基體負(fù)偏壓對(duì)類金剛石涂層結(jié)構(gòu)和性能的影響

紀(jì)錫旺，許振華，賀莉麗，何利民，郝俊文，甄洪濱

（1北京航空材料研究院，北京100095；2華東理工大學(xué) 機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院，上海200237；3中航工業(yè) 南方航空工業(yè)（集團(tuán)）有限公司，湖南 株洲412002；4賽屋涂層技術(shù)有限公司，天津300308）

類金剛石涂層（Diamond－Like Carbon Coating，DLC）是一種性質(zhì)類似于金剛石的非晶碳膜，具有超高硬度、高彈性模量、低摩擦因數(shù)、高抗磨損性能，以及優(yōu)異的光電物理性能和穩(wěn)定的化學(xué)惰性。在機(jī)械領(lǐng)域已經(jīng)被廣泛應(yīng)用，作為零件耐磨保護(hù)層和刀具涂層已取得了良好使用效果。在光電學(xué)、聲學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景［1－4］。根據(jù)制備方法不同，類金剛石涂層可分為含氫和不含氫兩大類，因此，DLC也被稱為非晶碳膜和非晶含氫碳膜。對(duì)含sp3鍵較高的（通常大于70%）類金剛石涂層分別記為Ta：a－C和Ta：a－C：H，而對(duì)含sp3鍵較低的，則分別記為a－C和a－C：H［5］。

DLC涂層制備技術(shù)主要包括離子束沉積法、磁控濺射法、陰極電弧法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、脈沖激光法等［6－8］。不同制備技術(shù)和工藝條件所得到的涂層性能和結(jié)構(gòu)大相徑庭。在不同制備方法和工藝條件下得到的DLC涂層中sp3鍵含量相差甚大。碳離子之所以能形成sp3鍵是因其具有足夠的能量E，E的大小決定了sp3鍵含量。能量E的主要來源：產(chǎn)生碳離子時(shí)由電離源提供的能量E1；離子沉積時(shí)負(fù)偏壓提供的轟擊能量E2；沉積到基體表面的離子在溫度的作用下形成涂層，此時(shí)溫度提供能量E3，故E＝E1＋E2＋E3。理想狀態(tài)下，當(dāng)碳離子具備足夠大的能量時(shí)，sp3鍵含量最高。但實(shí)際涂層制備過程中，E對(duì)sp3的形成機(jī)制受制于E1，E2和E3的變化。而三者又分別來源于電離源、基體偏壓和沉積溫度這三個(gè)工藝參數(shù)。由此可見，電離源、基體偏壓和沉積溫度對(duì)形成sp3鍵至關(guān)重要。同時(shí)它們還對(duì)DLC涂層的表面形貌、厚度、界面結(jié)合強(qiáng)度、硬度等產(chǎn)生重要影響。目前，國內(nèi)外關(guān)于此三種工藝參數(shù)對(duì)DLC涂層性能影響的研究較少，尤其從離子能量角度出發(fā)研究工藝參數(shù)對(duì)sp3鍵形成的影響作用機(jī)制尚存在諸多空白。

本工作利用DC－PECVD技術(shù)在YG8硬質(zhì)合金基體上制備一系列DLC涂層。在同一實(shí)驗(yàn)條件下，保持離子源、溫度及其他工藝參數(shù)不變，研究不同基體負(fù)偏壓對(duì)涂層形貌、結(jié)構(gòu)、硬度和界面結(jié)合強(qiáng)度的影響規(guī)律。同時(shí)，探討基體負(fù)偏壓對(duì)sp3鍵形成的作用機(jī)制。

1 實(shí)驗(yàn)

1.1 試樣制備

以YG8硬質(zhì)合金為基體材料，尺寸為17mm×10mm×5mm；基體經(jīng)拋光后用清水清洗5min，超聲波清洗20min，去離子水浸泡5min，最后經(jīng)無水乙醇脫水并烘干后裝入真空室內(nèi)的轉(zhuǎn)架上待用。制備涂層后，試樣采用電木粉熱相樣，經(jīng)200，400，600，1000，1200＃砂紙依次打磨，并用3μm的金剛石拋光膏拋光至鏡面，用清水沖洗干凈，烘干后觀察涂層截面SEM形貌。其余測試所用試樣只需用無水乙醇將表面清洗干凈并烘干即可。

