粟銀,朱絨霞,欒瑞昕
(空軍工程大學(xué) 基礎(chǔ)部,陜西 西安 710051)
目前,航空ZM-5鎂合金零部件均采用鉻酸鹽化學(xué)轉(zhuǎn)化技術(shù)進行表面處理,該技術(shù)存在著Cr6+對人體及環(huán)境的危害問題,因此,鎂合金表面無“鉻”化學(xué)轉(zhuǎn)化技術(shù)倍受相關(guān)研究人員的關(guān)注。本課題組在高錳酸鹽[1]體系、高錳酸鹽-鈰鹽[2-4]體系進行了鎂合金化學(xué)轉(zhuǎn)化技術(shù)的一些研究工作,雖然這些化學(xué)轉(zhuǎn)化液體系中無“鉻”,但仍然存在重金屬(如錳)對人體和環(huán)境的危害。因此,在前期研究工作的基礎(chǔ)上,本文就航空ZM-5鎂合金在CeCl3-NaCl-H2O2轉(zhuǎn)化溶液體系進行表面化學(xué)轉(zhuǎn)化工藝技術(shù)的研究,旨在為鎂合金表面無“鉻”化學(xué)轉(zhuǎn)化膜防護技術(shù)的研究及其應(yīng)用提供理論依據(jù)。
航空ZM-5鎂合金,將其加工成尺寸為20 mm×30 mm×5 mm的試樣;硝酸(65%)、過氧化氫(30%)、高錳酸鉀、氯化亞鈰(CeCl3·7H2O)、氫氧化鈉、氯化鈉均為分析純。
BS210S型電子天平(精度為0.1 mg)。
首先用砂紙打磨試樣表面,再用50 g/L NaOH溶液堿洗10 min,最后,在CeCl3-NaCl-H2O2溶液體系中進行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理30 min[3]。從轉(zhuǎn)化溶液中取出鎂合金試樣后,用電吹風(fēng)吹干試樣表面。
實驗過程中溫度均為室溫。整個制備過程中,各步驟之間必須用去離子水沖洗試樣表面,再進行下一步驟。
將0.05 g KMnO4和1 mL濃HNO3加入100 mL去離子水中,配制成腐蝕溶液備用。再將腐蝕溶液滴在鎂合金表面的化學(xué)轉(zhuǎn)化膜層上,觀察溶液顏色變化,并記錄其變化時間。該時間即為膜層的耐腐蝕時間,時間越長,膜層的耐腐蝕性能越好。
以CeCl3-NaCl體系為化學(xué)轉(zhuǎn)化溶液,固定CeCl3·7H2O濃度為3 g/dm3,NaCl濃度依次為0,5,10,15,20,25,30,35 g/dm3,分別配制成8組CeCl3-NaCl轉(zhuǎn)化溶液體系,按照1.2節(jié)實驗方法進行化學(xué)轉(zhuǎn)化膜層的制備。制備過程中,對每組轉(zhuǎn)化溶液中形成膜層的質(zhì)量增量進行測定,并以Cl-濃度為橫坐標,膜層質(zhì)量增量為縱坐標作圖,圖1為膜層質(zhì)量增量隨Cl-濃度的變化曲線圖。
圖1 膜層質(zhì)量增量隨Cl-濃度的變化曲線Fig.1 The mass gain curve of coating mass gain with Cl-
由圖1可知,隨著Cl-濃度的增大,膜層質(zhì)量增量隨之增加,當Cl-濃度為30 g/dm3時達到最大值,之后隨之減少。當Cl-濃度<10 g/dm3時,膜層質(zhì)量增量較小。因此,轉(zhuǎn)化溶液中Cl-最佳濃度應(yīng)該在10,15,20,25,30 g/dm3中,并根據(jù)對應(yīng)膜層的耐腐蝕性能進行選擇。
再采用1.3節(jié)的腐蝕實驗對膜層的耐蝕性能進行研究,實驗得到的膜層腐蝕時間與Cl-濃度的對應(yīng)關(guān)系見表1。
表1 Cl-濃度與對應(yīng)膜層腐蝕時間的對應(yīng)關(guān)系Table 1 The anti-corrosion of coating with NaCl
由表1可知,當Cl-濃度為10,15,20,25,30 g/dm3時,對應(yīng)膜層的腐蝕時間變化不大,因此,Cl-最佳濃度選定為10 g/dm3。
首先以CeCl3-NaCl-H2O2體系為化學(xué)轉(zhuǎn)化溶液,CeCl3·7H2O濃度為3 g/dm3,NaCl濃度為 10 g/dm3,H2O2濃度分別為0,2,4,6,8,10 mL/dm3,分別配制成6組CeCl3-NaCl-H2O2轉(zhuǎn)化溶液體系,按照1.2節(jié)實驗方法進行化學(xué)轉(zhuǎn)化膜層的制備。制備過程中,對每組轉(zhuǎn)化溶液中形成膜層的質(zhì)量增量進行測定,并以H2O2濃度為橫坐標,膜層質(zhì)量增量為縱坐標作圖,圖2為膜層質(zhì)量增量隨H2O2濃度的變化曲線圖。
圖2 膜層質(zhì)量增量隨H2O2濃度的變化曲線Fig.2 The mass gain curve of coating with H2O2
由圖2可知,隨著H2O2濃度的增大,膜層質(zhì)量增量隨之增加,當H2O2濃度為6 mL/dm3時達到最大值,之后隨之減少。
