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    基于液晶的太赫茲波前調(diào)控器件研究進(jìn)展

    2020-07-21 08:38:26申彥春王金蘭王巧蓮沈志雄
    液晶與顯示 2020年7期
    關(guān)鍵詞:超構(gòu)波片偏振

    申彥春,王金蘭,王巧蓮,沈志雄,胡 偉

    (1. 廣州鐵路職業(yè)技術(shù)學(xué)院 信息工程學(xué)院,廣東 廣州 510430;2. 南京大學(xué) 現(xiàn)代工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院,江蘇 南京 210093)

    1 引 言

    太赫茲(Terahertz, THz)波是指振蕩頻率為0.1~10 THz (對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)范圍0.03~3 mm)的電磁波。其在電磁波譜中的位置介于微波與紅外波之間,是電子學(xué)(Electronics)與光子學(xué)(Photonics)的過渡區(qū)域,該區(qū)域是人類了解與開發(fā)最少的波段,存在與微波和光波不同的特性,蘊(yùn)含著豐富的應(yīng)用前景[1-3]。THz波的光子能量很低,大約是X射線的百萬分之一,非常適合生物活體檢測(cè);THz波段覆蓋了蛋白質(zhì)等諸多分子的振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)頻率,構(gòu)成了對(duì)應(yīng)的“指紋”(Fingerprints)譜;由于THz波脈寬為亞皮秒量級(jí),具有較高的信噪比,廣泛用于飛秒時(shí)間分辨的瞬態(tài)光譜研究與成像;THz波具有很高的時(shí)空相干性,便于從事材料的瞬態(tài)相干動(dòng)力學(xué)研究;THz波的高帶寬特性,適用于寬頻無線通信。基于上述特點(diǎn),THz技術(shù)在化學(xué)及生物成分標(biāo)記、無損檢測(cè)、無線通信等領(lǐng)域引起了廣泛的關(guān)注[4-9]。與可見光、紅外和微波等頻段相比,THz頻段的研究起步較晚且不夠廣泛深入,但近年來,THz波的產(chǎn)生和探測(cè)技術(shù)不斷成熟,THz輻射源[10-12]、信號(hào)探測(cè)器[13-15]等器件的研究取得了顯著發(fā)展。然而THz波傳輸過程中的控制與調(diào)制技術(shù)仍處于起步階段,制約了THz系統(tǒng)的應(yīng)用。傳統(tǒng)的THz光學(xué)元件,如THz波片、偏振轉(zhuǎn)換器等[16-18],帶寬窄、體積大、不易集成且制作復(fù)雜、價(jià)格昂貴、可調(diào)諧性差,因此,探索小型化、易加工、低損耗、可調(diào)諧的新型THz波前調(diào)控元件,實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波束高效、動(dòng)態(tài)的調(diào)控將是THz光學(xué)元件的未來發(fā)展方向。

    液晶(Liquid crystals)是一種可調(diào)的光電各向異性功能材料[19],可以通過電場(chǎng)或磁場(chǎng)在可見光波段到微波波段的范圍內(nèi)進(jìn)行連續(xù)調(diào)節(jié),利用液晶獨(dú)特電磁調(diào)諧性制備的液晶THz器件具有工藝簡(jiǎn)單、成本低、體積小、質(zhì)量輕的特點(diǎn),將對(duì)THz技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響[20-23]。不過,在THz波段應(yīng)用液晶材料制備可調(diào)諧元件也面臨一些新的挑戰(zhàn)。一方面,在THz頻段主要應(yīng)用的是向列相液晶材料,膽甾相液晶的應(yīng)用也有少量文獻(xiàn)報(bào)道,例如利用其螺距的溫度敏感特性應(yīng)用到THz波的可視化中[24]。向列相液晶的介電和光電各向異性相較于可見光波段顯著降低,同時(shí)吸收損耗增大,THz波段所需的大液晶盒厚會(huì)帶來取向、加電困難等問題。另一方面,在可見光及近紅外波段最常用的玻璃基板和ITO導(dǎo)電膜分別表現(xiàn)出較強(qiáng)的吸收和反射特性,因此需要重新尋找替代材料。為了解決上述問題,世界范圍內(nèi)的科研人員進(jìn)行了廣泛深入的探索,取得了技術(shù)突破。本文綜述了當(dāng)前基于液晶的THz波前調(diào)控器件的最新研究進(jìn)展,并對(duì)其發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了簡(jiǎn)要討論。