1.2 實(shí)驗(yàn)方法

采用DC－PECVD技術(shù)制備DLC涂層，兩個(gè)離子束源安裝于腔體內(nèi)壁，以純度為97.00%的C2H2為反應(yīng)氣體。待真空室內(nèi)真空抽至5.0×10－3Pa以下時(shí)，使用純度為99.999%的Ar和1000V負(fù)偏壓，對(duì)基體進(jìn)行30min濺射清洗；清洗后，將基體負(fù)偏壓增大到1100V，采用磁控濺射技術(shù)沉積Cr層20min作為過渡層；最后通入C2H2，流量50sccm持續(xù)240min，離子束電壓為1200V。在上述參數(shù)保持不變的條件下，通過采用800，900，1000，1100V和1200V的基體負(fù)偏壓制備出5種涂層。

1.3 性能測試

DLC涂層表面形貌的觀察在Nanoscope III a型原子力顯微鏡（AFM）和Quanta200型掃描電子顯微鏡（SEM）下進(jìn)行，同時(shí)SEM觀察涂層截面形貌并且測量其厚度，每個(gè)試樣的涂層厚度在不同位置測量3次，取平均值；用RT200型粗糙度儀測試涂層的表面粗糙度，每個(gè)試樣測試10次取平均值；硬度采用Duramin型顯微硬度計(jì)測試，載荷為0.49N，保持時(shí)間為15s，在每個(gè)試樣的涂層表面測試5個(gè)點(diǎn)取平均值；采用WS－2005涂層附著力自動(dòng)劃痕儀測試涂層界面結(jié)合性能，加載速率20N／min，最大載荷200N，劃痕速率5mm／min，劃痕長度設(shè)定為5mm；拉曼光譜測試采用RM2000型顯微共焦拉曼光譜儀，激光器波長514.5nm，顯微尺寸范圍1μm；采用X射線光電子能譜（XPS）對(duì)DLC的雜化鍵含量進(jìn)行測試。

2 結(jié)果與討論

2.1 表面形貌

圖1分別是負(fù)偏壓為800，1000V和1200V時(shí)DLC涂層的SEM圖。由圖1（a）可知，當(dāng)負(fù)偏壓為800V時(shí)，DLC涂層表面存在一些尺寸不規(guī)則的大顆粒。涂層表面的微觀形貌與涂層生長行為密切相關(guān)，涂層的生長一般可以分為兩個(gè)階段：首先，等離子體中的正離子和中性基團(tuán)移向基體表面，在基體表面發(fā)生吸附并沉積反應(yīng)；其次，具有高能量的離子在基體表面遷移擴(kuò)散，等離子體中的活性氫也會(huì)對(duì)離子進(jìn)行刻蝕［9］。負(fù)偏壓較低時(shí)往往導(dǎo)致活性氫能量降低，從而對(duì)涂層刻蝕作用較小，同時(shí)離子能量較低，使沉積離子遷移擴(kuò)散能力減弱。因此所得涂層的有機(jī)相較多，涂層表面疏松、粗糙［10］。隨著負(fù)偏壓增大到1000V（圖1（b）），大顆粒尺寸明顯減小，并且小顆粒數(shù)量減少，表面變得光滑致密，粗糙程度降低。當(dāng)偏壓為1200V時(shí)（圖1（c）），大顆粒全部消失，小顆粒數(shù)量顯著下降。這是因?yàn)槠珘涸龃笫沟秒x子對(duì)基體的轟擊能量增強(qiáng)，沉積離子在基體表面上流動(dòng)性變強(qiáng)，擴(kuò)散能力提高，涂層結(jié)構(gòu)連續(xù)，致密度提高。圖2為不同負(fù)偏壓條件下DLC涂層的粗糙度?？芍?，涂層表面粗糙度在0.06～0.14μm之間，隨著負(fù)偏壓增大呈減小趨勢(shì)，該結(jié)果與圖1中所觀察到的現(xiàn)象是一致的。研究結(jié)果表明，適當(dāng)提高基體負(fù)偏壓可有效改善涂層表面形貌并降低其表面粗糙度。

圖1 不同負(fù)偏壓下樣品的SEM 圖（a）800V；（b）1000V；（c）1200V Fig.1 Micrographs of samples with different negative bias voltages（a）800V；（b）1000V；（c）1200V

圖2 不同負(fù)偏壓下DLC涂層的粗糙度Fig.2 Roughness of DLC coatings with different negative bias voltages

