張靜 戴澤璟 梁會娟 張業(yè)斌 崇毓華
1. 中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所 安徽 合肥 230088;2. 安徽省天線與微波工程實(shí)驗(yàn)室 安徽 合肥 230088
微波光子學(xué)融合了模擬光纖技術(shù)和微波技術(shù),其是利用光子技術(shù)來完成微波系統(tǒng)中射頻信號的處理和傳輸。其中光生毫米波技術(shù)[1]、光纖無線電(ROF)技術(shù)[2]、光控相控陣技術(shù)[3]等微波光子學(xué)技術(shù)的分支成為近年來國內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。微波光子技術(shù)的超寬帶、高集成、低串?dāng)_、靈活調(diào)諧與重構(gòu)優(yōu)勢可極大的提升雷達(dá)系統(tǒng)、電子對抗的綜合性能。但目前也存在鏈路損耗較高、噪聲系數(shù)過大等問題。因此低噪聲的微波光子鏈路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)一直都是微波光子學(xué)的研究熱點(diǎn)。為了解決鏈路損耗過大,提高探測器的光功率,微波光子鏈路中往往會加入摻鉺光纖放大器(EDFA)。含有EDFA的微波光子鏈路,鏈路的噪聲演化問題更加復(fù)雜,因此開展EDFA系統(tǒng)噪聲系數(shù)的研究很有必要。
微波光子鏈路根據(jù)調(diào)制方式的不同,可以分為直接調(diào)制和外調(diào)制鏈路。外調(diào)制鏈路和直接調(diào)制鏈路相比,具有更好的噪聲特性[4],本文以典型的外強(qiáng)度調(diào)制與直接探測(IMDD)結(jié)構(gòu)的微波光鏈路為例進(jìn)行分析微波光子鏈路噪聲主要包括熱噪聲、散粒噪聲、RIN噪聲。下面我們分析某種噪聲占主導(dǎo)地位時,噪聲系數(shù)的影響因素。
在散粒噪聲受限系統(tǒng)中,當(dāng)散粒噪聲在鏈路輸出噪聲譜密度中占主導(dǎo)優(yōu)勢時,系統(tǒng)的噪聲系數(shù)滿足以下公式:
系統(tǒng)噪聲系數(shù)和進(jìn)探測器光功率以及Vπ有關(guān),Vπ一定的情況下,(探測器響應(yīng)度一定的情況下),增加進(jìn)探測器的光功率可以降低噪聲系數(shù)。持續(xù)增大進(jìn)探測器的光功率,系統(tǒng)從散粒受限系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為RIN噪聲受限系統(tǒng),此時改變進(jìn)探測器的光功率無法改變系統(tǒng)噪聲系數(shù)。
在RIN噪聲受限系統(tǒng)中,當(dāng)RIN噪聲在鏈路輸出噪聲譜密度中占主導(dǎo)優(yōu)勢時,系統(tǒng)的噪聲系數(shù)滿足以下公式:
從公式中可以看出,Vπ一定的情況下,系統(tǒng)噪聲系數(shù)只與RIN噪聲有關(guān)。
對于指定的微波光子鏈路,系統(tǒng)的總噪聲實(shí)際上是RIN噪聲和散粒噪聲的疊加。滿足以下公式:
系統(tǒng)中如果引入EDFA,噪聲的演化規(guī)律有所不同。下面我們假定系統(tǒng)采用的激光器RIN噪聲為-165dBc/Hz,探測器響應(yīng)度為0.85A/W,進(jìn)行仿真。通過仿真可以發(fā)現(xiàn),有光放系統(tǒng)在進(jìn)探測器光功率較低時,系統(tǒng)的總噪聲曲線與散粒噪聲曲線接近重合。無光放系統(tǒng)在進(jìn)探測器光功率較高時系統(tǒng)的總噪聲曲線與RIN噪聲曲線接近重合。
圖1 無光放系統(tǒng)與光放系統(tǒng)噪聲演化(進(jìn)EDFA光功率為-4dBm)
從圖中可以得出以下結(jié)論:①有光放系統(tǒng),進(jìn)EDFA光功率為-4dBm時進(jìn)探測器光功率≥6dBm,認(rèn)為微波光子鏈路系統(tǒng)進(jìn)入RIN受限系統(tǒng),此時RIN噪聲曲線與總噪聲曲線重合。②無光放系統(tǒng),進(jìn)探測器光功率≥20dBm,認(rèn)為系統(tǒng)進(jìn)入RIN受限系統(tǒng)。從圖中可以看出EDFA的光功率直接影響系統(tǒng)進(jìn)入RIN受限系統(tǒng)時進(jìn)探測器的光功率。
無光放系統(tǒng),系統(tǒng)進(jìn)入RIN受限系統(tǒng)的拐點(diǎn)與激光器的RIN噪聲有關(guān),激光器的RIN噪聲越低,拐點(diǎn)處進(jìn)探測器的光功率越大。有光放系統(tǒng),系統(tǒng)進(jìn)入RIN受限系統(tǒng)的拐點(diǎn)與EDFA引入的RIN噪聲有關(guān)。引入的RIN噪聲與進(jìn)EDFA的光功率有關(guān),當(dāng)自發(fā)輻射-信號拍頻噪聲占主導(dǎo)地位,EDFA引入的RIN噪聲滿足以下公式:
