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      高效紫光有機(jī)發(fā)光二極管的研制*

      2021-01-22 12:26:06周林箭管勝婕曾俊杰
      科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2021年6期
      關(guān)鍵詞:紫光空穴能級(jí)

      周林箭,管勝婕,曾俊杰,張 勇

      (西南大學(xué) 物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,重慶400715)

      1 概述

      紫光的用途非常廣泛,在照明、消毒、醫(yī)療、檢測(cè)等方面都需要用到紫光。傳統(tǒng)方法主要是利用汞原子被激發(fā)后發(fā)射紫光,但汞是環(huán)境中一種毒性極強(qiáng)的重金屬污染物[1-2]。另外近十年來(lái),有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)被視為21世紀(jì)最具有前途的顯示與照明方式[3]。因此如果能利用有機(jī)材料制備出一種綠色環(huán)保、節(jié)能高效的紫光OLED,來(lái)作為汞光源的替代物,就可以減少汞對(duì)環(huán)境的污染。

      PVK是一種常見的寬帶隙有機(jī)聚合物半導(dǎo)體材料。它的帶隙寬度~3.5eV,發(fā)光的峰位波長(zhǎng)一般在405~410nm之間。從能級(jí)結(jié)構(gòu)來(lái)看,PVK非常適合作為紫光發(fā)光材料。目前利用PVK制備OLED[4],器件的發(fā)光性能不佳的主要原因有兩點(diǎn):(1)PVK的LUMO能級(jí)位置太高,造成向PVK發(fā)光層中傳輸電子困難;(2)PVK電子遷移率不佳,這制約了器件的電致發(fā)光效率。因此,如果利用PVK作為發(fā)光材料來(lái)制備紫光OLED,除了使用能級(jí)位置合適的電子傳輸材料外,還必須要提高它的電子傳輸能力。

      BCPO是一種寬帶隙有機(jī)小分子半導(dǎo)體材料,其HOMO與LUMO能級(jí)的位置與PVK最為接近,并且BCPO同時(shí)具有良好的電子與空穴雙極傳輸特性[5]。在本實(shí)驗(yàn)中,將BCPO以一定比例摻雜到PVK中,形成PVK:BCPO混合膜作為紫光OLED的發(fā)光層。與純PVK發(fā)光層相比,經(jīng)適量摻雜后,PVK:BCPO混合發(fā)光層的電子傳輸能力得到明顯改善,基本解決了在發(fā)光層/電子傳輸層界面處因電子傳輸困難造成的電荷堆積問題,因而獲得了較好的紫光發(fā)光效率。

      2 器件的制備與測(cè)量

      實(shí)驗(yàn)所用主要有機(jī)材料的分子結(jié)構(gòu)與紫光OLED的器件結(jié)構(gòu)如圖1所示。制備OLED器件時(shí),首先將PEDOT:PSS溶液旋涂(轉(zhuǎn)速4500rpm,時(shí)間90s)在經(jīng)過清洗和臭氧處理過的ITO導(dǎo)電玻璃上,在120℃的溫度上加熱20min以去除薄膜中的水分。而后在PEDOT:PSS層上旋涂PVK:BCPO的甲苯混合溶液(濃度2.5mg/mL,轉(zhuǎn)速4500rpm,時(shí)間90s),在80℃的溫度上加熱10min以去除薄膜中的殘余溶劑。通過臺(tái)階儀測(cè)得PEDOT:PSS層的厚度約70nm,而PVK:BCPO混合發(fā)光層的厚度約50nm。在1.0×10-4Pa的真空度上蒸鍍TmPyPB、Liq和Al電極,經(jīng)過上述過程制備的紫光OLED的器件結(jié)構(gòu)為:ITO/PEDOT:PSS(70nm)/PVK:BCPO(x,50nm)/TmPyPB(30nm)/Liq(2.5nm)/Al(120nm),其中x為混合發(fā)光層中BCPO的質(zhì)量百分比。在本實(shí)驗(yàn)中,BCPO的摻雜濃度被分別設(shè)定為x=0(無(wú)摻雜),10%,20%,和30%。為敘述方便,將這4個(gè)器件分別命名為A0、A1、A2、A3。采用由Labview程序控制的Keithley 2400數(shù)字源表和Ocean Optics USB4000光纖光譜儀分別測(cè)量器件的電流密度-發(fā)光強(qiáng)度-電壓特性和電致發(fā)光光譜。實(shí)驗(yàn)上還使用島津UV-2600紫外可見分光光度計(jì)測(cè)量了純PVK薄膜的吸收光譜,使用Edinburgh FLS920穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)熒光光譜儀測(cè)量了PVK:BCPO混合膜的光致發(fā)光譜及其瞬態(tài)熒光衰減曲線。