2.2 涂層厚度

圖3是負(fù)偏壓為1000V時(shí)DLC涂層的橫截面形貌圖。圖4為負(fù)偏壓與涂層厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。由圖3的SEM橫截面形貌結(jié)果表明，涂層生長連續(xù)、致密，涂層／基體間的界面結(jié)合良好，無缺陷和分層現(xiàn)象，涂層厚度分布均勻性較好。

圖3，4可知，涂層厚度隨負(fù)偏壓增大呈先增大后減小趨勢(shì)，當(dāng)負(fù)偏壓為1100V時(shí)涂層厚度最大值約為3.2μm。負(fù)偏壓增大使沉積離子轟擊能量增強(qiáng)，單位時(shí)間內(nèi)沉積到基體表面的離子數(shù)量增多，涂層變厚。當(dāng)負(fù)偏壓繼續(xù)增大至1200V，涂層厚度急劇下降到1.4μm。這是因?yàn)槌练e離子轟擊能量過大，對(duì)涂層表面的粒子產(chǎn)生反濺射作用，導(dǎo)致涂層厚度逐漸減小。因此，適當(dāng)?shù)呢?fù)偏壓有利于沉積離子向基體表面運(yùn)動(dòng)，吸附和擴(kuò)散，從而沉積形成涂層。但是如果負(fù)偏壓值過大，由于入射能量增強(qiáng)，則導(dǎo)致周圍離子或基團(tuán)被打散，從而使得涂層厚度下降。由此可見，涂層厚度可通過調(diào)節(jié)負(fù)偏壓大小進(jìn)行控制。

圖3 負(fù)偏壓1000V時(shí)DLC涂層的SEM橫截面形貌Fig.3 Cross－sectional morphology of DLC coating with negative bias voltage of 1000V

圖4 負(fù)偏壓與涂層厚度的關(guān)系Fig.4 Relationship between negative bias voltage and thickness of coatings

2.3 涂層結(jié)構(gòu)

圖5為在不同負(fù)偏壓下制備所得DLC涂層的Raman譜圖?？梢园l(fā)現(xiàn)，每個(gè)試樣的Raman光譜均呈現(xiàn)出典型的不對(duì)稱傾斜散射峰，這表明制備所得的是典型的DLC涂層。對(duì)每個(gè)Raman光譜進(jìn)行高斯擬合，1580cm－1附近的是G（graphite）峰，1350cm－1附近的是D（disorder）峰。G峰代表石墨結(jié)構(gòu)并且對(duì)應(yīng)在C＝C鏈或芳香烴環(huán)中每對(duì)sp2鍵的縱向振動(dòng)；D峰只對(duì)應(yīng)著環(huán)上的sp2鍵的橫向振動(dòng)［11］。D峰和G峰的積分強(qiáng)度比ID／IG與sp2／sp3比值有著一定的關(guān)系［12］，當(dāng)ID／IG越小時(shí)sp3鍵的相對(duì)含量越多。G峰向低波數(shù)位置移動(dòng)時(shí)說明，sp2鍵紊亂程度增加和sp3鍵相對(duì)含量的增大。通過ID／IG的變化和G峰位置偏移可以定性地分析sp3鍵的相對(duì)含量變化。

圖5 不同負(fù)偏壓下 DLC涂層的Raman光譜（a）800V；（b）1000V；（c）1200V Fig.5 Raman shift of DLC coatings with different negative bias voltages（a）800V；（b）1000V；（c）1200V

不同負(fù)偏壓下Raman光譜高斯擬合結(jié)果如表1所示。可知，負(fù)偏壓從800V增加到1000V，ID／IG值由1.63減小為1.5，同時(shí)G峰位置從1559cm－1移動(dòng)到1555cm－1處。負(fù)偏壓繼續(xù)增大至1200V，ID／IG比值隨之從1.5增大到1.7，G峰位置從1555cm－1移動(dòng)到1558cm－1。ID／IG積分強(qiáng)度比隨負(fù)偏壓增大呈先增大后減小趨勢(shì)，即sp3鍵的相對(duì)含量隨負(fù)偏壓增加先增大后減小。負(fù)偏壓增大導(dǎo)致沉積離子轟擊能量增加，此時(shí)形成的sp3鍵增多。當(dāng)負(fù)偏壓超過1000V且繼續(xù)增大時(shí)對(duì)應(yīng)的離子轟擊能量也進(jìn)一步增強(qiáng)，但sp3鍵含量反而呈下降趨勢(shì)。

表1 不同負(fù)偏壓下Raman光譜擬合數(shù)據(jù)Table1 Fitted data of Raman shift under different negative bias voltages

