商業(yè)衛(wèi)星用元器件補(bǔ)充篩選利與弊※

曹德峰 張穎 崔帥 李志勇 胥佳靈 盧健

（1上海微小衛(wèi)星工程中心，上海 201203；2中國科學(xué)院微小衛(wèi)星重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，上海 201203；3上海精密計(jì)量測試研究所，上海 201109）

商業(yè)衛(wèi)星用元器件補(bǔ)充篩選利與弊※

曹德峰1，2張穎3崔帥1，2李志勇1，2胥佳靈1，2盧健1，2

（1上海微小衛(wèi)星工程中心，上海 201203；2中國科學(xué)院微小衛(wèi)星重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，上海 201203；3上海精密計(jì)量測試研究所，上海 201109）

商業(yè)衛(wèi)星；補(bǔ)充篩選 （二篩）；航天型號工程；元器件。

1 元器件的二次篩選

航天型號工程的可靠性，在很大程度上取決于元器件的可靠性。多年來，航天型號任務(wù)的成功發(fā)射以及各航天器在軌運(yùn)行經(jīng)歷，都已經(jīng)證實(shí)元器件可靠性質(zhì)量保證技術(shù)的重要性。目前國內(nèi)可靠性質(zhì)量保證技術(shù)，主要有元器件補(bǔ)充篩選（二次篩選，簡稱二篩）、破壞性物理分析（DPA）、 失效分析 （FA） 和結(jié)構(gòu)分析 （CA）。 此外，近年來逐步發(fā)展的還包括新品評價(jià)、應(yīng)用驗(yàn)證等技術(shù)[1]。其中，二篩是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。航天型號采用的元器件，都要進(jìn)行二篩，以保證裝機(jī)元器件的可靠性。航天型號二篩成本較高，且周期較長。

就全球元器件制備工藝而言，元器件生產(chǎn)工藝逐漸趨于成熟，生產(chǎn)的元器件性能越來越穩(wěn)定。生產(chǎn)廠進(jìn)行一次篩選[2]，剔除了早期失效的產(chǎn)品，在二篩過程中剔除的不合格品就會(huì)減少。商業(yè)衛(wèi)星是目前國內(nèi)、國際應(yīng)用的主流，典型特征是低成本、微型化、小型化。成本較低產(chǎn)生的現(xiàn)實(shí)問題為：選用的元器件質(zhì)量等級偏低，多數(shù)為商業(yè)元器件。要保證航天型號工程的高可靠性，元器件需不需要二篩、如何去二篩或二篩的意義究竟多大等成為重點(diǎn)關(guān)注的問題，不同研究學(xué)者提出的觀點(diǎn)不同。

部分學(xué)者認(rèn)為，型號用元器件沒有必要進(jìn)行二篩，通過廠家一次篩選或一次篩選加嚴(yán)的方式進(jìn)行，二篩會(huì)引入新的可靠性問題[3]，如高密度封裝、高度集成器件，二篩很容易引入新的損傷（如引腳彎曲變形等），造成器件裝配過程中不確定因素的存在。還有部分研究學(xué)者認(rèn)為，航天型號工程可靠性質(zhì)量保證在很大程度上取決于二篩，二篩能夠保證航天型號元器件質(zhì)量；商業(yè)衛(wèi)星元器件二篩應(yīng)重新制定篩選規(guī)范，或減少條件或抽樣進(jìn)行。以前元器件二篩主要針對高可靠、長壽命型號，對于壽命較短的商業(yè)衛(wèi)星不適合，采用原有的篩選模式，在篩選成本、型號進(jìn)度等方面都存在問題。

上述學(xué)者觀點(diǎn)均有一定的道理。新形勢下商業(yè)衛(wèi)星元器件二篩如何進(jìn)行，既能保證質(zhì)量又能最大限度減少成本，成為目前該領(lǐng)域的關(guān)注重點(diǎn)。基于上述實(shí)際需求，本文以某型號元器件二篩存在的實(shí)際問題為例進(jìn)行分析，旨在對同行業(yè)技術(shù)人員提供參考。

