常昌遠 陳 瑤 李 俊 朱銘強
(東南大學(xué)集成電路學(xué)院,南京210096)
近年來,隨著便攜式電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展,人們對開關(guān)電源的要求進一步提高,提高效率以延長使用時間成為DC-DC變換器的熱點研究方向[1-2].脈寬調(diào)制PWM與脈頻調(diào)制PFM是DC-DC變換器中使用較為普遍的2種控制方式.為了保證在重載時正常工作,PWM控制方式必須采用較高的頻率,但在輕載情況下,高的工作頻率會導(dǎo)致效率低下;而便攜式電子產(chǎn)品大部分時間都工作在輕載狀態(tài)或待機狀態(tài).為了有效增加電池使用時間,DC-DC變換器中更多使用的是PFM控制方式.常見的PFM調(diào)制模式包括強制PFM模式[3]、Burst模式[4]、Skip模式[5]等.其缺點在于,負(fù)載范圍窄,輸出紋波大,且其工作頻率是連續(xù)變化的,頻譜峰值沒有規(guī)律,從而會產(chǎn)生較大的電磁干擾[6].
在傳統(tǒng)的PWM和PFM基礎(chǔ)上,本文設(shè)計了一種采用雙頻控制方式的DC-DC變換器.這種控制方式可提供2個工作頻率,通過檢測負(fù)載的變化,使電路在這2個頻率之間切換,從而穩(wěn)定輸出電壓.這種控制方式克服了PWM在輕負(fù)載時效率低的缺點,且與傳統(tǒng)的PFM相比,頻譜峰值分布有規(guī)律,有效降低了EMI[7],便于后續(xù)濾波器的設(shè)計.
雙頻PFM控制電路的示意圖見圖1.圖中,Vout,Vref分別為輸出電壓和參考電壓.選用誤差比較器和PFM控制器來對振蕩器進行控制,從而在振蕩器中產(chǎn)生2個振蕩頻率.誤差比較器檢測輸出電壓,根據(jù)負(fù)載情況,選擇不同的充電電容,以產(chǎn)生不同頻率的控制信號. PFM控制器則根據(jù)輸出的紋波電壓來實現(xiàn)跨周期控制.因此,誤差比較器的輸出信號和PFM控制電路的輸出信號共同決定了振蕩器的輸出信號CLK[8].
圖1 雙頻PFM控制電路
設(shè)雙頻PFM選取的2個頻率為fH和fL(fH>fL),對應(yīng)的工作周期分別為TH和TL(TH
(1)
由此可得
De=DH-M(DH-DL)
(2)
式中,調(diào)制度M可表示為
(3)
由式(1)可知,0≤M≤1,且隨著m/n的不斷變大,M趨近于 1.當(dāng)M=0時De=DH,此時電路的工作頻率為fH.當(dāng)0 假設(shè)功率管工作在開關(guān)條件下,在每一個周期的導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間,由于漏極電流Id和漏源電壓Vds有交疊部分,功率開關(guān)管將產(chǎn)生一定的開關(guān)損耗.令每一次開關(guān)損耗均為WSW,功率管產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗為WCON,則總損耗WLOSS=WSW+WCON. 在整個周期TS內(nèi),雙頻PFM的轉(zhuǎn)換效率為[4] (4) 式中,Vin為輸入電壓;Ton為功率開關(guān)管的導(dǎo)通時間;fe為等效頻率;L為電感;R為負(fù)載電阻. PWM的轉(zhuǎn)換效率為 (5) 由式(4)和(5)可知,輕載工作(即fe較小)時,由于PWM 調(diào)制方式的工作頻率固定,隨著負(fù)載電阻的增大,效率明顯降低.