為了進(jìn)一步定量地分析DLC涂層中sp3鍵的含量，得到基體負(fù)偏壓與sp3鍵含量的函數(shù)關(guān)系，本工作采用XPS對(duì)其組分進(jìn)行檢測（圖6）。根據(jù)實(shí)測曲線可知，sp3鍵含量均大于51%，負(fù)偏壓1000V時(shí)sp3鍵含量最高（約67.9%）。隨著負(fù)偏壓逐漸增大，sp3鍵含量先增大后減小。采用高斯擬合法對(duì)實(shí)測數(shù)據(jù)擬合（式（1））：

圖6 不同負(fù)偏壓下對(duì)應(yīng)的sp3鍵含量Fig.6 Relationship between sp3 content and negative bias voltage

式中：sp3鍵含量最小值y0＝0.5，擬合曲線最高峰橫坐標(biāo)xc＝943，w和A 均為常數(shù)，分別為245，53。對(duì)2式（1）求導(dǎo)得到曲線變化率xc）。當(dāng)＝0時(shí)，y達(dá)到最大值，處于最高峰位置，此時(shí)x＝xc＝943，即負(fù)偏壓943V時(shí)sp3鍵含量出現(xiàn)最大值。擬合曲線中最高峰位置與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)最高峰位置相差Δx＝56V，由此可初步推斷：在本實(shí)驗(yàn)條件下，sp3鍵含量最高峰位置應(yīng)該位于943～1000V之間。實(shí)測曲線與擬合曲線表明：基體負(fù)偏壓對(duì)sp3鍵形成作用有限，基體負(fù)偏壓過小或過大會(huì)導(dǎo)致sp3鍵含量降低，只有選取適當(dāng)?shù)呢?fù)偏壓才會(huì)對(duì)形成sp3鍵最為有利。同時(shí)，基體負(fù)偏壓產(chǎn)生的轟擊能量E2對(duì)sp3鍵形成具有重要影響。理想狀態(tài)下，E2增大使總能量E也增大，E增大則sp3鍵含量升高。但研究結(jié)果顯示，雖然E2增加會(huì)導(dǎo)致E大幅度提高，但是sp3鍵含量卻呈下降趨勢(shì)，這是因?yàn)镋2由負(fù)偏壓決定，負(fù)偏壓過度增大導(dǎo)致離子能量太高，使C—H鍵破裂，H元素從涂層中逸出產(chǎn)生石墨化［13］，從而導(dǎo)致sp3鍵含量下降。因此，能量E2過度增加將導(dǎo)致sp3鍵含量降低。由此可見，當(dāng)E1和E3固定不變時(shí)，總能量E對(duì)sp3鍵含量的影響受轟擊能量E2制約，只有選取合適的轟擊能量E2才能得到最高sp3鍵含量的DLC涂層。

2.4 顯微硬度

sp3鍵決定DLC涂層的力學(xué)性能，因此DLC涂層顯微硬度受sp3鍵含量影響。圖7為硬度與負(fù)偏壓的關(guān)系圖?？芍?，DLC涂層顯微硬度均在1700～2500之間，隨著負(fù)偏壓增大而先增加后減??；負(fù)偏壓為1000V時(shí)硬度達(dá)到最大值2500。此變化趨勢(shì)與圖6中sp3鍵含量的變化規(guī)律基本相符。故sp3鍵含量決定DLC涂層顯微硬度值。因此，DLC涂層顯微硬度值可通過基體負(fù)偏壓控制。

圖7 硬度與負(fù)偏壓的關(guān)系Fig.7 Relationship between hardness and negative bias voltage

2.5 界面結(jié)合性能

圖8 不同負(fù)偏壓下涂層劃痕SEM 形貌圖（a）800V；（b）1000V；（c）1200V Fig.8 Micrographs of the scratch track under different negative bias voltages（a）800V；（b）1000V；（c）1200V

