濺射時間對Ni/SiO2玻璃光衰減片衰減性能的影響

李磊　湯卉　王文雪

摘要：為了提高光衰減片整體的光衰減效果，采用真空磁控濺射法，利用真空磁控濺射儀制備納米級厚度的Ni/SiO2玻璃光衰減片.利用X-射線衍射（XRD）、原子能譜、掃描電鏡和722分光光度計等表征手段，研究濺射時間（5、10、15、20、25 min）對透光率、微觀結構的影響.實驗結果表明：當濺射工作壓力為0.4Pa，濺射時間為25 min時，金屬Ni在siO，玻璃基片上形成（111）和（200）晶面取向的鍍Ni薄膜；SiO2玻璃基片上沉積的薄膜平整，顆粒分布均勻、排列緊密；試樣的透光率達到0.41，采用磁控濺射法制備金屬Ni/SiO2玻璃復合薄膜式光衰減片滿足光纖通信需求.

關鍵詞：磁控濺射；Ni/SiO2，玻璃光衰減片；濺射時間

DoI：10.15938/j.jhust.2015.01.004

中圖分類號：TN715+.1 文獻標志碼：A 文章編號：1007-2683（2015）01-0016-04