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    ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)納米陣列制備及光催化性能

    2017-07-05 13:01:25何祖明夏詠梅江興方1黃正逸
    發(fā)光學(xué)報(bào) 2017年7期
    關(guān)鍵詞:導(dǎo)帶光生空穴

    何祖明, 夏詠梅, 唐 斌, 江興方1,, 黃正逸

    (1. 常州大學(xué) 懷德學(xué)院, 江蘇 常州 213016;2. 江蘇理工學(xué)院 材料工程學(xué)院, 江蘇 常州 213001; 3. 常州大學(xué) 數(shù)理學(xué)院, 江蘇 常州 213164)

    ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)納米陣列制備及光催化性能

    何祖明1*, 夏詠梅2, 唐 斌3, 江興方1,3, 黃正逸1*

    (1. 常州大學(xué) 懷德學(xué)院, 江蘇 常州 213016;2. 江蘇理工學(xué)院 材料工程學(xué)院, 江蘇 常州 213001; 3. 常州大學(xué) 數(shù)理學(xué)院, 江蘇 常州 213164)

    利用濕化學(xué)法在FTO玻璃基底上制備了高度規(guī)整的ZnO納米棒陣列(ZnO NRAs),以此為襯底,采用磁控濺射法在ZnO NRAs表面沉積Cu2O薄膜。分別用X射線衍射儀、X射線光電子能譜、掃描電鏡、光致光譜、紫外可見分光光度計(jì)和電化學(xué)工作站對樣品的物相、形貌、吸收光譜、光電性能進(jìn)行了表征,用甲基橙(MO)模擬有機(jī)物廢水研究復(fù)合材料的光催化性能。結(jié)果表明:ZnO納米棒為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),其直徑約為80~100 nm,長約2~3 μm,棒間距約100~120 nm。立方晶系的Cu2O顆粒直徑約為100~300 nm,形成致密膜層并緊密覆蓋在ZnO NRAs表面上,構(gòu)成ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)納米陣列(ZnO/Cu2O HNRAs)結(jié)構(gòu)。與純ZnO NRAs和Cu2O相比,ZnO/Cu2O HNRAs在可見光范圍內(nèi)的吸收顯著增強(qiáng),吸收波長向可見光方向偏移。ZnO/Cu2O HNRAs的載流子傳遞界面的電荷轉(zhuǎn)移速度快,有效促進(jìn)了光生電子和空穴的分離。在紫外-可見光照射65 min后, ZnO/Cu2O HNRAs的降解效率為94%,分別是純ZnO NRAs和Cu2O的18倍和1.7倍。

    ZnO納米棒陣列; ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)納米棒陣列; 光電化學(xué)性能; 光催化

    1 引 言

    ZnO是n型寬帶隙半導(dǎo)體材料,其室溫下的禁帶寬度約為3.37 eV,能吸收紫外光[1],具有光催化活性,且具有安全無毒、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、無污染等優(yōu)點(diǎn),是研究較多的一種光催化材料[2-3]。在激發(fā)態(tài)時(shí),其光生電子和空穴容易復(fù)合、光量子效率低、太陽光利用率低、不易回收等缺點(diǎn)限制了大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用。Cu2O是一種典型的p型半導(dǎo)體材料,禁帶寬度約為2.17 eV。吸收可見光時(shí),價(jià)帶上的電子躍遷到導(dǎo)帶上[4]。此外,Cu2O還具有無毒、儲量豐富、制備成本低、理論利用效率高等優(yōu)點(diǎn),在電極材料[5]、光催化[6]、電子器件[7-9]等方面具有重要的應(yīng)用。但是,單一半導(dǎo)體材料不能最大地吸收利用太陽能,因此,利用納米復(fù)合半導(dǎo)體材料光催化降解有機(jī)物已經(jīng)成為新能源開發(fā)利用和環(huán)境治理領(lǐng)域的熱點(diǎn)課題之一。近年來,ZnO和CdS[10-11]、PbS[12]、MoS2[13]等金屬化合物形成的復(fù)合型半導(dǎo)體材料得到廣泛研究[14-15]。研究表明,ZnO與其他種類的半導(dǎo)體材料形成的復(fù)合半導(dǎo)體可以降低其禁帶寬度,擴(kuò)大對可見光的吸收范圍,提高電子-空穴對在光照射下的分離,表現(xiàn)出更好的光學(xué)性能。

