趙鵬鐸,王琪,張磊,李茂,宋奇,張朝暉,3,尹仕攀,賈兆虎
(1. 海軍研究院, 北京 100000;2. 北京理工大學(xué) 材料學(xué)院, 北京 100081;3. 沖擊環(huán)境材料技術(shù)國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 北京 100081)
B4C 具有許多優(yōu)異的物化性能,如極高的硬度 (高達(dá)35~45 GPa,僅次于金剛石和立方氮化硼),較低的密度(2.52 g/cm3),較高的熔點(diǎn)(2 400 °C),優(yōu)異的耐磨性和化學(xué)穩(wěn)定性等[1?3],使其在耐磨組件、輕型裝甲、中子吸收器和研磨材料等領(lǐng)域取得了廣泛應(yīng)用[4?10]. 然而,B4C 陶瓷是一種具有強(qiáng)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)的化合物(共價(jià)鍵比重高達(dá)93.94%),使得B4C 陶瓷的燒結(jié)性能較差,利用傳統(tǒng)的燒結(jié)手段很難制備得到高致密度的B4C 陶瓷. 采用熱壓等燒結(jié)技術(shù)需要在極高的燒結(jié)溫度(≥2 200 °C)與較長的保溫時(shí)間(≥2 h)條件下才能獲得致密度在95%左右的B4C 陶瓷[1],而高溫長時(shí)間的制備工藝會(huì)導(dǎo)致B4C 晶粒尺寸的迅速長大,從而降低了B4C 陶瓷的力學(xué)性能,也使得其制造成本急劇增加. 因此,提高B4C 陶瓷的燒結(jié)性能,降低其燒結(jié)溫度,是進(jìn)一步拓展B4C 陶瓷工程化應(yīng)用的關(guān)鍵[11?12].
放電等離子燒結(jié)(spark plasma sintering,SPS)技術(shù)作為一種新型的粉末冶金方法受到了研究人員的廣泛關(guān)注. 與傳統(tǒng)的燒結(jié)技術(shù)相比,由于放電效應(yīng)的存在和脈沖電流的施加,SPS 技術(shù)可在較低的燒結(jié)溫度和較短的燒結(jié)時(shí)間下制備得到綜合性能優(yōu)良的燒結(jié)體,因此被廣泛應(yīng)用于陶瓷材料的制備[13?14]. 此外,通過引入高性能的第二相作為增強(qiáng)相,可顯著提升B4C 陶瓷的燒結(jié)性能和力學(xué)性能[15?16]. 由于TiB2和SiC 陶瓷都具有較高的硬度和斷裂韌性,因此經(jīng)常被用作B4C 陶瓷的增強(qiáng)相[17]. 目前對(duì)于B4C-TiB2二元體系以及B4C-SiC 二元體系的研究較多[18?19],但是針對(duì)B4C-TiB2-SiC 三元體系的研究相對(duì)較少,尤其尚未見到采用SPS 技術(shù)制備B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的研究報(bào)道. 因此,本文采用SPS 技術(shù),以B4C、Ti3SiC2、Si 的混合粉為初始粉體[20],通過燒結(jié)過程中的原位反應(yīng),制備得到了第二相(TiB2+SiC)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷,深入研究了燒結(jié)壓力(0,50,80 MPa)對(duì)B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的物相組成、微觀組織和力學(xué)性能的影響規(guī)律.
實(shí)驗(yàn)中使用的基體材料為B4C 粉體(上海先芯新材料有限公司,99.9%),晶粒尺寸為10 μm;添加劑材料為Ti3SiC2粉體(北京福曼斯科技有限公司,98%)和Si 粉體(阿拉丁,99.99%),晶粒尺寸平均分別為200 目和1 μm. 3 種原始粉體的微觀形貌如圖1 所示.
圖1 原始粉的SEM 圖Fig. 1 SEM images of the raw powders
根據(jù)化學(xué)反應(yīng)方程式(1),精確稱量B4C 粉、Ti3SiC2粉和Si 粉,使得原位反應(yīng)生成的(TiB2+SiC)第二相質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%.
