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      吸波復(fù)合材料的研究進(jìn)展

      2019-03-30 03:17:39于永濤王彩霞劉元軍趙曉明
      絲綢 2019年12期
      關(guān)鍵詞:石墨烯碳化硅復(fù)合材料

      于永濤 王彩霞 劉元軍 趙曉明

      摘要:隨著電子科技的高速發(fā)展,電子設(shè)備在工作與生活中也變得隨處可見,電子設(shè)備雖然給人們的生活帶來許多便利,但是隨之而來的電磁輻射問題也日益嚴(yán)重。吸波材料能將電磁能轉(zhuǎn)化為熱能、機(jī)械能等其他形式的能量,進(jìn)而可以從根本上解決電磁輻射的問題。經(jīng)氧化劑和摻雜劑制備的聚吡咯作為一種導(dǎo)電高分子復(fù)合材料,其吸波性能也備受關(guān)注。文章首先探討了聚吡咯的反應(yīng)機(jī)理、吸波機(jī)理及摻雜機(jī)理:其次,探討了吸波性能的電磁參數(shù)(介電常數(shù)、復(fù)磁導(dǎo)率及反射損耗),聚吡咯/棉吸波材料、聚吡咯/石墨烯吸波材料、聚吡咯/四氧化三鐵吸波材料、聚吡咯/碳化硅吸波材料的吸波性能:最后,總結(jié)了聚吡咯在今后發(fā)展遇到的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。

      關(guān)鍵詞:聚吡咯;石墨烯;四氧化三鐵;碳化硅;吸波材料;復(fù)合材料

      中圖分類號:TB33

      文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A

      文章編號:1001-7003( 2019) 12-0050-09

      引用頁碼:121108

      隨著信息化時(shí)代的迅速發(fā)展,各種電子產(chǎn)品也被廣泛地應(yīng)用到人們的工作與生活當(dāng)中。電子產(chǎn)品在帶來便利的同時(shí),也產(chǎn)生了許多電磁輻射,這些輻射會對人體健康和電子設(shè)備的正常運(yùn)行產(chǎn)生極大的影響[1-2]。傳統(tǒng)的距離保護(hù)法是通過增大人體與電磁輻射源的距離,來減少電磁波對人體的影響,由于電子產(chǎn)品的不斷增多,這種方法實(shí)際受到空間的限制,不能從根本上解決電磁污染的問題[3]。屏蔽材料和吸波材料都是現(xiàn)階段解決電磁輻射的有效方法,然而屏蔽材料在反射電磁波時(shí)易造成電磁波的二次污染[4],吸波材料能夠?qū)㈦姶拍苻D(zhuǎn)化為熱能、機(jī)械能等其他形式的能量,進(jìn)而從根本上解決電磁輻射的問題[5]。吸波材料作為防電磁干擾和電磁污染的有效屏障,不僅應(yīng)用在軍事隱身、航空航天等軍用領(lǐng)域,在通信、個(gè)體防護(hù)等民用領(lǐng)域也得到廣泛應(yīng)用[6-8]。因此,如何研發(fā)出更加高效的吸波材料成為各國相關(guān)行業(yè)與專業(yè)人員的研究熱點(diǎn)。從事吸波材料的研究人員一直以來都遵從著“厚度薄、重量輕、吸收頻帶寬、吸收能力強(qiáng)”的研究理念[9-10]。吸波材料的損耗機(jī)理分為電損耗、介電損耗和磁損耗[11]。經(jīng)氧化和摻雜的聚吡咯是一種電損耗型吸波材料,在與電場的相互作用下能夠通過對電磁波極化能力來吸收電磁波,并且具有穩(wěn)定性好、易合成、形態(tài)多樣、環(huán)境友好等特點(diǎn)[12]。Raghunathan SreejeshPoikavila等[13]采用原位聚合法制備出再生纖維素/聚吡咯導(dǎo)電復(fù)合膜,研究發(fā)現(xiàn)再生纖維素基體中的聚吡咯顆粒形成了連續(xù)導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),從而改善了其電學(xué)和介電性能。再生纖維素/聚吡咯導(dǎo)電復(fù)合膜的導(dǎo)電性在負(fù)載為2%時(shí),電導(dǎo)率為3.2×l05 S/cm,約為再生纖維素電導(dǎo)率的7倍。該導(dǎo)電復(fù)合膜不僅可以應(yīng)用在電容器方面,而且由于其良好的導(dǎo)電率及介電性能,在研究吸波復(fù)合材料方面提供了新思路。