而采用雙頻PFM調(diào)制方式的升壓型 DC-DC 變換器的轉(zhuǎn)換效率只與等效頻率有關(guān),與負(fù)載電阻R無關(guān),故此時輕負(fù)載下具有較高的效率.由此可知,雙頻PFM 調(diào)制方式可有效提高輕載下的效率. 雙頻PFM控制信號以脈沖序列周期進行循環(huán)[9],其傅里葉變換為[10] (6) 與傳統(tǒng)的PFM 調(diào)制方式相比,雙頻PFM控制方式的頻譜不再孤立、分散,它存在大量邊頻,頻譜能量分散到更多的頻率點上,從而使得其離散諧波峰值降低,電磁干擾噪聲水平也隨之降低,故DC-DC變換器更容易滿足相應(yīng)的 EMI標(biāo)準(zhǔn). 升壓式PFM控制器的基本結(jié)構(gòu)如圖2所示. 圖2 升壓式PFM控制器的基本結(jié)構(gòu) 為了滿足不同的輸入電壓,在升壓電路中,輸入電壓Vin和輸出電壓Vout的升壓關(guān)系為 (7) 式中,Don表示導(dǎo)通占空比. 由式(7)可知,如果要使電路在0.8 V時正常工作,且輸出電壓Vout達到5 V,則Don≥84%,這對應(yīng)于低輸入電壓下的情況.另一方面,由于正常輸入電壓通常在2.5 V以上,故此時Don≥50%. 在實際的雙頻PFM控制方式中,設(shè)置一個低輸入電壓工作頻率fL和一個普通電壓工作頻率fH.主功率開關(guān)管的導(dǎo)通時間Toff為固定值,且fLToff=16%,fHToff=50%.由此可得,fL∶fH=16∶50. 考慮紋波、效率等諸多因素,雙頻振蕩器的2個頻率分別設(shè)置為fL=160 kHz,fH=500 kHz. 雙頻振蕩器是PFM控制器中的核心模塊.在DC-DC變換器結(jié)構(gòu)中,振蕩器的振蕩頻率是通過環(huán)形振蕩器產(chǎn)生振蕩頻率來實現(xiàn)的.N級環(huán)形振蕩器的周期可以表示為 (8) 式中,CL為負(fù)載電容;βp=μpCOXWp,βn=μnCOXWn,其中μp,μn分別為P,N溝道電子運動的遷移率,COX為單位面積柵極電容,Wp,Wn分別為PMOS,NMOS管的寬長比. 這種環(huán)形振蕩器可近似等效為一個RC網(wǎng)絡(luò).要改變振蕩器的振蕩頻率,就需要改變其等效的電阻值或電容值;集成電路中最容易實現(xiàn)的是改變電容值.在實際電路中,可以通過選擇并聯(lián)1個電容的方法來切換工作頻率. 圖3為振蕩器的實際電路.由圖可知,2個電容C1和C2是并聯(lián)的,且C1較大.EN2是外接的檢測電平,控制著C1. 圖3 雙頻振蕩器實際電路 EN2信號通過檢測負(fù)載電流得到.當(dāng)EN2為低電平時,C1導(dǎo)通,從而與C2并聯(lián),故等效電容為C1+C2;當(dāng)EN2為高電平時,等效電容為C2.負(fù)載電流越大,EN2信號關(guān)斷的時間越長,C2單獨充電的時間也越長,所以高頻率的方波越多.EN3信號通過檢測輸出電壓Vout得到.當(dāng)EN3為低電平時,電路的CLK信號只輸出低電平,相當(dāng)于跳周期.假定輸出電壓Vout=5 V,當(dāng)CLK輸出方波時,Vout不斷升高,超過5 V時,則EN3輸出低電平.由于功率管受PFM控制器控制,仍要繼續(xù)運行一段時間,故Vout仍將繼續(xù)升高一段時間,而后才會下降. 圖4為不同負(fù)載電流If下雙頻振蕩器的仿真輸出波形圖.由圖可知,輕載時,只有低頻輸出.