羅志聰
(福建農(nóng)林大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院,福建福州350002)
“模擬集成電路設(shè)計(jì)”是每個(gè)集成電路設(shè)計(jì)人才必修的一門專業(yè)課程,但是傳統(tǒng)的教學(xué)過(guò)程中存在許多的問題,因此有必要融合EDA軟件以及現(xiàn)代多媒體教學(xué)手段對(duì)課程教學(xué)進(jìn)行深入改革。
“模擬集成電路設(shè)計(jì)”是相對(duì)較難的專業(yè)課程。首先要求學(xué)生具備較扎實(shí)的基礎(chǔ),如“電路原理”、“模擬電路”、“數(shù)字電路”、“信號(hào)與系統(tǒng)”、“EDA技術(shù)”以及“半導(dǎo)體物理”等課程的基礎(chǔ);其次課程本身的理論分析也很復(fù)雜,較為抽象,如MOS管的寄生電容、放大器的頻率特性和交流小信號(hào)增益等。
筆者首先將EDA軟件引入課堂教學(xué)中,加強(qiáng)學(xué)生的感性認(rèn)識(shí),培養(yǎng)學(xué)生掌握好相應(yīng)的軟件并能獨(dú)立完成課程的實(shí)驗(yàn)。但是筆者在近年來(lái)的教學(xué)和實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)理論與實(shí)踐嚴(yán)重脫節(jié),還有少數(shù)學(xué)生和工程技術(shù)人員完全依賴EDA軟件的仿真,想完全由EDA軟件代替人的思考。他們忽略了計(jì)算時(shí)所采用的Spice模型都是低等級(jí)的,通常無(wú)法準(zhǔn)確描述如溝道效應(yīng)和體效應(yīng)等對(duì)結(jié)論的影響。
筆者的教學(xué)思路是在講解“模擬集成電路設(shè)計(jì)”課程的電路知識(shí)時(shí),先通過(guò)簡(jiǎn)單的理論推導(dǎo)得到相關(guān)的結(jié)論,接著采用EDA軟件仿真驗(yàn)證這些結(jié)論。在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步深化理論推導(dǎo),最后再采用EDA軟件驗(yàn)證。
選擇一個(gè)合適的EDA設(shè)計(jì)工具是順利進(jìn)行實(shí)踐教學(xué)的關(guān)鍵。筆者選用了Tanner Research公司開發(fā)的Tanner Tools Pro軟件[1]。它雖然在功能上不如Cadence和Synopsys等大型商業(yè)軟件,但最大優(yōu)點(diǎn)是成本低,可以在PC機(jī)上使用。該工具主要包含了S-edit(原理圖編輯)、L-edit(版圖編輯)、T-spice(電路仿真)、W-edit(波形觀察)和LVS(版圖與原理圖比對(duì))等幾個(gè)工具,滿足了集成電路設(shè)計(jì)從前端到后端、設(shè)計(jì)驗(yàn)證的一系列過(guò)程的需要,完全適用于“模擬集成電路設(shè)計(jì)”課程的實(shí)踐教學(xué)。在教學(xué)過(guò)程中我們發(fā)現(xiàn)學(xué)生對(duì)該軟件上手快,對(duì)于以后使用其他大型的IC設(shè)計(jì)工具也有一定幫助。
1)放大器特輸函數(shù)
要理解掌握放大器的頻率特性,首先必須掌握電路系統(tǒng)的零極點(diǎn)的概念,以及零極點(diǎn)的位置與幅度、相位特性曲線變化的關(guān)系。為了簡(jiǎn)化分析過(guò)程,令放大器傳遞函數(shù)為
上式中存在一階極點(diǎn)(零點(diǎn))ω1,通過(guò)簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)分析即可得到一些有用的結(jié)論。
對(duì)y取模后得到幅度特性
傳遞函數(shù)y的相位函數(shù)為
當(dāng)ω1位于左半平面時(shí)對(duì)上式分析可得,當(dāng)ω0.1 ω1時(shí),φ(ω)=0;當(dāng)ω=ω1時(shí),φ(ω)=±45°;當(dāng)ω≥10ω1時(shí),φ(ω)=±90°。當(dāng)ω1位于右半平面時(shí),則反之。
可見,如圖2所示左半平面的一個(gè)零點(diǎn)最多引入+90°相移,在零點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地方為+45°,一個(gè)極點(diǎn)最多引入-90°相移,在極點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地方為-45°。右半平面的零點(diǎn)則反之。
圖1 零極點(diǎn)對(duì)幅度特性的影響
圖2 零極點(diǎn)對(duì)相位特性的影響
2)RC低通濾波器
為了使學(xué)生進(jìn)一步掌握零極點(diǎn)位置與幅度相位變化的關(guān)系,以如圖3所示的一個(gè)低通濾波器為例。其傳遞函數(shù)為
