Lite寄存器模型的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

潘國(guó)騰，歐國(guó)東，晁張虎，李夢(mèng)君

（國(guó)防科技大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院，長(zhǎng)沙410073）

（?通信作者電子郵箱gtpan@nudt.edu.cn）

0 引言

在摩爾定律驅(qū)動(dòng)下，單顆芯片的邏輯門數(shù)增長(zhǎng)迅速，更多的功能模塊集成到片上，同時(shí)引入更多寄存器，通用片上系統(tǒng)（System-on-Chip，SoC）芯片面臨的情況尤為突出［1］。SoC芯片擁有數(shù)量龐大的各類寄存器，寄存器驗(yàn)證已成為SoC芯片研發(fā)過程中的重要驗(yàn)證項(xiàng)。根據(jù)SoC芯片分層驗(yàn)證理念［2-3］，模塊級(jí)的設(shè)計(jì)規(guī)模小、功能簡(jiǎn)單、激勵(lì)構(gòu)造相對(duì)容易，但模塊數(shù)量較多［4］；子系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)規(guī)模適中、功能相對(duì)獨(dú)立、接口清晰，而驗(yàn)證的完備性卻是最大的挑戰(zhàn)［5］；系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)規(guī)模龐大，功能復(fù)雜，對(duì)仿真資源的需求比較大［6］。無(wú)論在模塊級(jí)、子系統(tǒng)級(jí)或系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證中，寄存器都是驗(yàn)證的重心之一。如何更高效、更完備地完成芯片的寄存器驗(yàn)證，成為芯片驗(yàn)證工程師必須解決的問題。

目前，業(yè)界在芯片的寄存器驗(yàn)證中更多采用C語(yǔ)言或者匯編語(yǔ)言開發(fā)測(cè)試激勵(lì)，芯片寄存器初始化配置過程經(jīng)過取值、譯碼、執(zhí)行，然后逐層傳輸?shù)郊拇嫫魉谀K。單個(gè)寄存器的配置過程通常需要幾百個(gè)時(shí)鐘周期，芯片的初始化過程通常需要配置成千上萬(wàn)個(gè)寄存器，配合軟件模擬緩慢的仿真速度，使得整個(gè)寄存器配置過程需要很長(zhǎng)時(shí)間。裸機(jī)環(huán)境下的寄存器通路測(cè)試遇到的問題更加嚴(yán)重。寄存器通路驗(yàn)證通常需要覆蓋整個(gè)芯片的所有寄存器，其數(shù)量是初始過程需要配置寄存器數(shù)量的數(shù)倍，急需一種更加高效的驗(yàn)證方法。

通用驗(yàn)證方法學(xué)（Universal Verification Methodology，UVM）的高可重用性、帶約束的隨機(jī)激勵(lì)生成、完善的UVM庫(kù)以及覆蓋率驅(qū)動(dòng)驗(yàn)證（Coverage Driven Verification，CDV）理念非常貼合模塊級(jí)和子系統(tǒng)級(jí)的驗(yàn)證需求［7-9］，逐漸成為業(yè)界的主流。UVM里的RAL（Register Abstraction Layer）方案［10］是一套完整的寄存器驗(yàn)證解決方案，在模塊級(jí)和子系統(tǒng)級(jí)的UVM驗(yàn)證環(huán)境中發(fā)揮著重要作用，但在系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證中卻極少被使用，原因是UVM庫(kù)代碼繁復(fù)，仿真運(yùn)行時(shí)消耗內(nèi)存較大，對(duì)驗(yàn)證的仿真資源有非常高的要求；同時(shí)，UVM的RAL方案要求寄存器模型和RTL代碼均符合電子知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP-XACT）標(biāo)準(zhǔn)［11-12］，UVM內(nèi)建的寄存器測(cè)試用例不對(duì)“只讀（Read Only，RO）”“只寫（Write Only，WO）”等屬性的寄存器進(jìn)行Access檢查，導(dǎo)致UVM寄存器模型在系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證中難以得到推廣。