隨著負(fù)載電流的不斷提高,2種頻率的波形同時出現(xiàn),且高頻段所占比例不斷增加.這是雙頻PFM控制模式獨有的工作方式. 芯片設(shè)計采用方正微電子0.5 μm CMOS工藝.電路的整體版圖見圖5.芯片尺寸為800 μm×640 μm.整體電路中,功率MOS管和控制電路分開布局,控制電路中的使能電路、限流電路均靠近功率MOS管.電阻用于填充控制電路.為了對輸出電壓Vout進行微調(diào),需要設(shè)置燒鋁接口,與大電阻相連.芯片指標(biāo)通常在應(yīng)用環(huán)境下測試得到.電路的啟動過程見圖6.由圖可知,當(dāng)輸入電壓為3 V時,經(jīng)過50 μs后輸出電壓能夠穩(wěn)定在5 V. 圖4 不同負(fù)載電流下的輸出CLK信號波形 圖5 芯片版圖照片 通過測試來驗證電路是否能夠隨著負(fù)載的變化在雙頻之間進行切換,并保持正常工作.雖然不能直接測試振蕩器信號,但是電路中LX接口輸出的是頻率與振蕩器相同的方波,通過檢測LX接口就可以觀察到振蕩器的頻率變化情況. 圖6 輸入電壓為3 V時的輸出電壓變化曲線 輕載條件下變換器的LX波形見圖7(a).由圖可知,LX方波全部為同一頻率的信號,并未產(chǎn)生變化.由于輸出電壓和LX之間存在1個二極管,故LX端的電壓存在一定壓降. 中載時LX信號的波形見圖7(b).由圖7(b)可知,在原有的低頻信號中出現(xiàn)了一部分高頻信號.重載下LX信號波形見圖7(c).由圖7(c)可知,方波全部由高頻信號構(gòu)成,低頻信號很少.實際測試結(jié)果表明,芯片能夠根據(jù)負(fù)載的變化在雙頻之間切換,輕載下以低頻工作為主,重載下則以高頻工作為主,中載下2種頻率的波形并存.由此說明,電路設(shè)計是有效的. 圖7 LX信號波形 電源轉(zhuǎn)換效率是指電源的輸入功率與輸出功率的比值.負(fù)載電流與轉(zhuǎn)換效率的關(guān)系曲線見圖8.由圖可知,負(fù)載電流為100 mA時轉(zhuǎn)換效率大于80%. 圖8 負(fù)載電流與轉(zhuǎn)換效率的關(guān)系 芯片的實際測試結(jié)果見表1.表中,典型轉(zhuǎn)換效率是在輸入電壓為3.6 V且負(fù)載電流為50 mA時得到的. 表1 芯片測試結(jié)果 本文設(shè)計了一種基于雙頻PFM控制模式的升壓式DC-DC變換器.首先選定2個固定的頻率點,通過檢測負(fù)載的變化,使得輕載或重載時變換器工作在其中的1個頻率下,而中載時則選擇2個頻率的不同組合來穩(wěn)定輸出電壓.基于方正微電子0.5 μm CMOS工藝設(shè)計,并使用Cadence工具進行模擬和版圖設(shè)計.測試結(jié)果表明,系統(tǒng)的典型轉(zhuǎn)換效率達到83.2%,芯片實際性能達到設(shè)計要求.由于這種控制方式只需產(chǎn)生2個頻率,因此其頻譜峰值更有規(guī)律,便于后續(xù)濾波器的設(shè)計.本質(zhì)上來說,本設(shè)計充分利用了傳統(tǒng)PWM和PFM的各自優(yōu)點,然而如何均衡效率與EMI性能,進行電路優(yōu)化設(shè)計,則有待進一步深入研究. ) [1] Liu Jiaming,Wang Paiyi,Ku Taihaur. 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2.1 電路架構(gòu)與參數(shù)選取
2.2 雙頻振蕩器設(shè)計
3 版圖設(shè)計與測試
4 結(jié)語