      本文首先簡要概述了聚吡咯的反應(yīng)機(jī)理、吸波機(jī)理和摻雜機(jī)理,其次探討了有關(guān)吸波性能的電磁參數(shù)(介電常數(shù)、復(fù)磁導(dǎo)率及反射損耗),然后根據(jù)摻雜劑和氧化劑的不同探討了聚吡咯/棉復(fù)合材料的吸波性能,根據(jù)吸波機(jī)理探討了石墨烯、四氧化三鐵、碳化硅依次作為電損耗型、磁損耗型、介電損耗型吸波材料與聚吡咯制備的復(fù)合材料所具有的吸波性能,最后總結(jié)聚吡咯復(fù)合材料所具有的優(yōu)勢,認(rèn)為聚吡咯復(fù)合材料仍然是未來研究吸波材料的主要方向。

      1 聚吡咯機(jī)理的研究

      1.1 聚吡咯反應(yīng)機(jī)理

      純吡咯單體常溫下呈無色油狀液體,是一種由碳氮元素組成的五元雜環(huán)分子。吡咯單體在氧化劑和摻雜劑的作用下,通過氧化耦合的機(jī)理發(fā)生鏈?zhǔn)骄酆戏磻?yīng)生成聚吡咯,即采用原位聚合法制備聚吡咯,其反應(yīng)機(jī)理如下(圖1)[14-15]:

      1)吡咯在氧化劑的作用下發(fā)生電子轉(zhuǎn)移被氧化為吡咯單體陽離子自由基,形成活性中心:

      2)吡咯單體陽離子自由基先發(fā)生加成性耦合反應(yīng)生成二吡咯陽離子,再通過歧化反應(yīng)生成二聚吡咯:

      3)二聚吡咯在氧化劑的作用下發(fā)生電子轉(zhuǎn)移被氧化為二聚吡咯陽離子自由基,形成新的活性中心:

      4)二聚吡咯陽離子自由基先發(fā)生加成性耦合反應(yīng),再通過歧化反應(yīng)生成聚四吡咯,按照原位聚合直至生成聚吡咯長鏈高分子。

      1.2聚吡咯吸波機(jī)理

      吡咯本身就是一個(gè)共軛體系,多個(gè)吡咯聚合形成的聚吡咯,相當(dāng)于擴(kuò)大了共軛體系。如圖2所示,因?yàn)榫圻量┑摹请娮泳哂须x域性,可以在共軛平面內(nèi)自由移動,所以電磁波在進(jìn)入聚吡咯材料時(shí),聚吡咯材料在外加電磁場的作用下,∏電子會發(fā)生定向移動,形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)[16]。但純聚吡咯的導(dǎo)電性能并不理想,經(jīng)氧化和摻雜的聚吡咯屬于導(dǎo)電高分子材料,其利用電場的相互作用將電磁能轉(zhuǎn)化為熱能等其他形式的能量而消耗電磁波。同時(shí),聚吡咯由于小的分子尺寸及高的空間結(jié)構(gòu)性能,聚吡咯材料可與多個(gè)散射點(diǎn)的電磁波相互作用,進(jìn)而使其具有更好的吸波性能。因此,聚吡咯屬于電損耗型吸波材料,其吸波性能與電導(dǎo)率有關(guān),其電導(dǎo)率越大,電阻越小,載流子引起的電流越大(載流子主要是電子或空穴),電磁波在運(yùn)動中越易轉(zhuǎn)化為熱能等其他形式的能量[17-18]。其吸波機(jī)理如圖3所示。

      1.3聚吡咯摻雜機(jī)理

      聚吡咯是由C=C和C-C交替排列的大鏈共軛結(jié)構(gòu),其大分子鏈間并不存在缺陷,本身導(dǎo)電性很差。因此,可通過摻雜某種物質(zhì)改變聚吡咯高分子中的自由電子和空穴。根據(jù)摻雜物質(zhì)不同形成的復(fù)合物的導(dǎo)電機(jī)理不同,分為電荷轉(zhuǎn)移機(jī)理和質(zhì)子酸機(jī)理。

