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    基于自適應濾波器改進型 DSOGI并網鎖相環(huán)直流偏移消除方法

    2020-08-17 06:45:22王浩成陳小丹丁正龍王本廣
    可再生能源 2020年8期
    關鍵詞:積分器響應速度低通濾波器

    王浩成, 何 山,2, 陳小丹, 丁正龍, 王本廣

    (1.新疆大學 電氣工程學院, 新疆 烏魯木齊 830049; 2.可再生能源發(fā)電與并網控制教育部工程研究中心,新疆 烏魯木齊 830049)

    0 引言

    隨著可再生能源在電網中滲透率不斷提高,并網型變流設備對鎖相環(huán)性能的要求也相應的提高[1]~[3]。 當電網發(fā)生故障時,互感器的非線性、A/D轉換誤差、模擬器件的溫度、零點漂移等因素均會導致直流偏移[4],[5]。 三相直流偏移不相等時會引起鎖相環(huán)的頻率和相位出現基頻波動[6],[7],從而影響并網變流設備的性能和穩(wěn)定性[8]。

    目前, 針對鎖相環(huán)的直流偏移抑制方法有很多種。 文獻[9]提出基于正弦積分器的同步參考坐標鎖相環(huán)(SAI-PLL),它能夠抑制直流分量,但由于包含多次正弦積分運算, 增加了額外的計算負擔。 文獻[10],[11]提出了基于復變陷波器的并網鎖相環(huán)消除直流偏移, 具有響應速度快與直流偏移抑制能力, 但對運算與內存要求較高。 文獻[12],[13]提出了基于多延時信號消除的增強型鎖相環(huán)(MDSC-EPLL)。 文獻[14]設計了級聯延時信號消除法的鎖相環(huán)(CDSC-PLL)。 文獻[15]利用自適應濾波器延時消除鎖相環(huán)(APF-DSC-PLL),能夠加快濾除直流偏移。 上述鎖相環(huán)均可以有效消除直流偏移分量,但是延時消除(DSC)結構會導致動態(tài)特性降低。有學者提出改進型DSC 的并網鎖相環(huán)[16]可提高抑制直流偏移的動態(tài)性能,但是利用一階pade 等效變換延時函數時,會造成相位偏差,須要設計補償。 文獻[17]在雙二階廣義積分器鎖相環(huán)(DSOGI-PLL)中,增加低通濾波器通道用于消除直流分量, 但是采用低通濾波器會引起相位偏移。 文獻[18] 提出利用滑動平均濾波器(MAF)改進的DSOGI 鎖相環(huán)消除直流偏移,可克服傳統(tǒng)低通濾波器缺陷,提升動態(tài)性能,但是對于滑動窗寬度的選擇計算復雜。

    本文提出了一種自適應低通濾波器改進的DSOGI 鎖相環(huán),利用頻率自適應低通濾波器檢測并消除直流分量,引入自適應低通濾波器后,改善了低次諧波濾除特性。改進后的DSOGI 鎖相環(huán)不僅具有傳統(tǒng)DSOGI 鎖相環(huán)性能,同時還具備抑制直流偏移能力,最后通過仿真驗證了方法的正確。

    1 鎖相原理分析

    1.1 非理想三相電壓分析

    非理想條件下的三相電壓為

    αβ 坐標系下的非理想三相電壓為

    由式(3),(4)可知,當三相直流偏移不相等時,存在直流分量。 諧波分量經Clark 變換后仍然存在。因此,還須要設計濾波器將直流分量和諧波分量濾除。

    1.2 雙二階廣義積分器

    二階廣義積分器(SOGI)在基準頻率變化的情況下濾除雜波, 且能夠對輸入信號進行90°滯后移相。 二階廣義積分器結構如圖1 所示。

    圖1 二階廣義積分器框圖Fig.1 Block diagram of SOGI

    圖中:V 為輸入信號;ω′為濾波器中心頻率;k為阻尼系數;V′,qV′為濾波后輸出的正交信號;ε為V 與V′之差;s 為拉氏變換算子。

    由圖1 可得V′,qV′的傳遞函數D(s)和Q(s)幅值和相位的頻率特性分別為

    二階廣義積分器在不同阻尼系數k 值下的響應幅頻特性如圖2 所示。

    由圖2 可知, 利用SOGI 的選頻特性可提取基波頻率, 阻尼系數k 值減小時,SOGI 選頻特性增強,但系統(tǒng)帶寬變窄,降低系統(tǒng)的動態(tài)響應。 因此,確定阻尼系數k,須要綜合考量選頻特性與響應速度。

    圖2 SOGI 的頻率特性Fig.2 Bode plots of D(s)and Q(s)

    根據前文分析可知,當輸入信號的頻率ω 等于DSOGI 的中心頻率ω′時, 輸出信號V′與輸入信號V 具有相同的幅值和相位,qV′與V 具有相同的幅值,但是相位滯后90°。將其代入分解轉換矩陣消除負序分量, 構成雙二階廣義積分器。DSOGI-PLL 結構如圖3 所示。