針對(duì)以上問題，本文提出一種Lite寄存器模型，實(shí)現(xiàn)更小的運(yùn)行時(shí)內(nèi)存消耗，可以更廣泛地應(yīng)用于各種驗(yàn)證場(chǎng)景。Lite寄存器模型保留UVM寄存器模型前/后門訪問等功能，采用前/后門訪問結(jié)合的方法進(jìn)行寄存器通路驗(yàn)證，不僅可以提高仿真驗(yàn)證的速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)地址映射的驗(yàn)證。Lite寄存器模型配合內(nèi)建測(cè)試用例，實(shí)現(xiàn)對(duì)所有訪問屬性（包括“RO”和“WO”屬性）寄存器的Access檢查，使功能驗(yàn)證更加高效完備。該模型可以在UVM或非UVM的模塊級(jí)、子系統(tǒng)級(jí)或系統(tǒng)級(jí)仿真驗(yàn)證環(huán)境中使用，并針對(duì)系統(tǒng)級(jí)寄存器通路驗(yàn)證進(jìn)行加強(qiáng)；同時(shí)，開發(fā)寄存器模型自動(dòng)生成工具，提供Lite寄存器模型內(nèi)建測(cè)試用例，形成完整的寄存器模型解決方案。

1 Lite寄存器模型

Lite寄存器模型使用SystemVerilog語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)，支持對(duì)多種讀寫屬性的寄存器進(jìn)行建模，提供各類方法滿足不同的寄存器訪問需求。

1.1 Lite寄存器模型結(jié)構(gòu)

Lite寄存器模型分3層：Field層、Register層、Regmodel層；外加用于寄存器前門訪問的Adaptor，構(gòu)成寄存器模型的主體。

1）Field層：負(fù)責(zé)描述寄存器內(nèi)各域段的基本屬性（期望值、映射值、復(fù)位值、讀寫屬性、位寬等），是寄存器模型的最小單元。

2）Register層：負(fù)責(zé)處理寄存器各Fields遍歷/拼接、寄存器讀寫操作（前門/后門），記錄寄存器的后門訪問路徑、地址等信息，是寄存器模型的基本單元。

3）Regmodel層：寄存器模型的頂層，配置模型包含的各寄存器基地址、頂層后門訪問路徑等屬性，設(shè)置寄存器模型的Adaptor，建立集成管理方法，為內(nèi)建測(cè)試激勵(lì)提供接口。

4）Adaptor：處理寄存器模型與待測(cè)設(shè)計(jì)（Design Under Test，DUT）之間的接口協(xié)議適配，使用SystemVerilog的Callback機(jī)制實(shí)現(xiàn)靈活重構(gòu)。

該寄存器模型的主要功能如下：

1）支持寄存器前門訪問和后門訪問：后門訪問通過SystemVerilog提供的直接編程接口（Direct Programming Interface，DPI）［13］接 口 實(shí) 現(xiàn) ；前 門 訪 問 使 用 接 口 適 配 器Adaptor完成事務(wù)級(jí)與信號(hào)級(jí)的相互轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)寄存器模型與設(shè)計(jì)接口的解耦，接口協(xié)議變化后只需重新實(shí)現(xiàn)Adaptor，已實(shí)現(xiàn)的寄存器模型無(wú)需改動(dòng)，增強(qiáng)寄存模型的可重用性。

2）每個(gè)寄存器模型包含3個(gè)值：復(fù)位值、期望值、映射值。復(fù)位過程中，有復(fù)位值的寄存器，其模型內(nèi)的期望值被初始化為復(fù)位值；期望值是寄存器模型對(duì)設(shè)計(jì)中寄存器值的預(yù)期值；映射值是寄存器模型發(fā)起同步操作時(shí)，從設(shè)計(jì)中得到的寄存器的真實(shí)值。期望值在前、后門寫訪問成功后更新，映射值在前、后門讀訪問成功后更新。讀訪問成功后會(huì)觸發(fā)模型內(nèi)部期望值和映射值的比對(duì)，檢查寄存器值的變化是否正確。

3）支持READ操作、WRITE操作、讀等待（Wait READ，WREAD）操作和強(qiáng)制寫（Force WRITE，F(xiàn)WRITE）操作四種寄存器訪問操作：READ和WRITE操作分別有前門訪問和后門訪問兩種模式；WREAD操作能夠檢查“WO”類屬性寄存器的前門寫操作是否正確；FWRITE操作能夠檢查“RO”類屬性寄存器的前門讀訪問是否正確。WREAD操作和FWRITE操作僅支持后門訪問。

4）支持對(duì)25種讀寫屬性的寄存器建模：只讀、讀寫、讀清零、讀置位、可寫讀復(fù)位、可寫讀清零、寫清零、寫置位、寫置位讀清零、寫清零讀置位、寫1清零、寫1置位、寫1反轉(zhuǎn)、寫0清零、寫0置位、寫0反轉(zhuǎn)、寫1置位讀清零、寫1清零讀置位、寫0置位讀清零、寫0清零讀置位、只寫、只寫清零、只寫置位、一次寫、一次只寫。