其中,ω1=1/RC。
從上式可知該電路存在一個(gè)極點(diǎn),如果取R=10kΩ、C=10pF,那么極點(diǎn)ω1=107rad/s,即極點(diǎn)頻率f1=1.59MHz。根據(jù)上述的結(jié)論可以直接畫出圖4所示幅頻特性曲線,其中ω1=107rad/s。
圖3 RC低通濾波器
圖4 低通濾波器頻率特性
采用Tanner軟件仿真得到如圖5所示。從圖5可知-3dB帶寬為1.59MHz,所對(duì)應(yīng)的相位為-45°,該結(jié)果與計(jì)算結(jié)果完全一致。圖5中幅度以-20dB/dec變化,與圖4結(jié)果完全吻合。
圖5 RC低通濾波器仿真結(jié)果
以電阻為負(fù)載的共源級(jí)放大器為例,電路如圖6所示,其中CGS、CGD和CDB分別為寄生電容[2]。
圖6 電阻為負(fù)載的共源級(jí)放大器
為了避免學(xué)生面對(duì)枯燥的理論推導(dǎo)和難以記憶的公式而喪失學(xué)習(xí)興趣,首先采用最簡(jiǎn)單的估算法得到電路輸入端極點(diǎn)的值為
輸出端極點(diǎn)的值為
同時(shí)注意到CGD提供一個(gè)信號(hào)的前饋通道,即X節(jié)點(diǎn)的高頻信號(hào)由CGD同相傳導(dǎo)到輸出端,而X節(jié)點(diǎn)信號(hào)也由M1反相傳導(dǎo)到輸出端。因此電路系統(tǒng)必定存在一個(gè)零點(diǎn),使得輸出信號(hào)Vout等于0。于是有
式中,gm為跨導(dǎo),Vx為圖6中x點(diǎn)的電壓。由上式得到零點(diǎn)頻率為
由于該零點(diǎn)位于右半平面,因此在該零點(diǎn)引入了-90°相移。
上述分析得到該電路存在兩個(gè)極點(diǎn),一個(gè)零點(diǎn)。如果采用傳統(tǒng)的教學(xué)方法,很難解釋清楚這些零極點(diǎn)對(duì)電路性能的影響,必須采用EDA軟件。
對(duì)圖6所示電路,我們?nèi)1的W=2000μm,L=20μm,RS=50Ω,RD=30kΩ。采用MCNC 1.25μm CMOS Process工藝和2級(jí)Spice模型,分別進(jìn)行直流分析和交流分析。從直流分析中可以得到M1管的工作狀態(tài)以及CGS、CGD、CDB等參數(shù)的具體數(shù)值。交流分析結(jié)果如圖7所示,從分析中可以得到頻率特性曲線和增益。其中增益為26.06倍,輸出極點(diǎn)fout≈509.33kHz,輸入極點(diǎn)fin≈76.58MHz。
為了簡(jiǎn)化分析過(guò)程,器件的CGS、CGD、CDB等參數(shù)直接由直流分析給出。其中CGS=20.1pF、CGD=0.578pF、CDB=9.70pF、gmRD=26.06。因此由式(5)得到輸入極點(diǎn)ωin=559.59×106rad/s,所以fin=89.11MHz。由式(6)得到輸出極點(diǎn)ωout=32.43×105rad/s,所以fout=516.43kHz。該結(jié)果基本上與圖7所示的仿真結(jié)果相當(dāng)。同時(shí)該頻率特性曲線和3.1節(jié)的結(jié)論幾乎一致。
圖7 共源級(jí)放大器頻率響應(yīng)特性曲線
為了進(jìn)一步掌握其本質(zhì),需要得到精確的傳遞函數(shù),首先得到如圖8所示共源放大器的小信號(hào)模型。
圖8 共源級(jí)放大器小信號(hào)等效圖
對(duì)于圖8,根據(jù)KCL和KVL方程可得
由式(8)和式(9)聯(lián)解可得
輸入極點(diǎn):ωin=1/RS(1+gmRD)CGD+Ψ;
輸出極點(diǎn):ωout≈1/RD(CDB+CGD);
零點(diǎn):ωz=+gm/CGD。
其中,ψ=RSCGS+RD(CGD+CDB)。
基于EDA平臺(tái)的教學(xué)有效地促進(jìn)和推動(dòng)了“模擬集成電路設(shè)計(jì)”課程的改革,將增益、頻率響應(yīng)、電路的寄生電容及其對(duì)電路性能的影響等抽象和難理解的內(nèi)容具體化,便于理解。同時(shí)整個(gè)教學(xué)過(guò)程涵蓋了半導(dǎo)體器件工藝、Spice模型、EDA軟件的使用和理論分析等,加大了教學(xué)信息量。通過(guò)EDA技術(shù)在課堂教學(xué)中對(duì)電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證,解決了傳統(tǒng)教學(xué)中課堂與實(shí)驗(yàn)室、理論與實(shí)踐嚴(yán)重脫節(jié)的問題,使理論和實(shí)踐更有效地結(jié)合。
[1] 武玉華,路而紅.非微電子專業(yè)“專用集成電路設(shè)計(jì)”課程建設(shè)研究[J] .南京:電氣電子教學(xué)學(xué)報(bào),2005,27(6)
[2] 畢查德拉扎維著,陳貴燦等譯.模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)[M] .西安:西安交通大學(xué)出版社,2003年