圖8是負(fù)偏壓為800，1000V和1200V時(shí)涂層劃痕SEM形貌圖。采用劃痕法測試涂層界面結(jié)合性能，劃針壓入時(shí)，涂層與基體的變形不同步導(dǎo)致涂層沿著劃痕向兩邊形成整齊排列的小裂紋，呈魚骨狀。當(dāng)劃針繼續(xù)壓入時(shí)達(dá)到臨近載荷，此時(shí)涂層在界面處發(fā)生脆性剝落，試樣在劃擦過程中會(huì)出現(xiàn)涂層變形、涂層與基體共同 變形和涂層剝落三個(gè)階段［14］。圖8（a）局部放大圖顯示，在劃痕初期的邊緣上出現(xiàn)了裂紋擴(kuò)展，隨著劃痕載荷進(jìn)一步增大，出現(xiàn)了起皺和脫落，這說明涂層／基體之間存在較大的內(nèi)應(yīng)力，使得涂層／基體的界面結(jié)合性能較差。當(dāng)負(fù)偏壓為1000V時(shí)（圖8（b）），劃痕軌跡縱向呈現(xiàn)的涂層起皮現(xiàn)象不明顯，從局部放大圖可以看到該現(xiàn)象持續(xù)的痕跡最長，裂紋擴(kuò)展數(shù)量最少。隨著載荷的增加，起皺和脫落面積比其余兩個(gè)試樣小，此涂層／基體之間的應(yīng)力值最小，且結(jié)合性能最優(yōu)。圖8（c）是負(fù)偏壓為1200V時(shí)的劃痕形貌，此時(shí)涂層劃痕軌跡邊緣出現(xiàn)涂層大面積起皮甚至脫落，裂紋擴(kuò)展明顯且數(shù)量最多，這可能是涂層內(nèi)應(yīng)力過大導(dǎo)致涂層／基體間的結(jié)合性能變差。

圖9是結(jié)合強(qiáng)度與負(fù)偏壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。負(fù)偏壓從800V增大到1100V時(shí)，涂層／基體間的結(jié)合力逐漸增大，當(dāng)負(fù)偏壓為1100V時(shí)，涂層／基體間的結(jié)合力達(dá)到最大值60N。負(fù)偏壓繼續(xù)增大至1200V時(shí)，結(jié)合力反而降低，這與圖8的劃痕形貌所呈現(xiàn)的結(jié)果基本一致。因?yàn)樨?fù)偏壓增大導(dǎo)致離子轟擊基體的能量增強(qiáng)，充足的能量足以使離子滲透涂層表面外層并誘發(fā)壓應(yīng)力，同時(shí)提高了離子進(jìn)入基體表面的能力，很容易形成致密的網(wǎng)絡(luò)微觀結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了涂層與基體的結(jié)合。另一方面，如果涂層中的原子和基體結(jié)合很弱，那么，這些結(jié)合不緊密的原子會(huì)在高能量粒子的轟擊下反濺出來，只有和基體緊緊結(jié)合的原子才能沉積下來形成涂層，從而改善涂層／基體間的界面結(jié)合性能［15］。當(dāng)負(fù)偏壓增長過大，由于高能量離子對(duì)基體的轟擊作用，可能會(huì)產(chǎn)生過大的內(nèi)應(yīng)力從而導(dǎo)致涂層的結(jié)合能力下降。由此可知，適當(dāng)?shù)碾x子轟擊有利于提高涂層／基體間的結(jié)合性能，但不宜過大。

圖9 結(jié)合強(qiáng)度與負(fù)偏壓的關(guān)系Fig.9 Relationship between adhesion and negative bias voltage

3 結(jié)論

（1）隨著負(fù)偏壓增大，涂層表面變得平整光滑、致密，大顆粒尺寸下降，小顆粒數(shù)量減少，粗糙程度降低。負(fù)偏壓為1000V時(shí)，sp3鍵含量最大，約為67.9%。負(fù)偏壓產(chǎn)生的轟擊能量E2過大將導(dǎo)致sp3鍵含量降低。只有選取合適的轟擊能量E2才能得到最高sp3鍵含量的DLC涂層。顯微硬度隨負(fù)偏壓的變化規(guī)律與sp3鍵含量變化規(guī)律基本相符，顯微硬度值由sp3鍵含量決定。

（2）涂層厚度、界面結(jié)合力隨負(fù)偏壓增大均先增大后減小，在負(fù)偏壓為1100V時(shí)分別達(dá)到最大值3.2和60N。在負(fù)偏壓為1000～1100V時(shí)，涂層具有最優(yōu)綜合性能。

［1］OHGOE Y，HIRAKURI K K，SAITOH H，et al.Classification of DLC films in terms of biological response［J］.Surface ＆ Coatings Technology，2012，207：350—354.

［2］VENGUDUSAMY B，MUFTI R A，LAMB G D，et al.Friction properties of DLC／DLC contacts in base oil［J］.Tribology International，2011，44（7－8）：922—932.

