王 停,唐海林,趙宗佑,于躍寶
(1.中國人民解放軍93756部隊 特設(shè)教研室,天津 300131;2.河北工業(yè)大學(xué) 電子信息工程學(xué)院,天津 300401)
一種高增益大帶寬的增益自舉型折疊共源共柵放大器設(shè)計
王 停1,2,唐海林1,趙宗佑1,于躍寶1
(1.中國人民解放軍93756部隊 特設(shè)教研室,天津 300131;2.河北工業(yè)大學(xué) 電子信息工程學(xué)院,天津 300401)
提出了一種應(yīng)用于高速高精度流水線 ADC中的高增益大帶寬的增益自舉型全差分折疊共源共柵放大器.放大器采用0.18 m 1P6M CMOS工藝.通過仔細(xì)的設(shè)計運放的單位增益帶寬和極零點改善其閉環(huán)穩(wěn)定性.仿真結(jié)果表明:放大器的直流增益為93 dB,單位增益帶寬為1.8GHz,在輸出共模電壓范圍為0.6V~1.2V內(nèi),放大器的直流增益大于88 dB.整個芯片的版圖面積為96 m×120 m.
共源共柵;增益自舉;放大器;開關(guān)電容;共模反饋;流水線ADC
運算放大器是數(shù)?;旌闲盘柤呻娐分械氖株P(guān)鍵的模塊,尤其是在高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器中[1].運放的增益、帶寬、功耗、共模輸出范圍、失調(diào)電壓、轉(zhuǎn)換速率和穩(wěn)定性直接決定著轉(zhuǎn)換器的性能.運放的增益和帶寬決定了信號在流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Pipelined ADC)中能否精確傳遞,運放的靜態(tài)功耗決定了Pipelined ADC的整體功耗,其噪聲決定了Pipelined ADC的采樣電容,進(jìn)而決定了其轉(zhuǎn)換速度.隨著CMOS工藝的進(jìn)步,晶體管的特征尺寸不斷下降,MOS管的輸出阻抗逐漸減小[2],晶體管的本征增益也隨之逐漸降低.即使多級放大器也很難實現(xiàn)大于60 dB的直流增益,并且多級放大器的穩(wěn)定性比較差,帶寬很?。虼硕嗉壏糯笃鳠o法滿足高速高精度ADC對高增益大帶寬的放大器的要求.設(shè)計者提出了很多新技術(shù),例如增益自舉結(jié)構(gòu)、共源共柵結(jié)構(gòu).其中,套筒式共源共柵結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)很高的直流增益和大的閉環(huán)帶寬,但是其輸出擺幅很小[3].折疊共源共柵運算放大器需要消耗較大的功耗,但是其輸出擺幅和輸入共模范圍較大[4].因此在高速高精度Pipeline ADC中,通常采用帶有增益自舉結(jié)構(gòu)的折疊共源共柵放大器.
提出了一種采用雙輸入對的增益自舉型折疊共源共柵放大器.因為在運放共享結(jié)構(gòu)的Pipelined ADC中,運放通常在2個時鐘相位交替工作,沒有時間進(jìn)行復(fù)位.在后一級進(jìn)行閉環(huán)放大時,運放的輸入端會保留前一級閉環(huán)放大時輸入端殘留的電荷.這會嚴(yán)重惡化ADC的性能.采用雙輸入對結(jié)構(gòu)時,2個輸入對在2項非交疊時鐘的控制下交替工作,1個輸入對進(jìn)行閉環(huán)放大時,另一個輸入對進(jìn)行復(fù)位.而在下1個相位進(jìn)行放大時,就不會受到上一級閉環(huán)放大時殘余電荷的影響[5].此放大器分別采用開關(guān)電容和單管共模反饋來控制輸出共模電壓,不會引入額外的功耗.此運放中的2個輔助運放用來提高共源共柵管的跨導(dǎo).在不增加系統(tǒng)極零點的情況下實現(xiàn)了很大的增益和帶寬.