將精確稱量后的混合粉體放入球磨罐中,球料比為3∶1. 隨后加入適量的酒精定容,以300 r/min 的轉(zhuǎn)速在室溫下球磨2 h. 將球磨后的混合液放入旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中進(jìn)行干燥,旋蒸溫度為70 °C,旋蒸時(shí)間約為30 min,最終得到燒結(jié)所需的混合粉體.
采用SPS-3.20MK-Ⅳ燒結(jié)系統(tǒng)制備B4C 陶瓷樣品. 首先稱量適量經(jīng)過干燥后的混合粉體,裝入內(nèi)徑為25 mm 高度為30 mm 的圓柱形碳纖維模具中. 模具內(nèi)壁與粉體之間使用0.1 mm 厚的石墨紙隔離,模具上包裹隔熱石墨氈與燒結(jié)腔體隔離. 根據(jù)前期的經(jīng)驗(yàn),本實(shí)驗(yàn)的燒結(jié)溫度設(shè)定為1 650 °C,保溫時(shí)間設(shè)定為5 min,燒結(jié)壓力分別為0,50 和80 MPa. 在燒結(jié)過程中,電流通斷比為12∶2,脈沖持續(xù)時(shí)間為3.3 ms,平均加熱速率為100 °C / min.
復(fù)合陶瓷的密度采用阿基米德排水法進(jìn)行測(cè)量;物相組成采用X 射線衍射(XRD)技術(shù)進(jìn)行分析;顯微組織采用掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀察;晶粒尺寸采用Nano Measure 1.2 軟件進(jìn)行測(cè)量;維氏硬度采用顯微硬度測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試;彎曲強(qiáng)度和斷裂韌性采用萬能試驗(yàn)機(jī)在室溫條件下進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試方法分別為3 點(diǎn)彎曲法和單邊切口梁法,試樣尺寸分別為3 mm×4 mm×20 mm 和2 mm×4 mm×20 mm.
圖2 為不同燒結(jié)壓力條件下制備得到的B4CTiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的XRD 物相檢測(cè)結(jié)果. 從中可以看出,隨著燒結(jié)壓力的增加,各物相的峰位基本保持不變,表明燒結(jié)壓力對(duì)復(fù)合陶瓷的物相組成沒有明顯影響. 在不施加燒結(jié)壓力時(shí),復(fù)合陶瓷中未檢測(cè)到初始添加劑Ti3SiC2和Si 的存在,說明在這種燒結(jié)條件下,B4C 基體已經(jīng)與添加劑完全發(fā)生反應(yīng),并生成了TiB2、SiC 第二相,反應(yīng)方程式如式(1)所示. 因此反應(yīng)后剩余的B4C 基體相和原位反應(yīng)生成的第二相成為復(fù)合陶瓷的最終組成相(第二相的微觀組織,以及第二相與力學(xué)性能之間的關(guān)系將在下文做詳細(xì)分析).
圖2 不同燒結(jié)壓力條件下,B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的物相組成Fig. 2 Phase composition of B4C-TiB2-SiC composite ceramics under different sintering pressure
圖3 顯示了不同燒結(jié)壓力條件下制備得到的B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的微觀組織及能譜分析結(jié)果.對(duì)圖3(b)中深灰色(1)、淺灰色(2)和亮灰色(3)3 種相進(jìn)行能譜分析,分析結(jié)果如圖3(d)~圖3(f))所示,可知3 種相分別為B4C、SiC 及TiB2,這與XRD 的檢測(cè)結(jié)果一致. 可以看出,燒結(jié)壓力主要影響復(fù)合陶瓷的孔洞數(shù)量及晶粒尺寸. 當(dāng)燒結(jié)壓力為0 MPa 時(shí)(圖3(a)),復(fù)合陶瓷表面存在許多孔洞,并且發(fā)現(xiàn)了大量尺寸較大的第二相晶粒. 當(dāng)燒結(jié)壓力為50 MPa 時(shí),如圖3(b)所示,復(fù)合陶瓷內(nèi)部的孔洞數(shù)量明顯減少,第二相晶粒尺寸也隨之減小,粒徑小于1 μm 的第二相晶粒數(shù)量增多. 當(dāng)燒結(jié)壓力達(dá)到80 MPa 時(shí),復(fù)合陶瓷基體晶粒尺寸明顯減小.