5）該模型不依賴UVM庫(kù)（DPI函數(shù)庫(kù)除外），但可應(yīng)用于UVM環(huán)境和非UVM環(huán)境中。

6）內(nèi)建寄存器通路驗(yàn)證測(cè)試用例，包括寄存器復(fù)位值檢查、寄存器讀寫功能檢查和寄存器后門訪問路徑檢查。

圖1 Lite寄存器模型的總體結(jié)構(gòu)Fig.1 Overall structure of Lite register model

1.2 Lite寄存器模型庫(kù)單元

UVM寄存器模型底層庫(kù)歷經(jīng)OVM（Open Verification Methodology）、VMM（Verification Methodology Manual）、UVM 的不斷演進(jìn)，歷史包袱沉重，源碼結(jié)構(gòu)復(fù)雜，多有冗余。業(yè)界各主要電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（Electronics Design Automation，EDA）工具編譯出的Database格式各異，為便于調(diào)試均往UVM源碼庫(kù)中添加大量代碼，使得UVM源碼庫(kù)更加繁雜。Lite寄存器模型重新設(shè)計(jì)底層源碼庫(kù)，結(jié)構(gòu)清晰簡(jiǎn)約，有效減少對(duì)內(nèi)存的損耗。

Lite寄存器模型庫(kù)由4部分內(nèi)容組成：

1）宏定義模塊。集中配置模型內(nèi)部的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，針對(duì)具體目標(biāo)調(diào)整，可有效減小運(yùn)行時(shí)內(nèi)存消耗。

2）接口協(xié)議適配器。處理模型與DUT之間事務(wù)級(jí)與信號(hào)級(jí)的相互轉(zhuǎn)換，同時(shí)兼具接口協(xié)議BFM功能；

3）寄存器模型基類。描述寄存器的各類屬性，建立相關(guān)的函數(shù)和方法。

4）內(nèi)建測(cè)試激勵(lì)。用于寄存器通路驗(yàn)證。

Lite寄存器模型庫(kù)單元完整Package包含如下文件：

packagelite_regmodel；

'include"lite_reg_macros.svh"

'include"dpi/uvm_hdl.svh"

'include"dpi/uvm_svcmd_dpi.svh"

'include"dpi/uvm_regex.svh"

'include"lite_adaptor.sv"

'include"lite_field.sv"

'include"lite_reg.sv"

'include"lite_regmodel.sv"

'include"lite_reset_check_tc.sv"

'include"lite_hdl_path_check_tc.sv"

'include"lite_access_check_tc.sv"

endpackage

庫(kù)單元中主要類模塊的層次結(jié)構(gòu)如圖2所示，其中Lite_adaptor為virtual類，Lite_regmodel和Lite_reg中均有其句柄，用戶創(chuàng)建Lite_adaptor的子類后注冊(cè)到Lite_reg中（SystemVerilog的callback機(jī)制），實(shí)現(xiàn)每個(gè)Lite_reg與adaptor的連接，打開寄存器的前門訪問通道。

圖2 寄存器模型庫(kù)單元類模塊層次結(jié)構(gòu)Fig.2 Hierarchical structure of register model library cell class module

Lite_regmodel類中new函數(shù)和build函數(shù)為virtual函數(shù)，由用戶在子類中實(shí)現(xiàn)具體內(nèi)容。add_reg函數(shù)將模型中所有的Lite_reg句柄存入寄存器池內(nèi)，以便進(jìn)行遍歷操作。

Lite_reg類中new函數(shù)和configure函數(shù)為virtual函數(shù)，其余函數(shù)封裝在類內(nèi)。hdl_check函數(shù)、access_check函數(shù)和reset_check函數(shù)負(fù)責(zé)寄存器通路檢查，fwrite函數(shù)、wread函數(shù)、read函數(shù)和write函數(shù)處理前/后門讀寫訪問，add_field函數(shù)將所有的field存入fields池內(nèi)。

圖3 Lite_reg類構(gòu)成Fig.3 Composition of Lite_reg

Lite_adaptor類是virtual類，bus2reg任務(wù)和reg2bus任務(wù)根據(jù)具體接口協(xié)議在其子類中實(shí)現(xiàn)，wread任務(wù)解決了“RO”類寄存器的通路檢查問題。