    2 純液晶型THz相位調(diào)制器件

    早期THz液晶元件實(shí)現(xiàn)調(diào)制的方法是利用外加磁場(chǎng)改變液晶的指向矢分布[25-31]。潘犀靈教授研究組設(shè)計(jì)了可調(diào)的液晶THz相移器和濾波器,該設(shè)計(jì)利用磁場(chǎng)調(diào)節(jié)液晶介質(zhì)的折射率來實(shí)現(xiàn)[25]。Chen等[26]提出了一種相位調(diào)控方法,該方法利用磁場(chǎng)為30 mm厚的液晶盒配向以實(shí)現(xiàn)相位調(diào)控。2016年,Yang等[30]提出了一種用弱磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)隨機(jī)取向液晶的相位調(diào)制方法,該方法能夠?qū)崿F(xiàn)較大的調(diào)制深度。由于大盒厚導(dǎo)致響應(yīng)速度慢、驅(qū)動(dòng)電壓高、調(diào)制效率低等問題,需要利用磁場(chǎng)調(diào)節(jié)液晶介質(zhì)的折射率,但該方法設(shè)計(jì)制備復(fù)雜,不利于元器件的小型化和集成化。隨著THz波段高透過率、高電導(dǎo)率的透明電極材料的開發(fā)(例如ITO納米晶須、少層石墨烯和PEDOT∶PSS等[32-38]),科研人員采用多片疊層或?qū)⒔饘贄l夾在液晶盒上下兩層基板之間的方法,在基板間橫向加場(chǎng),進(jìn)行電場(chǎng)調(diào)控[39]。由于液晶的折射率除受電場(chǎng)、磁場(chǎng)調(diào)制外還可以通過溫度來調(diào)制,因此也有一些THz液晶元件采用的是溫控調(diào)節(jié)[40-41]。液晶THz元件主要分為兩大類,一類是直接利用液晶本身對(duì)THz波進(jìn)行調(diào)制,例如相移器、波片等;另一類是把液晶與超構(gòu)表面進(jìn)行集成,對(duì)其包覆的超構(gòu)表面的電磁響應(yīng)進(jìn)行調(diào)制,例如超構(gòu)表面濾波器、吸收器、光場(chǎng)調(diào)制器等。

    2.1 可調(diào)相移器、波片

    THz液晶相移器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是將液晶灌入均一取向的液晶盒內(nèi),通過外加電場(chǎng)或磁場(chǎng)調(diào)諧,使內(nèi)部均一取向的液晶分子在加場(chǎng)前后的指向矢發(fā)生變化,從而得到兩種不同的液晶折射率(ne和no)。當(dāng)THz波線偏振入射時(shí),產(chǎn)生相位的變化。若要獲得盡量大的相移,則需要液晶的雙折射率及液晶層的厚度盡可能大?,F(xiàn)有的相移器受結(jié)構(gòu)厚度和液晶材料的限制,所實(shí)現(xiàn)的相位調(diào)控范圍不能覆蓋整個(gè)0~2π區(qū)間,同時(shí)由于大盒厚的影響,THz透過效率以及加場(chǎng)后液晶的響應(yīng)速度均變小。受器件集成度和成本限制,科研人員逐漸摒棄了磁場(chǎng)調(diào)控方式而采用電場(chǎng)調(diào)控方式。下面分別介紹幾種THz液晶相移器。

    Lin等[42]利用亞波長(zhǎng)金屬線柵作為THz透明電極實(shí)現(xiàn)了一種自偏振的電調(diào)液晶相移器,在0.2~2 THz具有較高的偏振選擇透過率,該元件結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在制備有金屬線柵的上下石英基板間旋涂一層PI取向?qū)?,摩擦方向與線柵方向垂直,基板間填充256 μm厚的E7液晶,得到THz液晶元件,該元件具有較小的閥值電壓(小于20 V)和飽和電壓(約為130 V),在1.88 THz處能夠?qū)崿F(xiàn)最大π/3的相移(圖1(b)),在集成化的寬帶可調(diào)THz元件中具有廣泛的應(yīng)用前景。Altmann等[43]同樣是在石英基板上制作金屬線柵作為電極,利用聚合物穩(wěn)定液晶(PSLC)實(shí)現(xiàn)電調(diào)控相移器,該元件響應(yīng)迅速,且聚合物網(wǎng)絡(luò)能夠誘導(dǎo)液晶的取向方向,元件無須取向?qū)?。Yang等[44]利用ITO納米晶須作為THz波段透明電極研發(fā)了一種THz相移器,結(jié)構(gòu)如圖2(a)所示。該元件利用電子束掠射角沉積技術(shù)在基板表面傾斜地生長(zhǎng)ITO納米晶須,使其可以同時(shí)作為THz波段透明電極和液晶取向?qū)?,該元件能夠?17 μm的大盒厚下實(shí)現(xiàn)液晶層的良好取向,而且在0~2.5 THz的寬頻率范圍內(nèi)透過率能夠達(dá)到82%。該元件在1 THz處的相位延遲量超過π/2,透過率達(dá)到78%,驅(qū)動(dòng)電壓低至5.66 V,且制作工藝與CMOS工藝相兼容。有機(jī)物PEDOT∶PSS具有良好的導(dǎo)電性且制備工藝簡(jiǎn)單,在有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛[45]。Du等[37]采用該材料作為THz波段透明電極,設(shè)計(jì)了一種新型相移器,該元件在6.7 V的電壓驅(qū)動(dòng)下,在1.17 THz處的相移最大值超過2/3π。

