李祎康張萬榮謝紅云金冬月那偉聰李 白康翼麟
(北京工業(yè)大學(xué)信息學(xué)部,微電子學(xué)院,北京 100124)
無線通訊技術(shù)的飛速發(fā)展,對射頻集成電路(Radio Frequency Integrated Circuit,RFIC)提出了小型化、高性能、可調(diào)諧性發(fā)展的新要求[1]。片上薄膜無源電感作為RFIC 重要元件之一,因其尺寸大、電感值小、Q(品質(zhì)因子或因數(shù))值低、電感值Q值和頻帶不可調(diào)諧等不足,制約著它在高性能RFIC 上的應(yīng)用。為了克服在片薄膜無源電感的不足,研究工作者對基于回轉(zhuǎn)器-電容理論設(shè)計合成的有源電感(AI)產(chǎn)生了濃厚的興趣[2-5]。
計及用戶行為的需求響應(yīng)對分布式發(fā)電系統(tǒng)充裕度的影響//武賡,隆竹寒,曾博,曾鳴,王昊婧,顧姍姍//(8):119
那些整幢承租農(nóng)民閑置房屋的外來業(yè)主內(nèi)心也有顧慮,雖然15-20年的租期看似較長,政府也通過專合社平臺的搭建保障了農(nóng)民和業(yè)主雙方租用房屋的穩(wěn)定性,但因為星光村鄉(xiāng)村旅游發(fā)展尚在起步期,未來的走向不明朗,大家多持觀望態(tài)度,業(yè)主也不敢過多投資。
有源電感采用的是有源器件,故而具有小尺寸的優(yōu)點,并且通過調(diào)節(jié)電路的偏置,可對晶體管的跨導(dǎo)值進(jìn)行調(diào)節(jié),從而實現(xiàn)電感值、Q值、工作頻帶的調(diào)諧[6-9]。然而目前有源電感的Q值和電感值特性仍存在諸多不足:一方面,難以在同一頻率下取得電感值峰值和Q峰值。另一方面,有源電感的工作頻帶可調(diào)范圍較窄,且調(diào)節(jié)頻帶時往往伴隨著電感峰值的變化,即頻帶無法相對于電感峰值獨立調(diào)諧。例如在文獻(xiàn)[10]中提出的有源電感,可通過調(diào)節(jié)跨導(dǎo)器的偏置電壓實現(xiàn)對電感值、Q值的調(diào)節(jié),電感值可分別在2.9 GHz、3.0 GHz 下獲得峰值,Q值可分別在1.6 GHz、1.7 GHz 下獲得峰值,但由于缺乏各個模塊之間的協(xié)調(diào)配合,二者峰值不在同一頻率下取得;其工作頻帶僅為1 GHz~4 GHz,且不可獨立調(diào)諧。在文獻(xiàn)[11]中提出的有源電感DAI,雖然引入了反饋電阻與交叉負(fù)阻結(jié)構(gòu)在一定程度上提升了電感值與Q值,并且通過調(diào)節(jié)電流源與反饋電阻的兩個偏置端可實現(xiàn)對電感值、Q值以及頻率的調(diào)諧,但是該款DAI 電感峰值的頻點為0.787 GHz,而取得Q峰值的頻點為0.55 GHz,二者不在同一頻率;其頻帶雖然可在0.787 GHz~3.25 GHz 的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié),但由于沒有采取補(bǔ)償電感峰值的手段,導(dǎo)致電感峰值由520 nH 降至80.7 nH,因此頻帶相對于電感峰值不可獨立調(diào)諧。文獻(xiàn)[12]提出的有源電感,采用了數(shù)字開關(guān)對多個負(fù)跨導(dǎo)器進(jìn)行選擇,實現(xiàn)了對頻帶的調(diào)節(jié),調(diào)節(jié)范圍為2.5 GHz~3.2 GHz,但由于沒有采取補(bǔ)償電感峰值的手段,導(dǎo)致電感峰值由17 nH下降到12.5 nH,因此頻帶相對于電感峰值不可獨立調(diào)節(jié),并且電感值在頻率2.4 GHz 時取得峰值,Q在頻率2 GHz 時取得峰值,二者不在同一頻率。
因此,本文創(chuàng)新性地提出了一種新型壓控有源電感(Voltage Controlled Active Inductor,VCAI),聯(lián)合采用了回轉(zhuǎn)器單元、Q值增強(qiáng)單元、調(diào)控補(bǔ)償單元和噪聲抑制單元等四個模塊,不僅實現(xiàn)了高Q值、大電感值等高性能,并且通過聯(lián)合協(xié)同調(diào)節(jié)有源電感的多個外部調(diào)控電壓,實現(xiàn)了在不同工作頻率下可同時獲得大的電感峰值以及高的Q峰值、頻帶相對于電感峰值獨立調(diào)諧等兩個優(yōu)秀特性,并且有效降低了有源電感的噪聲。
