王福謙, 于學(xué)東
(四川西南航空職業(yè)學(xué)院機(jī)務(wù)學(xué)院,成都610400)
雙半圓柱平行電極系統(tǒng)常用于二維電化學(xué)電池電流和電致化學(xué)發(fā)光強(qiáng)度等問(wèn)題的研究[1-2],但對(duì)該電極系統(tǒng)本身的電場(chǎng)分布的討論,相關(guān)文獻(xiàn)還未見(jiàn)報(bào)道。本文擬將保角變換、理論計(jì)算及計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬相結(jié)合,研究雙半圓柱平行電極系統(tǒng)的電場(chǎng),給出其電勢(shì)和場(chǎng)強(qiáng)分布函數(shù),通過(guò)軟件Matlab繪制其電場(chǎng)線和等勢(shì)線圖,計(jì)算其兩極的最大場(chǎng)強(qiáng),并分析其最大場(chǎng)強(qiáng)隨電極參數(shù)的變化規(guī)律。
利用保角映射將具有復(fù)雜邊界形狀的區(qū)域映射為簡(jiǎn)單邊界形狀的區(qū)域[3-10],將雙半圓柱平行電極及邊界所形成的復(fù)雜形狀邊界的區(qū)域變換為矩形域,則電極所形成的非均勻場(chǎng)就變換為均勻場(chǎng),再將均勻場(chǎng)中得到的電勢(shì)分布函數(shù)反變換至原求解區(qū)域,便可得到雙半圓柱平行電極系統(tǒng)的電勢(shì)分布函數(shù),繼而討論該電極的場(chǎng)強(qiáng)分布函數(shù)。
有位于絕緣板上的兩平行放置的半圓柱電極,其邊界分別為Γ1和Γ2,半徑分別為r1和r2,電極間距為g,左、右兩電極的電勢(shì)分別為-φ0和φ0,其橫截面如圖1所示。
圖1 雙半圓柱平行電極的橫截面
因在垂直于雙半圓柱面母線的所有截面上的電場(chǎng)分布均相同,故本文所研究的電場(chǎng)為平行平面場(chǎng)。為方便地求出雙半圓柱平行電極的電場(chǎng)分布,通過(guò)保角變換將雙電極及邊界所形成的復(fù)雜形狀區(qū)域變換為矩形域[1]。通過(guò)分式變換函數(shù)
式中:
將圖1所示的區(qū)域變換為半圓環(huán)形區(qū)域,如圖2所示。再作如下的對(duì)數(shù)變換
圖2 保角變換后半圓環(huán)區(qū)域
將如圖2所示的區(qū)域變換為矩形區(qū)域,且兩半圓柱電極映射矩形的左右兩個(gè)邊,如圖3所示。
圖3 變換后矩形區(qū)域
由變換式(1)、(2)可得
因在ζ平面上變換后的兩電極之間的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng),則在該平面上兩電極之間的電勢(shì)分布為
將式(3)、(4)代入式(5),得
式(7)為雙半圓柱平行電極所形成電場(chǎng)的電勢(shì)函數(shù)表達(dá)式。 Δ
由場(chǎng)強(qiáng)與電勢(shì)的微分關(guān)系E=-φ,利用式(7)可得
式(8)為雙半圓柱平行電極電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)分布函數(shù)表達(dá)式。
為給出雙半圓柱平行電極的電場(chǎng)分布圖的直觀圖像,以驗(yàn)證本文所得結(jié)論的正確性,下面用軟件Matlab對(duì)該電場(chǎng)分布進(jìn)行數(shù)值模擬,其三維電勢(shì)分布圖和橫截面上的電場(chǎng)線和等勢(shì)線的分布見(jiàn)圖4、5(取U=100 V)。由圖5可見(jiàn):電場(chǎng)線與等勢(shì)線及導(dǎo)體邊界均垂直,場(chǎng)線分布正確,為預(yù)期結(jié)果。
