚度均為2 mm。
圖3 組件熱量流向圖
在邊界(與冷板接觸位置)溫度一定的情況下,降低內(nèi)部模塊溫度的關(guān)鍵是降低模塊至熱沉的溫升。穩(wěn)態(tài)導(dǎo)熱的溫升表達式[3]為:
式中:ΔT為溫升,°C;P′為發(fā)熱功率,W;X為傳熱路徑長度,m;K為介質(zhì)熱導(dǎo)率,W/(m·K);A為傳熱路徑橫截面積,m2。
由式(2)可知,降低溫升的方式有減小發(fā)熱功率和傳熱路徑長度,或者增大材料熱導(dǎo)率和傳熱路徑橫截面積。該電源組件的發(fā)熱功率已經(jīng)是選擇最優(yōu)電路方案后的結(jié)果,模塊布置位置受限于組件結(jié)構(gòu)且組件外殼材料受整機限制無法更改,因此只能采取增大傳熱路徑橫截面積的方式來降低模塊溫升。
據(jù)此對圖3的傳熱路徑進行結(jié)構(gòu)改進:外殼增加緊貼側(cè)壁的凸臺,同時增加底板的厚度,以增大這兩處的傳熱橫截面積,降低熱阻。改進后的散熱結(jié)構(gòu)如圖4所示,相應(yīng)的結(jié)構(gòu)參數(shù)主要有側(cè)壁凸臺的高度h、厚度b以及底板增加的厚度δ。
圖4 電源組件散熱結(jié)構(gòu)改進示意圖
通過有限元分析軟件,在一定范圍內(nèi)改變改進后散熱結(jié)構(gòu)的3個參數(shù)(h,b,δ)中的1個,其他參數(shù)保持不變,依次研究各參數(shù)對模塊殼溫的影響??梢园l(fā)現(xiàn),模塊殼溫均隨著側(cè)壁凸臺的高度、厚度及底板增加的厚度的增大而降低,這與理論分析是一致的(即3個參數(shù)的增加均增大了傳熱橫截面積,從而降低了溫升)。但是,這3個參數(shù)的增大會導(dǎo)致組件質(zhì)量的增加,而機載設(shè)備一般要求質(zhì)量越輕越好。因此,對3個參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計需要同時考慮質(zhì)量和散熱,屬于多目標(biāo)優(yōu)化設(shè)計。
響應(yīng)面方法是一種綜合了統(tǒng)計分析和優(yōu)化設(shè)計的數(shù)學(xué)處理方法,其基本思想[4-5]是通過近似構(gòu)造一個具有明確函數(shù)形式的響應(yīng)面模型,來模擬實際設(shè)計變量與響應(yīng)變量之間復(fù)雜的隱式關(guān)系。響應(yīng)面方法的目標(biāo)是按照試驗設(shè)計理論選定設(shè)計參數(shù),形成參數(shù)樣本點及其響應(yīng)參數(shù),構(gòu)建起設(shè)計變量與響應(yīng)變量之間的近似函數(shù)關(guān)系,即響應(yīng)面函數(shù)。該函數(shù)建立的近似模型不僅可以替代求解實際問題,還可以用來進行優(yōu)化設(shè)計。如果建立的響應(yīng)面函數(shù)不能滿足預(yù)期的精度要求,可以采用更高階的響應(yīng)面方程,或增加試驗設(shè)計次數(shù)。
響應(yīng)面近似函數(shù)通常采用完全二次多項式(但不限于多項式),可表示為:
設(shè)總的試驗次數(shù)為n,響應(yīng)面函數(shù)可用矩陣表示為:
系數(shù)向量b的無偏估計通常通過最小二乘法得出,表示為:
本文對電源組件散熱結(jié)構(gòu)參數(shù)的響應(yīng)面分析的設(shè)計變量為外殼側(cè)壁凸臺的高度h、厚度b及底板增加的厚度δ,響應(yīng)變量為電源模塊的最高殼溫tc和外殼的質(zhì)量m。選用中心復(fù)合試驗設(shè)計(Central Composite Design, CCD)方法建立響應(yīng)面模型,根據(jù)組件結(jié)構(gòu)確定各設(shè)計變量的取值范圍,如表2所示。
表2 設(shè)計變量的取值范圍mm
利用ANSYS Workbench軟件對電源組件的結(jié)構(gòu)參數(shù)進行試驗設(shè)計及仿真求解,結(jié)果如表3所示。
表3 三因素五水平的CCD試驗設(shè)計及響應(yīng)值
以完全二次多項式作為響應(yīng)面類型,通過軟件進一步求解響應(yīng)面,可以分別得到模塊最高殼溫tc及組件外殼質(zhì)量m對各參數(shù)的局部敏感度,如圖5所示。
圖5 模塊最高殼溫tc 及組件外殼質(zhì)量m對各參數(shù)的局部敏感度