    圖1 (a)一種自偏振液晶相移器結(jié)構(gòu)示意圖;(b)產(chǎn)生的THz相移與施加電壓的關(guān)系。Fig.1 (a) Schematic illustration of aself-polarized LC phase shifter; (b) Dependency of THz phase shift on the applied voltage.

    圖2 (a)采用ITO納米晶須作為電極和取向?qū)拥南嘁破鹘Y(jié)構(gòu)示意圖;(b)產(chǎn)生的THz相移在不同施加電壓下隨頻率的變化關(guān)系。Fig.2 (a) Schematic illustration of a phase shifter with ITO nanowhiskers as the electrodes and alignment layers; (b) Dependency of THz phase shift on frequency with various applied voltages.

    液晶波片的作用是改變?nèi)肷洳ǖ钠駪B(tài)。原理為:將入射THz波線偏振方向與液晶分子的長(zhǎng)軸方向呈45°夾角,通過改變電壓大小可實(shí)現(xiàn)不同偏振態(tài)的出射。在未加電時(shí),沿著長(zhǎng)軸方向和垂直于長(zhǎng)軸方向的偏振分量感受到不同的折射率從而產(chǎn)生相位差,導(dǎo)致出射時(shí)偏振態(tài)發(fā)生變化。加電可以調(diào)節(jié)液晶指向矢方向,進(jìn)而調(diào)節(jié)相位差。在飽和電壓下,液晶分子垂直于上下基板排列,相位差減為0。

    當(dāng)前見著報(bào)道的波片結(jié)構(gòu)有兩種,分別是透射式結(jié)構(gòu)和反射式結(jié)構(gòu)。其中,透射式結(jié)構(gòu)是指依靠液晶的雙折射Δn產(chǎn)生正交偏振分量的相位差。Wang等[46]把金屬線柵和石墨烯電極相結(jié)合,設(shè)計(jì)制備了寬帶可調(diào)THz波片,結(jié)構(gòu)如圖3(a)所示:上下兩層石英基板中間是250 μm的大雙折射液晶材料NJU-LDn-4[47],該材料在1 THz附近雙折射率達(dá)到0.3。其中,上基板內(nèi)表面覆蓋亞波長(zhǎng)金屬線柵,線柵周期20 μm,金屬線寬10 μm,可同時(shí)作為透明電極和偏振片,偏振透射效果如圖3(b)所示。金屬線柵上涂覆一種光敏偶氮取向材料SD1[48-49],取向方向和線柵方向呈45°以實(shí)現(xiàn)波片功能。下基板采用石墨烯作為透明電極,經(jīng)過紫外臭氧處理之后,產(chǎn)生的多孔石墨烯在THz波段的透過率高達(dá)97%。然后在石墨烯層上旋涂SD1材料實(shí)現(xiàn)均勻液晶取向。在金屬線柵和石墨烯上加電能使液晶盒的相位延遲量發(fā)生變化,從而改變?nèi)肷涔獾钠駪B(tài)(圖3(d))。該元件單盒結(jié)構(gòu)在1 THz處相位調(diào)制量達(dá)到π/2,為了增大調(diào)制量,采用了雙層疊盒結(jié)構(gòu)(圖3(c)),疊盒后在1 THz處相位調(diào)制量達(dá)到π。該元件能夠?qū)崿F(xiàn)偏振態(tài)的連續(xù)調(diào)制,且控制電壓小于50 V。Sasaki等[50]提出了一種將石墨烯作為驅(qū)動(dòng)對(duì)液晶進(jìn)行取向的方法,該方法能夠延遲偏振THz波的相位。2018年,Ji等[51]提出了一種寬帶可調(diào)THz波片,該波片采用石墨烯光柵驅(qū)動(dòng)液晶進(jìn)行取向。由于傳播相位的波長(zhǎng)相關(guān)性,色差是液晶THz調(diào)波器件不可避免的問題。Yang等[52]通過人為提供相位補(bǔ)償,在相對(duì)較寬的頻域范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了相同的相位調(diào)制量。如圖4(a)所示,該波片由3個(gè)液晶盒構(gòu)成,每個(gè)盒由兩片石英基片中間夾一層均勻取向的液晶,每個(gè)盒之間有一定的取向夾角。該元件通過電調(diào)實(shí)現(xiàn)在0.2~0.8 THz處相位調(diào)制量達(dá)到π/2,實(shí)現(xiàn)寬頻1/4波片的功能(圖4(b))。2017年,Wang等[53]提出了一種反射式可調(diào)THz波片,如圖5(a)所示。偏振方向垂直于光柵方向的THz波透過金屬線柵進(jìn)入液晶層后被反射,偏振方向平行于光柵方向的THz波到達(dá)金屬線柵再返回,兩束光由于經(jīng)過的路徑不同,因而存在一定的光程差。由于液晶THz器件可以利用電場(chǎng)進(jìn)行調(diào)節(jié),可在一定的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)半波片功能。2016年,Zografopoulos等[54]也提出了一種基于金屬-液晶-金屬結(jié)構(gòu)的反射式THz液晶波片,并得出在相同相位差的前提下,反射式波片所需液晶層厚度遠(yuǎn)小于透射式波片。在相同液晶層厚度前提下,反射式波片的相位差動(dòng)態(tài)可調(diào)范圍是透射式波片的兩倍。通過改變?nèi)肷浣?,可以?shí)現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)換和波束掃描功能。但在實(shí)際應(yīng)用中,受限于THz光路系統(tǒng),透射模式比反射模式的應(yīng)用更廣泛。