      1)電荷轉(zhuǎn)移機(jī)理:當(dāng)聚吡咯被絕大部分具有氧化特性的摻雜劑(FeCl3、Br、I2等)摻雜時(shí),摻雜體系中發(fā)生氧化反應(yīng)生成不帶電的摻雜離子與聚吡咯高分子的復(fù)合物,生成的聚吡咯高分子變成帶有氧化摻雜結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電高分子[19-20]。

      2)質(zhì)子酸機(jī)理:當(dāng)聚吡咯主鏈上的碳原子與摻雜劑(對甲苯磺酸、萘磺酸等)的質(zhì)子結(jié)合時(shí),聚吡咯的共軛鏈上的電子云密度受到摻雜劑上的質(zhì)子所帶正電荷的影響而降低,從而達(dá)到提高聚吡咯導(dǎo)電性的目的[21-22]

      電荷轉(zhuǎn)移機(jī)理與質(zhì)子酸機(jī)理的最大區(qū)別是:導(dǎo)電機(jī)理為電荷轉(zhuǎn)移機(jī)理時(shí),聚吡咯與摻雜劑發(fā)生電子轉(zhuǎn)移:而導(dǎo)電機(jī)理為質(zhì)子酸機(jī)理時(shí),聚吡咯與摻雜劑未發(fā)生電子轉(zhuǎn)移。

      2 吸波性能的參數(shù)研究

      吸波材料應(yīng)具有良好的介電性能和磁導(dǎo)率才能具有高效的吸波性能,而通過進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),頻率、材料厚度等因素對吸波材料的吸波性能也有影響。因此,從事吸波材料方面研究的工作人員應(yīng)遵從“薄、輕、寬、強(qiáng)”的研究理念,從而研發(fā)出“厚度薄、重量輕、吸收頻帶寬、吸收能力強(qiáng)”的吸波材料。

      2.1 介電性能和復(fù)磁導(dǎo)率

      介電常數(shù)是同一電容器中,用某一物質(zhì)為介電體時(shí)的電容值與以真空為介電體的電容值的比值,用ε表示,計(jì)算公式為:

      ε=ε-iε”式中:ε為介電實(shí)部,表示在外加電場作用下發(fā)生極化的程度,實(shí)部越大表明材料對電磁波的極化能力越強(qiáng):占”為介電虛部,表示材料內(nèi)部感應(yīng)電偶極矩產(chǎn)生相對位移所引起的損耗,虛部越大表明材料對電磁波的損耗能力越強(qiáng)[23]。

      磁導(dǎo)率用復(fù)磁導(dǎo)率表示,計(jì)算公式為:

      u=u'-ju"式中:u為復(fù)磁導(dǎo)率實(shí)部,表示吸波材料在磁場作用下產(chǎn)生磁化程度的變量,實(shí)部越大表明材料對電磁波的磁化能力越強(qiáng);u”為復(fù)磁導(dǎo)率虛部,表示在外加磁場下材料的磁偶極矩發(fā)生重排引起的損耗程度的量度,虛部越大表明材料在外加磁場下由于磁偶極矩發(fā)生重排引起的損耗程度越強(qiáng)[24]。

      2.2反射損耗

      反射損失(RL)是入射波與反射波在吸收材料一空氣界面處的能量損失,其單位為dB [25]。

      對于單層吸波材料,其反射損耗計(jì)算公式為[26]:式中:Zin為吸波器輸入阻抗,Ω;ur為復(fù)磁導(dǎo)率,H/m;εr為介電常數(shù),F(xiàn)/m;j是虛部;A即波長,m;d是材料的厚度,m。

      對于多層吸波材料,其發(fā)射損耗計(jì)算公式如下[26]:式中:Zinn為第n層的輸入阻抗;Zn為第n層的特征阻抗;εn和un分別是第n層的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率;dn為第n層材料的厚度,yn為傳播系數(shù)。