圖4 雙半圓柱平行電極的電場(chǎng)三維電勢(shì)分布(r1=10 m,r2=8 m,g=5 m,U=100 V)
圖5 雙半圓柱平行電極的電場(chǎng)(r1=10 m,r2=8 m,g=20 m,U=100 V)
當(dāng)雙半圓柱平行電極間的距離g=20 m,U=100 V,電極半徑取一些特殊值時(shí),可得到幾種特殊情形下的電場(chǎng)分布,現(xiàn)討論如下:
(1)當(dāng)r1=r2=10 m時(shí),此情形的電場(chǎng)為兩半徑相等的雙半圓柱平行電極的電場(chǎng)(見(jiàn)圖6);
圖6 等半徑的雙半圓柱平行電極的電場(chǎng)
(2)r1=10 m、r2=0.01 m時(shí),此情形的可視為帶電半圓柱荷和與之平行的線電荷所形成的電場(chǎng)(見(jiàn)圖7);
圖7 半圓柱與平行線電荷所形成的電場(chǎng)
(3)當(dāng)r1=r2=0.001 m時(shí),此情形的電場(chǎng)可視為放置在絕緣平面上的兩平行線電荷所形成的電場(chǎng)(見(jiàn)圖8)。
圖8 置于絕緣平面上的平行線電荷所形成的電場(chǎng)
兩半徑相等的雙半圓柱平行電極的電場(chǎng)、帶電半圓柱荷和與之平行的線電荷所形成的電場(chǎng)及放置在絕緣平面上的兩平行線電荷所形成的電場(chǎng),均為本文所討論問(wèn)題的特例,本文的研究結(jié)論具有一定的普遍性。
雙半圓柱平行電極底部邊緣的曲率最大,再結(jié)合場(chǎng)分布模擬結(jié)果(見(jiàn)圖5),知其場(chǎng)強(qiáng)最大處位于兩半圓柱底部相對(duì)處的A、B兩點(diǎn),如圖9所示。
圖9 雙半圓柱平行電極的電場(chǎng)強(qiáng)度最大位置處A、B
對(duì)于電極Γ1右側(cè)底部A處,有x=r1,y=0,由式(8),得
對(duì)于電極Γ2左側(cè)底部B處,有x=r1+g,y=0,由式(8),得
圖10、11所示分別為用軟件Matlab描繪出EA、EB隨r1、g及r2變化的圖像,實(shí)現(xiàn)了EA、EB隨r1、g及r2變化規(guī)律的可視化。
圖10 E A隨r1、g、r2的變化趨勢(shì)
由圖10可見(jiàn),當(dāng)g和r2保持不變時(shí),隨著r1的增大,電極A處的曲率邊小,電荷面密度減小,其表面附近的場(chǎng)強(qiáng)EA也減小;由圖11可見(jiàn),當(dāng)r1和r2保持不變時(shí),隨著g的增大,A處的電荷面密度減小,其表面附近的場(chǎng)強(qiáng)EA也減小;由圖12可見(jiàn),當(dāng)r1和g保持不變時(shí),隨著r2的增大,A處的電荷面密度增大,其表面附近的場(chǎng)強(qiáng)也增大,且r2增至較大值時(shí),EA隨r2緩慢增加,并趨于一個(gè)確定值。由圖13~15可見(jiàn),EB隨r1、g和r2的變換規(guī)律與EA相同。
圖11 EB隨r1、g、r2的變化圖像
本文將保角變換、理論計(jì)算及計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬相結(jié)合,研究了雙半圓柱平行電極系統(tǒng)的電場(chǎng),得到了其電勢(shì)分布和場(chǎng)強(qiáng)分布函數(shù),并利用Matlab軟件對(duì)場(chǎng)分布進(jìn)行了數(shù)值模擬,給出了場(chǎng)分布的直觀圖像,為邊界形狀復(fù)雜的電極的電場(chǎng)分布問(wèn)題的求解提供了一種新的方法,在科研上具有一定的理論意義和實(shí)用價(jià)值。