      圖1

      3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

      圖2展示了器件的能級(jí)結(jié)構(gòu)圖,其能級(jí)數(shù)據(jù)引自文獻(xiàn)[7]。如圖2所示,電子傳輸材料TmPyPB的HOMO能級(jí)較低,其與PVK的HOMO能級(jí)間的能級(jí)差為ΔEHOMO=1.2eV,故能有效地將空穴限制在發(fā)光層內(nèi),因此在發(fā)光層/電子傳輸層界面附近的PVK一側(cè)會(huì)有大量的空穴堆積。另一方面,PVK的LUMO能級(jí)較高,其與TmPyPB的LUMO能級(jí)間的能級(jí)差為ΔELUMO=0.7eV,且由于純PVK的電子傳輸能力差,造成電子從TmPyPB向PVK傳輸困難,因此在發(fā)光層/電子傳輸層界面附近的TmPyPB一側(cè)會(huì)有大量的電子堆積。在界面附近,TmPyPB一側(cè)的電子與PVK一側(cè)的空穴形成分子間的電子-空穴對(duì),通常將其稱為電致的激基復(fù)合物(electroplex)。

      圖3(a-d)分別展示了A2器件的電流密度-電壓(JV)曲線、發(fā)光強(qiáng)度-電壓(L-V)曲線、電流效率-電流密度(η-J)曲線、外量子效率-發(fā)光強(qiáng)度(EQE-L)曲線。實(shí)測(cè)該器件的啟亮電壓約3.5V(對(duì)應(yīng)的發(fā)光強(qiáng)度約0.1cd/m2),在13V電壓上器件的發(fā)光強(qiáng)度超過2000cd/m2。當(dāng)器件的發(fā)光強(qiáng)度在100~200cd/m2時(shí),器件的最大電流效率達(dá)到2.0cd/A,最大外量子效率達(dá)到1.4%。當(dāng)器件的發(fā)光強(qiáng)度在1000cd/m2時(shí),器件的電流效率降低至1.34cd/A,外量子效率降低至0.89%。本研究的結(jié)果表明,采用相對(duì)廉價(jià)易得的PVK材料制備的紫光發(fā)射器件也能有較好的發(fā)光效率。

      圖2 器件的能級(jí)結(jié)構(gòu)圖

      通常,有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光效率,既受器件的載流子傳輸性質(zhì)影響,也受發(fā)光層的發(fā)光性質(zhì)影響。為了分析摻雜BCPO對(duì)PVK發(fā)光層性質(zhì)的影響,在本實(shí)驗(yàn)中,分別測(cè)量了PVK與PVK:BCPO混合薄膜的光致發(fā)光(photoluminescence,簡(jiǎn)稱PL)及其瞬態(tài)衰減曲線。