      可得到反射損耗計(jì)算式:式中:Z0為自由空間的阻抗,自由阻抗約等于377Ω[27]。

      經(jīng)研究表明:吸波材料的反射損耗越小越好,當(dāng)反射損耗分別小于-10、- 20 dB或- 30 dB時(shí),分別意味著會有90%、99%或99. 9%以上的電磁能量被吸波材料吸收[28]。

      3聚吡咯復(fù)合材料的吸波性能研究

      近年來,功能性紡織品越來越受到人們的青睞[29-30]。聚吡咯由于具有高導(dǎo)電性、易合成、環(huán)境穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在吸附劑[31]、光催化[32-33]、生物降解[34]、光電傳感器[35]等方面。進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),聚吡咯在氧化劑和摻雜劑的作用下形成導(dǎo)電高分子材料,其高的電導(dǎo)率和介電性能可作為一種潛在的高效吸波材料而受到相關(guān)專業(yè)與行業(yè)人士的廣泛關(guān)注。

      3.1 聚吡咯/棉吸波復(fù)合材料

      氧化劑和摻雜劑對聚吡咯吸波材料具有很大的影響。劉元軍等[36]采用原位聚合法制備聚吡咯涂層棉織物,其中實(shí)驗(yàn)原料吡咯摩爾濃度為0.3 mol/L,氧化劑三氯化鐵與吡咯的摩爾比為1:2。實(shí)驗(yàn)探討了三氯化鐵、鹽酸、硝酸、乙酸、對甲苯磺酸五種摻雜劑對聚吡咯涂層棉織物的介電常數(shù)的實(shí)部、虛部及損耗角正切值的影響,研究表明:在0~ 106 Hz頻率,以對甲苯磺酸為摻雜劑時(shí),聚吡咯/棉復(fù)合材料的介電常數(shù)實(shí)部和虛部值最大,并且當(dāng)對甲苯磺酸摩爾濃度為0.8 mol/L時(shí),其極化能力最強(qiáng)。之后,劉元軍等[37]采用原位聚合法制備聚吡咯涂層平紋棉織物,其中實(shí)驗(yàn)原料吡咯摩爾濃度為0.3 mol/L,摻雜劑對甲苯磺酸摩爾濃度為0.8 mol/L,氧化劑與吡咯的摩爾比為1:2。實(shí)驗(yàn)探討了過硫酸銨、三氯化鐵、二氯化銅、過氧化氫四種氧化劑對聚吡咯涂層平紋棉織物的介電常數(shù)的實(shí)部、虛部及損耗角正切值的影響。研究表明:在0~ 106 Hz頻率,以三氯化鐵為氧化劑制備的聚吡咯涂層平紋棉織物的介電性能最好。以上兩個(gè)研究表明:不同的氧化劑和摻雜劑對聚吡咯/棉復(fù)合材料的介電性能影響程度不同,聚吡咯/棉復(fù)合材料具有良好的介電性能,這些研究成果為工業(yè)開發(fā)多用途吸波紡織品奠定了基礎(chǔ)。

      3.2 聚吡咯/石墨烯吸波復(fù)合材料

      石墨烯作為碳世界中最薄、最輕的材料,由于其優(yōu)異的結(jié)構(gòu),表現(xiàn)出高導(dǎo)電性、高比表面積等特點(diǎn)。用石墨烯與聚吡咯制備的復(fù)合材料可作為一種非常有前途的吸波材料。

      Yan Jing等[38]將導(dǎo)電聚合物(聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩)與鐵酸鎳涂覆在還原氧化石墨烯片上,成功制備出還原氧化石墨烯/導(dǎo)電聚合物/鐵酸鎳三元復(fù)合材料。通過實(shí)驗(yàn)研究表明:還原氧化石墨烯/聚苯胺/鐵酸鎳三元復(fù)合材料,當(dāng)材料厚度為2.4 mm時(shí),其有效吸收頻寬為5.3 GHz,最小反射損耗達(dá)到- 49.7 dB:還原氧化石墨烯/聚吡咯/鐵酸鎳三元復(fù)合材料,當(dāng)材料厚度為1.7 mm時(shí),其有效吸收頻寬(反射損耗小于- 10 dB)為5.3 GHz,最小反射損耗達(dá)到- 44.8 dB;還原氧化石墨烯/聚噻吩/鐵酸鎳三元復(fù)合材料,當(dāng)材料厚度為2.0 mm時(shí),其有效吸收頻寬為3.7 GHz,最小反射損耗- 45.4 dB。石墨烯是一種六角型呈蜂巢品格的二維碳納米材料,具有高電子遷移率(2.5×l05 cm2/VS)、高熱導(dǎo)率(高于3 000 W/mK)、較大的比表面積,石墨烯與導(dǎo)電聚合物都是潛在的吸波材料,鐵酸鎳具有磁性,因此該復(fù)合材料通過促進(jìn)電磁散射和多次反射提高其吸波性能[39-40]。通過探討三種導(dǎo)電聚合物吸波復(fù)合材料的吸波性能,研究表明還原氧化石墨烯/聚吡咯/鐵酸鎳復(fù)合材料更符合吸波材料“薄、輕、寬、強(qiáng)”的研究理念。

