魏海紅, 徐琳琳, 王發(fā)強(qiáng), 梁瑞生
(華南師范大學(xué)信息光電子科技學(xué)院,光子信息技術(shù)廣東普通高校重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 廣東廣州 510631)
量子糾纏不僅是量子信息處理和量子計(jì)算的重要資源,也是量子力學(xué)對局域隱變量理論違背的驗(yàn)證,并且在量子密鑰、量子密集編碼和量子隱形傳態(tài)中有著廣泛的應(yīng)用[1-5].近年來,隨著兩比特糾纏態(tài)研究的日趨成熟,多比特糾纏態(tài)方案開始引起很多關(guān)注,如大量提出利用腔QED、原子系綜等系統(tǒng)制備多比特糾纏態(tài)的理論方案[6-10].多量子比特糾纏態(tài)中,W-type態(tài)是一種很重要的類型,它具有很強(qiáng)的抗量子比特丟失的性質(zhì),當(dāng)其中一個(gè)量子比特丟失時(shí),剩下的量子比特仍然是糾纏的,與普通的W態(tài)不同,它在量子信息分裂中有著無與倫比的特性[6].因此許多制備W-type態(tài)的方案陸續(xù)被提出.例如,文獻(xiàn)[6]利用腔QED系統(tǒng),原子依次飛入各個(gè)腔,通過控制原子的飛行速度,來實(shí)現(xiàn)控制原子與腔場的相互作用時(shí)間,但是,由于原子在各個(gè)腔中的速度各不相同,原子在腔中所需要的相互作用時(shí)間越長,在實(shí)際應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)不方便.文獻(xiàn)[7]的制備方案則比較復(fù)雜,不僅需要有經(jīng)典脈沖光與原子系綜的相互作用,還需要完全相同的單光子脈沖源與原子系綜相互作用.另外,由于光電探測器等器件的使用,使得該方案的W-type態(tài)制備成功率受到很大影響.在前人的基礎(chǔ)上,本文將提出一種制備W-type態(tài)的新方案,與其他方案[6-7]相比,該方案具備以下優(yōu)點(diǎn):首先,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)很簡單,只需要經(jīng)典脈沖光與原子系綜相互作用;其次,制備W-type態(tài)的成功率和保真度都很高;并且保留了原子系綜的優(yōu)越性,即相干時(shí)間長,可擴(kuò)展性強(qiáng),可在原子芯片、等離子體原子陷阱晶格和光學(xué)晶格等系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)[8].
該方案利用Rydberg阻滯機(jī)制,實(shí)現(xiàn)基于原子系綜系統(tǒng)的C-H門,并制備多量子比特W-type態(tài).在該方案中,選取Rydberg態(tài)為激發(fā)態(tài),其只是制備過程中的1個(gè)輔助態(tài),2個(gè)基態(tài)作為編碼態(tài).由于門的操作時(shí)間比激發(fā)態(tài)的壽命要小得多,因此在整個(gè)過程中激發(fā)態(tài)的衰減可以忽略不計(jì),并且可以實(shí)現(xiàn)多量子比特W-type態(tài)的制備.另外,該方案可以在原子芯片上實(shí)現(xiàn)[11-13],眾所周知,原子芯片可以很好地與腔、探測器等其他器件集成,因此,該方案在量子信息處理方面具有可擴(kuò)性.
該方案中最基本的元素是一維的磁性晶格[8].每個(gè)磁性晶格中都囚禁著1個(gè)原子系綜.原子系綜中每個(gè)原子間距離滿足Rydberg體系的要求[13],每個(gè)相鄰晶格間的距離也必須足夠近,使得他們各自局限的原子系綜一樣滿足Redberg體系的要求.Rydberg阻滯機(jī)制如圖1所示.如果在系綜中1個(gè)原子被外加脈沖由基態(tài)|g〉激發(fā)到Rydberg態(tài)|e〉,那么系綜中剩下的其他原子必然會在Rydberg態(tài)|e〉上產(chǎn)生一定的能移,因此他們都不會與外加的光脈沖產(chǎn)生共振,就不會被激發(fā)到Rydberg態(tài)|e〉上.所以,原子系綜可以作為一個(gè)單量子比特用來編碼信息.
圖1 原子系綜的Rydberg阻滯機(jī)制Figure 1 Rydberg blockade mechanism of the atomic ensemble
文中所選用的原子能級結(jié)構(gòu)如圖2所示.|a〉和|b〉是2個(gè)基態(tài),|e〉是從Rydberg態(tài),為激發(fā)態(tài).定義|0〉=|b,1〉,|1〉=|b,0〉.前者表示只有1個(gè)原子處于|b〉態(tài),其他原子處于|a〉態(tài);后者表示所有原子都處于|a〉態(tài).
圖2 原子系綜中每個(gè)原子的能級圖Figure 2 Energy structure of the atom in atomic ensemble
首先,介紹一下控制H門(C-H)的實(shí)現(xiàn)過程(如圖3所示).
