蘇雪婷,劉振興
(武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院,湖北 武漢,430081)
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模塊化多電平換流器子模塊故障仿真與診斷
蘇雪婷,劉振興
(武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院,湖北 武漢,430081)
分析了模塊化多電平換流器(MMC)的工作原理和故障特性,搭建了基于MATLAB/Simulink的五電平MMC故障仿真平臺,對子模塊中IGBT器件的開路、短路和高阻等故障狀態(tài)進(jìn)行模擬,總結(jié)出發(fā)生不同故障時輸出直流電壓、子模塊電容電壓和交流側(cè)三相電流的變化特征,可為MMC故障診斷與故障模塊定位提供參考。
模塊化多電平換流器;子模塊;故障診斷;絕緣柵雙極型晶體管;MATLAB/Simulink
模塊化多電平換流器(modularmultilevelconverter,MMC)是一種新型的電壓變換電路,它通過將多個子模塊級聯(lián)的方式可以疊加輸出很高的電壓。模塊化結(jié)構(gòu)使其具有較高的可靠性、穩(wěn)定性以及可拓展性,因此MMC在電力機(jī)車傳動、柔性直流輸電和新能源并網(wǎng)發(fā)電等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力。現(xiàn)階段學(xué)術(shù)界針對MMC的研究主要集中于暫態(tài)和穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)建模[1-2]、相間環(huán)流抑制策略[3]、調(diào)制控制策略[4-6]以及交直流系統(tǒng)故障保護(hù)[7-8]等方面,對于其子模塊的故障診斷研究相對較少。本文在分析MMC工作原理和故障規(guī)律的基礎(chǔ)上,結(jié)合MATLAB/Simulink仿真實驗,總結(jié)出一種MMC子模塊故障定位和故障原因診斷的方法。
圖1為常用的雙星型聯(lián)接MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖,模塊化N電平換流器共有6個橋臂,每個橋臂上有N-1個子模塊,每相上下N-1個子模塊是完全對稱的。圖2為單個子模塊的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu),每個子模塊由兩個反并聯(lián)二極管D1、D2的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)器件T1、T2串聯(lián)而成,另有一直流電容C0與兩個IGBT并聯(lián),電容的作用是不斷進(jìn)行充、放電,從而存儲和釋放電能。圖2中iSM為子模塊輸入電流,USM為子模塊輸出電壓,UC為子模塊的電容電壓。通過T1、T2的觸發(fā)來控制子模塊的投入、切除、閉鎖,每個子模塊共有6種工作模式,如表1所示,其中0、1 表示二極管或IGBT的關(guān)斷和開通。
圖1 MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
圖2 MMC子模塊電路結(jié)構(gòu)
工作狀態(tài)工作模式T1T2D1D2電流方向USM說明閉鎖10010A→BUC電容充電投入21000A→BUC電容充電切除30100A→B0電容充電閉鎖40001B→A0旁路投入51000B→AUC電容放電切除60001B→A0旁路
2.1子模塊故障特性
通過分析MMC子模塊的電路結(jié)構(gòu)及充、放電規(guī)律可得子模塊的故障特性如下:
(1)子模塊中T1開路時,該模塊能正常充電,卻無法放電,導(dǎo)致該子模塊電容電壓不斷上升。
(2)子模塊中T1短路時,導(dǎo)致正半周(即電流方向A→B)時模塊電容不停地充、放電;負(fù)半周(即電流方向B→A)時該模塊相當(dāng)于被短路,電容電壓為0。