    很多課題組已經(jīng)制備了ZnO/Cu2O納米顆粒和核殼納米顆粒來降解有機(jī)染料[16-17],降解效果良好,但是這種復(fù)合納米顆粒因難以回收重復(fù)利用而容易造成二次污染。為此,本文采用濕化學(xué)法和磁控濺射技術(shù)構(gòu)建了容易回收的ZnO/Cu2O復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜,并以氙燈模擬太陽光,研究了ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)薄膜在紫外-可見光下降解MO溶液的情況,并探討了其光催化機(jī)理。

    2 實(shí) 驗(yàn)

    2.1 試劑與儀器

    實(shí)驗(yàn)試劑:Zn(Ac)2·2H2O(天津市化學(xué)試劑六廠三分廠),NH2CH2CH2OH (上海中秦化學(xué)試劑有限公司),CH3OCH2CH2OH(天津市光復(fù)精細(xì)化工研究所),PEG4000(天津市科密歐化學(xué)試劑開發(fā)中心),Zn(NO3)2·6H2O(天津市化學(xué)試劑六廠三分廠),KOH(天津市化學(xué)試劑六廠三分廠),Na2SO4(天津市化學(xué)試劑六廠三分廠),CH3CH2OH(天津市盛奧化學(xué)試劑有限公司),F(xiàn)TO透明導(dǎo)電玻璃(日本板硝子株式會(huì)社)。實(shí)驗(yàn)中所用試劑均為分析純,所用溶液均用二次去離子水配制。

    實(shí)驗(yàn)儀器:高真空三靶磁控共濺射鍍膜系統(tǒng)(JGP500A,沈陽科友真空技術(shù)有限公司),銅靶(純度99.99%深圳市歐萊中材科技有限公司),管式爐(FURNACE 1 200 ℃,天津市中環(huán)實(shí)驗(yàn)電爐有限公司)。

    2.2 ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)納米陣列的制備

    2.2.1 ZnO晶種層的制備

    根據(jù)文獻(xiàn)[18],稱取5.488 g Zn(Ac)2·2H2O,放入燒杯中,并向其中加入25 mL的CH3OCH2CH2OH,磁力攪拌15 min。量取1.5 mL NH2CH2CH2OH加入到15 mL的CH3OCH2CH2OH中,機(jī)械攪拌并超聲分散5 min。將CH3OCH2CH2OH和NH2CH2CH2OH的混合溶液逐滴加入到磁力攪拌著Zn(Ac)2的CH3OCH2CH2OH溶液中,再滴加0.9 mL的去離子水,密封燒杯,并在60 ℃水浴強(qiáng)烈磁力攪拌2 h,靜置陳化24 h。最后,加入0.25 g PEG4000,60 ℃水浴攪拌30 min,得到淡黃色ZnO前驅(qū)體溶膠。采用旋涂鍍膜的方法在清洗好的FTO基底上制備一層ZnO膠體膜,然后在真空管式爐中450 ℃退火30 min,即可在FTO基底表面形成一層均勻致密的納米級ZnO晶種層。

    2.2.2 ZnO納米棒陣列的制備

    用KOH和Zn(NO3)2按8∶1的量比配制濃度為0.25 mol/L的[Zn(OH)4]2-水溶液,充分磁力攪拌,得到一澄清溶液,即為所需的陣列生長液。將陣列生長液倒入反應(yīng)容器內(nèi),然后將基底制備有晶種層的面向下懸浮于陣列生長液中,密封好反應(yīng)容器,置于電熱恒溫水槽中,在50 ℃水浴條件下保溫12 h取出,依次用去離子水漂洗,無水乙醇沖洗,室溫真空烘干,即得到ZnO NRAs。

    2.2.3 ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)的構(gòu)建

    采用制備的ZnO NRAs為襯底,在ZnO NRAs表面上沉積p型Cu2O包覆層, 制備出n-ZnO/p-Cu2O HNRAs。將樣片放入高真空三靶磁控共濺射鍍膜系統(tǒng)真空室中,單質(zhì)金屬銅(Cu)靶為濺射靶,抽真空到5×10-4Pa,在氬氣和氧氣的混合氣氛下進(jìn)行濺射(氬氣和氧氣的純度均為99.99%)。按照文獻(xiàn)[19],氧氣和氬氣的流量比為3∶8,濺射靶的輸入功率為60 W,濺射氣壓為0.1 Pa,薄膜沉積時(shí)間為30 min。