圖3 C-H門的實(shí)現(xiàn)方案Figure 3 Scheme of the controlled-Hadamard gate implementation
(1) 一個(gè)與能級|b〉和能級|e〉共振耦合的π脈沖作用到控制原子系綜1上:如果該原子系綜初始處于|b,1〉1態(tài),則會產(chǎn)生一個(gè)|b,1〉1→|e,1〉1的躍遷,因此控制原子系綜1中將會有一個(gè)原子處于Rydberg態(tài)|e〉上.根據(jù)Rydberg阻滯機(jī)制,目標(biāo)原子系綜2的Rydberg態(tài)將會有一定量的能移,所以該系綜中的原子到Rydberg態(tài)的激發(fā)將被阻止;如果控制原子系綜1初始處于|b,0〉1態(tài)上,則不會有原子被激發(fā)到Rydberg態(tài)|e〉上,所以就不會引起目標(biāo)原子系綜2中的Rydberg態(tài)的能移,該系綜中的原子到Rydberg態(tài)的激發(fā)將正常進(jìn)行.
(2) 一個(gè)與能級|b〉和能級|e〉共振耦合的π脈沖作用到目標(biāo)原子系綜2上,如果控制原子系綜1的Rydberg態(tài)|e〉上沒有原子,目標(biāo)原子系綜2初始處于|b,1〉2態(tài),那么在該脈沖作用下,目標(biāo)原子系綜2將會產(chǎn)生|b,1〉2→-i|e,1〉2的躍遷.
(4) 一個(gè)與能級|e〉和能級|b〉共振耦合的π脈沖作用到目標(biāo)原子系綜2上,來實(shí)現(xiàn)|e,1〉2→-i|b,1〉2的反轉(zhuǎn).
(5) 一個(gè)與能級|e〉和能級|b〉共振耦合的π脈沖,作用到控制原子系綜1上,實(shí)現(xiàn)|e,1〉1→|b,1〉1的反轉(zhuǎn).
經(jīng)過上述5個(gè)脈沖的作用,2個(gè)原子系綜的態(tài)依次經(jīng)歷下列變化:
|b,1〉1|b,1〉2→|b,1〉1|b,1〉2
|b,1〉1|b,0〉2→|b,1〉1|b,0〉2
(1)
則可以得到
|00〉12→|00〉12
|01〉12→|01〉12
(2)
這樣,該方案就實(shí)現(xiàn)了C-H門的操作.
下面討論W-type態(tài)的制備過程,可按以下2個(gè)步驟進(jìn)行:
(1)用原子冷卻的方法將所有原子系綜制備到|1〉態(tài)上,再把除第一個(gè)原子系綜外的所有原子系綜制備到|0〉態(tài)上,制備過程如圖4所示,即一個(gè)與能級|a〉和能級|e〉共振耦合的π脈沖作用到原子系綜上,實(shí)現(xiàn)|a〉→|e〉的躍遷,另一個(gè)與能級|e〉和能級|b〉共振耦合的π脈沖作用到原子系綜上使其產(chǎn)生|e〉→|b〉的反轉(zhuǎn),這樣就可以實(shí)現(xiàn)|b,1〉態(tài).
(2)將C-Hadamard門和C-NOT門[8]作用到原子系綜上來制備W-type態(tài),過程見圖4.
圖4 原子系綜初始態(tài)|0〉的制備方案Figure 4 Scheme of the preparation of the initial state |0〉
(Ⅰ)原子系綜1,2的初態(tài)制備到|10〉12后,先將原子系綜1作為控制比特,原子系綜2作為目標(biāo)比特,將C-H門作用到原子系綜1和原子系綜2上,可以得到
(3)
(Ⅱ)將文獻(xiàn)[8]中實(shí)現(xiàn)的C-NOT門作用到原子系綜1和原子系綜2上,其中系綜2為控制量子比特,系綜1為目標(biāo)量子比特,則有
(4)
(Ⅲ)將C-H門和C-NOT按照上面的(Ⅰ)、(Ⅱ)步驟作用到原子系綜2和原子系綜3上,就能夠得到3個(gè)量子比特的W-type態(tài)
(5)
可用同樣的步驟制備n量子比特W-type態(tài):
(6)
綜上所述,本文利用原子系綜系統(tǒng)并基于Rydberg阻滯機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了C-H門操作,并在此基礎(chǔ)上,提出制備多量子比特W-type態(tài)的方案.制備過程中C-H門和C-NOT門的操作時(shí)間遠(yuǎn)小于激發(fā)態(tài)和基態(tài)的壽命,且激發(fā)態(tài)只作為1個(gè)輔助態(tài)使用,2個(gè)基態(tài)才是編碼態(tài),因此激發(fā)態(tài)的衰減效應(yīng)可以忽略不計(jì).另外,該方案還具有可擴(kuò)展性.
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