1.1 整體結(jié)構(gòu)
圖1是雙輸入對折疊增益增強(qiáng)型折疊共源共柵放大器原理圖.此放大器由3個放大器組成:主放大器、輔助放大器A1和A2.在不采用輔助放大器A1和A2時,主放大器的輸出阻抗為
當(dāng)采用輔助放大器時,其輸出阻抗為
1.2 輔助放大器的設(shè)計
輔助放大器分別采用NMOS和PMOS管差分輸入對.圖2和圖3分別為其電路結(jié)構(gòu).在設(shè)計輔助放大器時必須注意極零點對耦合現(xiàn)象,如果極零點對出現(xiàn)在閉環(huán)系統(tǒng)地 3 dB帶寬內(nèi),則會使系統(tǒng)的建立時間變長.在增益自舉結(jié)構(gòu)中,極零點對出現(xiàn)在輔助運放的單位增益頻率附近,提高極零點對的發(fā)生頻率可以避免它對建立時間的影響,但如果提高到主運放次級點附近時,會使運放出現(xiàn)不穩(wěn)定,因此輔助運放的設(shè)計必須滿足
圖1 雙輸入對折疊增益增強(qiáng)型折疊共源共柵放大器原理圖Fig.1 Theschematic dual-input folded cascodeGain-Boosted op-amp
圖2 輔助放大器A1Fig.2 Auxiliary amplifier A1
圖3 輔助放大器A2Fig.3 Auxiliary amplifier A2
由于此運放是用在開關(guān)電容電路中,放大器的建立過程一般分為線性建立和壓擺過程,運放的壓擺過程直接影響著系統(tǒng)的響應(yīng)速度和功耗.例如在Vin+和Vin-端輸入一個較大的階躍電壓,則M 11管截止,電流全部流入晶體管M 12,此時M 8的漏電流變小,而M 6的漏電流對其輸出端的負(fù)載電容充電,輸出電壓升高.同理Vout-端的負(fù)載電容放電,輸出電壓降低,運放工作在壓擺過程。當(dāng)輸入端的電壓降到一定程度后,M 11導(dǎo)通,放大器進(jìn)入線性放大過程。通常情況下要合理設(shè)置放大器的壓擺區(qū)和線性建立區(qū),使得響應(yīng)時間最短,通常將建立時間的1/3分配給壓擺區(qū),進(jìn)而計算出各支路所需的偏置電流.
1.3 共模反饋電路
共模反饋電路是保證放大器正常工作的基本電路之一.折疊共源共柵放大器的上端是電流源,下端是電流漏,它們的飽和電流稍有偏差,輸出端工作點電壓就以大幅度波動,使得飽和電流較大的管子進(jìn)入不飽和區(qū),放大器不能正常工作.共模反饋電路檢測輸出共模電壓并與設(shè)定值進(jìn)行比較,再通過放大器放大這個誤差電壓,然后調(diào)節(jié)電流源或者電流漏的偏置電壓,使得它們的飽和電流向著使輸出電壓接近參考電壓的方向變化.
共反饋電路有有源和無源之分,使用無源的開關(guān)電容共模反饋電路,如圖4所示,開關(guān)電容共模反饋電路允許的輸出電壓變化范圍大,電路實現(xiàn)簡單,只要定時刷新電容的電壓即可正常工作.圖4采用的開關(guān)電容共模反饋電路可以保證運放在2個相位都能正常工作,因為電路有兩組充點電容給反饋電容充電[6].P1時,左邊兩組電容接在共模反饋電路中,保證運放共模反饋正常工作,右側(cè)一組電容再充電到設(shè)定電壓值;P2時,右邊兩組電容接在共模反饋中,保證運放共模反饋正常工作,左側(cè)一組電容充電到設(shè)定電壓值.運放在所有相位都可以正常工作,為預(yù)防共享技術(shù)提供基礎(chǔ).
圖4 開關(guān)電容共模反饋電路Fig.4 Switched capacitor CMFB
圖5 運放的版圖Fig.5 The layoutof theop amp
圖6為此放大器的仿真結(jié)果,從結(jié)果中看出,其開環(huán)直流增益為93 dB,單位增益帶寬積為1.8 GHz,相位裕度為64.72°.