      圖4(a)中展示了純PVK薄膜的吸收光譜(虛線)。測(cè)量光致發(fā)光時(shí),激發(fā)波長(zhǎng)設(shè)定為320nm。在發(fā)射光譜(實(shí)線)中,PVK發(fā)光的峰位波長(zhǎng)在~408nm處。向PVK中摻入BCPO后,混合膜的峰位波長(zhǎng)沒有移動(dòng),發(fā)光譜的譜線形狀基本不變。為了顯示清晰,圖4(a)中將不同譜線向上小幅平移。隨后,利用單色儀選取峰位波長(zhǎng)處的發(fā)光,在0~500ns的時(shí)間范圍內(nèi)測(cè)量了薄膜的瞬態(tài)熒光衰減過程。圖4(b)展示了PVK與PVK:BCPO的瞬態(tài)熒光衰減曲線,左側(cè)的IRF曲線表示測(cè)量?jī)x器的響應(yīng)函數(shù),曲線的半高寬~0.63ns,表明測(cè)量裝置具有良好的時(shí)間分辨能力。數(shù)據(jù)分析發(fā)現(xiàn),PVK與PVK:BCPO的瞬態(tài)熒光衰減曲線可以用一個(gè)經(jīng)驗(yàn)公式來(lái)進(jìn)行擬合,即:I(t)=a1e-t/τ1+a2e-t/τ2+a3e-t/τ3,其中a1、a2、a3與τ1、τ2、τ3為曲線的擬合參數(shù)(所有參數(shù)在表1中列出)。激子的平均壽命τ可用簡(jiǎn)單方法估算,即τ=a1τ1+a2τ2+a3τ3。根據(jù)曲線擬合的結(jié)果得到,發(fā)光層中激子的平均壽命分別為:τ=18.0ns(x=0)、19.5ns(x=10%)、20.9ns(x=20%)、22.3ns(x=30%)。表明隨著BCPO的摻雜濃度逐漸增加,發(fā)光層中激子的平均壽命隨之逐漸增大。參考圖2所示的能級(jí)示意圖,這種現(xiàn)象可能是由于BCPO與PVK能級(jí)不匹配造成的。一方面,PVK的HOMO能級(jí)比BCPO高~0.3eV,這意味著空穴趨向于停留在PVK而不是BCPO分子上。另一方面,BCPO的LUMO能級(jí)比PVK低~0.2eV,這意味著電子趨向于停留在BCPO而不是PVK分子上。由于兩種材料間存在能級(jí)差,這可能遲滯了混合發(fā)光層中的電子與空穴間的輻射復(fù)合速度,因而使激子的平均壽命變長(zhǎng)。

      圖3 A2器件的(a)J-V曲線,(b)L-V曲線,(c)η-J曲線,(d)EQE-L曲線

      圖4 (a)PVK的吸收光譜(虛線),與PVK、PVK:BCPO的發(fā)射光譜(實(shí)線);(b)PVK與PVK:BCPO的瞬態(tài)熒光衰減曲線,灰色線為采用經(jīng)驗(yàn)公式得到的擬合曲線,IRF表示瞬態(tài)熒光光譜儀的儀器響應(yīng)函數(shù)

      表1 圖4(b)中發(fā)光衰減曲線的擬合參數(shù)

      4 結(jié)束語(yǔ)

      本實(shí)驗(yàn)中,采用寬帶隙的聚合物材料PVK為發(fā)光層制備紫光發(fā)光二極管。由于PVK的電子傳輸能力較差,造成在PVK發(fā)光層與TmPyPB電子傳輸層界面附近存在大量電荷堆積。其中TmPyPB一側(cè)的堆積電子與PVK一側(cè)的堆積空穴形成激基復(fù)合物,嚴(yán)重降低了器件的紫光發(fā)射效率。為解決這一問題,將與PVK能級(jí)結(jié)構(gòu)相近的小分子材料BCPO摻入PVK中,制備出PVK:BCPO混合發(fā)光層。由于BCPO具有良好的電子/空穴雙極傳輸特性,與純PVK發(fā)光層相比,PVK:BCPO混合發(fā)光層的電子傳輸能力得到有效改善,界面附近激基復(fù)合物減少,器件的紫光發(fā)射效率得到大幅提高。當(dāng)BCPO的摻雜濃度控制在20%時(shí),器件的最大外量子效率接近1.4%,對(duì)應(yīng)的發(fā)光強(qiáng)度在100~200 cd/m2。而在1000 cd/m2的發(fā)光強(qiáng)度上,器件的外量子效率約0.9%,表明該器件有較好的紫光發(fā)射效率。此外,對(duì)混合發(fā)光層瞬態(tài)熒光衰減過程的測(cè)量表明,摻入BCPO后使得電子與空穴的輻射復(fù)合速度變慢,也會(huì)對(duì)器件的發(fā)光性質(zhì)產(chǎn)生影響,因而存在一個(gè)比較合理適當(dāng)?shù)膿诫s濃度。

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