光控電磁超表面太赫茲調(diào)制器的研究

梁蘭菊，閆昕，姚建銓

(1.天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院，天津　300072；2. 棗莊學(xué)院光電工程學(xué)院，山東棗莊　277160)

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光控電磁超表面太赫茲調(diào)制器的研究

梁蘭菊1,2，閆昕1,2，姚建銓1

(1.天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院，天津300072；2. 棗莊學(xué)院光電工程學(xué)院，山東棗莊277160)

[摘要]本論文利用光敏硅的可變電導(dǎo)率特性，設(shè)計(jì)了一種基于光控的電磁超表面寬帶太赫茲調(diào)制器.電磁超表面由金屬薄膜、隔離層以及具有光敏硅的特殊結(jié)構(gòu)組成.光敏硅的電導(dǎo)率從1 S/m變?yōu)?×105 S/m時(shí)，諧振頻率從1.4 THz 變到1.0 THz, 其反射率從-5 dB變到-38dB，頻移為 0.3 THz，振幅調(diào)制深度接近100%，并且電磁超表面的反射率小于-10 dB的帶寬從0變?yōu)?.64 THz，實(shí)現(xiàn)寬頻帶低反射主要與相鄰結(jié)構(gòu)單元的反射相位差有關(guān)系.該電磁超表面結(jié)構(gòu)為大范圍、寬頻帶的太赫茲調(diào)制器提供了一種新的思路和途徑，將在通信、國(guó)防、成像等方面有重要的應(yīng)用前景.

[關(guān)鍵詞]太赫茲；調(diào)制器；光控；寬頻帶

0引言

太赫茲波(Terahertz, 1THz=1012Hz)在寬帶通信、空間探測(cè)、醫(yī)學(xué)診斷等領(lǐng)域具有巨大的作用[1].然而，太赫茲波段的功能材料和器件十分缺乏，特別是太赫茲調(diào)制器，存在調(diào)制速率低，帶寬窄，調(diào)制深度小甚至需要低溫工作等不足，這大大限制了太赫茲波的實(shí)際應(yīng)用.為此，研制高速率，超寬帶，深度大的調(diào)制器件成為太赫茲領(lǐng)域最亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)之一，也是國(guó)際學(xué)術(shù)界的重要研究熱點(diǎn)[2,3].

大多數(shù)天然材料對(duì)太赫茲的電磁響應(yīng)都及其微弱，很難實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁波自由操控.電磁超表面能夠在任意波段實(shí)現(xiàn)理想的等效電磁參數(shù)的特性，在太赫茲電磁功能器件獲得了廣泛的應(yīng)用[4,5].傳統(tǒng)電磁超表面結(jié)構(gòu)由于其固定結(jié)構(gòu)和參數(shù)，僅能實(shí)現(xiàn)固定的電磁波特性，難以滿足日益靈活的應(yīng)用需求，因此可控電磁超表面成為一個(gè)重要的研究熱點(diǎn)[6,7].特別地，基于光控的電磁超表面太赫茲功能器件由于具有較為簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)以及高速的調(diào)控方式，受到了越來(lái)越多的關(guān)注.

本文提出了一種薄的柔性電磁超表面結(jié)構(gòu)，在不同功率的光控下，諧振頻率從1.4 THz變到1.0 THz, 振幅調(diào)制深度接近100 %，反射率小于-10 dB的帶寬從0變?yōu)?.6 THz.該結(jié)構(gòu)為設(shè)計(jì)寬頻段、大范圍的動(dòng)態(tài)調(diào)制器件提供了一種新的途徑.

1結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與數(shù)值仿真

基于光控的太赫茲調(diào)制器有三層組成，第一層金屬薄膜，其厚度為200 nm.第二層為中間隔離層聚酰亞胺，聚酰亞胺的厚度h=40μm，其介電常數(shù)為3.1，相應(yīng)的介電損耗為0.05.第三層為電磁超表面結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)單元為兩個(gè)金屬方環(huán)(“1”)和無(wú)金屬結(jié)構(gòu)(“2”)組成，紅色部分為光敏半導(dǎo)體硅.電磁超表面結(jié)構(gòu)周期P=220 μm，金屬線寬為w=5.5μm，金屬方環(huán)諧振結(jié)構(gòu)的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)=64 μm，光敏硅的長(zhǎng)度為g=8μm，厚度為1μm.