    圖3 (a)透射式液晶THz波片結(jié)構(gòu)示意圖;(b)金屬線柵的對(duì)TE波和TM波的偏振選擇特性;(c)雙層疊盒結(jié)構(gòu);(d)在2.1 THz頻率處出射偏振態(tài)隨著施加電壓的變化關(guān)系。Fig.3 (a) Schematic of a LC THz waveplate working on the transmission mode; (b) Polarization selected transmission of metallic gratings with TE and TM incidences; (c) Stacking cell structure; (d) Polarization evolution at 2.1 THz with various applied voltages.

    圖5 (a)一種反射式波片結(jié)構(gòu)示意圖;(b)產(chǎn)生的THz相移在不同施加電壓下隨頻率的變化關(guān)系。Fig.5 (a) Schematic of a waveplate working on the reflection mode; (b) Dependency of THz phase shift on frequency with various applied voltages.

    2.2 液晶幾何相位調(diào)制器

    上述液晶THz器件實(shí)現(xiàn)了對(duì)波前均一調(diào)制的功能,但結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,功能單一。近年來,隨著圖案化光取向技術(shù)的發(fā)展,幾何相位的概念被引入到液晶體系中[55-59]。與傳播相位利用光程產(chǎn)生相位差不同,幾何相位是由偏振在空間兩點(diǎn)間變化導(dǎo)致路徑不同而引入的,只與各向異性材料在空間的旋轉(zhuǎn)方向有關(guān)[60]。胡偉、陸延青研究組利用一種具有偏振敏感特性并且可以重復(fù)光擦寫的偶氮苯類光取向材料SD1,結(jié)合自行設(shè)計(jì)制造的數(shù)字微鏡陣列(DMD)動(dòng)態(tài)掩模紫外曝光系統(tǒng)[61],可用于液晶的任意不均勻取向[62]?;诖耍诳梢姽獠ǘ伍_發(fā)了大量液晶光場(chǎng)調(diào)控器件[63-67],可用于渦旋光和艾里光等多種特殊光場(chǎng)的操控,在光學(xué)系統(tǒng)以及微納加工等眾多領(lǐng)域都有應(yīng)用。可見光波段的光場(chǎng)調(diào)控元件,同樣可以應(yīng)用到THz波段,為THz的動(dòng)態(tài)高效調(diào)控提供參考。

    圖6所示為動(dòng)態(tài)掩模紫外曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。簡(jiǎn)單來說,汞燈光源發(fā)出的紫外光經(jīng)過準(zhǔn)直系統(tǒng)以及反射鏡照在DMD上,DMD中每個(gè)微鏡都可以通過微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)獨(dú)立控制開關(guān),因此可以反射帶有設(shè)計(jì)圖案的紫外光。在通過電動(dòng)旋轉(zhuǎn)的偏振片并通過物鏡聚焦后,光束被投射到空液晶盒上。CCD用來檢查聚焦過程中有沒有出現(xiàn)離焦情況。DMD的輸出圖形隨著偏振片的旋轉(zhuǎn)同步變化,便可實(shí)現(xiàn)任意取向的圖案化液晶結(jié)構(gòu)。光控取向膜SD1的厚度極薄,僅為50 nm左右,對(duì)THz波無明顯吸收。