圖4 Lite_adaptor類構(gòu)成Fig.4 Composition of Lite_adaptor

Lite_field類中new函數(shù)和configure函數(shù)為virtual函數(shù)，其余函數(shù)封裝在類內(nèi)。被封裝的函數(shù)分別負(fù)責(zé)寄存器field的mirror值和desire值的維護(hù)、為通路驗(yàn)證提供底層支持、前/后門讀寫訪問等。force_wr函數(shù)和release_wr函數(shù)解決了“WO”類寄存器的通路檢查問題。

1.3 內(nèi)建測(cè)試用例

Lite寄存器模型內(nèi)建寄存器后門訪問路徑檢查、寄存器復(fù)位值檢查和寄存器讀寫功能檢查3個(gè)測(cè)試用例。內(nèi)建測(cè)試用例使用foreach遍歷Lite_regmodel中的寄存器池進(jìn)行寄存器復(fù)位值檢查和后門訪問路徑檢查，根據(jù)讀寫屬性采用不同的方式進(jìn)行寄存器讀寫功能檢查。

圖5 Lite_field類構(gòu)成Fig.5 Composition of Lite_field

寄存器讀寫功能檢查測(cè)試用例對(duì)每個(gè)寄存器進(jìn)行兩種模式的檢查：前門寫+后門讀檢查、后門寫+前門讀檢查。前門寫+后門讀檢查將寄存器模型中的映射值按位取反后從前門寫入DUT，同時(shí)更新寄存器模型中的期望值。隨后通過后門讀配合模型中的期望值，檢查前門寫訪問是否正確。后門寫+前門讀檢查采用相反的操作，檢查前門讀訪問是否正確。

UVM源碼庫(kù)內(nèi)建的寄存器讀寫功能檢查測(cè)試用例不對(duì)寄存器模型中具有“RO”屬性和“WO”屬性的寄存器進(jìn)行讀寫功能檢查：“RO”屬性寄存器值的變化僅由設(shè)計(jì)內(nèi)部邏輯決定，驗(yàn)證環(huán)境對(duì)其不可預(yù)期；“WO”屬性寄存器在進(jìn)行前門寫后，寫入的值可能在很短的時(shí)間被設(shè)計(jì)內(nèi)部邏輯清除，后門讀操作的時(shí)機(jī)無(wú)法控制，但是在子系統(tǒng)級(jí)、系統(tǒng)級(jí)對(duì)這兩類寄存器進(jìn)行讀寫通路驗(yàn)證同樣很有必要。

為解決這兩個(gè)難題，Lite寄存器模型內(nèi)建讀寫功能測(cè)試用例，處理“RO”屬性寄存器時(shí)，調(diào)用Lite寄存器模型的fwrite函數(shù)，采用force操作完成后門寫，前門讀訪問完成后再release；處理“WO”屬性寄存器時(shí)，調(diào)用Lite寄存器模型的wread方法，在前門寫訪問完成后逐拍進(jìn)行后門讀訪問，直到讀出期望的值。在寄存器模型中設(shè)置寄存器訪問最大延遲周期，當(dāng)后門訪問持續(xù)拍數(shù)大于該最大周期數(shù)后報(bào)訪問超時(shí)錯(cuò)。

2 自動(dòng)生成腳本

芯片中的寄存器數(shù)量龐大，通過手工編碼實(shí)現(xiàn)對(duì)所有寄存器的建模耗時(shí)長(zhǎng)且容易出錯(cuò)。Lite寄存器模型自動(dòng)生成工具，可以極大地減少編碼的工作量且避免人為錯(cuò)誤的引入。

2.1 寄存器描述文檔

寄存器描述文檔作為《詳細(xì)設(shè)計(jì)文檔》的重要組成部分，在整個(gè)芯片研發(fā)周期中幾乎貫穿始終。

圖6給出工程實(shí)踐中寄存器描述文檔的規(guī)范格式，表頭包括項(xiàng)目名稱、寄存器所在模塊名、寄存器通路位寬、寄存器最大訪問周期數(shù)和文檔版信息。正文描述每個(gè)寄存器的詳細(xì)屬性。

表頭中的“protocal”決定 adaptor的實(shí)現(xiàn)，“hdl_path”與寄存器中每個(gè)field的hdl_path拼接構(gòu)成寄存器的后門訪問路徑。每個(gè)寄存器中各field可能擁有不同的讀寫屬性，前門訪問使用寄存器地址，將同一個(gè)寄存器內(nèi)各fields作為整體進(jìn)行讀寫，后門訪問以field為單位調(diào)用DPI接口實(shí)現(xiàn)。