2 元器件二篩的弊端

2.1 靜電損傷問題

在元器件二篩過程中，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)元器件靜電損傷問題。該類問題發(fā)生時(shí)，會(huì)連帶一系列的其他問題，如型號上舉一反三、質(zhì)保機(jī)構(gòu)其他元器件的靜電問題查詢等。靜電放電 （ESD）失效可以是熱效應(yīng)，也可以是電效應(yīng)，這取決于半導(dǎo)體集成電路承受外界過電應(yīng)力的瞬間以及器件對地的絕緣程度。

易被靜電損壞的電子器件稱為靜電敏感器件[4]（Static Sensitive Device，SSD）。按照目前的半導(dǎo)體制備工藝，器件集成度越來越高、功能逐漸多樣且逐漸微型化、小型化，通常將器件氧化膜的厚度做得越來越薄使其尺寸減少，與之相對應(yīng)的器件耐壓值也隨之降低。若篩選過程中靜電防護(hù)不到位，器件很可能引入靜電損傷。半導(dǎo)體器件，根據(jù)其種類不同受靜電破壞的程度也不一樣，有的100V的靜電也會(huì)造成器件損傷。一些典型靜電敏感器件電壓范圍見表1。

表1 部分靜電敏感器件電壓范圍

靜電敏感器件被靜電損傷后主要表現(xiàn)為兩種形式：硬擊穿和軟擊穿[5]。電子元器件被靜電破壞后，約有90%產(chǎn)生軟擊穿，而10%左右被完全破壞。硬擊穿元器件能夠通過檢驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，然而軟擊穿元器件卻難于被發(fā)現(xiàn)。被軟擊穿的元器件，通常在擊穿后較長時(shí)間后才出現(xiàn)工作性能變化，這種變化可以導(dǎo)致間接性故障，通常引發(fā)參數(shù)暫時(shí)性的漂移、不穩(wěn)定或是帶負(fù)載能力變差。軟擊穿還會(huì)使元器件耐壓降低，加上額定電壓的1/4時(shí)便會(huì)損壞。

航天型號產(chǎn)品曾經(jīng)發(fā)生過因靜電損傷而導(dǎo)致系統(tǒng)失效的案例，給航天系統(tǒng)帶來了巨大的經(jīng)濟(jì)損失。所以，在元器件二篩過程中，仍需采取各種有效措施來防止元器件受到靜電損傷，如穿防靜電工作服、佩戴手環(huán)等。對于此類元器件，若一篩后性能穩(wěn)定且用戶反饋良好，可以不做或少做二篩試驗(yàn)，減少損傷，提高可靠性。

2.2 篩選中的應(yīng)力施加問題

二篩中對元器件施加應(yīng)力，使缺陷能夠早期暴露，是元器件質(zhì)量保證重要手段之一。對于半導(dǎo)體器件，由于其結(jié)構(gòu)精細(xì)、工藝復(fù)雜，在制造過程中可能會(huì)在部分元器件上留下隱患或缺陷。有的缺陷可以通過測試手段發(fā)現(xiàn)，如芯片裂紋、表面粘附粒子等；而有的需要在使用過程中逐漸暴露，時(shí)間長達(dá)1000h左右，如硅片表面污染、焊接空洞、芯片和管殼熱阻匹配不良等，這就需要施加諸如高溫動(dòng)態(tài)試驗(yàn)應(yīng)力來加速這類缺陷的提早暴露。目前，應(yīng)力試驗(yàn)和測試是世界公認(rèn)的、必備的元器件質(zhì)量保證手段[6]。

然而，在二篩過程中，要保證元器件的可靠性，環(huán)境應(yīng)力是必須關(guān)注的問題。二篩的項(xiàng)目及其應(yīng)力的選擇是根據(jù)產(chǎn)品的使用要求來定制，制定出來的篩選要求，既不能過嚴(yán)，也不能過松。篩選要求過嚴(yán)，會(huì)淘汰符合產(chǎn)品使用要求的元器件，加大篩選成本和元器件使用成本，在特定情況下，還可能對元器件造成損傷，反而留下了質(zhì)量隱患；篩選要求太松，則會(huì)使一些不滿足產(chǎn)品使用要求的元器件順利通過篩選關(guān)，從而降低產(chǎn)品的可靠性水平。