調(diào)控補(bǔ)償單元由帶有外部調(diào)控電壓Vtune3的PMOS 晶體管M8、帶有外部調(diào)控電壓Vtune4的NMOS晶體管M9、以及NMOS 晶體管M10、M11構(gòu)成。一方面,該模塊與回轉(zhuǎn)器單元并聯(lián),增加了回轉(zhuǎn)次數(shù),增大了VCAI 的電感值。另一方面,該模塊可以補(bǔ)償主回路在調(diào)諧頻帶時引起的電感值變化。
因此,通過以上四個模塊的有機(jī)連接與配合,并通過Vtune1、Vtune2、Vtune3和Vtune4的協(xié)同調(diào)節(jié),可使VCAI 實現(xiàn)大的電感值、高的Q值,以及兩種優(yōu)秀特性:(1)通過聯(lián)合調(diào)節(jié)Vtune1和Vtune3,在不同工作頻率下,同時獲得大的電感峰值以及高的Q峰值。(2)通過調(diào)節(jié)Vtune1~Vtune3來改變跨導(dǎo)器M1~M11的跨導(dǎo),實現(xiàn)對頻帶的調(diào)諧,再通過調(diào)節(jié)Vtune3、Vtune4來改變跨導(dǎo)器M9、M10的跨導(dǎo),補(bǔ)償因調(diào)節(jié)工作頻帶對電感峰值帶來的影響,進(jìn)而實現(xiàn)工作頻帶相對于電感峰值的獨立調(diào)諧。
圖1 新型VCAI 的電路拓?fù)?/p>
Q值增強(qiáng)單元由NMOS 晶體管M4構(gòu)成,連接在負(fù)跨導(dǎo)器M3的柵-源極之間,以減小有源電感的等效串聯(lián)電阻,增大Q值。
回轉(zhuǎn)器單元的正跨導(dǎo)器由NMOS 晶體管M2構(gòu)成,負(fù)跨導(dǎo)器由PMOS 晶體管M1、NMOS 晶體管M3構(gòu)成,該模塊是電路的重要組成部分,決定了電感的基本性能。PMOS 晶體管M5~M6、NMOS 晶體管M7為電路提供偏置電流,同時包含了兩個外部調(diào)控電壓Vtune1和Vtune2。
下面我們對各個模塊的構(gòu)成及其功能進(jìn)行扼要說明。
本文安排如下:第1 節(jié)首先給出了新型壓控有源電感(VCAI)的電路拓?fù)?,隨后進(jìn)行小信號分析,解釋了其取得高性能的內(nèi)在機(jī)制;第2 節(jié)對VCAI的性能進(jìn)行了驗證;第3 節(jié)給出結(jié)論。
噪聲抑制單元由NMOS 晶體管M12、無源電阻R1構(gòu)成,它與回轉(zhuǎn)器單元的正跨導(dǎo)器相連,降低了正跨導(dǎo)器的噪聲。
本文給出的新型壓控有源電感(VCAI)如圖1所示,包括回轉(zhuǎn)器單元、Q值增強(qiáng)單元、調(diào)控補(bǔ)償單元和噪聲抑制單元等4 個電路模塊,且它們設(shè)置外部電壓調(diào)控端,可對性能進(jìn)行調(diào)節(jié)。
下面對新型VCAI 的電路進(jìn)行小信號分析,進(jìn)而說明電路拓?fù)鋵﹄姼兄怠值、頻帶的影響及其調(diào)節(jié)機(jī)制。
圖2 為其小信號等效電路。其中,Cgs1、Cgs2、Cgs3、Cgs4、Cgs9、Cgs10、Cgs11分別為MOS 晶體管M1、M2、M3、M4、M9、M10、M11的柵源電容,gm1、gm2、gm3、gm4、gm9、gm10、gm11分別為M1、M2、M3、M4、M9、M10、M11的跨導(dǎo)。
圖2 新型VCAI 的小信號等效電路
該新款VCAI 可等效為圖3 所示的RLC 電路,其中Rs為等效串聯(lián)電阻、L為等效電感、Cp為等效并聯(lián)電容、Rp為等效并聯(lián)電阻,它們可分別表示為:
圖3 新型VCAI 的RLC 等效電路
聯(lián)合式(8)、式(9)可知,Q峰值頻率ωQmax與M1、M2、M4、M9、M10、M11的跨導(dǎo)有關(guān),電感峰值頻率ωLmax與M1、M2、M9、M10的跨導(dǎo)有關(guān),因此通過聯(lián)合協(xié)同調(diào)節(jié)Vtune1、Vtune3從而改變gm4、gm11,可對Q的峰值頻率進(jìn)行調(diào)節(jié),實現(xiàn)了在不同工作頻率下可同時獲得大的電感峰值以及高的Q峰值。
兩組患者接受不同護(hù)理管理措施之后的護(hù)理管理質(zhì)量評分對比,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P<0.05);兩組患者產(chǎn)生