2.2 寄存器模型生成腳本

本文使用Python語(yǔ)言［14］編寫寄存器模型生成腳本，從寄存器描述文檔中提取信息，對(duì)寄存器進(jìn)行分層建模。腳本采用模塊化開發(fā)方式，主要包括以下模塊：Excel信息掃描模塊、Fields生成模塊、Register生成模塊、Regmodel生成模塊。模塊化開發(fā)增加腳本的可擴(kuò)展性和可重用性，例如寄存器文檔格式變化后只需要修改Excel信息掃描模塊，其他模塊可完全重用。

圖6 寄存器描述文檔規(guī)范Fig.6 Register description document specification

不同寄存器建立的模型之間存在大量的“共性”，比如都包含new函數(shù)、configure函數(shù)、read/write task等；同時(shí)不同寄存器之間也存在著明顯的“差異”，如圖6中描述的地址、讀寫屬性、復(fù)位值、寄存器名等。因此，腳本使用gen_reg函數(shù)生成寄存器模型的“共性”部分，同時(shí)提取圖6中的“差異”信息生成“個(gè)性”部分，建立完整的寄存器模型。

最后，腳本根據(jù)寄存器文檔表頭信息生成寄存器模型的頂層文件，將已完成建模的所有寄存器逐一在頂層文件中例化。

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

首先選取工程實(shí)踐中具有代表意義的寄存器，使用硬件描 述 語(yǔ) 言 Verilog［15］做 寄 存 器 傳 輸 級(jí)（Register Transaction Level，RTL）編碼，作為實(shí)驗(yàn)的DUT。然后運(yùn)行寄存器模型生成工具對(duì)DUT中實(shí)現(xiàn)的寄存器進(jìn)行Lite寄存器模型建模。最后采用業(yè)界主流模擬仿真工具進(jìn)行仿真，評(píng)估寄存器模型的功能和性能。

3.1 自動(dòng)生成寄存器模型

執(zhí)行寄存器模型生成腳本，生成test_regmodel.sv文件，test_regmodel.sv中單個(gè)寄存器模型：

classclr extends lite_reg；

rand lite_field clr；

function void build（）；

clr=new（"clr"）；

clr.configure（32，0，"WO"，0，'h33333333，1，0，0）；

add_field（clr）；

endfunction

endclass

寄存器模型頂層模塊：

classtest_regmodel extendslite_regmodel；

function new（string name="test_regmodel"，virtual interface

apb_if avif）；

adaptor=new（"adaptor"，20）；

this.avif=avif；

endfunction

rand clr clr；

…

function void build（）；

adaptor.avif=avif；ctl=new（"ctl"）；

ctl.build（）；

ctl.configure（"top_tb.dut.rg_ctl"，'h00）；

ctl.adaptor.push_back（adaptor）；add_reg（ctl）；

…

endfunction

…

endclass

3.2 功能模擬

Lite寄存器模型設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)底層庫(kù)單元，支持前門訪問和后門訪問，寫訪問時(shí)更新寄存器模型的值，讀訪問時(shí)進(jìn)行返回值的正確性檢查。該模型兼容UVM模擬仿真環(huán)境和非UVM模擬仿真環(huán)境。

為驗(yàn)證Lite寄存器模型讀寫訪問功能是否正確，分別在非UVM模擬環(huán)境頂層top_tb的Initial塊和UVM模擬環(huán)境的sequence中添加基于Lite寄存器模型的內(nèi)建測(cè)試激勵(lì)和自建測(cè)試激勵(lì)，模擬實(shí)際工程項(xiàng)目驗(yàn)證項(xiàng)對(duì)DUT進(jìn)行寄存器驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)中分別使用Lite寄存器模型的前門/后門訪問方式結(jié)合READ、WRITE、FWRITE和WREAD操作方法，對(duì)DUT中寄存器進(jìn)行訪問。內(nèi)建測(cè)試激勵(lì)包括寄存器后門路徑檢查、寄存器復(fù)位值檢查和寄存器讀寫功能檢查，內(nèi)建測(cè)試用例；自建測(cè)試激勵(lì)覆蓋Lite寄存器模型的所有寄存器訪問方式。仿真結(jié)果如圖7、8所示。