除上述因素外，若業(yè)內(nèi)質(zhì)保單位相關(guān)技術(shù)人員對被檢元器件性能不了解，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)過應(yīng)力篩選，導(dǎo)致器件參數(shù)退化或失效。如某型號使用的DSP電路，40只元器件在進(jìn)行二篩的過程中，發(fā)現(xiàn)4只高溫電老煉常溫測試實(shí)裝功能失效。經(jīng)篩選工藝復(fù)查后發(fā)現(xiàn)存在以下問題。

a）元器件二篩技術(shù)條件有誤，表現(xiàn)在高溫老煉溫度 （125℃±2℃）超過元器件實(shí)際工作溫度 （工作溫度范圍 （W） 為-55℃～115℃）。 在航天型號元器件進(jìn)行二篩試驗(yàn)過程中，若元器件的工作溫度大于二篩試驗(yàn)的溫度，則按二篩規(guī)定的溫度進(jìn)行；若元器件的工作溫度小于二篩試驗(yàn)規(guī)定的溫度，則二篩的溫度不能高于元器件工作溫度。

b）高溫老煉測試夾具與元器件匹配性較差，導(dǎo)致某些被測試元器件引腳焊錫球嚴(yán)重變形。此外，該批電路封裝形式為陶瓷焊球陣列封裝（CBGA），焊錫球引腳材質(zhì)為Pb、Sn，元器件在經(jīng)受125℃的高溫下，焊錫球表面會(huì)生成一種不導(dǎo)電的SnO2，導(dǎo)致器件接觸性能不好，出現(xiàn)功能失效。為了驗(yàn)證失效是元器件本身造成還是二篩中引入的，對該批次進(jìn)行去氧化處理并修復(fù)焊錫球表面后重新測試，上述4只失效元器件均合格。

此案例中，雖然有部分元器件篩選合格，但變形的CBGA焊錫球在裝配過程中容易造成虛焊，導(dǎo)致元器件可靠性大大降低，影響電裝工藝的可靠性。

目前，大多數(shù)元器件引腳為純Sn或Pb、Sn合金，高溫情況下引腳表面都會(huì)形成一層不導(dǎo)電物質(zhì)，導(dǎo)致元器件接觸性能下降。因此，元器件高溫老煉如何保證引腳不氧化，也是二篩值得研究的問題。

2.3 壓力過大導(dǎo)致蓋板凹陷問題

某型號固放單機(jī)使用的質(zhì)量等級為H級的DC/DC電源模塊，數(shù)量20只。二篩試驗(yàn)過程中，在進(jìn)行密封試驗(yàn)后，發(fā)現(xiàn)蓋板有不同程度的凹陷。檢漏加壓條件：細(xì)檢漏為310kPa加壓時(shí)間為5h；粗檢漏為517kPa加壓時(shí)間為2h。

出現(xiàn)此問題后，元器件質(zhì)保方、承制方以及型號總體相關(guān)技術(shù)人員，就元器件密封性試驗(yàn)中蓋板凹陷情況進(jìn)行質(zhì)量排查，結(jié)果發(fā)現(xiàn)加壓條件不符合相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定要求，主要表現(xiàn)在兩個(gè)方面。

a）密封試驗(yàn)順序?yàn)橄燃?xì)檢漏后粗檢漏。細(xì)檢漏符合GJB 548B—2005加壓條件：壓強(qiáng)310kPa，時(shí)間5h，試驗(yàn)后沒有進(jìn)行外觀檢查；粗檢漏加壓條件改為517kPa、時(shí)間2h，試驗(yàn)后檢查發(fā)現(xiàn)被檢器件蓋板有不同程度的凹陷。

b）對該批次元器件選取一只開帽，測量其空腔體積，驗(yàn)證加壓條件是否符合技術(shù)要求。經(jīng)過對空腔部分長、寬、高的測量計(jì)算，該元器件內(nèi)腔體積為17.95cm3，查閱美軍標(biāo) MIL-STD-883K方法1014.14中2.1.2.2對單片集成電路和混合集成電路細(xì)檢漏有明確的規(guī)定：10≤X＜20cm3（X為元器件腔體體積）的混合集成電路，加壓條件為206kPa、加壓時(shí)間12h。