再采用1.3節(jié)的腐蝕實驗對膜層的耐蝕性能進行研究,實驗得到的腐蝕時間與H2O2濃度的對應(yīng)關(guān)系見表2。
表2 H2O2濃度與對應(yīng)膜層腐蝕時間的對應(yīng)關(guān)系Table 2 The anti-corrosion of coating with H2O2
由表2可知,隨著H2O2濃度的增大,膜層腐蝕時間隨之增加,當H2O2濃度為6 mL/dm3時達到最大值,因此,H2O2最佳濃度選定為6 mL/dm3。
以CeCl3-NaCl-H2O2體系為化學(xué)轉(zhuǎn)化溶液,固定NaCl濃度為10 g/dm3,H2O2濃度為6 mL/dm3,CeCl3·7H2O濃度依次為0,3,5,10,15,20 g/dm3,分別配制成6組CeCl3-NaCl-H2O2轉(zhuǎn)化溶液體系,按照1.2節(jié)實驗方法進行化學(xué)轉(zhuǎn)化膜層的制備。制備過程中,對每組轉(zhuǎn)化溶液中形成膜層的質(zhì)量增量進行測定,并以CeCl3濃度為橫坐標,膜層質(zhì)量增量為縱坐標作圖,圖3為膜層質(zhì)量增量隨CeCl3濃度的變化曲線。
圖3 膜層質(zhì)量增量隨CeCl3濃度的變化曲線Fig.3 The mass gain curve of coating with CeCl3
由圖3可知,隨著CeCl3濃度的增大,膜層質(zhì)量增量隨著增加,當CeCl3濃度為5 g/dm3時達到最大值,之后隨之變化不大。
采用1.3節(jié)的腐蝕實驗對膜層的耐蝕性能進行測定,實驗得到的腐蝕時間與CeCl3濃度對應(yīng)關(guān)系見表3。
表3 CeCl3濃度與對應(yīng)膜層腐蝕時間的對應(yīng)關(guān)系Table 3 The anti-corrosion of coating with CeCl3
由表3可知,當CeCl3濃度為5 g/dm3時膜層的腐蝕時間最大,因此,CeCl3最佳濃度選定為 5 g/dm3。
將鎂合金試樣浸入CeCl3-NaCl-H2O2體系的電解質(zhì)溶液時,鎂合金表面α相和β相形成微電池[5],α相作為微陽極,β相作為微陰極,對應(yīng)的電極反應(yīng)如下:
陽極:Mg=Mg2++2e-
陰極:2H++2e-=H2或
2H2O+O2+4e-=4OH-
CeCl3-H2O2-NaCl體系中H2O2是強氧化劑,其電極反應(yīng)為H2O2+2H++2e-=2H2O。此電極反應(yīng)說明,H2O2作為陰極去極化劑,促進了陰極反應(yīng)2H++2e-=H2的進行,加速了化學(xué)轉(zhuǎn)化成膜的速率。
CeCl3-H2O2-NaCl體系中CeCl3和H2O2同時存在,有兩個電極反應(yīng),電極反應(yīng)Ce4++e-=Ce3+的φ(Ce4+/Ce3+)=1.44 V,電極反應(yīng)H2O2+2H++2e-=2H2O的φ(H2O2/H2O)=1.776 V。根據(jù)電化學(xué)原理[6],兩者發(fā)生氧化還原反應(yīng)H2O2+2H++2Ce3+=2H2O+2Ce4+,導(dǎo)致化學(xué)轉(zhuǎn)化溶液中Ce4+的存在。
隨著化學(xué)轉(zhuǎn)化處理時間的延長,試樣表面附近的溶液堿性增強,即,OH-濃度增大。又由于Ksp[Ce(OH)3]=1.5×10-20,Ksp[Ce(OH)4]=4.1×10-51,Ksp[Mg(OH)2]=5.61×10-12溶度積[6]均很小,在試樣表面發(fā)生下列反應(yīng):
Ce4++4OH-=Ce(OH)4
Ce3++3OH-=Ce(OH)3
Mg2++2OH-=Mg(OH)2
使得試樣表面有Mg(OH)2、Ce(OH)3、Ce(OH)4物質(zhì)沉積。隨著后續(xù)對試樣的干燥處理,分別發(fā)生分解反應(yīng),生成對應(yīng)的氧化物,因此,經(jīng)過CeCl3-H2O2-NaCl體系進行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理后,試樣表面膜層的主要成分為Mg(OH)2、Ce(OH)3、Ce(OH)4、MgO、Ce2O3和CeO2的混合物。
CeCl3-NaCl-H2O2體系鎂合金化學(xué)轉(zhuǎn)化技術(shù)工藝包括試樣表面的機械打磨、堿洗和化學(xué)轉(zhuǎn)化處理?;瘜W(xué)轉(zhuǎn)化處理溶液CeCl3-NaCl-H2O2體系的最佳配方為10 g/dm3NaCl,6 mL/dm3H2O2(30%) 和5 g/dm3CeCl3·7H2O。鎂合金在該體系中形成的化學(xué)轉(zhuǎn)化膜層的主要成分為CeO2、Ce2O3、MgO、Mg(OH)2、Ce(OH)3和Ce(OH)4。