圖3 不同燒結(jié)壓力條件下,B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷SEM 及EDS 圖Fig. 3 SEM and EDS images of B4C-TiB2-SiC composite ceramic under different sintering pressure
利用Nano-measure 1.2 軟件,測(cè)量不同燒結(jié)壓力下制備得到的復(fù)合陶瓷的晶粒尺寸. 結(jié)果顯示,當(dāng)燒結(jié)壓力為0,50 和80 MPa 時(shí),復(fù)合陶瓷基體的晶粒尺寸分別為4.58,4.22 和3.40 μm. 隨著燒結(jié)壓力的增加,B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷晶粒細(xì)化的原因主要?dú)w結(jié)于以下兩點(diǎn):首先,晶粒長大所需的驅(qū)動(dòng)力主要為過剩的晶界自由能. 在燒結(jié)壓力的作用下,燒結(jié)過程中晶界會(huì)受到一定大小壓應(yīng)力的作用,這使得位于晶界兩側(cè)原子的擴(kuò)散能壘增加,原子的擴(kuò)散速度減緩,即晶體的生長速率減緩,因此復(fù)合陶瓷的晶粒得到了細(xì)化[21];其次,由于隨著燒結(jié)壓力的增大,復(fù)合陶瓷內(nèi)部的孔洞不斷減少,這直接導(dǎo)致了陶瓷材料比表面積的降低. 低的比表面積對(duì)原子擴(kuò)散有一定的抑制作用,這也使得復(fù)合陶瓷的晶粒得以細(xì)化.
為了進(jìn)一步觀察B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷中第二相的組成及分布情況,對(duì)燒結(jié)壓力為80 MPa 條件下制備得到的復(fù)合陶瓷進(jìn)行了TEM 觀察,結(jié)果匯總在圖4和圖5 中. 對(duì)圖4(a)中選定的區(qū)域進(jìn)行了面掃描,并對(duì)圖中深灰色基體相(I),淺灰色第二相(II)及亮灰色第二相(III)進(jìn)行了選區(qū)電子衍射標(biāo)定,分析得到3 種相分別是基體相B4C,第二相TiB2及第二相SiC,與XRD 檢測(cè)結(jié)果(圖2)和EDS 能譜分析結(jié)果(圖3(d)~圖3(f))一致.
圖4 燒結(jié)壓力為80 MPa 時(shí),B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷TEM 圖Fig. 4 TEM micrograph of B4C-TiB2-SiC composite ceramic at the sintering pressure of 80 MPa
圖5 B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷第二相分布圖Fig. 5 Distribution of the secondary phases in B4C-TiB2-SiC composite ceramic
對(duì)圖4 和圖5 中第二相的分布情況進(jìn)行分析可知,復(fù)合陶瓷中的第二相主要包括TiB2、SiC 以及(TiB2+SiC)的復(fù)合增強(qiáng)體. 復(fù)合陶瓷內(nèi)部的第二相晶??蓺w納為兩類:晶界第二相和晶內(nèi)第二相. 晶界第二相主要由微米尺寸的第二相組成;晶內(nèi)第二相主要由納米尺寸的第二相組成. 其中,微米尺寸的晶界第二相的形成主要?dú)w結(jié)于兩個(gè)方面,一是微米尺寸的添加劑Ti3SiC2和Si 與B4C 基體發(fā)生原位反應(yīng),生成了微米尺寸的第二相;二是納米尺寸第二相晶粒在高溫下長大,形成了微米尺寸第二相. 納米尺寸第二相的形成主要?dú)w結(jié)于部分尺寸為納米級(jí)別的添加劑粉體(Ti3SiC2和Si 粉的粒度分布范圍較廣),在SPS 燒結(jié)過程中的生長受到抑制而維持了其本身的納米形態(tài),與B4C 基體發(fā)生原位反應(yīng)后形成了納米尺寸的第二相晶粒.
