中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備首次在中國(guó)試運(yùn)安裝；用于32～28 nm芯片加工

中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微”）于SEMICON China展會(huì)期間宣布，中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備Primo AD-RIETM正式裝配國(guó)內(nèi)技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片代工企業(yè)中芯國(guó)際，用于32～28 nm及更先進(jìn)的芯片加工。這是繼去年SEMICON West展會(huì)期間 Primo AD-RIETM正式發(fā)布以來(lái)，中微Primo AD-RIETM設(shè)備首次進(jìn)入中國(guó)大陸客戶(hù)生產(chǎn)線(xiàn)。目前，中微第一代等離子體刻蝕設(shè)備Primo D-RIETM已在中國(guó)建立了穩(wěn)固的市場(chǎng)地位。Primo AD-RIETM設(shè)備也已進(jìn)入臺(tái)灣客戶(hù)的生產(chǎn)線(xiàn)。

到目前為止，中微的刻蝕設(shè)備已進(jìn)入11家客戶(hù)的14條芯片生產(chǎn)線(xiàn)，客戶(hù)涵蓋中國(guó)大陸、臺(tái)灣、新加坡和南韓等地的整合器件制造商（IDM）、晶圓代工廠(chǎng)、芯片封裝廠(chǎng)等。這其中也包括中微近日發(fā)布的TSV硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200ETM，為中微開(kāi)辟了新的市場(chǎng)。綜合來(lái)看，中微的設(shè)備均擁有生產(chǎn)率高、工藝性能出色、操作簡(jiǎn)便、成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)明顯等優(yōu)點(diǎn)。隨著亞洲地區(qū)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求日漸增長(zhǎng)，中微不斷拓展產(chǎn)品線(xiàn)使之日趨多元化，從而邁入了快速發(fā)展的軌道，2011年中微的銷(xiāo)售額較2010年增長(zhǎng)了2倍多。同時(shí)，為了滿(mǎn)足企業(yè)自身發(fā)展的需求，中微位于上海的二期大樓也將竣工，屆時(shí)將增加10 000 m2的生產(chǎn)基地。

Primo AD-RIETM設(shè)備是中微第二代甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備，可滿(mǎn)足多種關(guān)鍵生產(chǎn)工藝要求。繼第一代已被業(yè)界廣泛認(rèn)可的Primo D-RIETM之后，Primo AD-RIETM采用了更多技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)，以解決生產(chǎn)復(fù)雜的22～14 nm芯片所帶來(lái)的挑戰(zhàn)，同時(shí)確保芯片加工的質(zhì)量。這些技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)包括：可切換頻率的射頻系統(tǒng)保證了刻蝕的靈活性和可重復(fù)性，更好的調(diào)諧能力確保了超精細(xì)關(guān)鍵尺寸的均勻度和可重復(fù)性，改良的反應(yīng)室室內(nèi)材料減少了工藝缺陷并降低了成本消耗。

欲了解更多關(guān)于Primo AD-RIETM的信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn) www.amec-inc.com/products/ADRIE.php。