      Wang Ying等[41]制備出聚吡咯納米球/還原氧化石墨烯復(fù)合材料,在聚吡咯納米球與還原氧化石墨烯質(zhì)量比為3:5,溫度為423 K,頻率為6.4 GHz時(shí),聚吡咯納米球/還原氧化石墨烯復(fù)合材料有效吸波頻寬為14.7 GHz(3.3~18.0 GHz),最小反射損耗為- 60.6 dB。然而,石墨烯價(jià)格較貴,為了滿足工業(yè)生產(chǎn)低成本的要求,通常會在聚吡咯一還原氧化石墨烯中加入部分磁性材料。

      Wang Yan等[42]采用多步合成法和原位聚合法制備鐵鈷合金/還原氧化石墨烯/聚吡咯三元吸波復(fù)合材料,研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)材料厚度為2.5 mm,有效吸波頻寬為5.7 GHz(3.1—6 GHz和12.8~15.6 GHz),頻率為4.5 GHz時(shí),材料達(dá)到最小反射損耗為- 40.7 dB。鐵鈷合金是一種軟磁性材料,具有較高的矯頑力和飽和磁化強(qiáng)度,鐵鈷合金和還原氧化石墨烯、聚吡咯制備的復(fù)合材料,阻抗匹配良好,磁損耗和電損耗共同作用,促使了該復(fù)合材料具有良好的吸波性能[43]。

      Han Sujuan等[44]采用室溫機(jī)械攪拌法制備聚吡咯/鎳/還原氧化石墨烯三元復(fù)合材料,研究表明當(dāng)聚吡咯為0. 03 g,頻率為4.16 GHz時(shí),材料的反射損耗達(dá)到- 29. 52 dB;當(dāng)聚吡咯為0.05 g,頻率為5. 76 GHz時(shí),材料的反射損耗達(dá)到- 47. 32 dB:當(dāng)聚吡咯為0.1 g,材料厚度為1.5 mm,有效吸波頻寬為4. 32 GHz( 13. 68~8 GHz),頻率為15. 92 GHz時(shí),材料的反射損耗達(dá)到- 18. 21 dB:通過改變聚吡咯的含量,改善了復(fù)合材料的阻抗匹配,同時(shí)也提高了電磁波的衰減能力,使聚吡咯/鎳/氧化石墨烯三元復(fù)合材料能夠適應(yīng)更加惡劣的環(huán)境。實(shí)驗(yàn)結(jié)果還表明具有良好磁性的金屬鎳粉,與具有殘余缺陷結(jié)構(gòu)的還原氧化石墨烯及具有空心管狀結(jié)構(gòu)的聚吡咯制備的復(fù)合材料,其中電損耗和磁損耗具有協(xié)同作用,該吸波復(fù)合材料產(chǎn)生的界面極化、多重反射等共同促使聚吡咯/鎳/還原氧化石墨烯三元復(fù)合材料具有良好的吸波性能。

      Zhang Chunmei等[45]采用水熱還原法制備還原氧化石墨烯/聚吡咯納米管/四氧化三鐵氣凝膠三維輕質(zhì)復(fù)合材料,研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)材料密度為38.3 mg/cmi,厚度為3 mm時(shí),還原氧化石墨烯/聚吡咯納米管/四氧化三鐵復(fù)合材料的有效吸波頻寬達(dá)到6.1 GHz(9.8~15.9 GHz),頻率為11.8 GHz時(shí),最小反射損耗達(dá)到- 49.2 dB。還原氧化石墨烯/聚吡咯納米管/四氧化三鐵氣凝膠中的多重反射、極化和弛豫過程決定了該復(fù)合材料具有高效的吸波性能,而四氧化三鐵作為典型磁性材料也受到更多的關(guān)注。