    2.3 樣品表征

    使用X射線衍射儀(D/max -2500,日本)和X射線光電子能譜儀(VGESCALAB MarkⅡ)對樣品的物相進(jìn)行表征,采用掃描電鏡(SUPRA55,德國蔡司)表征樣品的形貌和結(jié)構(gòu),用紫外可見分光光度計(jì)(UV-2550,日本島津)測定樣品的光吸收譜,采用電化學(xué)工作站(CHI660E,上海振華)進(jìn)行光電性能測試。

    2.4 光催化性能測試

    取2片有效面積為5 cm2的ZnO/Cu2O HNRAs樣品加入到新配置的pH=5、濃度為20 mg/L的100 mL MO溶液中,室溫避光60 min以達(dá)到平衡,

    然后打開光源(AM 1.5G,100 mW/cm2)照射溶液。反應(yīng)過程中攪拌溶液,溫度保持在25 ℃,每間隔一定的時(shí)間取樣,采用紫外-可見分光光度計(jì)測定樣品的吸光值,根據(jù)樣品的吸光值變化求得降解率(D):

    D=(C0-C)/C0=(A0-A)/A0,

    (1)

    式中A0和A分別為樣品的初始吸光度和降解后的吸光度;C0和C分別為溶液的初始濃度和降解后的濃度。

    3 結(jié)果與討論

    3.1 形貌分析

    圖1(a)、(b)是FTO玻璃上制備的ZnO NRAs的表面形貌頂視圖和側(cè)視圖。從圖中可以看出,高度規(guī)整的納米棒陣列緊密矗立在基底表面上,顯示了很好的單晶生長趨勢,并取向生長。納米棒長為2~3 μm,直徑為80~100 nm,棒間距為100~120 nm。圖1(c)是ZnO/Cu2O HNRAs的表面形貌頂視圖??梢钥闯?,ZnO納米棒頂端全部被直徑為100~300 nm的Cu2O團(tuán)簇顆粒緊密覆蓋,形成了ZnO/Cu2O HNRAs結(jié)構(gòu)。圖1(c)中插圖是放大的Cu2O團(tuán)簇顆粒SEM照片??梢钥吹?,在ZnO納米棒尖端的Cu2O團(tuán)簇顆粒是由許多直徑為20~40 nm的立方體的顆粒組成。為了進(jìn)一步觀察沉積在ZnO納米棒之間的Cu2O顆粒與ZnO納米棒之間的結(jié)合特點(diǎn),給出了異質(zhì)結(jié)陣列的截面圖(圖1(d)),從圖中看出,ZnO納米棒之間幾乎沒有空隙,Cu2O顆粒充分填充到了ZnO納米棒之間空隙處且結(jié)合緊密。

    圖1 ZnO NRAs(a,b)和ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)納米陣列(c,d)的SEM圖

    3.2 物相分析

    為了進(jìn)一步研究制備的異質(zhì)結(jié)物相,對制備的純ZnO NRAs和ZnO/Cu2O HNRAs的XRD圖譜進(jìn)行了對比分析,如圖2(a)所示。由ZnO NRAs列對應(yīng)的XRD圖譜可以看出,所有的衍射峰均與纖鋅礦結(jié)構(gòu)[20]的ZnO(JCPDS No.36-1451)對應(yīng),最強(qiáng)的衍射峰為(002)晶面衍射峰,說明制備的ZnO納米棒的擇優(yōu)生長晶面是(002)晶面。ZnO納米棒幾乎與基底表面垂直排列生長,這與SEM圖片一致。而沉積Cu2O后,發(fā)現(xiàn)Cu2O晶體最強(qiáng)衍射峰應(yīng)為(111)晶面的衍射峰,位于2θ=36.45。處,其峰位恰好與ZnO(101)晶面位于2θ=36.28。處的衍射峰幾乎重疊, Cu2O的衍射峰與標(biāo)準(zhǔn)衍射圖譜(JCPDS No. 65-3288)對應(yīng),表明ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)由立方晶系的Cu2O與六方纖鋅礦型的ZnO組成。由于沉積顆粒中的Cu元素可以是0價(jià)、+1價(jià)和+2價(jià),所以其氧化物是Cu2O或CuO。為了進(jìn)一步鑒別沉積在ZnO NRAs上顆粒層的化學(xué)成分及配比,我們對樣品進(jìn)行了XPS分析。圖2(b)是利用C 1s的結(jié)合能峰248.8 eV來校準(zhǔn)的Cu 2p3/2和Cu 2p1/2譜圖,樣品的Cu 2p3/2和Cu 2p1/2的結(jié)合能分別為931.8 eV和951.5 eV,這兩峰之間沒有任何峰,根據(jù)文獻(xiàn)[21]結(jié)果,制備的樣品中不存在Cu2+,為異質(zhì)結(jié)ZnO/Cu2O NRAs。

