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    考慮電樞速度的多級(jí)感應(yīng)線圈炮最佳觸發(fā)位置

    2012-09-20 05:48:26向紅軍李治源袁建生
    關(guān)鍵詞:互感電磁力電樞

    向紅軍, 李治源, 袁建生

    (1.清華大學(xué)電機(jī)系,北京 100084;2.軍械工程學(xué)院彈藥工程系,河北石家莊 050003)

    0 引言

    感應(yīng)線圈炮具有電樞與驅(qū)動(dòng)線圈無(wú)電氣和機(jī)械直接接觸、可控性好、可實(shí)現(xiàn)較高發(fā)射初速等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用前景廣闊[1-7]。但是,電樞僅在驅(qū)動(dòng)線圈的后半段才受到加速力,而在前半段會(huì)受到制動(dòng)力,由于感應(yīng)線圈炮的這一原理性弊端,使得單級(jí)驅(qū)動(dòng)線圈對(duì)電樞的加速能力有限。為使電樞獲得較大出口速度,可以利用多個(gè)驅(qū)動(dòng)線圈,使儲(chǔ)能電容對(duì)驅(qū)動(dòng)線圈依次觸發(fā)放電或供電,實(shí)現(xiàn)對(duì)電樞的連續(xù)加速。

    多級(jí)感應(yīng)線圈炮中驅(qū)動(dòng)線圈的觸發(fā)或?qū)〞r(shí)機(jī)是影響電磁發(fā)射效率的重要因素。對(duì)于多級(jí)感應(yīng)線圈炮中的任一級(jí)驅(qū)動(dòng)線圈,如果觸發(fā)放電時(shí)間過(guò)早,該驅(qū)動(dòng)線圈就會(huì)對(duì)電樞提供制動(dòng)力;如果觸發(fā)過(guò)晚,對(duì)電樞的有效加速時(shí)間會(huì)縮短,從而影響其加速性能。顯然,電樞和驅(qū)動(dòng)線圈之間存在一個(gè)最佳觸發(fā)位置,即當(dāng)電樞處于驅(qū)動(dòng)線圈的一個(gè)合適位置時(shí)觸發(fā),電樞會(huì)獲得最大的加速效果。

    已有許多文獻(xiàn)研究過(guò)最佳觸發(fā)位置問(wèn)題[8-11],但大都沒(méi)有充分考慮最佳觸發(fā)位置與電樞速度的關(guān)系。本文從電樞受到的電磁力計(jì)算公式出發(fā),系統(tǒng)分析了各參數(shù)對(duì)電樞加速作用的影響,并首次給出了考慮電樞速度下最佳觸發(fā)位置變化特性及其產(chǎn)生原因,對(duì)解決多級(jí)感應(yīng)線圈發(fā)射過(guò)程中的觸發(fā)控制難題提供了理論基礎(chǔ)。

    1 最佳觸發(fā)位置分析

    感應(yīng)線圈炮的結(jié)構(gòu)原理如圖1(a)所示。主要由儲(chǔ)能電容器C、觸發(fā)開(kāi)關(guān)、驅(qū)動(dòng)線圈、續(xù)流二極管D和電樞構(gòu)成。如果不考慮電樞的趨膚效應(yīng),可以將電樞等效為單匝線圈,因此可得到感應(yīng)線圈炮的等效電路模型如圖 1(b)所示,Ld、Lp、Rd、Rp分別為驅(qū)動(dòng)線圈和電樞回路的等效電感和等效電阻,M為兩者之間的互感。

    圖1 感應(yīng)線圈炮工作原理Fig.1 Principle of the inductive coilgun

    電容器組向驅(qū)動(dòng)線圈放電產(chǎn)生脈沖磁場(chǎng),從而在電樞中感應(yīng)出電流,電流在磁場(chǎng)作用下,會(huì)使電樞受到電磁力作用。

    電樞在驅(qū)動(dòng)線圈中受到的電磁力可表示為[12-15]

    式中:id為驅(qū)動(dòng)線圈的電流;ip為電樞中感應(yīng)的電流;dM/dx為互感對(duì)電樞位置的梯度。

    從式(1)可以看出,電樞所受的電磁力正比于電樞與驅(qū)動(dòng)線圈間的互感、互感梯度、驅(qū)動(dòng)線圈中的電流。下面分析影響電樞加速效果的因素。

