魯 婉 杰,鄭 楠,王 宇,董 曉 麗
(大連工業(yè)大學(xué) 輕工與化學(xué)工程學(xué)院,遼寧 大連 116034 )
石墨相氮化碳(g-C3N4,CN)具有良好的耐磨性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于光催化[1-3]、能源供給[4-5]、捕獲與轉(zhuǎn)換二氧化碳[6-7]、傳感器[8-9]等領(lǐng)域。與其他半導(dǎo)體光催化劑相比,g-C3N4具有適中的能帶結(jié)構(gòu)(2.7~2.8 eV)、良好的可見光吸收范圍,并表現(xiàn)出優(yōu)越的物理化學(xué)性質(zhì),在光催化領(lǐng)域表現(xiàn)出巨大潛質(zhì)。雖然氮化碳在光催化方面取得了突破性進展,但其光生載流子分離效率低、比表面積小等問題仍未得到有效解決。半導(dǎo)體復(fù)合被認(rèn)為是一種切實、高效的改性方法,可明顯提升光催化效率。Ji等[10]將g-C3N4納米片與MoS2納米片復(fù)合制備的2D異質(zhì)結(jié)顯示出優(yōu)異的光催化性能。Wang等[11]利用單層Bi2WO6納米片與g-C3N4納米片成功復(fù)合出g-C3N4/Bi2WO6二維異質(zhì)結(jié),提高了降解布洛芬的性能,在60 min內(nèi)可降解96.1%的布洛芬,是純Bi2WO6納米片的2.7倍。Che等[12]利用煅燒法制備了Bi3O4Cl/g-C3N4Z型異質(zhì)結(jié),研究表明異質(zhì)結(jié)構(gòu)抑制了界面電荷復(fù)合,極大提高了光催化降解性能。因此可知,將g-C3N4納米片與另一種相匹配的二維半導(dǎo)體材料相復(fù)合,構(gòu)建成異質(zhì)結(jié)構(gòu)是提升其光催化效率的有效方法。
二硫化錫(SnS2)是一種綠色無毒、性質(zhì)穩(wěn)定、帶隙為2.18~2.44 eV的半導(dǎo)體光催化劑。SnS2有較寬的可見光吸收范圍,因而具備優(yōu)異的光催化降解性能。根據(jù)g-C3N4與SnS2的能帶適配程度可知SnS2可與g-C3N4構(gòu)建2D/2D異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)可縮短光生載流子傳輸距離,有效地抑制光生電子空穴對的復(fù)合。
本實驗利用高溫煅燒和溶劑熱法制備了CN/SnS2異質(zhì)結(jié),以羅丹明B作為目標(biāo)污染物,探究CN/SnS2復(fù)合比例對光催化性能的影響,通過XRD、SEM、DRS、PL等研究了CN/SnS2異質(zhì)結(jié)的光催化降解機理。
試劑:三聚氰酸、氯化錫,上海阿拉丁生化科技股份有限公司;三聚氰胺,天津市光復(fù)精細(xì)化工研究所;無水乙醇,天津市天力化學(xué)試劑有限公司;乙二醇,天津市富宇精細(xì)化工有限公司。
儀器:CEL-HXF300氙燈光源,北京中教金源科技有限公司;UV-1600PC紫外-可見分光光度計,美國VARIAN公司;JSM-6460LV掃描電子顯微鏡、XRD-7000 X射線衍射儀,日本JEOL公司。
CN的制備:稱取三聚氰酸1.0 g和三聚氰胺粉末1.0 g溶于80 mL的無水乙醇中。在室溫下攪拌5 h后前驅(qū)體溶液離心干燥。將干燥后的樣品放置于管式爐中并在350 ℃的空氣中煅燒2 h,以3 ℃/min升溫速率在600 ℃下繼續(xù)煅燒2 h,最終冷卻至室溫,獲得了CN納米片。
SnS2的制備:分別稱取氯化錫2 mmol和硫代乙酰胺4 mmol于40 mL去離子水中并攪拌30 min,溶液置于50 mL聚四氟乙烯高壓釜中,放置在電熱鼓風(fēng)干燥箱中加熱至180 ℃,控制水熱時間為12 h,冷卻至室溫取出,用乙醇和去離子水交替洗滌3次,烘箱中干燥8 h得到樣品。