    圖2 (a) ZnO NRAs、ZnO/Cu2O HNRAs的XRD譜圖;(b) ZnO/Cu2O HNRAs的XPS譜圖。

    Fig.2 (a) XRD patterns of ZnO NRAs and ZnO/Cu2O HNRAs. (b) XPS spectrum of Cu 2p from ZnO/Cu2O HNRAs.

    3.3 吸收光譜

    圖3是ZnO NRAs、Cu2O薄膜和ZnO/Cu2O HNRAs的紫外-可見吸收光譜。從圖中可以看出,ZnO NRAs只能吸收波長380 nm以下的紫外光,在可見光區(qū)幾乎沒有吸收,這是由ZnO的寬帶隙特性決定的。對于Cu2O薄膜,由于其具有較小的禁帶寬度,其吸收波長大約從740 nm開始一直延伸到紫外光區(qū)。ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)的吸收波長范圍與Cu2O薄膜一樣,但是對紫外光的吸收明顯強(qiáng)于Cu2O薄膜。ZnO/Cu2O HNRAs的吸收波長向可見光方向紅移,可能是由于窄帶隙半導(dǎo)體Cu2O與寬帶隙的ZnO形成異質(zhì)結(jié)可以起互補(bǔ)作用,從而改善了光吸收特性[22-25]。

    圖3 ZnO NRAs、Cu2O薄膜和ZnO/Cu2O HNRAs的吸收光譜。

    Fig.3 UV-Vis absorption spectra of ZnO NRAs, Cu2O film and ZnO /Cu2O HNRAs, respectively.

    3.4 光催化性能

    為了探究ZnO/Cu2O HNRAs光催化性能,測試了對MO溶液的降解率。作為比較,也測試了相同條件下純ZnO NRAs和純Cu2O薄膜對MO溶液的降解率。圖4(a)是新配置的MO溶液中加入催化劑在無光照條件下和無催化劑在紫外-可見光照射下,經(jīng)過60 min達(dá)到吸附平衡后的情況,可以看出此時(shí)有機(jī)染料不降解。這說明是光催化作用使得有機(jī)染料發(fā)生降解反應(yīng)。圖4(b)是加入催化劑后在光照條件下降解MO的曲線圖。光照65 min后,純ZnO NRAs薄膜的光催化活性很低,降解率僅有5.69%;純 Cu2O 薄膜的光催化降解率為55.23%;而ZnO/Cu2O HNRAs的光降解率達(dá)到了94%,是純Cu2O薄膜的1.8倍,是純ZnO NRAs薄膜的18倍,表現(xiàn)出良好的光催化效果。如果只在可見光的照射下,ZnO/Cu2O HNRAs的光降解率為65.1%,是在紫外-可見光照射下的0.68倍。分析認(rèn)為,這主要是由于ZnO具有大的禁帶寬度,只吸收紫外光。ZnO/Cu2O復(fù)合薄膜不但吸收紫外和可見光,而且形成了異質(zhì)結(jié),使Cu2O導(dǎo)帶產(chǎn)生的光生電子向能級較低的ZnO的導(dǎo)帶轉(zhuǎn)移。這有助于光生電子-空穴對的分離,降低其復(fù)合幾率,提高了紫外-可見光光譜的光催化性能。而只有可見光照射時(shí),只有Cu2O有吸收,ZnO不能吸收,ZnO/Cu2O HNRAs不能形成異質(zhì)結(jié),沒有形成光生電子-空穴對,所以ZnO/Cu2O HNRAs的光降解率較低。