從圖6 (a)中可以看出,在不施加燒結(jié)壓力的條件下,B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的相對(duì)密度為94.7%. 隨著燒結(jié)壓力的增加,復(fù)合陶瓷的相對(duì)密度迅速增大.當(dāng)燒結(jié)壓力為50 MPa 時(shí),復(fù)合陶瓷的相對(duì)密度達(dá)到了98.5%,即燒結(jié)壓力的施加使得復(fù)合陶瓷發(fā)生了快速致密化. 進(jìn)一步將增加燒結(jié)壓力到80 MPa,復(fù)合陶瓷的相對(duì)密度不再有顯著變化,略微增大到98.65%.復(fù)合陶瓷相對(duì)密度的測(cè)試結(jié)果與圖3 中復(fù)合陶瓷的微觀組織隨燒結(jié)壓力的變化規(guī)律基本一致. 在不施加燒結(jié)壓力的情況下,燒結(jié)過程中的致密化機(jī)制主要為晶界擴(kuò)散、晶格擴(kuò)散以及塑性流動(dòng)機(jī)制. 而施加燒結(jié)壓力后,除了上述3 種致密化機(jī)制以外,還存在晶界滑移及顆粒重排機(jī)制,因此復(fù)合陶瓷致密度隨著燒結(jié)壓力的增加而增大. 綜上所述,在燒結(jié)溫度為1 650 °C,燒結(jié)壓力為50 MPa 的條件下即可制備得到較為致密的B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷.
圖6 燒結(jié)壓力對(duì)B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷力學(xué)性能的影響Fig. 6 Effects of sintering pressure on mechanical properties of B4C-TiB2-SiC composite ceramic under different sintering pressure
隨著燒結(jié)壓力的增加,復(fù)合陶瓷硬度的變化趨勢(shì)與相對(duì)密度的變化趨勢(shì)基本一致,展現(xiàn)出先迅速增大而后緩慢增加的變化趨勢(shì):當(dāng)燒結(jié)壓力為0 MPa時(shí),B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的硬度僅為21.8 GPa. 當(dāng)燒結(jié)壓力為50 MPa 和80 MPa 時(shí),復(fù)合陶瓷的硬度分別增大到27.8 GPa 和28.6 GPa. 復(fù)合陶瓷硬度的大小與其相對(duì)密度的大小密切相關(guān),即與陶瓷內(nèi)部殘余氣孔的數(shù)量有關(guān). 殘余氣孔主要從兩方面影響復(fù)合陶瓷的硬度:①減弱了對(duì)施加載荷的抵抗力;②易導(dǎo)致應(yīng)力集中. 當(dāng)應(yīng)力達(dá)到一定程度時(shí),會(huì)在復(fù)合陶瓷內(nèi)部形成裂紋并擴(kuò)展.
圖6 (b)顯示了B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的彎曲強(qiáng)度及斷裂韌性隨燒結(jié)壓力的變化趨勢(shì),可以看出,隨著燒結(jié)壓力的增大,彎曲強(qiáng)度和斷裂韌性出現(xiàn)了明顯不同的變化規(guī)律. 當(dāng)燒結(jié)壓力從0 MPa 增加到50 MPa時(shí),復(fù)合陶瓷彎曲強(qiáng)度的增幅并不明顯,僅從382 MPa增大到387 MPa,增幅為1.3%. 而當(dāng)燒結(jié)壓力從50 MPa增加到80 MPa 時(shí),復(fù)合陶瓷的彎曲強(qiáng)度顯著增大,為531.2 MPa,增幅高達(dá)37.3%. 相關(guān)研究表明,相對(duì)密度和晶粒尺寸是影響陶瓷材料彎曲強(qiáng)度的主要因素,而當(dāng)陶瓷材料的密度達(dá)到95%時(shí),相對(duì)密度對(duì)陶瓷材料強(qiáng)度的影響不再顯著,此時(shí)晶粒尺寸成為決定陶瓷材料彎曲強(qiáng)度的主控因素. 對(duì)于B4C-TiB2-SiC復(fù)合陶瓷而言,當(dāng)燒結(jié)壓力為0 MPa 時(shí),其相對(duì)密度就達(dá)到了94.7%,因此根據(jù)以上分析,晶粒尺寸是決定復(fù)合陶瓷彎曲強(qiáng)度的主要因素. 而晶粒尺寸隨燒結(jié)壓力的增加表現(xiàn)出先緩慢減小再快速減小的變化趨勢(shì),從而導(dǎo)致復(fù)合陶瓷的彎曲強(qiáng)度出現(xiàn)了類似的變化規(guī)律.