［3］DAI Wei，KE P L，MOON M－W，et al.Investigation of the microstructure，mechanical properties and tribological behaviors of Ti－containing diamond－like carbon films fabricated by a hybrid ion beam method［J］.Thin Solid Films，2012，520（19）：6057—6063.

［4］MARTINEZ－MARTINEZ D，SCHENKEL M，PEI Y T，et al.Microstructure and chemical bonding of DLC films deposited on ACM rubber by PACVD［J］.Surface ＆ Coatings Technology，2011，205（Suppl 2）：75—78.

［5］李敬財(cái)，何玉定，胡杜軍，等.類金剛石薄膜的應(yīng)用［J］.新材料產(chǎn)業(yè)，2004，124（3）：39—42.LI J C，HE Y D，HU D J，et al.Application of DLC films［J］.Advanced Materials Industry，2004，124（3）：39—42.

［6］楊發(fā)展，王世慶，沈麗如，等.不同方法制備的類金剛石薄膜的XPS和Raman光譜的研究［J］.光譜學(xué)與光譜分析，2011，31（7）：1080—1083.YANG F Z，WANG S Q，SHEN L R，et al.XPS and Raman studies of diamond－like carbon films prepared by various deposition techniques［J］.Spectroscopy and Spectral Analysis，2011，31（7）：1080—1083.

［7］王雪敏，吳衛(wèi)東，李盛印，等.脈沖激光沉積摻 W類金剛石膜的性能［J］.稀有金屬材料與工程，2010，39（7）：1251—1255.WANG X M，WU W D，LI S Y，et al.Properties of W doped diamond－like carbon films prepared by pulsed laser deposition［J］.Rare Metal Materials and Engineering，2010，39（7）：1251—1255.

［8］茍偉，李劍鋒，楚信譜，等.脈沖輝光PECVD制備DLC薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究［J］.真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)，2008，28（增刊1）：33—37.GOU W，LI J F，CHU X P，et al.Microstructures and properties of diamond－like carbon films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition［J］.Chinese Journal of Vacuum Science and Technology，2008，28（Suppl 1）：33—37.

［9］SCHENG Y H，WU Y P，CHEN J G，el a1.On the deposition mechanism of a－C：H films by plasma enhanced chemical vapor deposition［J］.Surface ＆ Coatings Technology，2000，135（1）：27—33.

［10］常海波，徐洮，張治軍.直流負(fù)偏壓對(duì)類金剛石薄膜結(jié)構(gòu)的影響［J］.化學(xué)研究，2005，16（1）：35—38.CHANG H B，XU Y，ZHANG Z J.Effect of direct current negative bias on the structure of diamond－like carbon films［J］.Chemical Research，2005，16（1）：35—38.

［11］宋貴宏，杜昊，賀春林.硬質(zhì)與超硬涂層［M］.北京：國防工業(yè)出版社，2007.159—162.SONG G H，DU H，HE C L.Hard and Superhardcoating［M］.Beijing：National Defense Industry Press，2007.159－162.

［12］周順，嚴(yán)一心.脈沖真空電弧離子鍍?cè)诓讳P鋼上沉積類金剛石薄膜的研究［J］.真空，2005，42（2）：15—18.ZHOU S，YAN Y X.Structure and mechanical properties of DLC films by pulsed vacuum arc ion deposition［J］.Vacuum，2005，42（2）：15—18.

［13］謝鵬，汪建華，王傳新，等.硬質(zhì)合金刀具上的類金剛石薄膜硬度的研究［J］.硬質(zhì)合金，2008，25（4）：257—260.XIE P，WANG J H，WANG C X，et al.Study on hardness of diamond－like carbon film on cemented carbide blades［J］.Cemented Carbide，2008，25（4）：257—260.

［14］石志峰，黃楠，孫鴻，等.鈦過渡層對(duì)類金剛石薄膜的膜基結(jié)合力以及摩擦學(xué)性能的影響［J］.功能材料，2008，39（8）：1340—1343.SHI Z F，HUANG N，SUN H，et al.Effects of different Ti－interlayer deposition time and bias voltage on the adhesive and tribological properties of DLC films［J］.Journal of Functional Materials，2008，39（8）：1340—1343.

［15］邵霄.TiC／DLC多層類金剛石薄膜的研究［D］.西安：西安工業(yè)大學(xué)，2008.SHAO X.Study on TiC／DLC multilayer diamond－like carbon films［D］.Xi’an：Xi’an Technological University，2008.