(3)子模塊中T2開路時,相當(dāng)于該模塊無法被切除,正半周(即電流方向A→B)本應(yīng)處于切除狀態(tài)的時侯會變成充電狀態(tài);負(fù)半周(即電流方向B→A)本應(yīng)處于切除狀態(tài)的時侯會變成整個子模塊斷路,由于同一個橋臂的各個子模塊間是級聯(lián)的關(guān)系,子模塊斷路相當(dāng)于整個橋臂斷開。因此,故障子模塊與同橋臂的其它子模塊雖仍能進(jìn)行充、放電,但故障子模塊的電容電壓將明顯增大,高于同橋臂的其它子模塊。
(4)子模塊中T2短路時,相當(dāng)于整個子模塊被短路,所以該子模塊電容電壓為0。
(5)子模塊中T1高阻時,該模塊仍能正常充電,但放電過程受到不同程度的影響,放電速度變慢導(dǎo)致該故障子模塊電容電壓不斷上升,高于與之級聯(lián)的正常子模塊。
2.2系統(tǒng)故障特性
當(dāng)6個橋臂中運行的子模塊個數(shù)不對稱時,6個橋臂電容電壓的平均值不再平衡,6個橋臂的直流電流分量也不平衡,并且會導(dǎo)致直流電流分量進(jìn)入交流側(cè)。
因此,當(dāng)某個子模塊發(fā)生故障時:
(1)故障子模塊所在相的交流側(cè)電流將出現(xiàn)直流偏置(波形會上移或下移)。
(2)三相不對稱的環(huán)流分量將造成輸出直流電壓的波動,最后輸出的直流電壓將會出現(xiàn)明顯的諧波。
本研究采用雙星型MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以載波移相為調(diào)制策略,采用MATLAB/Simulink仿真軟件設(shè)計了一個基于載波移相SPWM的雙星型五電平換流器的仿真電路。其中,每相上、下橋臂各4個子模塊,48路控制信號是由MUX集成后發(fā)出,電網(wǎng)側(cè)的三相正弦交流電頻率為50Hz、電壓幅值為1kV,交流側(cè)串聯(lián)的電感為5mH,串聯(lián)在橋臂中的限流電感為2mH,每個橋臂上子模塊的電容大小為2mF。
3.1MMC正常運行
通過MMC仿真電路得到如圖3所示的直流側(cè)電壓波形圖。由圖3可見,運行穩(wěn)定后得到5000V的直流輸出電壓,波形平穩(wěn),諧波少,直流控制效果顯著。經(jīng)諧波分析可知,主要諧波成分為300Hz。
正常運行時的三相交流電流如圖4所示。由圖4可見,電流幅值為2640A,波形關(guān)于x軸完全對稱,每相的平衡位置都在零點處。
圖3 正常運行時的輸出直流電壓
圖4 正常運行時的三相交流電流
圖5所示為a相上橋臂4個子模塊對應(yīng)的電容電壓。由圖5可見,4個子模塊正在不斷進(jìn)行充電和放電,充電時電壓值最高可達(dá)3500V,4個電容電壓大小相等、波形完全重合。
圖5 正常運行時的子模塊電容電壓
3.2子模塊故障運行
(1)某一子模塊中T1短路
以a相子模塊1中T1短路為例進(jìn)行仿真,可得到如下結(jié)果:
輸出直流電壓波動較大,出現(xiàn)明顯諧波,如圖6所示。經(jīng)諧波分析可知,主要諧波成分為50Hz和150Hz。
三相交流電流較正常運行時幅值明顯減小,在相同條件下由原來的2640A減至2250A,降低了約15%,如圖7所示。
圖6 子模塊中T1短路時的輸出直流電壓
圖7 子模塊中T1短路時的三相交流電流
故障子模塊所在橋臂的4個子模塊的電容電壓均受到不同程度的影響,如圖8所示,其中故障子模塊1在正半周不斷進(jìn)行充、放電,負(fù)半周電容電壓為0;而同橋臂的其它子模塊2、3、4的電容電壓依然大小相等、波形完全重合,與正常情況相比,其電壓值稍稍增大,最高值從3500V增至3850V,提高了10%。
圖8 子模塊中T1短路時的子模塊電容電壓
(2)某一子模塊中T2短路
以a相子模塊1中T2短路為例進(jìn)行仿真,可得到如下結(jié)果:
輸出直流電壓波動較大,出現(xiàn)明顯諧波,如圖9所示。經(jīng)諧波分析可知,主要諧波成分為50Hz和150Hz。
三相交流電流較正常運行時幅值明顯減小,在相同條件下由原來的2640A減至2250A,降低了約15%,如圖10所示。
圖9 子模塊中T2短路時的輸出直流電壓
圖10 子模塊中T2短路時的三相交流電流
故障子模塊所在橋臂的4個子模塊的電容電壓均受到不同程度的影響,如圖11所示,其中故障子模塊1相當(dāng)于被短路,電容電壓為0;而同橋臂的其它子模塊2、3、4的電容電壓依然大小相等、波形完全重合,與正常情況相比,其電壓值有所增大,最高值從3500V增至4000V,提高了約14%。
圖11 子模塊中T2短路時的子模塊電容電壓
(3)某一子模塊中T1開路