值得注意的是,B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的斷裂韌性隨燒結(jié)壓力的增加呈現(xiàn)出下降的趨勢(shì),如圖6 (b)所示. 當(dāng)燒結(jié)壓力從0 MPa 增加到80 MPa,復(fù)合陶瓷的斷裂韌 性從7.08 MPa·m1/2降低 到5.77 MPa·m1/2. 這種變化趨勢(shì)可以結(jié)合復(fù)合陶瓷的微觀形貌進(jìn)行分析.復(fù)合陶瓷的斷口形貌如圖7 所示,從圖7 (a)中可以看出,在復(fù)合陶瓷內(nèi)部存在大量的孔洞. 根據(jù)微裂紋增韌機(jī)制,在燒結(jié)后的冷卻過程中,復(fù)合陶瓷內(nèi)部孔隙的存在會(huì)引入微裂紋,這導(dǎo)致了復(fù)合陶瓷的斷裂韌性得以提升. 除此之外,第二相顆粒的形狀也會(huì)顯著影響增韌效果. 第二相顆粒的形狀,尤其是較大的長徑比,會(huì)使裂紋在擴(kuò)展過程中發(fā)生偏轉(zhuǎn),從而導(dǎo)致增韌[22]. 在圖3 (a)中觀察到了大長徑比第二相顆粒的存在,從而使得復(fù)合陶瓷斷的裂韌性得以提升. 因此在燒結(jié)壓力為0 MPa 時(shí),復(fù)合陶瓷的斷裂韌性最高. 隨著燒結(jié)壓力的增加,復(fù)合陶瓷的相對(duì)密度隨之增加,孔洞數(shù)量隨之減少,微裂紋增韌作用不斷減弱,并且復(fù)合陶瓷內(nèi)部的第二相晶粒尺寸也逐漸減小,因此復(fù)合陶瓷的斷裂韌性持續(xù)降低[23?24].
圖7 不同燒結(jié)壓力條件下,B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷的斷口形貌Fig. 7 SEM micrograph of the fracture surface of B4C-TiB2-SiC composite ceramic under different sinterin pressure
本文采用放電等離子燒結(jié)技術(shù),以B4C、Ti3SiC2及Si 的混合粉為初始粉體,在燒結(jié)溫度為1 650 °C、燒結(jié)壓力為50 MPa、保溫時(shí)間為5 min 的燒結(jié)條件下,通過原位反應(yīng)制備得到了高致密度(98.5 %)的B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷. 研究了燒結(jié)壓力對(duì)復(fù)合陶瓷微觀組織及力學(xué)性能的影響規(guī)律,得到了以下主要結(jié)論:①B4C-TiB2-SiC 復(fù)合陶瓷主要由B4C 基體及TiB2和SiC 第二相增強(qiáng)體組成,第二相主要分為微米尺寸的晶界第二相和納米尺寸的晶內(nèi)第二相,且第二相晶粒主要以TiB2、SiC 以及(TiB2+SiC)團(tuán)聚體的形式存在;②隨著燒結(jié)壓力的增加,復(fù)合陶瓷的相對(duì)密度和硬度均隨之增加,復(fù)合陶瓷的彎曲強(qiáng)度呈現(xiàn)出先緩慢增加再迅速增大的變化趨勢(shì),而復(fù)合陶瓷的斷裂韌性則不斷降低;③微裂紋增韌及第二相增韌機(jī)制是導(dǎo)致復(fù)合陶瓷斷裂韌性隨燒結(jié)壓力的增加而不斷減小的主要原因.