王子岳,劉多偉,程 飛,黃卡瑪
(四川大學(xué)電子信息學(xué)院,成都 610065)
微波大功率信號源是指可以產(chǎn)生瓦級以上功率的微波信號源,通常工作在2.45 GHz等ISM頻段,可以應(yīng)用于微波醫(yī)療、微波爐、消毒滅菌、微波等離子體燈等領(lǐng)域[1-4]。產(chǎn)生大功率微波的來源主要有2種:電真空器件(磁控管、行波管等)和微波固態(tài)器件。電真空器件的直流到微波的轉(zhuǎn)換效率較高,輸出功率一般可以達(dá)到上百瓦,但是具有使用壽命有限、可靠性差、占用體積較大等問題。雖然相較于傳統(tǒng)的電真空器件,微波固態(tài)功率源的輸出功率和效率較低,但隨著LDMOS和GaN等技術(shù)的日益發(fā)展,這些問題都在逐步解決。此外,微波固態(tài)功率源使用壽命長、可靠性高、體積小、易于集成[5-7]。為了解決固態(tài)器件的單器件輸出功率較低的問題,可以利用功率合成技術(shù),使用多個(gè)固態(tài)器件的并聯(lián)放置實(shí)現(xiàn)高功率輸出[7]。
微波大功率信號源的核心器件包括鎖相環(huán)電路與功率放大器電路。目前鎖相環(huán)技術(shù)很成熟,使用單片機(jī)控制能產(chǎn)生高精度、穩(wěn)定的微波小信號輸出。功率放大器在民用通信及軍用雷達(dá)方面有著巨大的需求,LDMOS、GaN-HFET、MOSFET等放大器發(fā)展迅猛,功率與效率均在不斷提升。文獻(xiàn)[8]利用LDMOS器件,采用三級放大電路,在S波段獲得了240 W的功率輸出;文獻(xiàn)[9]利用不平衡耦合諧振器反饋電路,設(shè)計(jì)了一款在S波段工作的MOSFET大功率微波源,在2.45 GHz處的輸出功率可達(dá)203 W;文獻(xiàn)[10]利用鎖相環(huán)和壓控衰減器設(shè)計(jì)了一款頻率和功率均可調(diào)節(jié)的固態(tài)微波源,在400~500 MHz頻段輸出功率范圍為-7~36 dBm。
本文提出了一種固態(tài)微波源設(shè)計(jì)方案,該方案采用鎖相環(huán)芯片作為穩(wěn)定的頻率源輸出2.45 GHz的小信號,再經(jīng)過衰減、放大、濾波等,最后實(shí)現(xiàn)了14.0~39.8 dBm的功率輸出,且輸出功率可以按照0.5 dB的步進(jìn)進(jìn)行控制。測試結(jié)果表明該固態(tài)源具有輸出頻率穩(wěn)定、控制方便、諧波抑制度高等優(yōu)點(diǎn),能應(yīng)用于微波加熱、無線能量傳輸、微波等離子體等領(lǐng)域。
本文提出的大功率微波源的整體框架如圖1所示。單片機(jī)控制鎖相環(huán)輸出2.45 GHz微波小信號,依次經(jīng)過衰減器、第一級驅(qū)動(dòng)放大器、數(shù)控衰減器、二級驅(qū)動(dòng)放大器、低通濾波器、末級功率放大器,最后得到大功率的微波連續(xù)波輸出。第一級衰減器的作用是將鎖相環(huán)與后級電路進(jìn)行隔離,防止后級電路對鎖相環(huán)電路產(chǎn)生牽引作用。單片機(jī)可對數(shù)控衰減器進(jìn)行控制,實(shí)現(xiàn)輸出功率0.5 dB的步進(jìn)控制。
圖1 功率源原理
2.2.1頻率源電路
相較于壓控振蕩器等頻率源,鎖相頻率合成器(鎖相環(huán))具有頻率穩(wěn)定度較高等優(yōu)點(diǎn)[10],因此應(yīng)用較廣泛。鎖相環(huán)的原理如圖2所示,主要由3個(gè)模塊構(gòu)成:鑒相器(PD)、環(huán)路濾波器(LF)和壓控振蕩器(VCO)。VCO的輸出信號經(jīng)過N分頻器后與參考頻率信號共同作為PD的輸入,PD的輸出電壓正比于兩輸入信號的相位差,經(jīng)過LF濾除高頻分量和噪聲后,作為VCO的控制電壓輸入,該電壓使VCO的頻率和相位發(fā)生變化,直至VCO的輸出頻率與參考輸入頻率一致,此時(shí)稱環(huán)路被鎖定[11-12]。
