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    CSP封裝散熱工藝影響探究

    2019-09-10 15:16:56洪美欽
    關(guān)鍵詞:散熱仿真

    洪美欽

    摘 ?要:CSP封裝散熱工藝在某種程度上決定了CSP封裝技術(shù)的最終成果,本文主要基于筆者的實驗研究和查閱資料,首先就CSP封裝工藝流程進(jìn)行了簡述,然后結(jié)合AHSYS Icepak熱分析軟件,從焊接材料、基板和底部填充物三個角度,對CSP封裝散熱工藝的影響因素進(jìn)行了探究。

    關(guān)鍵詞:CSP;散熱;仿真

    一、序言

    伴隨著我國對信息技術(shù)研究的拓展,芯片技術(shù)已經(jīng)成為了國家重點研究對象。CSP封裝技術(shù)是由日本三菱企業(yè)與上世紀(jì)九十年代末所提出來的一種封裝形式,現(xiàn)在已經(jīng)作為國際上的通用的芯片封裝技術(shù)而使用。本文主要針對CSP封裝技術(shù)中的散熱工藝進(jìn)行研究,當(dāng)前國內(nèi)針對CSP封裝散熱工藝的研究明顯滯后于國外,所以筆者在綜合國內(nèi)外的優(yōu)秀研究基礎(chǔ)上對CSP封裝散熱工藝進(jìn)行了相應(yīng)的優(yōu)化。

    二、CSP封裝工藝流程

    CSP封裝工藝的本質(zhì)是現(xiàn)有封裝形式的升級,也被稱為狹窄間距的BGA,從流程上來說大致可以分為晶圓級工藝、晶片級工藝和塑料成型工藝三個階段。晶圓級工藝是針對晶圓進(jìn)行制備和切割,同時對切割好的晶片進(jìn)行檢查;晶片級工藝階段是晶片和引線的鍵合,然后針對鍵合的質(zhì)量進(jìn)行檢測;塑料成型工藝階段最為復(fù)雜,包括了針對產(chǎn)品的塑料包裝和激光打標(biāo),同隊在后續(xù)硬化的同時進(jìn)行植球操作和回流焊接,最后進(jìn)行相應(yīng)的測試和檢查。本次CSP封裝散熱工藝的研究也是主要集中在塑料成型工藝階段,根據(jù)相關(guān)的熱仿真實驗結(jié)果,筆者認(rèn)為CSP封裝工藝的影響因素主要集中在焊接材料、基板和底部填充物三個方面。

    三、CSP封裝散熱工藝影響因素

    本文的實驗結(jié)果是基于計算機(jī)仿真技術(shù)和計算流體力學(xué)對CSP封裝工藝進(jìn)行的熱仿真分析,使用的是AHSYS Icepak熱分析軟件,通過輸入筆者日常接觸的相關(guān)參數(shù)來進(jìn)行處理和求解,最終得到相應(yīng)的仿真成果。

    1.焊接材料

    為了更加直觀的了解焊接材料對CSP封裝散熱性能的影響,筆者將焊接材料的導(dǎo)熱率設(shè)置為了320、160、80、40、20W/m·K,結(jié)果發(fā)現(xiàn)隨著焊接材料導(dǎo)熱系數(shù)的減少,模型最高溫度為下降趨勢,模型最低溫度為上升趨勢。說明在相同厚度和面積的情況下,導(dǎo)熱率的減少能夠減小熱量的傳道,從而阻止最高溫度的降低。另外從實驗結(jié)果筆者了解到,從320到160 W/m·K階段的最高溫度沒有改變,而從100W/m·K往下,其最高溫度呈上升趨勢。所以在實際生產(chǎn)工作時,要結(jié)合材料本身的氣孔、雜質(zhì)和導(dǎo)熱率來對焊接材料進(jìn)行綜合調(diào)整,盡量升高焊點的導(dǎo)熱率來增加封裝過程的散熱。

    2.基板

    針對基板材料的研究,筆者同樣采用了控制變量的方法,將基板的導(dǎo)熱率設(shè)置為了300、200、100、50、10 W/m·K,根據(jù)熱仿真的結(jié)果,筆者發(fā)現(xiàn)隨著基板導(dǎo)熱率的減少,在300到50 W/m·K范圍內(nèi),模型的最高溫度變化并不明顯,但是從50W/m·K往下,模型的最高溫度變化非常明顯,呈指數(shù)上升的趨勢。說明隨著基板導(dǎo)熱率的減少,更多的熱量不會傳遞至散熱器,從而影響散熱工藝的發(fā)揮。同時在設(shè)計基板時對于導(dǎo)熱率較高的基板可以適當(dāng)增加其厚度,選取總熱阻最小時的厚度,能夠提高散熱的效率。

    3.底部填充物

    底部填充物不僅可以增強(qiáng)焊點的機(jī)械性能,而且對熱量的傳導(dǎo)有一定作用。針對底部填充物的研究,筆者設(shè)置了10.0、6.0、3.0、1.0、0.5W/m·K五種不同的導(dǎo)熱率,與設(shè)置焊接材料和基板導(dǎo)熱率的方法相似,在低導(dǎo)熱率時將梯度設(shè)置較低,在高導(dǎo)熱率時將梯度設(shè)置較高,采用控制變量的方法控制焊接材料和基板的導(dǎo)熱系數(shù)分別為58W/m·K和30W/m·K。隨著底部填充物導(dǎo)熱率的增加,模型最高溫度呈下降趨勢。

    通過建模和模擬的手段從材料方面研究了焊接材料、封裝基板、底部填充物對CSP的散熱性能影響,并分析了各部分所使用的材料對模型最高溫度和熱阻的影響程度。在該模型中,當(dāng)焊接材料導(dǎo)熱率趨于無窮時,模型最高溫度為125.6℃,熱阻為1.75K/W;當(dāng)基板材料導(dǎo)熱率趨于無窮時,模型最高溫度為120.32℃,熱阻為1.41K/W;當(dāng)?shù)撞刻畛湮锊牧蠈?dǎo)熱率趨于無窮時,模型最高溫度為123.11℃,熱阻為1.62K/W。

    四、總結(jié)

    總而言之,根據(jù)筆者的相關(guān)研究發(fā)現(xiàn),本次研究中基板對散熱效率的影響最高,其次為焊接材料,約為封裝基板的1/14,底部填充物的導(dǎo)熱率對封裝過程的散熱效率影響最小,并且三者增加材料的導(dǎo)熱率均能降低模型最高溫度和熱阻,提高散熱性能。所以在實際的研究過程中,相關(guān)研究人員應(yīng)該更注重基板對散熱過程的影響。在實際的生產(chǎn)過程中,還應(yīng)該結(jié)合不同的生產(chǎn)需求進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整,為推動CSP在我國的本土化應(yīng)用做出貢獻(xiàn)。

    參考文獻(xiàn)

    [1] ?劉超,傅仁利,顧席光,周鳴,田揚,蔡君德.芯片級LED封裝光源結(jié)構(gòu)散熱性能的數(shù)值模擬[J].激光與光電子學(xué)進(jìn)展,2016,53(12):240-249.

    [2] ?李磊. 三維疊層CSP/BGA封裝的熱分析與焊點可靠性分析[D].電子科技大學(xué),2006.

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