以a相子模塊1中T1開路為例進(jìn)行仿真,可得到如下結(jié)果:
輸出直流電壓波動較大,出現(xiàn)明顯諧波,如圖12所示。經(jīng)諧波分析可知,主要諧波成分為50Hz和100Hz。
三相交流電流較正常運行時幅值有較大程度減小(如圖13所示),在相同條件下由原來的2640A減至1900A,降低了約28%。故障相的相電流波形明顯上移,平衡位置移至零點上方;而其它相的相電流波形稍稍下移,每相的平衡位置低于零點。
圖12 子模塊中T1開路時的輸出直流電壓
圖13 子模塊中T1開路時的三相交流電流
故障子模塊所在橋臂的4個子模塊的電容電壓均受到不同程度的影響,如圖14所示,其中故障子模塊1只進(jìn)行充電卻不放電,電容電壓不斷升高;而同橋臂的其它子模塊2、3、4的充、放電過程均受到阻礙,輸出電容電壓接近于0。
為了在固定運行條件(常態(tài)溫度)下保持恒定的轉(zhuǎn)化率或生產(chǎn)率,入口溫度需每月逐漸調(diào)高,催化劑失活速率正由此決定。失活速率和入口溫度范圍共同決定了催化劑的可用生命周期。通常催化劑的失活速率在每月1℃左右。在苯乙烯工廠,科萊恩新型催化劑呈現(xiàn)的失活速率降至0.58℃/月(見圖 4),表明該新型催化劑有著極高的穩(wěn)定性。
圖14 子模塊中T1開路時的子模塊電容電壓
(4)某一子模塊中T2開路
以a相子模塊1中T2開路為例進(jìn)行仿真,可得到如下結(jié)果:
輸出直流電壓波動較大,出現(xiàn)明顯諧波,如圖15所示。經(jīng)諧波分析可知,主要諧波成分為50Hz和100Hz。
三相交流電流較正常運行時幅值明顯減小(如圖16所示),在相同條件下由原來的2640A減至2400A,降低了約9%。故障相的相電流波形明顯上移,平衡位置移至零點上方;而其它相的相電流波形稍稍下移,每相的平衡位置低于零點。
故障子模塊所在橋臂的4個子模塊電容電壓均受到不同程度的影響(如圖17所示),其中故障子模塊1放電過程受到影響,電容電壓始終維持在較高值,無法放電完全,電壓在1400~4500V之間波動;而同橋臂的其它子模塊2、3、4的電容電壓大小相等、波形完全重合,但它們的充電過程均受到阻礙,與正常情況相比,電容電壓大幅減小,最高值從3500V減至1400V,降低了60%。
圖15 子模塊中T2開路時的輸出直流電壓
圖16 子模塊中T2開路時的三相交流電流
圖17 子模塊中T2開路時的子模塊電容電壓
(5) 某一子模塊中T1高阻(2Ω)
輸出直流電壓波動較大,出現(xiàn)明顯諧波(如圖18所示),經(jīng)諧波分析可知,主要諧波成分為50Hz和100Hz。
圖18 子模塊中T1高阻(2 Ω)時的輸出直流電壓
三相交流電流較正常運行時幅值減小(如圖19所示),在相同條件下由原來的2640A減至1875A,降低了約29%。故障相的相電流波形略微上移,平衡位置移至零點上方;而其它相的相電流波形略微下移,每相的平衡位置略低于零點。
故障子模塊所在橋臂的4個子模塊的電容電壓均受到不同程度的影響(如圖20所示),其中故障子模塊1放電過程受到影響,電容電壓始終維持在較高值,無法放電完全,電壓在1300~3300V之間波動;而同橋臂的其它子模塊2、3、4的電容電壓依然大小相等、波形完全重合,但它們的充電過程均受到阻礙,與正常情況相比,電容電壓大幅減小,最高值從3500V減至2000V,降低了約43%。
圖19 子模塊中T1高阻(2 Ω)時的三相交流電流
圖20 子模塊中T1高阻(2 Ω)時的子模塊電容電壓
(6) 某一子模塊中T1高阻(10Ω)
以a相子模塊1中T1出現(xiàn)高阻故障(阻值為10Ω)為例進(jìn)行仿真,可得到如下結(jié)果:
輸出直流電壓波動較大,出現(xiàn)明顯諧波(如圖21所示),經(jīng)諧波分析可知,主要諧波成分為50Hz和100Hz。
三相交流電流較正常運行時幅值明顯減小(如圖22所示),在相同條件下由原來的2640A減至1800A,降低了32%。故障相的相電流波形明顯上移,平衡位置移至零點上方;而其它相的相電流波形稍稍下移,每相的平衡位置低于零點。與T1高阻(2Ω)條件下相比,此時的相電流波形偏離平衡位置的程度更甚。
圖21 子模塊中T1高阻(10 Ω)時的輸出直流電壓
故障子模塊所在橋臂的4個子模塊的電容電壓均受到不同程度的影響(如圖23所示),其中故障子模塊1放電過程受到影響,電容電壓始終維持在較高值,無法放電完全,電壓在3500~4700V之間波動;而同橋臂的其它子模塊2、3、4的電容電壓依然大小相等、波形完全重合,但它們的充電過程均受到阻礙,與正常情況相比,電容電壓很低,最高值從3500V減至1200V,降低了約66%。