    為了驗(yàn)證異質(zhì)結(jié)中的光生電子-空穴是否分離[26],對樣品進(jìn)行了電化學(xué)阻抗譜測試(圖5)。從圖5可見,ZnO/Cu2O HNRAs的EIS圖譜中的半圓比 ZnO NRAs的半圓小很多。根據(jù)文獻(xiàn)[27],曲線的半徑代表電荷的轉(zhuǎn)移過程,半圓弧的半徑代表電荷傳輸電阻,阻抗值越大,則載流子的傳輸效率越差;半圓越小,則載流子的分離效率越好,傳遞速率越快。從圖中可見,光照ZnO/Cu2O HNRAs之后,由于載流子濃度的增加,光陽極的電導(dǎo)率明顯提升,光照時(shí)的弧長半徑比沒有光照時(shí)低兩個(gè)數(shù)量級,表明界面電荷轉(zhuǎn)移速度加快。另外,ZnO/Cu2O HNRAs具有更大表面積,降低了界面反應(yīng)阻力。載流子傳輸速率的加快和界面反應(yīng)阻力的降低促進(jìn)了光生電子-空穴分離,意味著ZnO/Cu2O HNRAs有更好的光催化性能[9]。

    圖4 (a)黑暗條件下加入光催化劑和沒有光催化劑條件下紫外-可見光照射MO 的降解曲線;(b)在紫外-可見光照射下,純ZnO NRAs、Cu2O 薄膜和ZnO/Cu2O HNRAs對 MO 的降解曲線。

    Fig.4 (a) Degradation curves of MO with photocatalysts in the dark and without photocatalysts under UV-Vis irradiation. (b) degradation curves of MO with pure ZnO NRAs, pure Cu2O film and ZnO/Cu2O HNRAs, respectively.

    為了進(jìn)一步證明異質(zhì)結(jié)中的光生電子-空穴分離,對純ZnO和ZnO/Cu2O HNRAs樣品進(jìn)行了PL光譜測試,如圖6所示。隨著Cu2O的加入,PL光譜的強(qiáng)度變小了,表明光生電子有效地從Cu2O的導(dǎo)帶轉(zhuǎn)移到了ZnO的導(dǎo)帶上。這將導(dǎo)致光生電子-空穴的有效分離,從而提高光催化性能[9,28]。

    圖5 ZnO NRAs和ZnO/Cu2O HNRAs在暗態(tài)時(shí)(a)和在(AM 1.5G,100 mW/cm2)光照時(shí)(b)的EIS曲線

    Fig.5 EIS curves of ZnO NRAs and ZnO/Cu2O HNRAs in the dark state (a) and under (AM 1.5G, 100 mW/cm2) illumination (b)

    圖6 ZnO和ZnO/Cu2O的PL光譜(λex=325 nm)

    Fig.6 PL spectra of ZnO and ZnO/Cu2O (λex=325 nm)

    基于以上的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)和前期的報(bào)道[16,23],我們給出了以下光催化過程和原理圖7。當(dāng)紫外-可見光照射ZnO/Cu2O HNRAs時(shí),電子帶間躍遷形成光生電子-空穴。由于ZnO的導(dǎo)帶比Cu2O的導(dǎo)帶更低[29],光生電子由Cu2O的導(dǎo)帶轉(zhuǎn)移到ZnO的導(dǎo)帶上,有效地抑制了電子-空穴的復(fù)合:

    (2)

    (3)

    Cu2O(e-)CB+ZnO→ZnO(e-)CB,

    (4)

    (5)

    ZnO(h+)VB+OH-→·OH

    (6)

    (7)

    2HO2·→O2+H2O2,

    (8)

    (9)

    ·OH+Dye(MO)→products.

    (10)

    圖7 紫外-可見光照射下的ZnO/Cu2O HNRAs的光催化原理圖

    Fig.7 Photocatalytic schematic illustration of ZnO/Cu2O HNRAs under UV-Vis irradiation

    3.5 樣品的循環(huán)利用

    從經(jīng)濟(jì)成本考慮,催化劑能否重復(fù)利用是評估其是否具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值的重要指標(biāo)。圖8是ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)3次循環(huán)降解MO溶液的曲線圖。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:光照65 min后, ZnO/Cu2O HNRAs的第一次光降解率達(dá)94%,光催化效果最佳;第二、三次的光降解率分別是93.1%、92.4%,光催化活性略有降低。第一次使用后,催化劑部分失去活性的原因可能是由于反應(yīng)中的有機(jī)物吸附在催化劑的表面,導(dǎo)致催化劑活性減少[22,35-36]。其后二次使用中催化劑的性能相差不大。制備的ZnO/Cu2O異質(zhì)結(jié)催化劑具有較高光催化活性和良好的穩(wěn)定性,且易分離、回收和再利用,在利用太陽光能降解廢水和空氣中的有機(jī)污染物方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。