上述問題為元器件篩選過程中試驗(yàn)條件錯(cuò)誤引起的元器件批次性質(zhì)量問題，非元器件本身質(zhì)量問題。

3 元器件二篩的優(yōu)勢

3.1 識別假冒翻新元器件

目前，國內(nèi)元器件市場上翻新元器件較多，而且已經(jīng)進(jìn)入航天領(lǐng)域。航天各個(gè)院所特別關(guān)注此方面的問題，但是收效甚微，仍然有很大部分翻新件流入航天領(lǐng)域。此類元器件較難被發(fā)現(xiàn)，在測試的過程中大部分為合格。目前常用技術(shù)手段是外部目檢、X光檢查、內(nèi)部目檢以及芯片版圖、標(biāo)識相結(jié)合 （有時(shí)通過DPA），阻止了翻新件繼續(xù)流入[7]。

就集成電路制備工藝而言，由于我國起步相對較晚而且基礎(chǔ)工藝相對落后，元器件制備后一致性較差，有時(shí)難以滿足航天型號的需求，不得不依賴進(jìn)口，尤其是一些關(guān)鍵元器件 （如DSP、FPGA）費(fèi)用很高。部分商家為了獲取高額利潤，將翻新件銷售到用戶手里。而且商家摻假情況不同，有時(shí)整個(gè)批次都為贗品，有的只在里面摻入一定數(shù)量，用戶難于察覺。翻新件在專業(yè)質(zhì)保單位有時(shí)候都很難發(fā)現(xiàn)，用戶一般對元器件了解的不多，難于識別該類元器件。翻新件對航天可靠性工程影響較大。

為了保證型號元器件可靠性，二篩中第一步就是元器件的外部目檢，剔除假冒翻新、鍍層起皮、引腳銹蝕以及引腳變形的元器件。某承制單位在某航天型號采購的15批元器件，二篩中發(fā)現(xiàn)12批次元器件外部目檢不合格。不合格的原因?yàn)樵骷砻婊蛞_有二次涂覆痕跡，有的經(jīng)過了化學(xué)處理。若不進(jìn)行二篩，會(huì)有更大比例的翻新元器件流入航天市場，航天型號工程的可靠性難于保證。

3.2 關(guān)鍵元器件可靠性分析

對于型號工程而言，有一些是特殊類型的元器件，其他元器件要受到此類元器件制約。繼電器在型號工程上是一個(gè)極其重要、極其關(guān)鍵的部件，一個(gè)單機(jī)即使其余元器件可靠性都高，然而繼電器若發(fā)生故障，整個(gè)單機(jī)會(huì)失去功能，出現(xiàn)失效[8]。即使其它元器件的可靠性以及電裝工藝可靠性都能夠保證，然而一只繼電器的失效足以讓該單機(jī)失去功能。且磁保持繼電器的中位問題屬于致命失效問題之一，型號設(shè)計(jì)師對該類產(chǎn)品較為關(guān)注。

對于此類元器件，二篩過程中要重點(diǎn)檢查。如，在某航天型號上使用的某磁保持繼電器中位篩選失效問題，二篩總計(jì)65只繼電器，中位篩選試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)21只不合格，不合格比例占到32.3%。經(jīng)過分析發(fā)現(xiàn)，磁保持繼電器的中位篩選不合格可能是由于磁鋼表面工藝加工存在問題：磁鋼工作面呈圓弧形貌而且頂端微變曲，圓弧邊緣表面粗糙、呈顆粒狀，使頂端呈窄長平面狀，影響銜鐵翻轉(zhuǎn)的靈活性。該問題為批次性元器件質(zhì)量問題，予以剔除后，提高了航天型號的可靠性。

3.3 元器件質(zhì)量問題

某型號上使用的30只DC/DC電源模塊，二篩中顆粒碰撞噪聲檢測 （PIND）試驗(yàn)時(shí)有3只不合格，其PDA值超出型號規(guī)定要求，屬于批次性質(zhì)量問題。對3只PIND不合格樣品進(jìn)行開帽檢查，電源模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1（a）所示，內(nèi)部目檢發(fā)現(xiàn)以下問題。

a）GJB 548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》方法2017.1中3.1.2 a）條規(guī)定樣品拒收的條件：對于無端電極的元件，大于50%的元件周界上見不到粘接介質(zhì)，除非粘接介質(zhì)在元件兩個(gè)不相鄰的側(cè)邊上是連續(xù)的。由圖1（b）可知，模塊中電容器與此規(guī)定不符。電容器兩端應(yīng)點(diǎn)膠固定，保證剪切強(qiáng)度合格。此類元件的表面貼裝采用導(dǎo)電膠粘接工藝，容易導(dǎo)致剪切強(qiáng)度不合格，可靠性降低。