    1.1 影響加速效果的因素分析

    當(dāng)驅(qū)動(dòng)線圈和電樞的中心面重合時(shí),互感M最大,但互感梯度dM/dx為零,由式(1)可知,電樞所受電磁力為零;當(dāng)電樞移出驅(qū)動(dòng)線圈,且遠(yuǎn)離線圈時(shí),則互感趨于零。電樞處于驅(qū)動(dòng)線圈的不同位置時(shí),互感和互感梯度相差很大,隨著電樞從驅(qū)動(dòng)線圈的中心向線圈外移動(dòng),互感與互感梯度的乘積MdM/dx呈現(xiàn)一個(gè)脈沖形式變化,如圖2所示。圖中橫坐標(biāo)s為電樞中心面距驅(qū)動(dòng)線圈中心面的距離,縱坐標(biāo)為MdM/dx。因此,從互感與互感梯度角度看,電樞所受的電磁力隨s或時(shí)間成脈沖形式變化。

    圖2(MdM/dx)隨電樞位置的變化示例Fig.2 Variation instance of M·dM/dx according to the location of armature

    采用儲(chǔ)能電容器作為電源的感應(yīng)線圈炮,由于線圈的電感作用,使得激勵(lì)電流id不可能躍變,從零到達(dá)最大值需要一定時(shí)間,形成電流脈沖的前沿,如圖3所示。圖中給出了電樞初始速度為不同值時(shí)的驅(qū)動(dòng)線圈放電電流波形,其對(duì)應(yīng)的電路參數(shù)將在后面給出。因此,從驅(qū)動(dòng)線圈的激勵(lì)電流id角度看,電樞所受的電磁力隨時(shí)間也成脈沖形式變化。

    圖3 驅(qū)動(dòng)線圈中的電流示例Fig.3 Instance of current in driving coil

    由于影響電磁力的兩個(gè)因素MdM/dx和id都為脈沖形式,由式(1)可以得出,電磁力也應(yīng)為脈沖形式。其示例曲線如圖4所示。從圖4可以看出,驅(qū)動(dòng)線圈在t1時(shí)刻開(kāi)始放電,此時(shí)電樞的中心面位于驅(qū)動(dòng)線圈中心面的左側(cè),互感梯度為正,由式(1)可知電磁力首先為負(fù);到達(dá)t3時(shí)刻時(shí),兩者中心面重合,電磁力為0;此后電樞的中心面位于驅(qū)動(dòng)線圈中心面右側(cè),互感梯度為負(fù),則電磁力為正;達(dá)到t4時(shí)刻后,由于電樞感應(yīng)電流方向發(fā)生改變,電磁力再次發(fā)生反向?yàn)樨?fù);t2時(shí)刻電樞離開(kāi)驅(qū)動(dòng)線圈,電磁力作用結(jié)束。圖4中電磁力為正的區(qū)間稱為有效加速區(qū)間,即t3到t4之間的區(qū)間。

    圖4 電磁力示例曲線Fig.4 Instance curve of electromagnetic force

    由沖量定理可知,電樞在驅(qū)動(dòng)線圈中獲得的速度增量與電磁力及其作用時(shí)間密切相關(guān),速度增量與加速力的關(guān)系為

    式中:v1和v2分別為電樞進(jìn)入驅(qū)動(dòng)線圈時(shí)的速度(稱為注入速度)和離開(kāi)驅(qū)動(dòng)線圈時(shí)的速度(稱為出口速度);m為電樞質(zhì)量;f為電樞受到的加速力。

    從式(2)可知,要使電樞獲得較大的速度增量,就要使在t3到t4時(shí)間段內(nèi)不僅電樞所受的電磁力要比較大,而且Δt=t4-t3要相對(duì)較長(zhǎng)。但實(shí)際上電樞速度越快,則Δt會(huì)越小。

    因此,要確定合適的觸發(fā)位置,獲得良好的加速效果,不僅要充分考慮觸發(fā)時(shí)間的問(wèn)題,同時(shí)要考慮電磁力的大小。

    1.2 最佳觸發(fā)位置確定方法

    由于驅(qū)動(dòng)線圈中的電流脈沖波形和電感梯度脈沖波形都有一個(gè)逐步上升的過(guò)程,剛開(kāi)始的時(shí)候,兩個(gè)脈沖MdM/dx和id的值都比較小,因而電磁力的數(shù)值也比較小。從式(2)可知,在電樞經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)線圈所需要的時(shí)間一定的情況下,如果有效加速區(qū)間Δt對(duì)應(yīng)的正向電磁力數(shù)值比較小,則電樞的速度增量也比較小,加速效果不明顯。