圖6 運放的仿真結(jié)果Fig.6 The simulation resultsof theop amp
表1是此放大器與參考文獻(xiàn) [7]和文獻(xiàn) [8]的性能對比數(shù)據(jù).通過對比可以看出,此放大器的開環(huán)直流增益和相位裕度與文獻(xiàn) [7]和文獻(xiàn) [8]中的放大器性能相近,但是單位增益帶寬積要明顯優(yōu)秀很多.
表1 性能對比圖Tab.1 Performance comparison chart
本文提出了1種雙輸入對的增益增強(qiáng)型折疊共源共柵放大器,此放大器應(yīng)用于高速高精度Pipelined ADC中,主運放采用雙輸入對交替工作,輔助運放采用單管共模反饋,節(jié)約了功耗、簡化了電路結(jié)構(gòu).主運放采用開關(guān)電容共模反饋,因為開關(guān)電容共模反饋不會限制差分輸入信號擺幅,并且不會在共模環(huán)路中引入額外的極零點對.運放的直流增益為93 dB,單位增益帶寬為1.8GHz,相位裕度為64.72°,芯片的版圖面積為.
[1]BultK,Geelen G JGM.A fast-settling CMOSOp Amp forSC circuitsw ith90-dBDCgain[J].IEEESolid-StateCircuits,1990,25(6):1379-1383.
[2]Kamath Y,Meyer R,Gray P.Relationship between frequency response and settling time of operationalamplifier[J].IEEESolid-State Circuits,1974,9(6):347-352.
[3]DasM.Improved design criteriaofgain-boosted CMOSOTA w ith high-speed optim izations[J].IEEETransCircuitsSyst I,Fundam Theory Appl,2002,49(3):204-207.
[4]A loisiW,Giustolisi G,Palumbo G.Analysis and optim ization of gain-boosted telescopic amplifiers[C]//Proc IEEE Int Symp CircuitsSyst.(ISCAS'02),USA:2002:321-324.
[5]RazaviB.Design of Analog CMOS Integrated Circuits[C]//Boston,MA:M cGraw-Hill,2000.
[6]JohnsD,Martin K.Analog Integrated CircuitDesign[M].NY:Wiley,1997.
[7]AhmadiM M,NajafiV,KhosravianiK.A new and efficientdesign procedure for gain-boosted cascode amplifiers[C]//Proce Eur Conf Circuit Theory and Design,(ECCTD'03),2003,3:401-404.
[8]Narendra Nath,TodaniR,Handrima C.Simplified designmethod for fully differentialgain-boosted folded cascade OTA[C]//IEEEConference on Information and Communication Technologies.2013,10:943-948.
[責(zé)任編輯 代俊秋]
Design on again-boosted cascodeamplifierw ith high gain and highunity-bandw idth
WANG Ting1,2,TANG Hailin1,ZHAO Zongyou1,YU Yuebao1
(1.Departmentof Electrical and Instrumentation,People's Liberation Army Air Force 93756,Tianjin 300131,China;2.School of electronic and Information Engineering,HebeiUniversity of Technology,Tianjin 300401,China)
This paper presents a high unity gain bandw idth fully differential folded-cascode operational amplifier using gain-boosted technique.Theamplifierisdesigned in TSMC 0.18 m 1P6M CMOStechnology.Theunity-gainbandw idth (GBW)and polesof thegain-boosting amplifierswere carefully designed to improve thestability.Theimplemented design providesa directcurrent(DC)gain ofaround 93 dBw ith aunity gain frequency of1.8GHz.Itexhibitsa DC gain larger than 88 dBwhen the outputcommon-mode voltagebetween 0.6 V and 1.2 V.The overall layoutsize is96 m×120 m.
cascode;gain-boosted;amplifiers;sw itched-capacitor;common feedback;pipeline ADC
TP368.2
A
1007-2373(2016)04-0020-04
10.14081/j.cnki.hgdxb.2016.04.004
2015-10-13
王停(1985-),男(漢族),博士生.