圖1　(a) 調(diào)制超表面結(jié)構(gòu)單元,黃色為金屬,紅色為光敏硅,綠色為電介質(zhì)聚酰亞胺

在仿真中設(shè)光敏硅的介電常數(shù)為11.7，沒(méi)有光照時(shí)，其電導(dǎo)率設(shè)置為σ=1s/m.光敏硅的電導(dǎo)率會(huì)隨著外部光照能量的變化而不同，當(dāng)光照能量增加時(shí)，半導(dǎo)體內(nèi)的載流子濃度會(huì)發(fā)生變化，進(jìn)而影響光敏硅的電導(dǎo)率.

圖2　太赫茲電磁超表面隨著光敏硅不同電導(dǎo)率的特性(a)反射(b)反射相位

圖3　光敏硅(a) σ=1s/m (b) σ=2×105s/m “1”單元與“2”單元的反射相位差

從圖2(a)中看出，當(dāng)光敏硅的電導(dǎo)率從σ=1s/m變?yōu)棣?2×105s/m，反射率小于-10 dB的帶寬從0變?yōu)?.64 THz，帶寬范圍從0.74-1.38 THz，諧振頻率從1.4 THz 變到1.0 THz, 最小反射率從-5 dB到 -38 dB，頻移為 0.3 THz，調(diào)制深度接近100 %.諧振頻率發(fā)生偏移，這主要是因?yàn)橹C振環(huán)的開(kāi)口處相當(dāng)于一個(gè)電容器，光敏硅的電導(dǎo)率發(fā)生變化，會(huì)影響超表面的電容率，進(jìn)而影響電磁超表面的共振頻率.

該調(diào)制器隨著光敏硅的電導(dǎo)率發(fā)生變化產(chǎn)生一個(gè)寬帶頻帶低反射效果，但是反射率小于-10 dB的帶寬并不是隨著電導(dǎo)率的增加一直增加.為了解釋這一原因，本文計(jì)算了光敏硅在不同電導(dǎo)率情況下，電磁超表面的反射相位，如圖2(b)所示. 從圖中看出，當(dāng)光敏硅的電導(dǎo)率變?yōu)棣?2×105s/m，其反射相位發(fā)生突變，但是隨著硅的電導(dǎo)率進(jìn)一步增加，其反射相位變化并不大，導(dǎo)致其反射率小于-10 dB的帶寬并不隨著光敏硅的電導(dǎo)率一直減小.為了進(jìn)一步探討低反射效果，計(jì)算了“1”單元與“2”單元在不同電導(dǎo)率情況下的反射相位差，如圖3所示.當(dāng)光敏硅的電導(dǎo)率為σ=1s/m，其反射相位差在0.2-2 THz 范圍內(nèi)都很小，最大相位差為50度，因此該電磁超表面反射在此頻帶內(nèi)都很大.當(dāng)光敏硅的電導(dǎo)率為σ=2×105s/m，其反射相位差為在0.2-2 THz 范圍內(nèi)變化較大，在頻率1.0 THz處相位差為180度左右.利用電磁波的干涉相消效果，此時(shí)會(huì)產(chǎn)生很低的反射效果.假設(shè)“1”和“2”兩相鄰單元在電磁波輻射下產(chǎn)生幅度相同的散射電場(chǎng)，總的等效輻射場(chǎng)為：

Er=A.ej.φ1+A.ej.φ2=Aej.φ1(1+ej.(φ1-φ2))

(1)

其中A為表面產(chǎn)生的電場(chǎng)幅度，φ1和φ2分別是“1”和“2”的反射相位.當(dāng)電磁波垂直入射時(shí)，各單元同相情況下的反射場(chǎng)表示為

E0=2A.ej.φ1

(2)

當(dāng)電磁波垂直入射時(shí)，各單元反相情況下的反射場(chǎng)表示為E0=0.

從以上分析結(jié)果表明，實(shí)現(xiàn)諧振頻率發(fā)生偏移的原因主要諧振開(kāi)口處的電容率發(fā)生變化，實(shí)現(xiàn)寬頻段低的反射率主要是因?yàn)閮上噜弳卧南辔徊钣嘘P(guān)系.