b）GJB 548B—2005方法2017.1中 3.1.9 a）條規(guī)定樣品拒收的條件：在封裝內(nèi)或在封裝殼內(nèi)存在沒有固定住的多余物。一只元器件內(nèi)部目檢（圖1（c））發(fā)現(xiàn)，磁環(huán)周圍存在球狀金屬物質(zhì)，如圖1（d）所示，符合樣品拒收的條件。

4 塑封元器件的二篩問題

低成本商業(yè)衛(wèi)星用到越來越多的塑封元器件，與陶瓷封裝、金屬封裝元器件相比，塑封元器件有其自身的不足[9]，表現(xiàn)在以下幾方面。

a）塑封元器件環(huán)境適應(yīng)性差，不能滿足航天產(chǎn)品環(huán)境溫度要求。商業(yè)用元器件溫度為0℃～70℃，工業(yè)用元器件溫度為-40℃～125℃、汽車用元器件溫度為-40℃～105℃，而宇航高可靠領(lǐng)域的元器件溫度為-55℃～175℃。

b）塑封元器件由于材料特性容易出現(xiàn)分層，不能滿足航天產(chǎn)品可靠性指標(biāo)要求。

c）相對于金屬封裝或陶瓷封裝，塑封元器件密封性較差，為非密封元器件。

d）塑封元器件，特別是進(jìn)口塑封件，質(zhì)量等級通常為工業(yè)級，不符合航天產(chǎn)品質(zhì)量保證等級規(guī)定要求，而國內(nèi)大多數(shù)民用塑封件僅僅為商業(yè)級。

e）塑封元器件抗輻射性能較差，多數(shù)器件難于在輻射環(huán)境下高可靠工作。

塑封元器件因其自身的局限性，限制了在航天型號中的應(yīng)用。然而，低成本商業(yè)衛(wèi)星的大背景下，因其研制周期以及研制成本又不得不使用大量塑封件。因此，塑封件的篩選問題成為該技術(shù)領(lǐng)域關(guān)注的重點(diǎn)。相關(guān)研究表明，塑封元器件二篩，能夠最大程度檢測發(fā)現(xiàn)失效問題是進(jìn)行超聲波掃描檢查 （SAM），具體表現(xiàn)為不同塑封材料與芯片表面、引腳表面以及基座層之間的界面上，裂縫寬度從幾十納米到幾百微米不等，GJB 548B—2005以及MILSTD-883J對塑封元器件分層形貌的檢測也有相應(yīng)檢測條款。塑封件分層的后果為出現(xiàn) “爆米花”效應(yīng)。

塑封元器件封裝過程是物理、化學(xué)、材料、封裝環(huán)境共同作用的結(jié)果，因而其分層形貌較為常見。在塑封件封裝過程中，由于封裝過程的特殊性 （涉及環(huán)氧樹脂本身質(zhì)量、澆筑成型溫度、封裝空間內(nèi)部環(huán)境氣氛等），經(jīng)常發(fā)現(xiàn)被檢元器件失效比例很大。較薄元器件 （QPF）發(fā)生失效的比例較小，而較厚元器件發(fā)生分層比例較大。此外，X光檢查也會(huì)發(fā)現(xiàn)部分元器件失效，如引線在封裝過程造成的塌絲。

為了保證塑封元器件的可靠性，同時(shí)又要兼顧研制周期、成本等，業(yè)內(nèi)部分研究機(jī)構(gòu)通常采用外部目檢、X光檢查、超聲波掃描檢查、高溫電老煉以及老煉后測試作為強(qiáng)制執(zhí)行篩選項(xiàng)目。其余試驗(yàn)項(xiàng)目根據(jù)元器件實(shí)際使用環(huán)境要求合理制定，如元器件抗輻射加固、高壓蒸煮、升級篩選[10]等。

