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      MPC8379E與DDR2之間的PCB布線及仿真設計

      2013-07-13 06:30:50程增艷
      電子設計工程 2013年3期
      關鍵詞:數(shù)據(jù)信號走線信號線

      程增艷,吳 駿

      (中船重工七二二研究所 湖北 武漢 430079)

      MPC8379E是Freescale公司開發(fā)的PowerQUICC II Pro系列的高性能處理器。其內部工作頻率最高可達1.33 GHz,在該工作頻率上處理性能可達3065 MIPS。一級Cache分為數(shù)據(jù)Cache和指令Cache各32 kB,二級Cache最大可配置為512 kB。支持DDR1和DDR2,最高支持533 MHz傳輸速率的DDR2 SDRAM,同時該處理器還支持PCI、PCI-X、PCIE、SRapid IO和4個GbE接口[1]。

      內存是計算機系統(tǒng)中至關重要的部分,處理器的每一步操作和操作系統(tǒng)的運行都需要依賴內存,如果內存不能正常訪問整個系統(tǒng)就不可能運行。DDR2技術自從面世至今,憑借其出色的性能廣泛運用于各種計算機主板和嵌入式設備。本文闡述了MPC8379E與DDR2之間的PCB布線及仿真設計。

      1 DDR2設計原理

      一個DDR2系統(tǒng)包含控制器和存儲器兩部分。從時序上分析DDR2系統(tǒng)是一個源同步時序。所謂源同步時序,就是選通信號(即時鐘信號)不是通過獨立的時鐘源發(fā)送,而是由驅動芯片發(fā)送。DDR2信號分為以下幾組源同步時序信號:Data vs&Data Strobe(讀方向和寫方向);Data Mask vs&Data Strobe (讀方向和寫方向);Data Strobe vs&Clock;Address/Command/Control vs&Clock[2]。

      與傳統(tǒng)的公用時鐘技術相比,源同步技術顯著提高了總線速度的最大值。由于公用時鐘總線中存在器件延時和PCB走線延時,而且PCB走線的長度也不可能超過某個最大的極限值,這為總線的最快運行速度設置了難以逾越的理論極限。而源同步設計取決于數(shù)據(jù)信號和選通信號之間的延時差,而不是數(shù)據(jù)信號的絕對延時,因此源同步總線沒有理論上的頻率極限。然而數(shù)據(jù)信號和選通信號的延時差與許多因素相關,如同步開關噪聲、走線長度、走線阻抗、信號完整性以及緩沖器特性等,在實踐中,還是對應存在許多頻率極限。

      本設計中選用Micron公司的MT47H64M16HW-3LIT芯片作為DDR2顆粒,該芯片支持外部數(shù)據(jù)傳輸率400 MHz或533 MHz,用戶根據(jù)不同的需求可以配置參數(shù)從而實現(xiàn)不同的速率。本系統(tǒng)采用5片該型號DDR2顆粒進行位擴展組成64位數(shù)據(jù)總線和8位ECC(Error Checking Correcting)效驗的工作方式。為了敘述方便將MPC8349E與DDR2接口的信號線分為以下4組[3]:

      數(shù)據(jù)組(MDQS/MDQS#[0:8]、MDM[0:8]、MDQ[0:63]、MECC[0:7]);

      地址組(MBA[0:2]、MA[0:15]、MRAS#、MCAS#、MWE#);

      命令組(MCS#[0:3]、MCKE[0:3]、MODT[0:3]);

      時鐘組(MCK/MCK#[0:5])。

      2 DDR2 PCB布線規(guī)則

      PCB布線時,按照數(shù)據(jù)組、地址組、控制組、時鐘組及電源的順序依次布線,相互之間的線間距應該控制在25 mil以上。對于單端信號線,阻抗控制在50~60 Ω內,對于差分信號線,阻抗控制在 50~100 Ω 內[4]。

      規(guī)則一,對于數(shù)據(jù)組,要求各小組之內走線在同一層并擁有相同數(shù)目的過孔,走線長度差異控制在20 mil內,線間距控制在10 mil以上,所有的信號線走線必須以完整的地層作為參考。不同小組之間,走線長度差異控制在100 mil之內。同時5個小組內部也有對應關系,即MDQS/MDQS#[0]、MDQ[0:7]、MDM[0]為一組對應關系,依次類推。

      規(guī)則二,對于地址組和命令組,信號線長度差異控制在100 mil之內線間距控制在10 mil以上。走線以1.8 V電源平面或完整的地層作為參考層。

      規(guī)則三,對于時鐘組,差分信號對內走線差異控制在10 mil內,盡量在同一層走線,如果需要換層,2根差分信號線應該一起換。

      3 使用Cadence進行DDR2仿真

      在高速設計中,如果處理不當,有可能會導致整個系統(tǒng)的失敗,所以必須重視高速設計中的仿真。從 PCB的設計角度來講,要做到嚴格的時序匹配,以滿足波形的完整性,這里有很多的因素需要考慮,所有的這些因素都是會互相影響的。但是,它們之間還是存在一些個性的,由于篇幅有限,本文討論其中的 PCB疊層、阻抗、互聯(lián)拓撲和時序因素[5]。

      3.1 PCB 的疊層(stackup)和阻抗

      根據(jù)BGA出線的要求,然后考慮走線密度,信號的參考平面(電源層和地層),有幾組交叉的(線寬間距),最終確定布線疊層。通過設置不同層數(shù)的PCB仿真得到波形,對比發(fā)現(xiàn)采用12層的PCB波形信號質量最好。因此本系統(tǒng)采用12層板, 其中 2、4、7、11 層是地層;6、9 層是電源層;1、3、5、8、10、12層是信號層。本系統(tǒng)的疊層如圖1所示[6]。