圖7 仿真運(yùn)行波形Fig.7 Waveformof simulation

圖8 仿真運(yùn)行終端打印結(jié)果Fig.8 Output result of simulation terminal

//create regmodel

regmodel=new（"regmodel"，apb_if）；

regmodel.build（）；

//createreset valuecheck testcase

reset_check=new（"reset_check"）；

reset_check.rgm=regmodel；

reset_check.start_test（）；

//create hdl path check testcase

hdl_check=new（"hdl_check"）；

hdl_check.rgm=regmodel；

hdl_check.start_test（）；

//createaccesscheck testcase

access_check=new（"access_check"）；

access_check.rgm=regmodel；

access_check.start_test（）；

為驗(yàn)證Lite寄存器模型對(duì)錯(cuò)誤的檢測(cè)功能是否正常，在自建測(cè)試激勵(lì)中通過force操作注入錯(cuò)誤。仿真過程中該模型準(zhǔn)確檢查出注入的錯(cuò)誤并打印錯(cuò)誤報(bào)告。

自建測(cè)試用例：

//add testcase

regmodel.ctl.read（FRONTDOOR，value）；

regmodel.status.read（FRONTDOOR，value）；

regmodel.clr.read（FRONTDOOR，value）；

regmodel.ctl.write（FRONTDOOR，'h7ffffff5）；

regmodel.status.write（FRONTDOOR，'hffff0000）；

regmodel.clr.write（FRONTDOOR，'hcccccccc）；

regmodel.clr.wread（'hcccccccc）；

//inject error force dut.rg_ctl.lock=1'b1；

regmodel.ctl.read（BACKDOOR，value）；

regmodel.status.read（BACKDOOR，value）；

regmodel.clr.read（BACKDOOR，value）；

releasedut.rg_ctl.lock；

@（posedgeclk）；

regmodel.ctl.write（BACKDOOR，'h7ffffff5）；

regmodel.status.write（BACKDOOR，'hffff0000）；

regmodel.clr.write（FRONTDOOR，'h33333333）；

regmodel.status.fwrite（'h55555555）；

regmodel.ctl.read（FRONTDOOR，value）；

regmodel.status.read（FRONTDOOR，value）；

regmodel.clr.read（FRONTDOOR，value）；

仿真結(jié)果證明，Lite寄存器模型通過前門/后門對(duì)寄存器發(fā)起READ、WRITE、FWRITE和WREAD操作，能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)正確性比對(duì)，實(shí)現(xiàn)預(yù)期功能；Lite寄存器模型的內(nèi)建測(cè)試用例能夠?qū)Πā癛O”屬性和“WO”屬性等特殊寄存器在內(nèi)的所有寄存器進(jìn)行寄存器通路驗(yàn)證，解決了UVM寄存器模型在此方面的問題。

3.3 性能分析

為分析Lite寄存器模型仿真時(shí)對(duì)內(nèi)存的消耗，實(shí)驗(yàn)中分別使用Lite寄存器模型和UVM寄存器模型對(duì)同一個(gè)DUT做寄存器建模，如圖9所示。在仿真過程中加入-memxprof選項(xiàng)（仿真工具中收集仿真性能的選項(xiàng)）收集內(nèi)存消耗，得到結(jié)果如圖9所示。

圖9 模型內(nèi)存消耗分析報(bào)告Fig.9 Analysisreport of model memory consumption

通過分析報(bào)告可知，得益于精簡(jiǎn)的底層庫(kù)實(shí)現(xiàn)及配置化處理，Lite寄存器模型的運(yùn)行時(shí)內(nèi)存消耗是UVM寄存器模型運(yùn)行時(shí)內(nèi)存消耗的21.65%，極大地減小了仿真所需的內(nèi)存資源消耗，在實(shí)際工程應(yīng)用，尤其在系統(tǒng)級(jí)寄存器通路驗(yàn)證中意義較大。

4 結(jié)語(yǔ)

本文針對(duì)實(shí)際工程應(yīng)用中UVM寄存器模型的不足，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)Lite寄存器模型，并配套開發(fā)內(nèi)建測(cè)試激勵(lì)和Lite寄存器模型自動(dòng)生成工具。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，Lite寄存器模型能夠替代UVM寄存器模型完成寄存器驗(yàn)證，且對(duì)運(yùn)行時(shí)內(nèi)存的消耗更?。煌瑫r(shí)，可兼容UVM和非UVM的模擬驗(yàn)證環(huán)境，配合自動(dòng)生成工具和內(nèi)建測(cè)試用例形成完整的集成電路寄存器驗(yàn)證方案，在實(shí)際工程項(xiàng)目中發(fā)揮重要作用。