圖2 鎖相環(huán)原理
本次設(shè)計(jì)采用ADF4350作為頻率源。ADF4350是由ADI公司推出的一款寬帶頻率合成器,內(nèi)部具有一個(gè)集成VCO,可輸出2.2~4.4 GHz的基波頻率,同時(shí)可以利用內(nèi)部分頻電路輸出低至137.5 MHz的頻率。ADF4350使用SPI接口與微控制器通信,在控制過程中需要使用微控制器向ADF4350的6個(gè)控制寄存器寫入控制字,從而實(shí)現(xiàn)對頻率源的輸出控制。
ADF4350的輸出頻率計(jì)算公式為:
其中,fPFD為鑒相頻率,I為整數(shù)分頻系數(shù),F(xiàn)為小數(shù)分頻系數(shù),M為模數(shù)。鑒相頻率的配置由式(2)給出:
其中,fIN為輸入基準(zhǔn)頻率,D為fIN倍頻器位,R為RF基準(zhǔn)分頻系數(shù),T為基準(zhǔn)2分頻位(0或1)。
在設(shè)計(jì)中,使用25 MHz溫補(bǔ)晶振作為輸入基準(zhǔn)頻率,即fIN=25 MHz。取fPFD=fIN=25 MHz,則D=T=0,R=1。根據(jù)設(shè)計(jì)要求,需要輸出2.45 GHz的頻率信號。由于2.45 GHz在2.2~4.4 GHz的基頻范圍中,因此不需要使用RF分頻器,取M=2,I=98,F(xiàn)=0,根據(jù)式(1)可以計(jì)算出fOUT=2.45 GHz。環(huán)路濾波器為低通濾波器,對整個(gè)環(huán)路的參數(shù)調(diào)整起到關(guān)鍵作用。本次設(shè)計(jì)中使用三階無源濾波器,其電路如圖3所示。ADF4350共有4個(gè)輸出端口,即VCO輸出、互補(bǔ)VCO輸出、輔助VCO輸出和互補(bǔ)輔助VCO輸出。在本次設(shè)計(jì)中,使用互補(bǔ)VCO輸出,并關(guān)閉輔助輸出,輸出功率設(shè)置為-4 dBm。
圖3 環(huán)路濾波器原理
2.2.2第一級驅(qū)動(dòng)放大器
微波信號由頻率源產(chǎn)生后,首先經(jīng)過第一級驅(qū)動(dòng)放大器。第一級驅(qū)動(dòng)放大器采用安華高公司的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管ATF55143,其工作頻率范圍為450 MHz~6 GHz,在2 GHz時(shí)具有低至0.6 dB@2.7 V、10 mA的噪聲系數(shù)和17.7 dB@2.7 V、10 mA的增益。
本文使用ADS對第一級驅(qū)動(dòng)放大器進(jìn)行仿真設(shè)計(jì),電路原理如圖4所示。本設(shè)計(jì)選擇漏極電壓Vds=2.7 V、漏極電流Ids=10 mA作為低噪聲放大器的靜態(tài)工作點(diǎn),電路采用5 V單電源供電。使用ADS的StabFact控件進(jìn)行穩(wěn)定性分析,放大器穩(wěn)定系數(shù)大于1,避免了自激。放大器輸入輸出端分別采用15 pF和10 pF的電容進(jìn)行阻抗匹配和隔直。
圖4 第一級驅(qū)動(dòng)放大器電路原理
圖5是對第一級驅(qū)動(dòng)放大器S參數(shù)和輸出功率仿真結(jié)果。在2.45 GHz處,放大器的增益達(dá)到17.38 dB,S11低于-20 dB,輸入功率為0 dBm時(shí),輸出功率被壓縮但仍可達(dá)到15 dBm。
圖5 第一級驅(qū)動(dòng)放大器仿真結(jié)果
2.2.3數(shù)控衰減器電路