    圖6 DMD曝光系統(tǒng)示意圖Fig. 6 Schematic of DMD lithography system

    2017年,Ge等[68]研發(fā)了一種液晶THz渦旋波片,可以產(chǎn)生任意拓?fù)浜傻腡Hz渦旋光束(圖7)。若是利用THz透明電極調(diào)控液晶的指向矢,能夠?qū)崿F(xiàn)滿足不同波長(zhǎng)半波條件的渦旋光束輸出,在THz模式復(fù)用通信、傳感和成像等領(lǐng)域具有顯著的應(yīng)用價(jià)值[69-70]。在此基礎(chǔ)上,Ge等[71]把能產(chǎn)生渦旋光束的q波片和具有偏振選擇性衍射特性的偏振光柵集成起來,制備了一種液晶THz偏振叉形光柵,為不同圓偏振態(tài)和拓?fù)浜说腡Hz渦旋的產(chǎn)生和分離提供了一種簡(jiǎn)單實(shí)用的方法。2019年,Shen等[72]通過設(shè)計(jì)棋盤格形式的共軛透鏡相位實(shí)現(xiàn)了對(duì)入射左右旋圓偏振THz波的自旋選擇匯聚效果,該特性在0.6~1.2 THz的寬帶范圍內(nèi)得到很好的驗(yàn)證。與超構(gòu)表面實(shí)現(xiàn)寬帶聚焦透鏡[73]相比,液晶透鏡具有動(dòng)態(tài)可調(diào)諧、加工成本相對(duì)較低的優(yōu)勢(shì)。不過,液晶器件因幾何相位自身左右旋圓偏振的共軛特性無法實(shí)現(xiàn)左右旋的偏振復(fù)用,并且不能實(shí)現(xiàn)亞波長(zhǎng)的近場(chǎng)聚焦,而超構(gòu)表面因其諧振單元亞波長(zhǎng)的特性,結(jié)合自身的共振相位,可以實(shí)現(xiàn)比幾何相位液晶器件更多樣的功能。上述液晶THz元件因?yàn)樯舷禄宓拇嬖?,通常整體厚度較大,不利于THz器件和系統(tǒng)的集成化、小型化。2020年,Shen等[74]又提出了一種基于自支撐液晶聚合物(LCP)膜的THz平面光子學(xué)器件。如圖8(a)所示,在一層LCP柔性薄膜上集成了多個(gè)光場(chǎng)調(diào)控單元。這類元件通過對(duì)液晶聚合物的晶軸方向進(jìn)行預(yù)編程,來實(shí)現(xiàn)對(duì)波前的幾何相位調(diào)制。該研究適用于多種THz光子元件,例如波片、光束偏折器、透鏡、貝塞爾以及渦旋光產(chǎn)生器,能夠滿足THz無線通信的基本功能,包括偏振控制、波束掃描、波束賦形和轉(zhuǎn)道角動(dòng)量(OAM)模式復(fù)用。進(jìn)一步地,如圖8(c)所示,液晶聚合物薄膜自身的柔性賦予這類元件形變引起的可調(diào)諧性。

    圖7 (a)拓?fù)浜煞謩e為1和4的THz渦旋波片的偏光顯微鏡照片,比例尺為1 mm;(b)上下拓?fù)浜煞謩e為1和4的渦旋波片的強(qiáng)度和相位分布圖。Fig.7 (a) Polarized microscope photo of a THz vortex waveplate with topological charges of 1 and 4, respectively, scale bar: 1 mm; (b) Top and bottom are the intensity and phase distributions of the vortex waveplates with topological charges of 1 and 4, respectively.

    圖8 (a)結(jié)構(gòu)取向的液晶聚合物柔性膜對(duì)太赫茲波前調(diào)控示意圖;(b)柔性膜的組成成分:液晶聚合物單體RM257和光引發(fā)劑二苯甲酮;(c)薄膜彎折下透鏡焦距的動(dòng)態(tài)改變。Fig.8 (a) Schematic of the photopatterned LCP flexible film for versatile THz wavefront modulations; (b) Composition of the flexible film: LCP monomer RM257 and photoinitiator diphenyl ketone; (c) Tunability of the focal length under film bending change.

