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    一種用于高能離子注入機射頻加速的數(shù)字移相器設(shè)計

    2020-11-03 11:37:08王新輝周志英
    計算機測量與控制 2020年10期
    關(guān)鍵詞:移相器正弦寄存器

    劉 輝,王新輝,楊 追,周志英

    (1.長沙學院 電子信息與電氣工程學院,長沙 410022;2.湖南普奇地質(zhì)勘探設(shè)備研究院,長沙 410201)

    0 引言

    兆電子伏特(MeV)以上高能離子注入是微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù),在大規(guī)模集成電路制造中有著廣泛應(yīng)用,射頻(radio frequency)加速是實現(xiàn)離子束高能量的關(guān)鍵技術(shù)[1-2]。兆伏級高能離子注入一般采用線性雙腔結(jié)構(gòu)的射頻諧振加速,對離子束加速是用一系列雙腔結(jié)構(gòu)的射頻諧振腔進行加速,每個加速腔室均采用獨立的射頻功率電源系統(tǒng),每個雙腔加速腔獨立控制,通過多級串聯(lián)加速,將離子束的能量提高至兆電子伏特以上。本文利用直接數(shù)字合成技術(shù),設(shè)計了一種高精度和穩(wěn)定可靠的數(shù)字移相器,保證射頻功率電源時間相位正好與進入腔體的離子束同步,滿足MeV能量的離子注入機控制要求。

    1 系統(tǒng)總體設(shè)計

    本設(shè)計以STM32單片機作為微處理器,由主控計算機,通信接口電路,石英晶體振蕩器,時鐘分配芯片AD9510,直接數(shù)字式頻率合成器DDS(direct digital synthesizer)芯片AD9959,16路濾波放大電路和16路輸出通道組成,系統(tǒng)電路組成方框如圖1所示。

    STM32處理器向DDS芯片的每一個輸出通道寫入輸出正弦信號頻率控制字、相位控制字和幅度控制字,各輸出通道寫入的相位控制字不同,輸出的正弦波形就會產(chǎn)生相位差,從而保證每個輸出通道正弦信號頻率和幅度一致且同步,而相位差精確可調(diào)。

    時鐘分配芯片AD9510主要解決時鐘信號送到每一個DDS芯片上的時間同步問題,在多通道數(shù)字移相器印制電路板上,每個DDS芯片距離時鐘分配芯片AD9510的時鐘線長短不同,系統(tǒng)時鐘頻率是500 MHz,單個時鐘周期為2 ns。必須要考慮時鐘線長短不同而導(dǎo)致的相移,STM32處理器根據(jù)輸出時鐘到達各DDS芯片的不同時鐘線長度,向時鐘分配芯片AD9510每路輸出的寄存器寫入不同的值,產(chǎn)生多組不同延時的時鐘信號輸出,確保到達各DDS芯片輸入引腳的高頻工作時鐘邊沿對齊。

    圖1 系統(tǒng)電路方框圖

    如圖2所示,每個雙腔加速腔中,兩邊為電地極,中間電極為加速電極。離子源發(fā)出的連續(xù)正離子束,由射頻加速腔進行調(diào)制、壓縮,形成間斷的正離子束,從電地極和中間電極的孔隙中穿過,當正離子束通過前腔時,如果中間電極上的電壓正好為負半周,進入的離子束被內(nèi)部電場加速。加速后的離子束經(jīng)過中間電極后,進入后腔,如果此時中間電極上電壓正好變?yōu)檎胫?,離子束就仍然被加速。由于離子束的能量不斷增加,速度越來越快,之后的加速腔中間電極的波形就要根據(jù)不同能量的離子束進行同步調(diào)整,使離子束進入該加速腔時正好是處于加速狀態(tài)。通過多級串聯(lián),將離子能量加速至MeV以上。

    圖2 相位控制原理框圖

    中間電極通過同步調(diào)諧相位控制器與射頻電源連接,數(shù)字移相器的各輸出通道連接各同步調(diào)諧相位控制器。同步調(diào)諧相位控制器通過電壓探頭采集調(diào)諧筒內(nèi)電極上電壓信號送到相位檢測單元輸入端,并將由數(shù)字移相器某通道的輸出信號經(jīng)過功率放大電路放大后送到相位檢測單元參考端作為基準同步信號,相位檢測單元根據(jù)基準同步信號及調(diào)諧筒內(nèi)負載信號相位實時檢測值的差值產(chǎn)生一個直流信號,經(jīng)過一個放大器放大去調(diào)控一個壓控振蕩器,壓控振蕩器的輸出經(jīng)過二分頻后去控制射頻電源的同步端,最終使得射頻輸入與基準同步信號一致并將輸出相位鎖定。