CN/SnS2復(fù)合型光催化劑的制備:稱取一定量的g-C3N4粉末和SnS2粉末溶于40 mL乙二醇溶液,攪拌、超聲至粉末完全溶解。將溶液置于50 mL聚四氟乙烯高壓釜中,放置在電熱鼓風(fēng)干燥箱中加熱至180℃,控制水熱時間為8 h,待冷卻至室溫后將反應(yīng)物取出,用乙醇和去離子水交替洗滌3次,放入烘箱中干燥8 h后得到樣品。通過調(diào)整SnS2的劑量,合成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.0%、1.5%和2.0%的復(fù)合樣品,分別命名為CN/SnS2-1.0%、CN/SnS2-1.5%和CN/SnS2-2.0%。
通過掃描電子顯微鏡表征樣品形貌和微觀結(jié)構(gòu),X射線衍射儀表征樣品晶型,紫外-可見漫反射光譜儀表征樣品的光吸收性能,電化學(xué)工作站表征樣品的電化學(xué)性能,紫外-可見分光光度計對樣品光催化性能進行分析。
以300 W氙燈作為可見光光源,羅丹明B為目標(biāo)降解物,稱取10 mg光催化劑加到50 mL的10 mg/L羅丹明B溶液中,暗反應(yīng)攪拌30 min,達到催化劑與有機分子表面吸附-解析平衡后,開燈進行可見光光催化降解實驗。每隔10 min抽取反應(yīng)液5 mL,離心后取上清液用紫外-可見分光光度計測量吸光度,分析檢測結(jié)果。
圖1為g-C3N4和不同復(fù)合比例CN/SnS2光催化劑的X射線衍射(XRD)圖。純CN在13.3°和27.3°處出現(xiàn)了明顯的衍射峰,分別對應(yīng)于CN的(100)晶面和(002)晶面,證明成功合成了CN納米片。純SnS2在14.7°、28.3°、32.1°、41.7°、49.7°與標(biāo)準(zhǔn)卡片(JCPDS No.23-0677)相對應(yīng),表明成功制備SnS2納米片。對于各復(fù)合比例的CN/SnS2復(fù)合樣品SnS2的引入未使CN的兩衍射峰偏移,這表明CN的化學(xué)結(jié)構(gòu)沒有被破壞。
圖1 純CN、SnS2和復(fù)合型催化劑CN/SnS2的XRD譜圖Fig.1 XRD patterns of pure CN,SnS2 and CN/SnS2 composite catalysts
如圖2所示,SnS2光催化劑的SEM圖及EDS圖。純CN和純SnS2樣品呈片狀結(jié)構(gòu),CN/SnS2復(fù)合樣品保持片狀結(jié)構(gòu),但尺寸明顯變小。隨著復(fù)合比例的增大,復(fù)合樣品納米片越密集。圖2(f)為CN/SnS2-1.5%的EDS分析結(jié)果(圖2(d)中黃框位置),確定該樣品元素組成為C、N、S、Sn,表明已成功合成了CN/SnS2復(fù)合型光催化劑。
圖3、圖4為CN、SnS2及不同復(fù)合比例CN/SnS2光催化劑的DRS圖及其帶隙轉(zhuǎn)換圖。如圖所示,所有樣品在可見光范圍都有吸收,而CN/SnS2復(fù)合樣品進一步擴大了可見光吸收范圍,表現(xiàn)出更強的光吸收。
圖3 CN、SnS2和復(fù)合型催化劑CN/SnS2的DRS譜圖Fig.3 DRS spectra of CN,SnS and CN/SnS2 composite catalysts
圖4 CN、SnS2和復(fù)合型催化劑CN/SnS2的Tauc譜圖Fig.4 Tauc spectra of pure CN,SnS2 and CN/SnS2 composite catalyst
使用Kubelka-Munk函數(shù),根據(jù)紫外-可見漫反射光譜計算不同樣品的帶隙能量:
αhν=A(hν-Eg)n/2
(a)CN
式中:α為吸收系數(shù),ν為光頻率,A為常數(shù),Eg為帶隙。對于g-C3N4直接半導(dǎo)體材料,n等于1。因此,可以通過繪制(hν)2對光子能量的曲線圖來獲得樣品的帶隙。
從圖中可以看出,純CN帶隙能為2.92 eV、純SnS2的帶隙能為1.83 eV,CN/SnS2-1.0%、CN/SnS2-1.5%、CN/SnS2-2.0%三個復(fù)合樣品帶隙能約為2.88、2.86、2.82 eV。隨著CN/SnS2復(fù)合比例的增加,光催化劑可見光吸收范圍逐漸擴大,這與文獻[13]報道相一致。