為了進(jìn)一步探討柔性電磁超表面調(diào)制特性，改變光敏硅長(zhǎng)度g= 6 μm，研究其反射特性，如圖4所示.從圖中可以看出，其諧振頻率處的反射率會(huì)隨著電導(dǎo)率的增加而減小，最小反射率約為-32dB，調(diào)制深度效果沒(méi)有長(zhǎng)度較長(zhǎng)的光敏硅效果好.這是因?yàn)樵谕瑯与妼?dǎo)率條件下，其諧振開(kāi)口的電容率變化不一樣，導(dǎo)致其調(diào)制深度并不一樣.但是諧振開(kāi)口的光敏硅長(zhǎng)度變短了，更易調(diào)制一些.從圖4看出，在光敏硅的電導(dǎo)率σ=1×105s/m時(shí)，其反射率小于-10 dB的帶寬達(dá)到0.6 THz.

圖4　太赫茲電磁超表面隨著光敏硅不同電導(dǎo)率的反射特性

2結(jié)論

設(shè)計(jì)了基于一種光敏硅電磁超表面實(shí)現(xiàn)了大范圍、寬頻段的調(diào)制效果，振幅調(diào)制深度接近100%，改變光敏硅的幾何參數(shù)，調(diào)制條件和深度將會(huì)改變.實(shí)現(xiàn)寬頻段的調(diào)制結(jié)果主要是相鄰的兩單元的反射相位差有很大關(guān)系，當(dāng)相位差在很寬的頻段范圍內(nèi)接近180度，其調(diào)制深度會(huì)更大，帶寬會(huì)更寬.為了設(shè)計(jì)性能更好的太赫茲調(diào)制器，需要綜合考慮光敏硅和電磁超表面的結(jié)構(gòu)以及最佳參數(shù).總之，該結(jié)構(gòu)為設(shè)計(jì)太赫茲調(diào)制器提供了一種新的思路，將在寬帶通信、軍事國(guó)防、醫(yī)學(xué)成像等方面具有重要的應(yīng)用前景.

參考文獻(xiàn)

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[責(zé)任編輯：周峰巖]

Photo-Excited Terahertz Modulator Based on Electromagnetic Metasurface

LIANG Lan-Ju1,2, YAN-Xin1,2,YAO Jian-quan1

(1. College of Precision Instrument and Opto-electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072,China；2. School of Opt-Electronic Engineering,Zaozhuang University, Zaozhuang 277160,China)

Abstract:We designed a photo-excited broadband terahertz modulation based on electromagnetic metasurface using the tunable conductivity photosensitive silicon. The metasurface consists of a special structure with hybrid photosensitive silicon and a metallic ground plane that are separated by a dielectric spacer. The resonance frequency can be varied from 1.4 THz to 1.0 THz when the silicon conductivity ranges from 1 S/m to 2×105 S/m, and the reflectivity varies from -5 dB to -38 dB. The frequency shift is 0.3 THz, and the amplitude modulation depth reaches almost 100 % at the resonance frequency. Aband width of reflectivity less than 10 dB for the metasurface is achieved from 0 to 0.64 THz, and the result related to the reflection phase difference of adjacent structure units. The metasurface provide a new approach to achieved wide bandwidth and range terahertz modulation and have the numerous potential applications in the development of broadband communication, military radar, medical image and so on.

Key words：terahertz; modulator; photo-excited; wide bandwidth

[中圖分類號(hào)]0441 TB34

[文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼]A

[文章編號(hào)]1004-7077(2016)02-0010-04

[作者簡(jiǎn)介]梁蘭菊(1979-)，女，山東菏澤人，天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院在職博士后，棗莊學(xué)院光電工程學(xué)院副教授，博士，主要從事太赫茲人工電磁超表面的研究.

[基金項(xiàng)目]國(guó)家自然科學(xué)基金(項(xiàng)目編號(hào):61271066);中國(guó)博士后科學(xué)基金(項(xiàng)目編號(hào):2015M571263);山東省高等學(xué)?？萍加?jì)劃項(xiàng)目 (項(xiàng)目編號(hào):J15LN36);棗莊學(xué)院博士基金；棗莊學(xué)院“光電科學(xué)與技術(shù)”科研創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)資助的課題.

[收稿日期]2016-01-19