    如果兩個(gè)脈沖上升到一定數(shù)值時(shí),兩者乘積較大且正向電磁力數(shù)值比較大,如果電磁力數(shù)值比較大的區(qū)間正好位于有效加速區(qū)間之內(nèi),則從式(2)可知,電樞的速度增量會(huì)比較大。

    因此,觸發(fā)位置的確立要同時(shí)考慮電樞位置、電樞當(dāng)前已具有的速度和驅(qū)動(dòng)線圈電流的上升時(shí)間。在有限加速區(qū)間內(nèi),要充分利用兩個(gè)脈沖數(shù)值較大的區(qū)間。

    在驅(qū)動(dòng)線圈各級(jí)參數(shù)相同的情況下,盡管電樞速度不斷提高,但驅(qū)動(dòng)線圈的放電電流曲線變化非常微小,從圖3也可以看出。但由于電樞運(yùn)動(dòng)經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)線圈的時(shí)間縮短,要想充分利用兩個(gè)脈沖乘積較大即電磁力較大的區(qū)間,使其位于有效加速區(qū)間之內(nèi),就要隨著電樞速度增加,觸發(fā)位置不斷提前,當(dāng)電樞速度較高時(shí),最佳觸發(fā)位置甚至?xí)崆暗诫姌刑幱谥苿?dòng)力的位置。因?yàn)樽罴延|發(fā)位置不是考慮觸發(fā)時(shí)刻一點(diǎn)的效果,而是要考慮整個(gè)時(shí)間段內(nèi)的整體加速效果。采用這樣的策略,看上去電樞在一定區(qū)間會(huì)受到制動(dòng)力,但卻可以使電樞受到的總速度增量達(dá)到最大。

    確定一定線圈結(jié)構(gòu)和電容供電系統(tǒng)下,不同電樞速度對(duì)應(yīng)的最佳觸發(fā)位置,可以通過(guò)數(shù)值計(jì)算軟件計(jì)算出不同速度和不同電樞位置下的加速效果,從而可以得到每個(gè)速度下加速效率最大的電樞位置,該位置便是最佳觸發(fā)位置。下面通過(guò)仿真計(jì)算結(jié)果具體論述最佳觸發(fā)位置及其確定方法。

    2 最佳觸發(fā)位置有限元仿真結(jié)果與分析

    最佳觸發(fā)位置與電樞固有的速度有關(guān),即進(jìn)入本驅(qū)動(dòng)線圈時(shí)的速度,或稱為注入速度。下面利用有限元軟件Ansoft瞬態(tài)場(chǎng)與電路耦合對(duì)不同注入速度的電樞進(jìn)行了仿真,以分析最佳觸發(fā)位置對(duì)應(yīng)的中心距s的變化規(guī)律。定義驅(qū)動(dòng)線圈中心面到電樞中心面之間的距離為中心距s,并規(guī)定沿電樞運(yùn)動(dòng)方向?yàn)檎较颉?/p>

    2.1 仿真模型建立

    由于驅(qū)動(dòng)線圈和電樞都是軸對(duì)稱結(jié)構(gòu),因此選擇軸對(duì)稱模型建立的計(jì)算模型剖分后如圖5所示。模型結(jié)構(gòu)參數(shù)為:驅(qū)動(dòng)線圈軸向長(zhǎng)度80 mm;徑向厚度20 mm;電樞的軸向長(zhǎng)度為60 mm;徑向厚度為20 mm;電樞的材料選擇為鋁,驅(qū)動(dòng)線圈的材料選擇為銅。外邊界條件設(shè)為長(zhǎng)300 mm、高1 300 mm,并設(shè)為氣球balloon邊界,電樞和發(fā)射載荷總質(zhì)量為3 kg,驅(qū)動(dòng)線圈匝數(shù)設(shè)為30匝。

    仿真中的激勵(lì)源由外掛激勵(lì)電路提供,實(shí)際線圈炮電路中,為防止電容反向充電而降低使用壽命,通常在電容兩端并聯(lián)續(xù)流二極管。因此設(shè)計(jì)的外掛電路如圖6所示。電容值C為2 000 μF,初始電壓設(shè)為10 000 V,驅(qū)動(dòng)線圈回路總電阻100 mΩ。