    3 集成液晶和超構(gòu)表面的THz波前調(diào)控器件

    相比于可見光或紅外波段的液晶調(diào)制器來說,THz波段波長(zhǎng)更長(zhǎng)。要想在THz頻段實(shí)現(xiàn)同樣的相位調(diào)制量,所需液晶盒厚度更大,通常在數(shù)百微米量級(jí),這將使液晶取向的難度增加,器件響應(yīng)速度變慢[75]。由于液晶折射率可以通過外場(chǎng)調(diào)控,如果將液晶作為超構(gòu)材料的環(huán)境介質(zhì),即可通過外場(chǎng)調(diào)控改變超構(gòu)材料結(jié)構(gòu)的環(huán)境折射率,從而調(diào)控超構(gòu)材料的電磁特性,也規(guī)避了純液晶器件的諸多弊端,設(shè)計(jì)出功能多樣化的液晶THz元件。

    超構(gòu)材料是一種人工電磁介質(zhì),通過人為設(shè)計(jì)單元結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)自然材料所不具備的獨(dú)特性能,如人造磁性、負(fù)指數(shù)材料、電磁隱身等[76-80]。超構(gòu)表面是超構(gòu)材料的二維形式,設(shè)計(jì)與加工更加便捷,現(xiàn)已催生出一大批先進(jìn)的光學(xué)功能器件,例如電磁隱身斗篷、偏振復(fù)用全息、完美吸收器等[81-83]。對(duì)于THz波段,自然環(huán)境中比較少有可以直接用于調(diào)控的天然材料,并且THz波段金屬材料損耗比可見光或近紅外波段更小,可以用成熟的光刻工藝對(duì)這一頻段的超構(gòu)表面進(jìn)行加工,因此超構(gòu)表面器件在這一波段具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),為THz超構(gòu)器件的廣泛應(yīng)用提供了可能。目前為止,雖然超構(gòu)表面已有很多神奇應(yīng)用,但仍存在工作帶寬窄、波前調(diào)制效率低等問題,而且超構(gòu)表面一經(jīng)制備,結(jié)構(gòu)即固定,功能也隨之固定,無法進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)控。因此,通過超構(gòu)表面和功能材料,例如半導(dǎo)體、MEMS、石墨烯、液晶等的結(jié)合,尋求高效、可調(diào)諧的超構(gòu)器件成為該領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)[84-94]。相較于其他功能材料而言,液晶超構(gòu)器件最主要的優(yōu)勢(shì)在于加工工藝的成熟和較低的成本。因?yàn)橐壕∠蚣夹g(shù)在顯示領(lǐng)域已經(jīng)非常成熟,結(jié)合硅基液晶(LCoS)技術(shù)可以制備大面積液晶超構(gòu)器件,從而避免了一系列復(fù)雜的微納加工工藝。在器件表現(xiàn)方面,通常半導(dǎo)體器件的響應(yīng)速度會(huì)快于向列相液晶器件,通過引入一些特殊的液晶材料,如鐵電液晶、雙頻液晶和藍(lán)相液晶等,液晶THz器件的響應(yīng)速度能得到極大的提升。