    圖3 雙二階廣義積分器鎖相環(huán)框圖Fig.3 Block diagram of double second order generalized integrator

    圖中:ω0為電網基波頻率;θ 為鎖相輸出電壓相位;Ud+,Uq+分別為電壓正序分量在d,q 軸分量。

    2 改進分析與設計

    2.1 改進分析

    由圖2 可知:D(s)具有帶通濾波特性,可認為D(s)將直流分量衰減為0;Q(s)為低通濾波特性, 根據SOGI 的頻率特性可假設其對直流分量的增益為

    由式(7)可得DSOGI 濾波后的直流分量為

    由于Q(s)具有低通濾波器特性,因而對直流成分抑制能力弱。 為保證基頻信號通過,Q(s)的截止頻率應高于基頻, 這導致基頻附近的低次諧波濾除效果不佳。 文獻[17]將誤差信號ε 經過低通濾波器提取直流分量后, 在qV′信號中將其減去,消除直流分量,但未對誤差進行補償。 在頻率波動時,DSOGI 鎖相環(huán)對低次諧波的濾波效果不佳。

    2.2 改進設計

    DSOGI 濾波結構決定其對直流偏移抑制能力弱,可先利用低通濾波器將直流分量濾除,再使用鎖相環(huán)鎖定相位,基本原理如圖4 所示。

    圖4 直流偏移消除原理框圖Fig.4 Block diagram of dc offset removal

    為了保證在頻率變化時能夠準確檢測出直流分量,本文利用文獻[15]提出的具有頻率適應性的低通濾波器, 設計了基于自適應低通濾波器改進的DSOGI 鎖相環(huán),如圖5 所示。

    圖5 基于自適應低通濾波器的DSOGI 鎖相環(huán)Fig.5 Adaptive low-pass filter DSOGI PLL

    圖中, 將Clark 變換后的輸入信號Vα,Vβ通過自適應濾波消除直流分量, 該過程中由于濾波器產生了幅值衰減,需要通過圖中增益A 進行幅值補償和θshift進行相位偏移補償。

    由圖5 可知,一階低通濾波器的傳遞函數為

    式中:ωc為截止頻率, 利用低通濾波器提取出直流偏移后再與原信號做差,可消除直流分量,其傳遞函數為

    由式(10)可知其結構為一階高通濾波器。 將s=jωf代入式(10)整理后,幅值衰減與相位偏移關系表達式為

    為了確定式(9)的截止頻率ωc,利用鎖相環(huán)輸出的角頻率ω,設計圖5 的頻率適應反饋通道。為避免在初始條件下受到干擾,將ωc初始值設置為基頻50 Hz,引入低通濾波器LPF1更新ωc。 其中低通濾波器LPF1為

    LPF1的截止頻率ωc1是固定的,根據文獻[15]可知,ωc1與鎖相環(huán)的響應速度成反比例關系,當截止頻率增加時,響應速度變慢,當截止頻率減小時,響應速度加快。 參考文獻[15]選擇ωc1為基頻的3 倍頻率, 所以本文選取LPF1的截止頻率ωc1為150 Hz。

    為發(fā)揮DSOGI 的頻率適應性下的選頻特性,根據圖2 可確定出DSOGI 的阻尼系數k=0.707時,具有適中的響應速度且頻帶寬度為35 Hz。 該設計優(yōu)點是在不改變原有DSOGI 鎖相環(huán)的基礎上,通過增加自適應濾波器與補償環(huán)節(jié),實現對直流分量的濾除。將式(10)代入DSOGI 傳遞函數式(5),(6),可得三階傳遞函數式為

    由圖6 可見,在基頻附近二者帶寬基本一致,使Q′(s)具有帶通濾波特性,從而有效濾除直流分量。與Q(s)相比,在高頻部分具有更大的衰減,從而也增加了對諧波的抑制能力, 但會導致在基頻附近相位增加約45°, 因此須要增加相位補償環(huán)節(jié)。

    圖6 改進前后的SOGI 的頻率特性對比圖Fig.6 Bode comparison chart of SOGI before and after improvement

    3 仿真對比

    為驗證本文理論的正確性, 在Matlab/Simulink 中搭建了DSOGI 鎖相環(huán),將APF-DSOGI鎖相環(huán)、兩相靜止坐標下αβDSC 鎖相環(huán)的仿真模型進行對比驗證[12],其中,傳統(tǒng)DSOGI 鎖相環(huán)與基于自適應低通濾波器的APF-DSOGI 鎖相環(huán)具有相同的阻尼系數k=0.707, 環(huán)路濾波器Kp=187,Ki=803 參數相同。設置了三相不平衡、含諧波、直流偏移、頻率突變、相位突變5 種非理想電網電壓條件進行鎖相環(huán)的驗證。仿真條件設定:初始電網電壓三相對稱,額定頻率為50 Hz,初始相位為0°,其有效值為220 V,仿真參數如表1 所示。