由圖5可見,tc和m都受δ影響最大,b的影響次之,h的影響最小,分別建立δ,b與tc及m的響應(yīng)曲面,如圖6和圖7所示。
圖6 主要影響參數(shù)與模塊最高殼溫tc 的響應(yīng)曲面
圖7 主要影響參數(shù)與組件外殼質(zhì)量m的響應(yīng)曲面
由圖6和圖7可見,當(dāng)δ與b均取最大值時,模塊最高殼溫位于響應(yīng)面最低點,外殼質(zhì)量位于最高點,此時tc取值最小,m取值最大。
對3個設(shè)計變量進行優(yōu)化求解,目標(biāo)為tc最小化和m最小化,可以得到基于響應(yīng)面模型的3個優(yōu)化候選點。對3個點的設(shè)計變量取值分別進行仿真計算,得到的相關(guān)結(jié)果如表4所示。
表4 基于響應(yīng)面模型的優(yōu)化設(shè)計計算值及仿真值
由表4可見,仿真值與響應(yīng)面計算值之間的最大差值為0.2°C,誤差為0.23%,所以本文建立的響應(yīng)面模型與實際模型間的擬合是準(zhǔn)確可靠的,其優(yōu)化結(jié)果也是可信的。
對比軟件給出的優(yōu)化結(jié)果,候選點1和點3的數(shù)據(jù)較為接近,候選點2具有較低的模塊最高殼溫,但外殼質(zhì)量較點1和點3增加較多。此結(jié)果與模塊殼溫對3個設(shè)計參數(shù)的敏感度也是一致的,即側(cè)壁凸臺的尺寸對模塊殼溫的影響遠小于底板厚度尺寸帶來的影響。因此,以候選點1和點3作為結(jié)構(gòu)設(shè)計參考,對電源組件進行如下設(shè)計優(yōu)化:將外殼底板加厚1.6 mm,取消側(cè)壁凸臺,即側(cè)壁不再加厚,仿真結(jié)果見圖8。
圖8 結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化后模塊底部和頂部殼溫
優(yōu)化后,外殼質(zhì)量m= 553.8 g,模塊底面最高殼溫tc1= 87.3°C,模塊頂面最高殼溫tc2= 91.6°C,由式(1)計算此時模塊結(jié)溫tj= 113.9°C。相比優(yōu)化前,產(chǎn)品質(zhì)量增加了105.6 g,總質(zhì)量為1.3 kg,增加約8.1%,但內(nèi)部模塊最高結(jié)溫下降了5.9°C,以54°C邊界溫度計算,溫升下降約8.9%,且與最高允許結(jié)溫125°C相比,有11°C的設(shè)計裕量,即優(yōu)化措施有效。
電源組件實物測試時難以直接測量內(nèi)部模塊殼溫及結(jié)溫,因此按如下方法對組件進行熱測試:在外殼兩側(cè)肋片安裝+54°C機架冷板,產(chǎn)品加電滿載運行,監(jiān)測內(nèi)部模塊及整機的輸入輸出電流;待溫度恒定后,以組件底部的殼溫仿真最熱點作為溫度測試點測試殼溫。
經(jīng)熱測試,優(yōu)化前電源組件的外殼底部殼溫最高點為94.2°C,仿真溫度為91.9°C,仿真誤差約為2.4%。按上述優(yōu)化得到的尺寸參數(shù)進行外殼結(jié)構(gòu)設(shè)計改進后,實測組件底部殼溫最高點為86.9°C,仿真溫度為85.2°C,仿真誤差約為2.0%,與優(yōu)化前相比,產(chǎn)品殼溫下降了7.3°C。由產(chǎn)品實物測試結(jié)果可知,仿真誤差較小,結(jié)果可信,結(jié)構(gòu)優(yōu)化措施有效。
本文通過對某型高功率電源組件進行熱分析和散熱結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計,得出了以下結(jié)論:
1)針對該組件熱設(shè)計裕量不足的問題,基于響應(yīng)面法對結(jié)構(gòu)改進的相關(guān)參數(shù)進行了優(yōu)化分析,確定側(cè)壁加厚對散熱的影響遠小于底板加厚,最終確定了底板加厚1.6 mm的結(jié)構(gòu)設(shè)計改進方案;
2)優(yōu)化后的產(chǎn)品在總質(zhì)量增加8.1%的情況下,其內(nèi)部熱源溫升降低了5.9°C,約8.9%,表明優(yōu)化措施有效;
3)建立了內(nèi)部模塊殼溫及外殼質(zhì)量與結(jié)構(gòu)設(shè)計參數(shù)之間的響應(yīng)面模型,基于此模型開展優(yōu)化設(shè)計所需要的時間和資源大大降低,其他電子產(chǎn)品同樣可以應(yīng)用該方法開展散熱結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計。