    2013年,Padilla等[95]提出了一種工作在THz波段的可調(diào)諧超構(gòu)吸收器,如圖9(a)所示。該成果采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),上層為可以與空間光電場(chǎng)進(jìn)行耦合的金屬結(jié)構(gòu)陣列,下層為金屬背板,中間層為介質(zhì),上下雙層金屬結(jié)構(gòu)可以構(gòu)成一個(gè)使光的磁場(chǎng)分量也發(fā)生耦合的機(jī)制。通過調(diào)控上層金屬結(jié)構(gòu)陣列單元的結(jié)構(gòu)參數(shù)與介質(zhì)層的材料和厚度,即可調(diào)控超構(gòu)材料吸收器自身的等效介電常數(shù)和等效磁導(dǎo)率。在所需頻率處和外界環(huán)境的阻抗匹配時(shí),能實(shí)現(xiàn)很強(qiáng)的吸收效應(yīng)。結(jié)構(gòu)中的液晶介質(zhì)層采用外加電場(chǎng)進(jìn)行調(diào)控,通過在上層金屬結(jié)構(gòu)和下層金屬板上加電以改變液晶的指向矢分布,實(shí)現(xiàn)從未加電時(shí)的無序排列變成加電狀態(tài)下沿著垂直于背板平面的電場(chǎng)方向有序排列,從而改變?nèi)肷銽Hz電磁波感受到的介質(zhì)層折射率,達(dá)到調(diào)制諧振頻率大小的目的。實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),該吸收器元件加電后在2.62 THz處吸收強(qiáng)度減少30%,共振吸收可調(diào)范圍為帶寬的4%,而吸收器的驅(qū)動(dòng)電壓僅為4 V。2017年,Yang等[96]實(shí)現(xiàn)了一種基于液晶的可調(diào)諧THz電磁誘導(dǎo)透明器件,調(diào)制深度達(dá)到18.3 dB。2017年,Wang等[97]利用少層石墨烯電極結(jié)合十字形超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)單元,實(shí)現(xiàn)了高性能寬帶可調(diào)諧吸收器,如圖10(a)所示。由于十字結(jié)構(gòu)長(zhǎng)寬參數(shù)的不同(圖10(b)),根據(jù)不同偏振方向入射可以工作在不同的THz頻率下(圖10(c)和10(d)),整個(gè)液晶層厚度僅為10 μm,響應(yīng)速度達(dá)毫秒量級(jí)。2018年,Wang等[98]設(shè)計(jì)了一種等離子體誘導(dǎo)透明的液晶可調(diào)諧雙帶吸收器。2018年,Shen等[99]進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了一種集成透射和反射兩種工作模式的可調(diào)超構(gòu)器件,通過改變?nèi)肷渚€偏振方向可以在兩種模式間自由切換。該器件結(jié)構(gòu)如圖11(a)和11(b)所示:上基板為金屬超構(gòu)表面,下基板為亞波長(zhǎng)金屬線柵叉指電極,中間為厚度僅為5 μm的均一取向液晶層。由于金屬線柵對(duì)入射線偏振THz波的偏振選擇性,即透過TM波而反射TE波,因此TM波入射時(shí)為透射模式,能夠?qū)崿F(xiàn)類電磁感應(yīng)透明效應(yīng)的動(dòng)態(tài)調(diào)諧。TE波入射時(shí)為反射模式,電磁波通過介質(zhì)層的介電損耗和金屬層的諧振損耗發(fā)生電磁吸收效應(yīng)。透射模式下紅移達(dá)到60 GHz,透明窗口處調(diào)制深度達(dá)到37%。反射模式下吸收峰吸收強(qiáng)度達(dá)到97%,加電時(shí)紅移達(dá)到50 GHz,吸收峰處調(diào)制深度達(dá)到81%。該器件在THz空間光調(diào)制器、傳感等領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用價(jià)值。2019年,Shen等[100]將具有不對(duì)稱開口環(huán)陣列的超構(gòu)表面與電調(diào)液晶波片相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了一種動(dòng)態(tài)法諾(Fano)共振電磁隱身器件。該器件的結(jié)構(gòu)如圖12(a)所示,下層是金屬超構(gòu)表面(圖12(b)),在x和y兩個(gè)偏振方向上具有巨大差異的透射譜線;上層為沿著與x方向呈45°均勻取向的250 μm厚的液晶層,在液晶層兩邊的石墨烯電極上施加電壓時(shí),液晶層能在1.75 THz實(shí)現(xiàn)電調(diào)半波片的功能。該器件能在加電條件下實(shí)現(xiàn)Fano共振的開與關(guān)(圖12(c)),并且調(diào)制深度在1.75 THz處可以達(dá)到100%(圖12(d))。這類器件尤其適用于對(duì)外場(chǎng)十分敏感的THz傳感領(lǐng)域,該技術(shù)有望用于實(shí)現(xiàn)對(duì)不同生物組織和細(xì)胞的檢測(cè)和區(qū)分。除了上述金屬型超構(gòu)表面與液晶集成,介質(zhì)超構(gòu)表面同樣也能和液晶集成實(shí)現(xiàn)各種功能[101-103],同時(shí)由于介質(zhì)超構(gòu)表面高效的特點(diǎn)[104-105],成為了當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。2018年,Zhou等[106]利用包含摻雜硅柱陣列的THz超構(gòu)表面與液晶集成,理論上實(shí)現(xiàn)了可調(diào)諧吸收器,在加電和撤電時(shí)吸收率發(fā)生明顯改變。以上工作均是液晶調(diào)控均一的超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)單元進(jìn)行THz頻譜的動(dòng)態(tài)調(diào)諧。事實(shí)上,若是通過合理設(shè)計(jì)將液晶的幾何相位和介質(zhì)超構(gòu)表面的共振相位結(jié)合起來,可以獲得更加多樣化的動(dòng)態(tài)功能,實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波前遠(yuǎn)場(chǎng)的操控,例如寬帶消色差THz透鏡、左右旋圓偏振復(fù)用器件等。

    圖9 (a)可調(diào)諧超構(gòu)吸收器的結(jié)構(gòu)示意圖以及液晶在加電和不加電狀態(tài)下的偏轉(zhuǎn)情況;(b)THz吸收頻率隨著施加電壓的變化而變化。Fig.9 (a) Schematic of the tunable metamaterial absorber and the orientation of LCs at bias ON and bias OFF states; (b) Change of the THz absorption frequency with the applied voltage.