      3.3聚吡咯/四氧化三鐵吸波復(fù)合材料

      聚吡咯電損耗和磁損耗之間存在著不平衡的問題,影響著其電磁性能。四氧化三鐵作為磁損耗材料,與聚吡咯為原料制備的復(fù)合材料具有屏蔽性能和吸波性能[46-47]。近年來,用導(dǎo)電聚合物和磁性納米顆粒制備的復(fù)合材料具有高效的吸波性能,與此相關(guān)的研究為今后研發(fā)高效的吸波材料開辟了新道路[48]。

      Sun Xiaodong等[49]以三氯化鐵為氧化劑制備的四氧化三鐵/二氧化硅/聚吡咯氣凝膠吸波復(fù)合材料,聚吡咯在負(fù)載為30%,吸波材料厚度為3.7 mm,頻率為10. 41 GHz時(shí),該吸波復(fù)合材料的反射損耗達(dá)到- 56. 90 dB,吸波材料厚度為3 mm,其有效吸波頻寬達(dá)到6. 38 GHz,四氧化三鐵、二氧化硅、聚吡咯分別屬于磁損耗、介電損耗、電損耗型吸波材料,經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)用四氧化三鐵、二氧化硅、聚吡咯制備的氣凝膠吸波復(fù)合材料具有良好的阻抗匹配。該復(fù)合材料不僅作為吸波材料應(yīng)用于軍事,工商業(yè)等領(lǐng)域,而且可作為電活性材料應(yīng)用于民用等領(lǐng)域。

      Yang Rueybin等[50]先采用水熱合成法制備了四氧化三鐵納米粒子,然后成功制備出四氧化三鐵/聚吡咯/碳納米管復(fù)合材料,研究表明當(dāng)聚吡咯負(fù)載為20%,材料厚度為3 mm時(shí),復(fù)合材料的有效吸波頻寬為8~ 12.5 GHz,頻率在10 GHz時(shí),反射損耗到達(dá)-25 dB,聚吡咯和碳納米管作為電損耗型材料,加入磁性納米粒子四氧化三鐵,調(diào)節(jié)了其介電常數(shù)和特征阻抗,從而改善了其吸波性能。

      Li Bingzhen等[51]采用原位聚合法制備四氧化三鐵/聚吡咯/聚苯胺納米復(fù)合材料,當(dāng)材料厚度為2.6 mm時(shí),頻率為10.1 GHz,其有效吸波頻寬為10.7 GHz(6.7~17.4 GHz),最小反射損耗達(dá)到- 40.2 dB。雖然聚吡咯、聚苯胺作為導(dǎo)電高分子因具有良好的電學(xué)性能可作為潛在吸波材料,但是,良好的吸波材料應(yīng)使電學(xué)性能和磁學(xué)性能之間達(dá)到平衡。四氧化三鐵作為磁性材料因其成本低,磁性能好,與聚吡咯、聚苯胺制備的復(fù)合材料具有良好的電導(dǎo)率和復(fù)磁導(dǎo)率,滿足良好的阻抗匹配。四氧化三鐵/聚吡咯/聚苯胺納米復(fù)合材料可以繼續(xù)優(yōu)化工藝參數(shù),使其具有更好的吸波性能[52]。

      Li Yunan等[53]采用靜電紡絲法與原位聚合法制備聚偏氟乙烯/四氧化三鐵/聚吡咯0.075纖維薄膜。在厚度為2.5 mm時(shí),頻率為16.8 GHz時(shí),反射損耗達(dá)到- 21.5 dB,其有效的吸波頻寬為10.6~16.5 GHz。聚偏氟乙烯、四氧化三鐵、聚吡咯材料引起的介電損耗和磁損耗具有協(xié)同作用,使該纖維薄膜具有較寬的吸波頻段,而且該材料具有超疏水性,為吸波材料在惡劣環(huán)境下的實(shí)際應(yīng)用開辟了新的道路。