本文采用Peregrine公司的數(shù)控衰減器芯片PE4302進(jìn)行輸出功率的控制,數(shù)控衰減器電路原理如圖6所示。該電路工作頻段為DC至4 GHz,具有6位控制字,可以實(shí)現(xiàn)0.5~31.5 dB的步進(jìn)衰減,步進(jìn)值為0.5 dB,通過SPI接口對功率衰減值進(jìn)行控制,可以滿足本文設(shè)計(jì)的微波功率源的幅度控制要求。
圖6 數(shù)控衰減器電路原理
2.2.4第二級驅(qū)動(dòng)放大器
第一級驅(qū)動(dòng)放大器的輸出功率不足以驅(qū)動(dòng)末級功率放大器,因此放大鏈路采用了第二級驅(qū)動(dòng)放大器。第二級驅(qū)動(dòng)放大器使用Qorvo公司的放大器芯片TQP3M9028,該芯片在2.45 GHz的增益大約為14.4 dB,輸出1 dB壓縮點(diǎn)為19.8 dBm。該芯片為內(nèi)匹配,只需要增加直流偏置電路及100 pF的隔直電容即可工作,偏置電壓為5 V,其電路原理如圖7所示。
圖7 第二級驅(qū)動(dòng)放大器原理
2.2.5低通濾波器電路
由于鎖相環(huán)及放大器會(huì)產(chǎn)生高次諧波,因此本文采用廣義切比雪夫低通濾波器對這些高次諧波進(jìn)行濾除。與切比雪夫低通濾波器相比,廣義切比雪夫低通濾波器在帶外有更多的零點(diǎn),能實(shí)現(xiàn)更好的帶外抑制特性[13]。由于信號源輸出的微波信號頻率為2.45 GHz,諧波為4.9 GHz和7.35 GHz,因此將低通濾波器的截止頻率設(shè)定為3.6 GHz,且在4.9 GHz和7.35 GHz處的抑制大于40 dB。圖8是本文設(shè)計(jì)的11階廣義切比雪夫低通濾波器的集總參數(shù)等效電路,其中,L1=0.2032 nH,L2=3.209 nH,L3=2.325 nH,L4=1.707 nH,L5=2.34 nH,L6=1.633 nH,C1=0.4039 pF,C2=0.8099 pF,C3=0.8467 pF。
將圖8中的集總參數(shù)電容與電感用實(shí)際微帶線進(jìn)行替換。低通濾波器使用FR4基片,厚度為0.6 mm,相對介電常數(shù)為4.6,損耗角正切為0.02。電感由高阻抗微帶線實(shí)現(xiàn),其物理長度lL由式(3)決定[14]:
圖8 11階廣義切比雪夫低通濾波器
其中,ωC是截止頻率,L是電感大小,βL和Z0L分別是高阻抗微帶線的相位常數(shù)和特性阻抗。電容由平板電容實(shí)現(xiàn),其計(jì)算公式為
其中,S為平板面積,ε為相對介電常數(shù),k為靜電力常量,d為兩板之間的距離,C是電容大小。經(jīng)過以上從集總參數(shù)到微帶線的變換,再經(jīng)過優(yōu)化,最終得到的低通濾波器電路版圖如圖9所示。
圖9 低通濾波器電路版圖(單位:mm)
集總參數(shù)低通濾波器模型和分布參數(shù)低通濾波器仿真結(jié)果如圖10所示。從仿真結(jié)果可以看出,濾波器在2.45 GHz時(shí)的插入損耗為0.7 dB,回波損耗優(yōu)于30 dB,在4.9 GHz和7.35 GHz時(shí)的抑制大于50 dB,滿足設(shè)計(jì)要求。
圖10 低通濾波器仿真結(jié)果
2.2.6功率放大器設(shè)計(jì)
末級功率放大器采用NXP公司的LDMOS放大器芯片MHT2012N。使用ADS對MHT2012N進(jìn)行電路設(shè)計(jì)與仿真。在設(shè)計(jì)中,使用Rogers RO4350基板,厚度為0.508 mm,相對介電常數(shù)為3.66,損耗角正切為0.004。由直流特性仿真和數(shù)據(jù)手冊確定功率放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)為柵極電壓VGSQ1=VGSQ2=5 V,漏極電壓VDSQ1=VDSQ2=28 V。