    圖10 (a)石墨烯電極結(jié)合十字形超構(gòu)表面的可調(diào)諧超構(gòu)吸收器的結(jié)構(gòu)示意圖;(b)超構(gòu)表面的十字形陣列顯微照片;(c)在TE波和TM波入射下吸收頻率隨著施加電壓的變化關(guān)系;(d)在TE波和TM波入射下諧振峰頻率與施加電壓的關(guān)系。Fig.10 (a) Schematic of a tunable metamaterial absorber with graphene electrodes and a cross-shaped metasurface; (b) Micrograph of the cross-shaped array on the metasurface; (c) Dependency of the absorption frequency on applied voltage at TE and TM wave incidences; (d) Dependency of the resonant peak frequency on applied voltage at TE and TM wave incidences.

    圖11 (a)透射和反射兩種模式集成的液晶可調(diào)超構(gòu)器件結(jié)構(gòu)示意圖;(b)該器件的結(jié)構(gòu)分解圖;(c)上層超構(gòu)表面的顯微照片;(d)下層亞波長(zhǎng)金屬梳狀電極的顯微照片;(e)在透射模式下透射頻率譜線隨著電壓增大而紅移;(f)在反射模式下吸收頻率譜線隨著電壓增大而紅移。Fig.11 (a) Schematic of the LC integrated metadevice, which can operate in both transmission and reflection modes; (b) Structural decomposition diagram of the metadevice; (c) Micrograph of the metasurface on the upper layer; (d) Micrograph of the subwavelength metal comb electrode on the down layer;(e) In transmission mode, the transmission spectrum is red-shifted with increasing voltage; (f) In reflection mode, the absorption spectrum is red-shifted with increasing voltage.

    圖12 (a)法諾共振電磁隱身超構(gòu)器件的結(jié)構(gòu)分解圖;(b)超構(gòu)表面的偏光顯微鏡照片以及單一不對(duì)稱開口環(huán)結(jié)構(gòu)單元尺寸;(c)在施加不同電壓下透射譜的變化情況;(d)0 V和50 V電壓下不同頻率處的調(diào)制深度。Fig.12 (a) Structural decomposition diagram of the dynamic Fano cloaking metadevice; (b) Microscope of the metasurface and dimensions of a single asymmetric split ring unit; (c) Transmission spectrum under different voltages; (d) Modulation depth of the metadevice at different frequencies.

    4 總結(jié)與展望

    隨著THz技術(shù)及應(yīng)用的不斷發(fā)展,亟需高性能波前調(diào)控器件以滿足THz波段傳感、成像、通信等領(lǐng)域的需求。目前,純液晶THz調(diào)控器件主要用于相移器、波片以及各種幾何相位型光學(xué)元件以產(chǎn)生各種特種光場(chǎng)以及相位全息。由于超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)單元的均一分布,目前,液晶集成超構(gòu)器件的調(diào)制能力還處于功能單一的頻率調(diào)諧,對(duì)波前的多維度操控,包括強(qiáng)度、偏振和相位調(diào)控,是這類器件未來的發(fā)展方向。為了解決大盒厚帶來的響應(yīng)速度慢、驅(qū)動(dòng)電壓高、調(diào)制效率低等問題,通過將液晶作為環(huán)境介質(zhì)與超構(gòu)表面進(jìn)行集成,可以有效規(guī)避以上弊端,但也存在設(shè)計(jì)制備復(fù)雜,加工成本高的問題。傳統(tǒng)液晶THz器件有一定的調(diào)制量但響應(yīng)速度慢,現(xiàn)有的超材料液晶THz器件有一定的響應(yīng)速度但調(diào)制量非常有限。因此,通過深入研究THz頻段液晶的外場(chǎng)調(diào)控規(guī)律與表面相互作用等液晶動(dòng)力學(xué)和熱力學(xué)新問題,有望催生出各種新型的液晶THz器件并進(jìn)一步拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。

    未來,液晶THz器件會(huì)向著集成化、多功能化的方向不斷發(fā)展。主要有以下幾個(gè)探索方向:物質(zhì)與THz波作用的新物理機(jī)制的探索,現(xiàn)在的THz器件主要是由可見光或者微波波段器件向THz的延伸和遷移,THz本身的特殊性質(zhì)可能會(huì)有一些新機(jī)制的啟發(fā);適用于THz波段的新型液晶材料,尤其是具有大雙折射率、低吸收系數(shù)、低驅(qū)動(dòng)電壓的功能材料;適用于THz通信、成像等具體應(yīng)用的新型集成器件,例如模式復(fù)用器件、高效全息器件、大數(shù)值孔徑THz透鏡等,有望在前沿的THz應(yīng)用領(lǐng)域取得一些突破性進(jìn)展。

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