      Guo Jiang等[54]制備出環(huán)氧樹脂/四氧化三鐵一聚吡咯納米復(fù)合材料,四氧化三鐵一聚吡咯在負(fù)載為30%,材料厚度為1.7 mm時(shí),其有效吸波頻寬為4 GHz,最小反射損耗為- 35.7 dB,研究表明材料之間的渦流損耗和各向異性是提高吸波性能的關(guān)鍵因素,而且該材料具有良好的力學(xué)性能和阻燃性能可增大其使用領(lǐng)域。

      3.4 聚吡咯/碳化硅吸波復(fù)合材料

      碳化硅化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高,然而由于其較低的電導(dǎo)率,碳化硅的吸波性能并不理想。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)以碳化硅與聚吡咯為原料制備的碳化硅/聚吡咯吸波材料具有優(yōu)良的吸波性能。

      Zhang Kun等[55]制備的聚吡咯/碳化硅納米線復(fù)合材料,當(dāng)聚吡咯負(fù)載為10%,材料厚度為2.5 mm時(shí),其有效吸波頻寬為6. 52 GHz,碳化硅納米線作為一種潛在的吸波材料,單純的碳化硅納米線因具有低的電導(dǎo)率,吸波性能不佳,聚吡咯作為一種導(dǎo)電高分子材料與其制備而成的復(fù)合材料可以滿足良好的阻抗匹配,增大其有效吸波頻寬。因此,碳化硅/聚吡咯作為潛在的吸波材料受到更多的關(guān)注[56]。

      Wu Fan等[57]制備的碳化硅納米線/聚吡咯復(fù)合材料,當(dāng)聚吡咯負(fù)載為5%時(shí),其復(fù)合材料厚度在3.2 mm時(shí),頻率在8~12 GHz,反射損耗均小于- 10 dB;材料厚度為2.3 mm時(shí),頻率在12~ 18 GHz,反射損耗均小于- 10 dB;材料厚度為2.4 mm時(shí),其有效吸波頻帶寬達(dá)到6. 88 GHz;材料厚度為2 mm時(shí),其最小反射損耗達(dá)到- 58.6 dB。碳化硅納米線含有大量的堆積缺陷,在這些缺陷上吸附聚吡咯,逐步建立基于碳化硅納米線、聚吡咯的良好網(wǎng)絡(luò),使其增加介電性能,從而改善其吸波性能,因此該復(fù)合材料是一種有效的電磁輻射防護(hù)材料。

      Yan Liwen等[58]采用原位聚合制備碳化硅納米線一碳纖維/聚吡咯納米復(fù)合材料,當(dāng)聚吡咯負(fù)載分別為15%、30%、45%,材料厚度分別為5、2、4.5 mm時(shí),頻率分別為4.2、14.2、11.1 GHz時(shí),最小反射損耗達(dá)到- 39. 22、- 50.9、- 32. 08 dB。其中,聚吡咯負(fù)載為30%,復(fù)合材料的有效吸波頻寬為6.2 GHz(10.4~16.6 GHz)。碳纖維和聚吡咯具有高電導(dǎo)率,碳化硅納米線一碳纖維/聚吡咯納米復(fù)合材料之間的異質(zhì)結(jié)使及界面弛豫使其具有良好的吸波性能,

      Cheng Yehong等[59]把制備的碳化硅納米線/石墨烯氣凝膠浸泡在吡咯溶液中,采用原位聚合法制備碳化硅納米線/石墨烯/聚吡咯復(fù)合材料。實(shí)驗(yàn)研究表明當(dāng)聚吡咯負(fù)載為43%,復(fù)合材料厚度為1. 83 mm時(shí),碳化硅納米線/石墨烯/聚吡咯復(fù)合材料有效吸波頻寬為12.1~18.0 GHz;當(dāng)聚吡咯負(fù)載為66%,復(fù)合材料厚度為2.32 mm時(shí),碳化硅納米線/石墨烯/聚吡咯復(fù)合材料的有效吸波頻寬為8.2~14.6 GHz。對于碳化硅納米線/石墨烯/聚吡咯復(fù)合材料來說,界面極化、弛豫損耗、電子躍遷等因素是決定其吸波性能的關(guān)鍵因素。該復(fù)合材料由于其可調(diào)性,可滿足多的吸波頻寬,為工業(yè)化生產(chǎn)提供了新的道路。