    2 系統(tǒng)硬件設(shè)計

    2.1 主控單元

    主控單元選用STM32F405RGT6微處理器,是帶有FPU的ARM Cortex-M4內(nèi)核的32位高性能CPU,自適應(yīng)加速器,允許0等待狀態(tài)執(zhí)行。處理器頻率高達168 MHz,速度為210 DMIPS。高達192+4 Kbytes的SRAM和1 MB的Flash,且配有15個通信接口、136個快速I/O接口,具有處理速度快、功耗低和較強的控制能力。STM32F405RGT6微處理器負責移相器的控制,通過串行通信接口接收上位主控計算機發(fā)送的控制命令和參數(shù)設(shè)置;對AD9510芯片進行操控,控制AD9510芯片輸出四路不同延時的帶有驅(qū)動輸出的時鐘信號;對AD9959芯片進行操控,控制4個AD9959芯片輸出16通道不同相位、滿足多腔同步射頻加速的正弦信號。

    2.2 AD9959芯片接口電路設(shè)計

    AD9959芯片是美國ADI公司生產(chǎn)的一款高集成度高速頻率合成器,能產(chǎn)生 500 MHz的正弦波信號。該芯片內(nèi)部含有四路直接數(shù)字頻率合成(DDS)通道,每個通道有一個專門的32位頻率控制字,14位相位偏移控制字和一個10位輸出振幅控制字,各通道輸出信號頻率、相位、振幅都可以獨立編程。所有通道共用一個系統(tǒng)時鐘,可以執(zhí)行16級的頻率、相位和幅度調(diào)制[3]。

    AD9959使用節(jié)省空間的56腳LFCSP封裝,接口電路如圖3所示,本設(shè)計中使用的主要引腳功能如下:

    MASTER_RESET:高電平有效復(fù)位輸入引腳,將使AD9959內(nèi)部寄存器復(fù)位到缺省狀態(tài);

    PWR_DWN_CTL:外部電源掉電控制引腳;

    DAC_RSET:輸入引腳,DAC設(shè)置參考電流,通過一個1.91 kΩ電阻接地;

    I/O_UPDATE:輸入引腳,該腳的上升沿使I/O口緩沖中的數(shù)據(jù)送至激活的寄存器中,I/O_UPDATE信號應(yīng)與SYNC_CLK信號保持同步,并須滿足建立時間與保持時間的要求,以保證到DAC輸出的數(shù)據(jù)有固定的延遲管道;

    SCLK:I/O操作的串行數(shù)據(jù)時鐘,數(shù)據(jù)位在SCLK的上升沿寫入數(shù)據(jù),下降沿讀出;

    SDIO_0:串行數(shù)據(jù)輸入和輸出引腳;

    SDIO_1、SDIO_2:用于串行數(shù)據(jù)引腳或啟動輸出幅度的斜坡上升或下降;

    SDIO_3:用于串行操作數(shù)據(jù)輸入輸出,也可用于控制DAC輸出幅度的斜率;在單位或者2位模式,此引腳用于SYNC_I/O。

    CH0_IOUT ~CH3_IOUT:輸出通道,4個通道各有一個互補輸出端;

    CS:片選串口使能信號端,低電平有效;

    SYNC_IN:輸入引腳,可同步多片AD9959;

    REF_CLK:參考時鐘或振蕩輸入端。

    圖3 AD9959芯片接口電路圖

    AD9959具有SPI串行通信接口,通過SDIO_0~SDIO_2、CS和SCLK等引腳實現(xiàn)與微處理器的通信。

    2.3 AD9510芯片接口電路設(shè)計

    高精度低抖動的時鐘源是整個系統(tǒng)得以實現(xiàn)的最基本保證。AD9510是美國模擬半導(dǎo)體公司推出的一款精確時鐘分配芯片,該款芯片通過SPI串行編程來控制輸出時鐘間的相位延遲,它提供多路輸出時鐘分配功能,低抖動、低相位噪聲時鐘分配,能夠極大地提升DDS芯片的時鐘性能[4-5]。

    AD9510芯片接口電路如圖4所示。14、15腳CLK1和CLK2B接用戶輸入?yún)⒖紩r鐘頻率,16腳FUCTION接1 kΩ電阻接地,可以通過編程實現(xiàn)復(fù)位、同步和下拉。OUT0、OUT0B、OUT1、OUT1B、OUT2、OUT2B和OUT3、OUT3B輸出4路獨立時鐘,為高速4片DDS芯片提供時鐘信號,SCLK、SDIO、SDO和CSB作為與STM32處理器的串行通信接口。STM32微控制器通過SPI接口(serial peripheral interface)對AD9510芯片所有內(nèi)部寄存器狀態(tài)進行讀寫,設(shè)置AD9510芯片滿足系統(tǒng)時鐘需求。

    圖4 AD9510芯片接口電路圖

    2.4 濾波放大電路設(shè)計

    圖5是濾波放大電路原理圖,AD9959芯片的DDS通道由數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出模擬信號,濾波器電路將其平滑為連續(xù)的正弦波形,經(jīng)過射頻耦合變壓器輸出給U20運算放大器電路進行放大,通過輸出通道輸出所需要峰-峰值10 V的正弦信號。