加入偏置電路后,進(jìn)行穩(wěn)定性分析,放大器穩(wěn)定因子(StabFact)大于1,滿足絕對穩(wěn)定條件。之后,對放大器的輸入輸出端進(jìn)行匹配,輸入端的源阻抗為(47.3-j30.9)Ω,輸出端的負(fù)載阻抗為(7.06-j3.92)Ω。輸入端通過一截較寬的微帶線進(jìn)行匹配,輸出端由電容構(gòu)成的Π型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行匹配。經(jīng)過仿真調(diào)試之后,功率放大器最終的電路原理如圖11(a)所示,加工的實(shí)物圖如圖11(b)所示。功放的輸出功率曲線和功率附加效率曲線如圖12所示。可以看出,功率放大器的增益為25 dB,最大輸出功率為39.8 dBm,輸出功率1 dB壓縮點(diǎn)為39.2 dBm,輸入功率為15.5 dBm時(shí),最大功率附加效率為42.3%。
圖11 功率放大器電路原理圖與實(shí)物圖
圖12 功率放大器測試結(jié)果
圖1給出了各器件的增益及輸出功率,其中,頻率源的輸出功率為-4 dBm,后級的衰減器、第一級驅(qū)動(dòng)放大器、數(shù)控衰減器、二級驅(qū)動(dòng)放大器、低通濾波器、末級功率放大器的增益依次為-10 dB、17.5 dB、-31.5~0 dB、14.5 dB、-0.7 dB、25 dB。通過計(jì)算,不考慮連接各器件的微帶線及同軸線損耗的情況下,理論上可以得到10.8~42.3 dBm的輸出功率。
整機(jī)電路實(shí)物如圖13所示。信號源電路采用28 V直流電供電,通過28 V轉(zhuǎn)5 V的DC-DC電路為放大器供電,5 V直流電轉(zhuǎn)3.3 V的穩(wěn)壓芯片為鎖相環(huán)芯片及衰減器供電。信號源電路通過排針與單片機(jī)進(jìn)行互連。信號源電路與功率放大器之間通過同軸線互連構(gòu)成整機(jī)。功放的柵極由28 V轉(zhuǎn)5 V的DC-DC電路供電。最終,整個(gè)模塊由28 V的單電源供電。
圖13 電路實(shí)物
整機(jī)的測試框圖如圖14所示。頻譜儀型號為Rohde&Schwarz FSV40。整機(jī)通過觸摸屏對頻率、輸出功率和信號通斷進(jìn)行控制。測試時(shí),首先將頻率設(shè)置為2.45 GHz,然后以0.5 dB的步進(jìn)值在0~31.5 dB范圍內(nèi)調(diào)節(jié)數(shù)控衰減器的衰減值,可以得到如圖15所示的輸出功率曲線。由圖15可以看出,功率源的線性度良好,整個(gè)微波源的功率輸出范圍為14.0~39.8 dBm。與計(jì)算結(jié)果相比,整機(jī)輸出功率偏低了2.5 dBm,原因是末級功率放大器達(dá)到了飽和,雖然輸入功率增加了,但是輸出功率基本沒有變化。此外,還測試了本文設(shè)計(jì)的功率源的諧波。將頻譜儀的頻率范圍設(shè)置為1~8 GHz,輸出功率設(shè)置為39.8 dBm,在4.9 GHz和7.35 GHz處的諧波抑制均大于50 dB,實(shí)現(xiàn)了較高的諧波抑制度。
圖14 整體測試框圖
圖15 功率源輸出功率測試結(jié)果
研制了一種工作在2.45 GHz、最大可輸出39.8 dBm功率的微波大功率信號源。輸出功率可通過數(shù)控衰減器以0.5 dB的步進(jìn)進(jìn)行控制。由于采用了鎖相環(huán)技術(shù),該信號源輸出頻率穩(wěn)定。設(shè)計(jì)了相應(yīng)的控制程序,通過觸摸屏操作,其控制非常方便。信號源中還引入了廣義切比雪夫低通濾波器,對諧波實(shí)現(xiàn)了很好的抑制。該大功率微波信號源在微波加熱、無線能量傳輸、微波等離子體等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。