圖5為純CN和不同復(fù)合比例CN/SnS2光催化劑的光電流譜圖。在相同的光照強度下,CN/SnS2-1.5%復(fù)合樣品光電流密度最大,光電流響應(yīng)最強,表明其在光照下有更多光生電子和空穴參與到光催化反應(yīng)中,進而提升光催化效果。
圖5 CN和復(fù)合型催化劑CN/SnS2的光電流圖Fig.5 Photocurrent responses of CN and CN/SnS2 composite catalysts
圖6為CN和不同復(fù)合比例CN/SnS2光催化劑的電阻譜圖。結(jié)果表明CN/SnS2-1.5%半徑最小,電荷轉(zhuǎn)移阻力最小,進而說明其光生載流子傳輸速度最快,光生電子與空穴復(fù)合率最低。
圖6 CN和復(fù)合型催化劑CN/SnS2的阻抗圖Fig.6 Impedance spectra of pure CN and CN/SnS2 composite catalysts
為進一步研究CN/SnS2光催化劑載流子分離和轉(zhuǎn)移效率,進行了光致發(fā)光光譜(PL)分析。如圖7所示,CN有較強的熒光發(fā)射峰,而形成異質(zhì)結(jié)的樣品發(fā)射峰變?nèi)?,出現(xiàn)了淬滅效應(yīng),證明CN/SnS2的異質(zhì)結(jié)構(gòu)促進了電子與空穴的分離,增加了量子產(chǎn)率。
圖7 CN和復(fù)合型催化劑CN/SnS2的PL圖Fig.7 Photoluminescence of CN and CN/SnS2 composite catalysts
選擇羅丹明B為目標(biāo)污染物,各樣品可見光下降解效果如圖8所示。結(jié)果表明,純g-C3N4對染料降解率最低,在40 min內(nèi)降解率為39%,所有復(fù)合比例的CN/SnS2光催化劑對羅丹明B的降解效果均有提升。其中CN/SnS2-1.5%復(fù)合樣品光催化性能最佳,該樣品在40 min內(nèi)降解率為98%,CN/SnS2-2%樣品僅為85%。這可歸因于過多的SnS2將g-C3N4表面的活性位點覆蓋,阻礙了光生電子的傳遞,導(dǎo)致光催化活性降低。
圖8 CN和復(fù)合型催化劑CN/SnS2的光催化降解圖Fig.8 Photocatalytic degradation of CN and CN/SnS2 composite catalysts
捕獲實驗可確定光催化過程中起主要作用的物質(zhì)。以抗壞血酸(LA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、異丙醇(IPA)為捕獲劑。結(jié)果表明,加入LA后降解率僅為15.9%,加入EDTA后降解率為82.4%,加入IPA后降解率仍高達96.5%,可以證明在光催化過程中起主要作用的是超氧自由基。
為考察CN/SnS2-1.5%樣品的穩(wěn)定性,進行了光催化劑降解重復(fù)性實驗,結(jié)果如圖9所示。經(jīng)過3次循環(huán)后,CN/SnS2-1.5%復(fù)合樣品降解效率仍可達到95%,說明此方法制備的光催化劑具有良好的穩(wěn)定性和重復(fù)使用性。
圖9 復(fù)合型催化劑CN/SnS2-1.5%對羅丹明B的3次循環(huán)實驗結(jié)果Fig.9 Degradation experiment of RhB over the composite catalyst CN/SnS2-1.5% for 3 cycles
通過兩步法成功制備了3種不同復(fù)合比例的CN/SnS2光催化劑,并對該催化劑進行了一系列表征。結(jié)果表明,在對羅丹明B降解中,3種CN/SnS2復(fù)合比例樣品降解效果均有提升,其中CN/SnS2-1.5%降解效果最好,在40 min內(nèi)降解率達到98%。這主要是由于CN/SnS2-1.5%復(fù)合樣品與純CN相比擴大了可見光吸收范圍,增強了光吸收強度。CN/SnS2-1.5%產(chǎn)生了更多的光生載流子,其電流密度最高,電子傳輸阻力最小。CN/SnS2-1.5%樣品產(chǎn)生較強的淬滅效應(yīng),電子與空穴分離率最高。同時,CN/SnS2-1.5%具有較好穩(wěn)定性和重復(fù)使用價值。