    圖5 濾波放大電路圖

    3 系統(tǒng)軟件設(shè)計

    3.1 主程序設(shè)計

    軟件設(shè)計主要包括STM32微處理器程序設(shè)計以及主控計算機程序設(shè)計。主控計算機采用VB語言編寫人機交互界面。STM32微處理器程序采用C語言編寫,其程序流程如圖6所示。首先對STM32微處理器的時鐘和I/O口配置,然后對AD9510芯片相關(guān)寄存器進行配置和參數(shù)設(shè)置,再對AD9959芯片進行初始化。

    圖6 主程序流程圖

    當向AD9959不同的通道寫入相同的頻率字、不同的相位字時,AD9959 輸出相同頻率、具有一定相位差的正弦信號。主程序運行過程中循環(huán)檢測各調(diào)諧負載信號的相位值,計算與數(shù)字移相器通道各輸出的基準同步信號之間的相位差,自動調(diào)節(jié)射頻電源的同步端,控制射頻電源的輸出相位與基準同步信號相位完全一致。

    3.2 AD9959初始設(shè)置程序

    通過STM32微處理器的SPI接口來對AD9959芯片進行初始設(shè)置,先初始化各個寄存器、數(shù)據(jù)寄存器,再進行串口傳輸模式、初始頻率輸出設(shè)置、工作模式等,然后選擇DDS通道,分別向其中寫入頻率控制字、相位控制字和幅值控制字,再后發(fā)送I/O_UPDATE信號,所有通道輸出所設(shè)置頻率及相位的正弦信號[6-7]。流程圖如圖7所示。

    圖7 AD9959初始化流程圖

    本移相器要求輸出的正弦波為13.56 MHz固定頻率的連續(xù)信號,所以設(shè)置AD9959為單頻模式。單頻模式下,只需將頻率控制字 FTW,相位偏移字POW 以及幅度控制字ASF 分別寫入AD9959各通道的寄存器 CFTW0、 CPOW0和ACR中。每個DDS通道輸出的信號頻率是頻率調(diào)諧字FTW和系統(tǒng)時鐘頻率fs的函數(shù),計算公式是:fout=(FTW*fs)/232,設(shè)AD9959芯片的主頻fs為500 MHz,可以計算出頻率控制字FTW=6F15619H,使用串行I/O口,發(fā)送各通道所需要的頻率控制字到I/O Buffer。在所有通道設(shè)置完畢后,發(fā)送 IO_UPDATA信號,將I/O Buffer中的數(shù)據(jù)傳送到內(nèi)部寄存器即可輸出多路同步信號。

    3.3 AD9510初始設(shè)置程序

    A9510芯片的時鐘分配模塊提供八路相互獨立的輸出,四路LVPECL(low voltage positive emitter coupled logic)電平輸出和四路LVDS(low voltage differential signaling)或CMOS(complementary metal oxide semiconductor)輸出,分配由8個可編程的分頻器對應(yīng)控制,可對每路輸出頻率取1~32整數(shù)倍分頻,還可以通過各分頻器改變每路輸出脈沖頻率占空比和相位偏移。相位偏移功能用于實現(xiàn)時序粗調(diào)。某些輸出還提供可編程延遲特性,通過一個5位字進行編程,提供32個可用的延遲時間,最長延遲時間10 ns。本設(shè)計中使用AD9510產(chǎn)生四路100 MHz的LVPECL電平時鐘給四路DDS芯片作為輸入時鐘。

    4 測試結(jié)果與分析

    在確定了數(shù)字移相器硬件結(jié)構(gòu)后,搭建了硬件實驗電路,并通過軟件編程、系統(tǒng)調(diào)試后,使用示波器、頻譜分析儀等設(shè)備分別對數(shù)字移相器輸出的單通道正弦信號的頻率精度、兩通道正弦信號相位差精度進行了測量,測試結(jié)果如表 1、表 2 所示。

    表2 兩通道正弦信號相位差測試結(jié)果

    由表1可知該數(shù)字移相器產(chǎn)生頻率范圍0~100 MHz的單通道正弦信號,分辨率能夠達到0.02 Hz;由表2可知,該移相器能夠完成任意兩路之間的相位差調(diào)節(jié)和設(shè)置,輸出信號相位值精度高,分辨率達到0.025°。

    5 結(jié)束語

    本文針對高能離子注入機多腔射頻加速同步加速控制這一問題,設(shè)計了一種基于STM32F405RGT6微處理器和AD9959DDS芯片的多通道數(shù)字移相器,介紹了系統(tǒng)組成、工作原理及硬、軟件開發(fā)設(shè)計。測試結(jié)果表明:該數(shù)字移相器結(jié)構(gòu)簡單,輸出信號頻率范圍廣、穩(wěn)定度高、頻率和相位分辨率高,各通道正弦信號的頻率、幅度和相位等指標都可以獨立調(diào)整。作為同步參考信號發(fā)生器用于控制多級串聯(lián)雙腔射頻加速高能離子注入機的同步加速,能夠滿足射頻電源的時間相位控制要求,可以實現(xiàn)離子能量連續(xù)加速至兆電子伏特(MeV)級以上,在實際工程應(yīng)用中具有很好的前景,將對射頻加速高能離子注入機的國產(chǎn)化產(chǎn)生重大助推作用。

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