      圖1 層疊設計圖Fig.1 Stickup design graph

      在仿真設置中,DRAM的仿真模型設置3種:U48B_IT_DQHALF_ODT50_533,U48B_IT_DQHALF_ODT75_533,U48B_IT_DQHALF_ODT150_533。 分別對應 ODT 為 50 Ω, 75 Ω,150 Ω的仿真模型。選擇ODT為50 Ω和75 Ω進行仿真,波形如圖2所示。

      圖2 ODT為50和75 Ω對應的仿真數(shù)據(jù)信號波形圖Fig.2 Simulation data signal waveform graph:ODT=50 and ODT=75

      從仿真結果的信號波形可以看出波形的差異,ODT50模式下波形效果最佳。通過上述拓撲仿真圖,ODT模式選擇為50 Ω。由于 DDR2的設計時阻抗必須是恒定連續(xù)的,因此,單端走線的阻抗匹配電阻 50 Ω必須被用到所有的單端信號上,并做到阻抗匹配;而對于差分信號,100 Ω的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端,比如CLOCK和 DQS等信號。另外,所有的匹配電阻必須上拉到VTT(0.9 V),PCB基板材料選用FR-4,要求單端阻抗控制在50 Ω(±10%)。

      3.2 互聯(lián)通路拓撲

      目前的拓撲結構通常有:點到點(基本上目前高速信號所用的拓撲結構);多點(菊花鏈型、樹型、星型等等,多用于低速多負載)。本系統(tǒng)中CPU連接5片DDR2顆粒,地址信號和控制信號為一驅五的拓撲結構,選用菊花鏈還是星型對稱拓撲進行布線,涉及到布線層數(shù)和信號質量等問題。我們需要的拓撲結構是既能占用最少的布線通道和布線層數(shù),同時又能保證良好的信號質量。以下是菊花鏈拓撲結構預布局,用Cadence仿真抽取到的拓撲結構如圖3所示。

      圖3 DDR菊花鏈拓撲結構設計圖Fig.3 DDR daisy chain topology structure design graph

      SI仿真掃描得到的典型狀態(tài)下負載端波形如圖4和圖5所示。其中圖4為5片DDR2顆粒地址信號(A1)接收負載波形,滿足信號的單調性、小的過沖及小的振蕩。

      圖4 菊花鏈拓撲結構狀態(tài)下A1接收端負載波形Fig.4 A1 receiving terminal load waveform for daisy chain topology

      圖5為數(shù)據(jù)信號(D4)接收負載波形,從圖中可以看出信號的波形滿足其完整性(良好的單調性、小的過沖及小的震蕩)的要求。

      圖5 菊花鏈拓撲結構狀態(tài)下D4接收端負載波形Fig.5 D4 receiving terminal load waveform for daisy chain topology

      上述仿真的結果顯示菊花鏈拓撲結構可以滿足系統(tǒng)對信號完整性的要求,因此,在本設計中的5片DDR2采用菊花鏈式拓撲結構。

      3.3 時序分析

      時序電路根據(jù)時鐘的同步方式的不同,通常分為源同步時序電路 (Source-synchronous timing)和共同時鐘同步電路(common-clock timing)。本系統(tǒng)采用源同步方式仿真,源同步時序電路也就是同步時鐘由發(fā)送數(shù)據(jù)或接收數(shù)據(jù)的芯片提供。

      對數(shù)據(jù)和時鐘信號進行拓撲抽取,成功抽取后的結構放在同一界面,如圖6所示。

      進行仿真,仿真后的波形如圖7所示。

      對時鐘信號和數(shù)據(jù)信號的波形進行測量,得到數(shù)據(jù)線和時鐘線間的延時約0.28 ns,而DDR2芯片datasheet給出的指標為0.38 ns,可以滿足源同步系統(tǒng)設計要求。

      依照上述布線規(guī)則和仿真結果,設計的PCB效果如圖8所示。

      4 結束語

      圖6 時序仿真拓撲結構Fig.6 Topology of timing simulation

      圖7 時序仿真波形Fig.7 Timing simulation waveform

      圖8 DDR 2布線效果圖Fig.8 PCB layout graph of DDR 2

      本系統(tǒng)通過Cadence進行了布線前仿真以及布線后仿真,取得良好效果,設計生產(chǎn)完成的模塊投入使用后,CPU系統(tǒng)在最高工作頻率下工作穩(wěn)定。本系統(tǒng)中MPC8379E與DDR2之間的布線是整個系統(tǒng)成功的關鍵,上面介紹的只是其中關鍵的規(guī)則以及重要網(wǎng)絡走線,制作中還會遇到很多問題,需要在實際運用中加以體會和總結。

      [1]Freescale Semiconductor.MPC8349EA PowerQUICC II Pro Integrated Host Processor Hardware Specifications.[EB/OL].[2011-09-13].http://cache.freescale.com/files/32bit/doc/ref_manual/MPC8349EAEC.pdf.

      [2]Micron Technology.MT47H64M16 DataSheet.[EB/OL].[2007-11-11].http://www.micron.com/~/media/Documents/Products/Data%20Sheet/DRAM/1Gb_DDR2.pdf.

      [3]JESD79-2E, DDR2 SDRAM Specification.USA:Joint Electron Device Engineering Council[S].2008.

      [4]許曉平,孫曉彥,程傳勝.PCB設計標準教程[M].北京:北京郵電大學出版社,2008.

      [5]張木水,李玉山.信號完整性分析與設計[M].北京:電子工業(yè)出版社,2010.

      [6]Cadence Inc.Allegro PCB SI UserGuide[M].Berlin:Cadence Inc,2007.

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