      Dong Shun等[60]首先制備碳化硅晶須/生物碳,然后把碳化硅晶須/生物碳放入吡咯溶液中,采用原位聚合法制備出碳化硅晶須/生物碳/聚吡咯復(fù)合材料,實(shí)驗(yàn)探討了碳化硅晶須/生物碳和碳化硅晶須/生物碳的吸波性能。研究表明:碳化硅晶須/生物碳復(fù)合材料在厚度為2. 28~2.49 mm,頻率為13.2 GHz時(shí),最小反射損耗達(dá)到- 24.6 dB,其有效吸波頻寬為6.8 GHz:碳化硅晶須/生物碳/聚吡咯復(fù)合材料在頻率為11.4 GHz時(shí),最小反射損耗達(dá)到- 52.4 dB,其有效吸波頻寬為8.1 GHz。碳化硅品須、生物碳、聚吡咯材料之間良好的阻抗匹配及界面極化、弛豫損耗和電子偶極子極化等使該材料具有更好的吸波性能。

      3.5 其他聚吡咯復(fù)合材料吸波性能

      近年來對聚吡咯復(fù)合材料的吸波性能進(jìn)行了大量的研究,Liu Ying等[61]研究和探討了活性炭/BaSm,F(xiàn)e12-xO19。/聚吡咯復(fù)合材料的電磁性能,研究表明活性炭、鐵氧體、聚吡咯等組分對吸波材料具有協(xié)同作用。Xie Mingda等[62]采用原位聚合法制備的多孔羰基鐵/二氧化硅/聚吡咯復(fù)合材料,當(dāng)材料厚度為3.5 mm,頻率在9.44 GHz及17. 56 GHz時(shí),最小反射損耗可達(dá)到- 23 dB,有效吸波頻寬為8.12 GHz,該復(fù)合材料由于具有有效阻抗匹配和多重界面極化,使其具有較寬頻帶的微波吸收。Velhal Ninad等[63]采用原位聚合法制備的聚吡咯/Ba0.6Sr0.4Fe12O19。復(fù)合材料,研究表明該復(fù)合材料頻率在8~18 GHz時(shí),同時(shí)具有良好的電磁屏蔽性能和吸波性能。

      4結(jié)語

      聚吡咯作為高分子導(dǎo)電聚合物,由于其高導(dǎo)電性、易合成、形態(tài)多樣等優(yōu)點(diǎn),不僅在吸波材料方面受到關(guān)注,而且還被廣泛應(yīng)用于吸附劑、光催化、生物降解、光電傳感器等方面。然而,聚吡咯的高共軛性結(jié)構(gòu)使其成為一種脆性材料,力學(xué)性能受到限制,需要進(jìn)一步改進(jìn),而把聚吡咯與其他材料復(fù)合或涂在織物上是一種潛在的解決方案。與此同時(shí),多元復(fù)合材料的厚度也是一個(gè)問題,高效的吸波材料應(yīng)符合“薄、輕、寬、強(qiáng)”的研究理念。聚吡咯作為一種潛在的高效吸波材料,需要受到更多的關(guān)注。希望在不久的未來研發(fā)出更加高效的聚吡咯吸波復(fù)合材料,聚吡咯這種材料能夠被更加廣泛地應(yīng)用到實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)當(dāng)中。

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      收稿日期:2019-03 -23;修回日期:2019-11-02

      基金項(xiàng)目:天津市高等學(xué)?;究蒲袠I(yè)務(wù)資助項(xiàng)目( TJP U2K20170105);天津市教委科研計(jì)劃項(xiàng)目(2017KJ070);天津市科委科技特派員項(xiàng)目( 18JCTPJC62500):天津市自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(18JCYBJC86600):天津市自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目( 18JCZDJC99900);中國博士后科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2019TQ0181);國家級大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計(jì)劃項(xiàng)目(201810058023)

      作者簡介:于永濤( 1993—),男,碩士研究生,研究方向?yàn)槲ú牧系闹苽洹?/p>

      通信作者:劉元軍,講師,liuyuanjunsd@163.com。

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