    表1 仿真條件設置Table 1 Simulation condition setting

    (1)三相不平衡

    在0.1~0.3 s 加入幅值為120 V 的負序電壓,仿真結果如圖7 所示。

    圖7 三相不平衡對比圖Fig.7 Three-phase unbalance comparison chart

    由圖7 可知,0.16 s 后,3 種鎖相環(huán)輸出趨于穩(wěn)定。 αβDSC 鎖相環(huán)在調整時間內, 含有高頻波動;DSOGI 鎖相環(huán)引起頻率的超調量最大, 其值為3.6 Hz;APF-DSOGI 鎖相環(huán)具有適中的超調量與輸出頻率光滑。

    (2)含諧波

    在0.4~0.6 s 加入幅值為12 V 的3 次諧波和幅值為15 V 的9 次諧波, 仿真結果如圖8 所示。由圖8 可知,αβDSC 鎖相環(huán)的頻率與相位誤差均出現9 次諧波波動,αβDSC 鎖相環(huán)只能消除指定次諧波頻率[12],當含有指定次以外的諧波時會引起較大誤差。 DSOGI 鎖相環(huán)的頻率出現低次諧波波動,驗證了DSOGI 鎖相環(huán)對低次諧波抑制能力不足。APF-DSOGI 鎖相環(huán)經過30 ms 的調整時間達到穩(wěn)定, 三者相比較APF-DSOGI 鎖相環(huán)具有較強抑制諧波的能力。

    圖8 含諧波對比圖Fig.8 Low harmonic comparison chart

    (3)含直流偏移

    在0.7~0.9 s 對A,B,C 三相分別加入幅值為12,23,43 V 的直流電壓,仿真結果如圖9 所示。

    圖9 含直流偏移對比圖Fig.9 DC offset comparison chart

    由圖9 可知,DSOGI 鎖相環(huán)的頻率和相位偏差均出現了基頻振蕩,可見DSOGI 對直流偏移抑制能力弱。 在0.75 s 后,αβDSC 鎖相環(huán)與APFDSOGI 鎖相環(huán)頻率達到穩(wěn)定,因此具有抑制直流偏移的能力。

    (4)頻率突變

    在1.0~1.2 s,將頻率設置為55 Hz,仿真結果如圖10 所示。 由圖10 可知, 當頻率突變+5 Hz時,αβDSC 鎖相環(huán)的上升時間為40 ms。1.08 s 后,頻率都趨于55 Hz, 達到穩(wěn)定且相位誤差趨近于0。 因此,3 者均具有克服頻率突變的能力, 其中APF-DSOGI 的調整時間最短,具有較好的頻率適應性。

    圖10 頻率突變對比圖Fig.10 Frequency mutation comparison chart

    (5)相位突變

    在1.3~1.5 s,將三相電壓的相位增加40°,仿真結果如圖11 所示。 由圖11 可知,αβDSC 鎖相環(huán)響應最慢, 在調整時間內頻率出現高頻波動。DSOGI 收斂速度最慢,1.37 s 后達到穩(wěn)定。 APFDSOGI 鎖相環(huán)在相位突變時的性能相對較好。

    圖11 相位突變對比圖Fig.11 Phase mutation comparison chart

    由圖7~11 可知,αβDSC 鎖相環(huán)引起的頻率偏差與相位誤差相對較小,但是αβDSC 鎖相環(huán)僅能抑制指定次諧波干擾,含有9 次諧波時,頻率與相位誤差均出現波動。αβDSC 鎖相環(huán)內含有二級級聯延時消除單元,所以調整時間較為固定,其值約為40 ms,但頻率輸出存在高頻波動,在發(fā)生頻率與相位突變時,響應速度較慢。 DSOGI 鎖相環(huán)響應快,同時所引起的偏差較大,需要的調整時間較長,直流偏移抑制能力弱。 APF-DSOGI 具有直流偏移抑制能力,與其他濾波器相比,具有諧波抑制效果較好、適中的調整時間與響應速度、頻率輸出較光滑、相位誤差較小的特點。從中也發(fā)現頻率與相位存在耦合關系, 在頻率波動時相位也會波動。

    4 結論

    本文研究了非理想電網電壓條件下DSOGI鎖相環(huán)的特性, 提出了具有直流偏移抑制能力的APF-DSOGI 鎖相環(huán), 并設計了相應的補償環(huán)節(jié)。通過理論分析與仿真驗證,得出以下結論:①3 種鎖相環(huán)相比較,APF-DSOGI 鎖相環(huán)的頻率輸出具有適中的響應速度與超調量且頻率輸出光滑,可見APF-DSOGI 鎖相環(huán)的綜合性能優(yōu)于前兩者;②APF-DSOGI 鎖相環(huán)結構簡單, 動態(tài)特性較好,不破壞原有DSOGI 鎖相環(huán)結構, 運算量相對較低,具有工程實際價值。

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