易子為, 曾 濤, 孫 翔, 程發(fā)銀
(重慶工商大學 計算機科學與信息工程學院,重慶 400067)
由于衍射,所有光學器件都存在一個分辨率極限,這個極限與使用的光波波長相關.為了提高光學器件的分辨率,最有效和直接的方法就是使用波長更短的光波.然而,當把使用的光波由可見光延伸到極紫外和軟X射線波段(波長0.3~40 nm,通常將5~40 nm波段稱為極紫外線)時,遇到了前所未有的困難,以至于這一波段電磁波在光學器件中的應用出現(xiàn)了很長一段時間的停滯.主要的原因是,在該波段內(nèi)存在大量的原子共振線,使幾乎所有材料對該波段電磁波均有強的吸收,吸收長度僅為納米的量級.這使得在極紫外和軟X射線波段的透射式光學器件的應用受到了極大的限制.
為了提高非掠入射條件下的反射率,可以類比可見光波段使用多層鍍膜提高反射率的方法,將具有高低原子序數(shù)的兩種材料交替沉積在基底材料表面,當每層厚度約為λ/4時,可使反射光在界面上相長干涉而加強,從而提高反射率.通過這種思路制作多層膜的嘗試雖然很早就展開了[5],但由于加工和制備技術的限制,這些嘗試都沒能成功.20世紀70年代后,天體物理、等離子體物理以及同步輻射技術的飛速發(fā)展迫切要求研制極紫外和軟X射線波段非掠入射光學元件,同時,納米級薄膜技術的發(fā)展也為該波段多層膜的制備提供了技術條件.1972年,E.Spiller[6]首先提出用非吸收 (散射)材料和吸收材料交替制備λ/4波堆,理論表明這種多層膜結構可以獲得較高的非掠入射反射率.目前,世界上已有多家研究小組能制備出性能優(yōu)良的極紫外和軟X射線正入射多層膜,如美國Lawrence-Livermore實驗室在11.3nm處采用Mo/Be材料對,制備的多層膜正入射反射率達到了70.2%[7].而基于多層膜的反射式光學器件已在極紫外投影光刻、生物學、生命科學與醫(yī)學、天體物理學、X射線激光和同步輻射及等離子體物理等領域得到了廣泛的應用.
此處建立理想化界面條件下的極紫外多層膜模型,使用matlab軟件編程,計算和分析了Mo/Si多層膜的反射率隨入射波長的變化,獲得了高反射率波段的中心波長,在中心波長下,計算了反射率隨膜層數(shù)及入射角等的變化曲線.
電磁波與物質(zhì)相互作用的許多現(xiàn)象,包括折射、散射以及近掠入射時的全反射等都可以基于束縛電子的散射來解釋.
對于原子序數(shù)為Z的散射體,可用相對論量子色散理論[8]計算原子散射因子:
f(E)=f1(E)+if2(E)
(1)
(2)
(3)
式(3)中,σ(E)是原子光電吸收截面,可由質(zhì)量吸收系數(shù)ηm算出:
σ(E)=Aηm/NA
(4)
式(2)右邊第一項描述的是Thomson散射.為了描述散射與角度的關系,這一項可由與角度有關的因子f0來代替:
(5)
這里,U(r)是電荷的徑向分布,式(2)第二項是反常色散積分,第三項是相對論修正項.
(6)
(7)
這里,na是材料原子數(shù)密度,re=2.82×10-13cm是經(jīng)典電子半徑.
從以上各式可見,知道了材料的散射因子,就可以計算出材料在不同光子能量E下的復折射率.B.L.Henke[9,10]等已給出了不同原子的散射因子的數(shù)值,此處通過對數(shù)差值,得到了鉬和硅在極紫外相關波段的散射因子數(shù)值,并根據(jù)式(6)和式(7)獲得了兩種材料的復折射率.圖1和圖2分別給出了鉬/硅的光學常數(shù)α和β隨波長的變化曲線.可以看出,鉬和硅的光學常數(shù)α和β在極紫外波段都是一個小量.
圖1 光學常數(shù)α隨波長λ的變化曲線
圖2 光學常數(shù)β隨波長λ的變化曲線
(8)
式(8)中,Rj和Rj-1分別是鍍完第j層和j-1層時,膜系的總復振幅反射率;rj為第j層材料對真空的Fresnel反射系數(shù),δj為相位差,它們分別表示為
(s偏振)
(9)
(10)
(11)
用Matlab軟件編程計算了鉬/硅多層膜的反射率.首先,在中心波長13.5nm和17.1nm處對膜系的最佳膜層數(shù)進行了優(yōu)化.為了提高反射率,通常采用多層鍍膜的方法,但反射率不會隨膜層數(shù)增加而無限制地趨于100%,因為材料的吸收,當膜層數(shù)增加到一定程度時,反射率達到飽和,之后增加膜層數(shù)反而會使反射率降低.圖3顯示了中心波長為13.5nm和17.1nm時,正入射反射率隨膜層數(shù)的變化.其中,13.5nm波長取周期膜厚6.8nm,而17.1nm波長取9.0nm.結果顯示,對13.5nm和17.1nm波長,最佳膜層數(shù)分別為80層和60層.
圖3 正入射時反射率隨膜層數(shù)的變化
其次,對反射率最大的波長數(shù)值進行了優(yōu)化.圖4顯示了在波長為13.5nm和17nm附近反射率隨波長的變化曲線,其中13.5nm波長附近取周期膜厚為6.8nm,正入射,膜層數(shù)N=80;17nm附近取周期膜厚9.0nm,正入射,膜層數(shù)N=60.結果顯示,在波長為13.3nm和17.2nm處出現(xiàn)反射率峰值,反射率分別達到73.1%和53.7%.
圖4 正入射時反射率隨波長的變化
最后,對反射率隨入射角的變化作了計算(圖5).可以看出,對13.3nm和17.2nm兩個波段,在入射角小于8°的近正入射情形均存在一個反射率曲線平坦段.隨入射角增大,反射率快速降低,雖然在某些角度處會出現(xiàn)一些布拉格峰值,但總體反射率維持在較低水平.
通過編程計算可見,對鉬/硅多層膜,在極紫外波段的13.3 nm和17.2 nm處可得到較高的峰值反射率,尤其對13.3 nm波長峰值反射率可達到73.1%;但是高反射率僅在入射角小于8°的近正入射情形出現(xiàn).此處的計算結果是在理想膜層界面條件下得到的,實際多層膜由于鍍膜工藝條件的限制,以及界面間原子的相互擴散,會使反射率降低[5].盡管如此,計算結果仍然對多層膜的加工和實際應用具有一定的指導意義.
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