    圖5 計(jì)算模型Fig.5 Simulation model

    圖6 激勵(lì)電路Fig.6 Driving circuit

    2.2 仿真結(jié)果及分析

    對(duì)圖5所示的模型在電樞注入速度為0、50、100、150、200、250 m/s時(shí),分別進(jìn)行了仿真計(jì)算,得到的觸發(fā)位置(中心距)s與電樞入口速度之間的關(guān)系如表1所示(部分結(jié)果)。

    表1 觸發(fā)位置仿真數(shù)據(jù)表Table 1 Simulation data of trigger position

    從表1可以看出,當(dāng)電樞初速為0、50、100、150、200、250 m/s時(shí),最佳觸發(fā)位置 s分別為 36、8、-14、-54、-64,電樞最佳觸發(fā)位置與電樞注入速度之間的關(guān)系曲線如圖7所示。

    從圖7可以看出,在驅(qū)動(dòng)線圈各級(jí)參數(shù)相同的情況下,隨著電樞速度的提高,最佳觸發(fā)點(diǎn)的位置逐漸提前,甚至出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)線圈到電樞之間的中心距為負(fù)值的情況,這表明最佳觸發(fā)位置使得電樞的中心面位于驅(qū)動(dòng)線圈中心面的后面,即高速運(yùn)動(dòng)的電樞先經(jīng)過(guò)一段時(shí)間制動(dòng)、再加速,反而會(huì)獲得更高發(fā)射效率,仿真結(jié)果映證了理論分析得出的結(jié)論。

    圖7 電樞注入速度與最佳觸發(fā)位置的關(guān)系Fig.7 Relative curve of initial velocity and optimal trigger position

    3 觸發(fā)控制策略

    通過(guò)理論和仿真分析可知,對(duì)于一個(gè)確定的多級(jí)線圈發(fā)射裝置,不同的電樞入口速度對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)線圈的不同最佳觸發(fā)位置,因此可以利用驅(qū)動(dòng)線圈的最佳觸發(fā)位置與入口速度之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系來(lái)實(shí)現(xiàn)多級(jí)感應(yīng)線圈炮的同步觸發(fā)。

    從圖7可以看出,電樞的注入速度v1和最佳觸發(fā)位置s之間存在一定函數(shù)關(guān)系,可以表示為

    對(duì)于不同的發(fā)射系統(tǒng)或不同結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)線圈,具有不同的函數(shù)關(guān)系g。通過(guò)對(duì)圖7所示的數(shù)值關(guān)系進(jìn)行曲線擬合可以得到g函數(shù)關(guān)系式。理論上,只要數(shù)據(jù)量足夠,可以得到比較準(zhǔn)確的函數(shù)關(guān)系g。

    因此可以采用硬件測(cè)速加軟件延時(shí)相結(jié)合的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)同步觸發(fā)。其具體思路為:在每相鄰兩級(jí)驅(qū)動(dòng)線圈之間安裝速度傳感器,實(shí)時(shí)測(cè)得電樞進(jìn)入驅(qū)動(dòng)線圈的速度,觸發(fā)系統(tǒng)中的微處理器如單片機(jī)利用f函數(shù)就可以計(jì)算得到下一級(jí)驅(qū)動(dòng)線圈的觸發(fā)位置s,并將觸發(fā)位置s轉(zhuǎn)換為下一級(jí)驅(qū)動(dòng)線圈放電開(kāi)關(guān)的延遲觸發(fā)時(shí)間,利用單片機(jī)延時(shí)觸發(fā),延時(shí)完畢,開(kāi)關(guān)閉合,實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)線圈在最佳觸發(fā)時(shí)刻觸發(fā)放電,達(dá)到同步觸發(fā)。

    4 結(jié)論

    多級(jí)同步感應(yīng)線圈炮的每一級(jí)驅(qū)動(dòng)線圈都存在一個(gè)最佳觸發(fā)位置,而且隨著電樞注入速度的增加,最佳觸發(fā)位置不斷提前。因此,對(duì)于某個(gè)特定的發(fā)射系統(tǒng),可以通過(guò)仿真或試驗(yàn)得到電樞的入口速度與最佳觸發(fā)位置之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系,然后利用硬件測(cè)速與軟件延時(shí)相結(jié)合的方法,測(cè)得電樞速度,并將驅(qū)動(dòng)線圈的最佳觸發(fā)位置轉(zhuǎn)化為驅(qū)動(dòng)線圈的放電延時(shí)時(shí)間,可以消除延遲時(shí)間和電樞速度的累積誤差,實(shí)現(xiàn)同步觸發(fā)。

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