圖22 子模塊中T1高阻(10 Ω)時的三相交流電流
圖23 子模塊中T1高阻(10 Ω)時的子模塊電容電壓
結(jié)合故障分析和仿真研究結(jié)果,可得出以下的MMC故障診斷規(guī)則:
(1)當(dāng)某相中某一個模塊的IGBT器件T1或T2發(fā)生短路故障時,三相交流電流波形基本對稱,但電流幅值下降;輸出直流電壓出現(xiàn)明顯諧波,以50Hz和150Hz成分為主;T1短路時,故障子模塊電容電壓很低;T2短路時,故障子模塊電容電壓為零。
(2)當(dāng)某相中某一個模塊的IGBT器件T1或T2發(fā)生開路故障時,三相交流電流波形不再對稱。若故障發(fā)生在上橋臂,故障相電流將出現(xiàn)正的直流成分,非故障相電流出現(xiàn)負(fù)的直流成分,若故障發(fā)生在下橋臂,故障相電流將出現(xiàn)負(fù)的直流成分,非故障相電流出現(xiàn)正的直流成分,由此可以定位故障相以及故障橋臂。輸出直流電壓出現(xiàn)明顯諧波,以50Hz和100Hz成分為主。T1開路時,故障子模塊電容電壓因無法放電而持續(xù)上升,其他子模塊電容電壓嚴(yán)重下降;T2開路時,故障子模塊電容電壓因放電不完全,最小值無法降為零,而是在上、下限之間波動。
(3)當(dāng)IGBT器件因?qū)ㄐ阅芰踊幱诟咦锠顟B(tài)時,MMC故障規(guī)律與IGBT器件開路時類似,只是故障程度有所差別,導(dǎo)通性能越差,故障程度越接近于IGBT器件開路時的狀態(tài)。
MMC子模塊故障會導(dǎo)致元器件失效或損壞,影響到整個系統(tǒng)的正常運行甚至?xí)?dǎo)致大面積供電中斷,對其實施準(zhǔn)確的故障診斷十分重要。本文研究表明,利用輸出直流電壓、交流側(cè)電流和子模塊電容電壓可以對MMC的常見故障進(jìn)行診斷和定位。但是,當(dāng)每相的子模塊很多、不能采集模塊電容電壓時,對故障模塊的定位則需要進(jìn)一步的深入研究。
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[責(zé)任編輯尚晶]
Faultsimulationanddiagnosisforsubmoduleofmodularmultilevelconverter
SuXueting,LiuZhenxing
(CollegeofInformationScienceandEngineering,WuhanUniversityofScienceandTechnology,Wuhan430081,China)
Thispaperanalyzestheworkingprincipleandfaultcharacteristicsofmodularmultilevelconverter(MMC)andbuildsafive-levelMMCfaultsimulationplatformbasedonMATLAB/Simulink.Opencircuit,shortcircuitandhighimpedancefaultsofIGBTdevicesinasubmodulearesimulated,andthevariationpatternsofoutputDCvoltage,capacitancevoltagesofsub-modulesandthree-phaseACcurrentswhenIGBThasdifferentfaultsaresummarized,whichprovidesthereferenceforMMCfaultdiagnosisandlocation.
MMC;submodule;faultdiagnosis;IGBT;MATLAB/Simulink
2016-03-11
國家自然科學(xué)基金資助項目( 61174107).
蘇雪婷(1991-),女,武漢科技大學(xué)碩士生.E-mail: 15071237732@163.com
劉振興(1965-),男,武漢科技大學(xué)教授,博士生導(dǎo)師.E-mail:zhenxingliu@wust.edu.cn
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1674-3644(2016)04-0302-07