    圖8 催化劑樣品循環(huán)使用3次降解MO曲線圖

    Fig.8 Degradation curves of MO with ZnO/Cu2O HNRAs after 3 times recycle

    4 結(jié) 論

    在FTO玻璃基底上制備了高度規(guī)整的纖鋅礦結(jié)構(gòu)的ZnO納米棒,長為2~3 μm,直徑為80~100 nm,棒間距為100~120 nm。以此為襯底,用磁控濺射法在ZnO NRAs表面沉積直徑為100~300 nm的立方結(jié)構(gòu)的Cu2O團(tuán)簇顆粒,成功構(gòu)建了ZnO/Cu2O HNRAs結(jié)構(gòu)。與純ZnO NRAs和Cu2O 薄膜相比,ZnO/Cu2O HNRAs結(jié)構(gòu)的吸收光譜紅移,光生電子和空穴能夠更有效地分離,提高了電荷傳輸效率,展現(xiàn)出了優(yōu)異的光電化學(xué)性能和光催化活性。ZnO/Cu2OHNRAs具有較高的光催化活性和良好的穩(wěn)定性,易分離、回收和再利用,在利用太陽能光降解廢水方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。

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    何祖明(1980-),男,湖南永州人,碩士,講師,2009年于蘭州理工大學(xué)獲得碩士學(xué)位,主要從事水污染控制理論與技術(shù)、環(huán)境功能材料的研究。

    E-mail: hezuming432928@126.com

    黃正逸(1966-),男,江蘇常州人,碩士,副教授,2006年于南京師范大學(xué)獲得碩士學(xué)位,主要從事水污染控制理論與技術(shù)、環(huán)境功能材料的研究。

    E-mail: hzm432928@cczu.edu

    Preparation and Photocatalytic Property of ZnO/Cu2O Heterostructured Nanorod Arrays

    HE Zu-ming1*, XIA Yong-mei2, TANG Bin3, JIANG Xing-fang1,3, HUANG Zheng-yi1*

    (1. Huaide College, Changzhou University, Changzhou 213016, China;2. School of Materials and Engineering, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China;3. School of Mathematics & Physics, Changzhou University, Changzhou 213164, China)

    ZnO nanorod arrays (ZnO NRAs) on FTO-glass substrates were prepared by chemical method, then Cu2O film was deposited on ZnO NRAs surface by using magnetron sputtering method. The crystal phase, morphology, UV-Vis absorbance spectra and photoelectric property were characterized by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscope, scanning electron microscopy, photoluminescence spectroscopy, UV-Vis spectrophotometer and electrochemical workstation, respectively. The photocatalytic activity was evaluated by the photocatalytic degradation of methyl orange (MO) under UV-Vis light irradiation. The results show that ZnO NRAs are wurtzite structure phase with diameter of 80-100 nm, length of 2-3 μm, and rod interval distance of 100-120 nm. Cu2O particles are the cubic phase with grain diameter of 100-300 nm and form a dense membrane layer on ZnO NRAs, which constitutes ZnO/Cu2O heterojunction nanorod arrays(ZnO/Cu2O HNRAs) structure. Compared with pure ZnO NRAs and Cu2O film, the absorption intensity in the visible region of ZnO/Cu2O HNRAs is significantly enhanced and the absorption wavelength redshifts. The charge transfer speed on the carrier transmission interface of ZnO/Cu2O HNRAs is faster, contributing to the separation of photoelectrons from hole. Irradiated under UV-Vis light for 65 min, the MO degradation efficiency of ZnO/Cu2O HNRAs is 94%, 18 times than that of pure ZnO NRAs and 1.7 times than that of pure Cu2O film.

    ZnO NRAs; ZnO/Cu2O HNRAs; photoelectrochemical properties; photocatalysis

    1000-7032(2017)07-0936-08

    2016-12-12;

    2017-01-21

    國家自然科學(xué)基金(61107055); 江蘇省高校自然科學(xué)研究面上項(xiàng)目(15KJD430004)資助 Supported by National Natural Science Foundation of China (61107055); General Project of Natural Science Research of The Universities of Jiangsu Province(15KJD430004)

    O643.32; O471.5

    A

    10.3788/fgxb20173807.0936

    *Corresponding Authors, E-mail: hezuming432928@126.com; hzm432928@cczu.edu

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