從公式中可以看出EDFA的光功率越大,EDFA引入的RIN噪聲越小。RIN噪聲越小,系統(tǒng)進(jìn)入RIN受限系統(tǒng)時,拐點(diǎn)處進(jìn)探測器的光功率越大。換句話說,在系統(tǒng)進(jìn)入RIN受限系統(tǒng)之前,都是可以通過提高探測器光功率來降低系統(tǒng)噪聲系數(shù)。下面主要通過實(shí)驗(yàn)來驗(yàn)證此公式的適用范圍,探討EDFA的光功率的上限。
按照如圖2所示搭建實(shí)驗(yàn)鏈路。激光器選用I-TUTC34波長,輸出光功率為19dBm,調(diào)制器為鈮酸鋰強(qiáng)度調(diào)制器,通過偏壓控制使其工作在正交工作點(diǎn)處,微波光子鏈路的光損耗為7dB。為了驗(yàn)證低功率進(jìn)EDFA系統(tǒng)時系統(tǒng)的噪聲特性,在鏈路中加入可調(diào)衰減器VOA1,使進(jìn)入EDFA的光功率為-12dBm。EDFA輸出光功率為17dBm。根據(jù)前文分析,進(jìn)探測器光功率≥1dBm,系統(tǒng)就進(jìn)入RIN受限系統(tǒng)。因此調(diào)節(jié)VOA2使探測器光功率為1dBm。
圖2 實(shí)驗(yàn)鏈路
按照實(shí)驗(yàn)鏈路搭建測試系統(tǒng),在13GHz處實(shí)測增益G=-36dB,噪底=-161dBm/Hz,噪聲系數(shù)NF=49dB。下面來驗(yàn)證理論公式的適用性。
進(jìn)入EDFA光功率為-12dBm ,EDFA 的光的噪聲系數(shù)取5,帶入公式(4)得到EDFA的RIN噪聲為-138.9dBc/Hz。
由EDFA的RIN噪聲轉(zhuǎn)化的輸出端射頻噪聲為:
(此計(jì)算R取0.85A/W,PDin=1dBm相當(dāng)于1.25mw,Idc=1.0625mA)
系統(tǒng)的散粒噪聲所導(dǎo)致的輸出噪聲功率譜為:
系統(tǒng)為RIN噪聲受限系統(tǒng),系統(tǒng)的噪聲系數(shù)滿足公式(2),Vπ取4.3V,得到NF=50.76dB。實(shí)測49dB,理論50.76dB,兩個結(jié)果比較接近。
調(diào)節(jié)VOA1繼續(xù)增大進(jìn)EDFA光功率,使進(jìn)入EDFA光功率大于10dBm。因?yàn)閷?shí)驗(yàn)中選用EDFA對輸入EDFA最大光功率有限制,實(shí)驗(yàn)中EDFA輸入最大功率只測到12dBm。實(shí)測噪聲系數(shù)和公式推導(dǎo)相差太大,公式(4)不再適用。許多EDFA的生產(chǎn)商都會將NF0定義為EDFA輸入功率的函數(shù),當(dāng)進(jìn)入EDFA光功率大于10dBm,NF0不再是常量,隨著EDFA輸入功率的增大而增大。
當(dāng)進(jìn)入EDFA光功率≤10dBm時,通過公式(4)可以看出,進(jìn)EDFA光功率越大,EDFA引入的RIN噪聲越小。RIN噪聲受限系統(tǒng)(Vπ一定的情況下),NF只和系統(tǒng)的RIN噪聲有關(guān)。此時EDFA引入的RIN噪聲大于激光器的RIN噪聲-165dBc/Hz,只考慮EDFA引入的RINEDFA,NF與EDFA輸入光功率近似呈線性關(guān)系,EDFA輸入光功率越小,NF越小。這一結(jié)論對指導(dǎo)實(shí)際的微波光子鏈路設(shè)計(jì)非常重要,可以根據(jù)系統(tǒng)中進(jìn)EDFA的光功率大小估算鏈路噪聲系數(shù)。
當(dāng)進(jìn)入EDFA光功率>10dBm,系統(tǒng)的噪聲系數(shù)與輸入EDFA光功率不再滿足線性關(guān)系,出現(xiàn)壓縮。
本文分析了微波光子鏈路噪聲系數(shù)影響的主要因素。在散粒噪聲受限系統(tǒng)中,系統(tǒng)噪聲系數(shù)和進(jìn)探測器光功率以及Vπ有關(guān)。在Vπ和探測器響應(yīng)度一定的情況下,增加進(jìn)探測器的光功率可以降低噪聲系數(shù)。持續(xù)增大進(jìn)探測器的光功率,系統(tǒng)從散粒受限系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為RIN噪聲受限系統(tǒng),此時改變進(jìn)探測器的光功率無法改變系統(tǒng)噪聲系數(shù)。RIN噪聲受限系統(tǒng)通過降低激光器的RIN噪聲(無EDFA系統(tǒng))或者(有EDFA的系統(tǒng))增加進(jìn)EDFA光功率,均可降低噪聲系數(shù)。