5 結(jié)論

為了保證商業(yè)衛(wèi)星的可靠性而進(jìn)行的元器件二篩，其是否有必要進(jìn)行以及如何進(jìn)行，筆者進(jìn)行如下歸納總結(jié)。

a）國內(nèi)元器件生產(chǎn)工藝成熟穩(wěn)定的廠家，其元器件二篩可以納入廠家一次篩選中加嚴(yán)篩選，元器件可靠性中心建立廠家動(dòng)態(tài)考核機(jī)制；進(jìn)口元器件查閱元器件質(zhì)量控制技術(shù)文件，無篩選記錄元器件應(yīng)嚴(yán)格二篩，同時(shí)注意假冒翻新元器件。

b）篩選過程嚴(yán)格進(jìn)行防靜電控制，尤其對于靜電敏感元器件，不能引入新的篩選缺陷。

c）篩選過程中，應(yīng)了解元器件實(shí)際使用情況，避免過應(yīng)力篩選。部分未能篩選的元器件，可以納入單機(jī)或整機(jī)考核試驗(yàn)過程，以此保證元器件可靠性。

d）嘗試改變現(xiàn)有篩選條件，如按照衛(wèi)星壽命確定篩選技術(shù)方案，實(shí)現(xiàn)篩選的科學(xué)化、合理化。

e）關(guān)鍵類元器件應(yīng)按照以往篩選模式進(jìn)行篩選或加嚴(yán)篩選，如繼電器等決定系統(tǒng)成敗的控制類元器件。

［1］崔帥，曹德峰，李志勇，等.聚焦離子束加工技術(shù)在元器件可靠性領(lǐng)域中的應(yīng)用研究［J］. 環(huán)境技術(shù)， 2016 （4） .

［2］ 龍謙.淺談元器件的 “一次篩選”［J］.電子元器件與可靠性，2002（2）.

［3］張小強(qiáng).元器件二次篩選質(zhì)量控制 ［J］.電子質(zhì)量，2015（11）.

［4］丁鵬輝.宇航電子產(chǎn)品電裝過程中的防靜電研究［D］.北華航天工業(yè)學(xué)院，2015－06.

［5］王振雄.功率器件的封裝失效分析以及靜電放電研究［D］.復(fù)旦大學(xué)，2009－05.

［6］李根成.環(huán)境應(yīng)力篩選與應(yīng)力激發(fā)試驗(yàn)［J］.裝備環(huán)境工程，2005，2（4）.

［7］高金環(huán).翻新偽造電子元器件的鑒別 ［J］.電子科技，2014，27（8）.

［8］梁慧敏，劉茂愷，謝勇，等.磁保持繼電器的中間位置 ［J］.哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)，1999， 31 （4） .

［9］周毅.大功率塑封器件失效機(jī)理研究 ［D］.沈陽工業(yè)大學(xué)，2009－02.

［10］王敬賢，管長才.國際空間站用元器件的升級篩選［J］.航天標(biāo)準(zhǔn)化，2008（1）.

文 摘：對商業(yè)衛(wèi)星用元器件補(bǔ)充篩選利與弊問題進(jìn)行分析，指出：成熟穩(wěn)定的國產(chǎn)元器件可以不二篩或納入廠家一次篩選中加嚴(yán)篩選；進(jìn)口元器件應(yīng)注意假冒翻新問題，依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行二篩；篩選過程須嚴(yán)格進(jìn)行防靜電控制、了解器件實(shí)際使用情況，避免過應(yīng)力篩選；繼電器等關(guān)鍵元器件應(yīng)按照以往篩選模式進(jìn)行篩選或加嚴(yán)篩選；塑封元器件應(yīng)根據(jù)實(shí)際使用需求，有針對性地進(jìn)行篩選；嘗試改變現(xiàn)有篩選技術(shù)條件，按照衛(wèi)星壽命確定篩選技術(shù)方案。

※ 本文源于國防科工局技術(shù)基礎(chǔ)研究項(xiàng)目：小衛(wèi)星用電子元器件質(zhì)量控制技術(shù)研究 （1707wk00××）。

曹德峰 （1982年—），男，碩士研究生，工程師，從事航天型號元器件失效分析工作。

張穎 （1983年—），女，碩士研究生，工程師，從事科研課題管理工作。

崔帥 （1978年—），女，碩士研究生，高級工程師，從事質(zhì)量與可靠性管理工作。