楊根林,王二敏,韓 勁,倪志銘
(北京航空材料研究院,北京100095)
真空感應(yīng)熔煉用石墨坩堝對Ni47Ti44Nb9形狀記憶合金質(zhì)量的影響
楊根林,王二敏,韓 勁,倪志銘
(北京航空材料研究院,北京100095)
Ni47Ti44Nb9(下面簡稱NiTiNb)形狀記憶合金的主要特點(diǎn)是經(jīng)變形后可以獲得寬滯后,這種寬滯后記憶合金在室溫既能存儲又能工作,用其制造的連接件和緊固件,安裝方便快捷,主要用于航空航天、船舶艦艇和海上石油平臺等方面的管路系統(tǒng)連接。
大量的研究報(bào)道了[1-3],NiTiNb合金的顯微組織、性能及記憶功能,但對于合金的熔煉和鑄造方面的報(bào)道非常少[4,5]。合金的鑄造是最實(shí)際并且最基礎(chǔ)的技術(shù)。NiTiNb合金的相變溫度對合金成分的變化非常敏感,合金中Ni含量的微小變化就會導(dǎo)致合金的相變溫度的大幅度變動。NiTiNb合金熔煉時(shí),Ti在高溫下非常活躍,極易和C,O等元素起反應(yīng)形成化合物導(dǎo)致基體中Ni/Ti比例的變化,從而影響合金的相變溫度。所以,為獲得組織均勻、一致的合金鑄錠,必須確定可行的熔煉工藝過程。
NiTiNb合金主要的熔煉工藝為真空感應(yīng)熔煉,該熔煉用到的坩堝材料有很多種,最常用的耐火材料為石墨。現(xiàn)在,市場上石墨的種類很多,我們也不清楚這些坩堝材料對NiTiNb合金鑄錠的質(zhì)量有什么影響。本工作主要選擇不同強(qiáng)度、密度、孔隙度和純凈度的三種石墨坩堝進(jìn)行NiTiNb合金真空感應(yīng)熔煉,研究了石墨坩堝對合金純凈度和組織的影響。
NiTiNb合金用10kg真空感應(yīng)爐進(jìn)行熔煉,熔煉用的原材料為純度99.99%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)的Ti棒、99.96%的鎳板、99.98%的鈮塊。熔煉用的坩堝為外徑90mm、壁厚8mm的石墨坩堝,每種類型的石墨坩堝分別熔煉5kg的合金鑄錠。每個(gè)坩堝熔煉前都要用NiTiNb合金返回料洗爐。C含量用鑄錠去除氧化皮后車加工所取的試末進(jìn)行測試,O含量用鑄錠上車取的φ3mm×10mm的試樣測試。合金中的氧、碳含量分別由氮/氧分析儀(TC-436A2)和碳/硫分析儀(CS-244)分析確定。合金鑄錠的顯微組織分析在JSM-5600LV掃描電鏡上進(jìn)行,加速電壓20kV。
坩堝是用三種不同種類的石墨加工的,它們分別用Ⅰ,Ⅱ和Ⅲ來表示,加工坩堝的石墨的性能如表1所示。坩堝Ⅰ是擠壓成型的石墨材料,它的密度和強(qiáng)度低,純凈度好,孔隙度較高;坩堝Ⅱ是等靜壓成型的石墨材料,其密度和強(qiáng)度比坩堝Ⅰ的高,純凈度較好,但是孔隙度比坩堝Ⅰ的高;坩堝Ⅲ是價(jià)格較高的等靜壓成型的石墨材料,其強(qiáng)度和密度最高,孔隙度最小,純凈度最好。
表1 加工坩堝Ⅰ,Ⅱ和Ⅲ的石墨材料的性能Table 1 Properties of the graphite materials used for cruciblesⅠ,ⅡandⅢ
NiTiNb合金化學(xué)分析(C和O的含量)的結(jié)果如表2所示。從表2可以看出,三種合金鑄錠的O含量都差不多,雖然較原材料中總的O含量有所升高,主要因?yàn)槿蹮挄r(shí)保護(hù)氣氛中的氧氣進(jìn)入合金溶液中,導(dǎo)致合金中O含量的升高,與熔煉所用的石墨坩堝無關(guān)。石墨坩堝主要對合金中的C含量有很大的影響,如表2所示,坩堝Ⅰ熔煉合金的C含量比另外兩種坩堝的都高,這主要因?yàn)檑釄澧竦拿芏容^低、純凈度差,熔煉過程中坩堝表面的石墨與Ti反應(yīng),進(jìn)入合金溶液中,導(dǎo)致合金的碳含量升高;另外,因?yàn)檑釄宓膹?qiáng)度低、孔隙度大,在澆注過程中,澆口附近由于受熱不均勻會產(chǎn)生裂口,這會導(dǎo)致破裂的石墨隨著合金溶液進(jìn)入錠模中,使合金受到污染,合金的C含量也會升高。坩堝Ⅱ熔煉合金的C含量比坩堝Ⅲ的高,其原因和上面的相同。
表2 坩堝熔煉合金鑄錠C和O的含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)Table 2 Oxygen and carbon concentration of NiTiNb ingots produced in the crucibles(mass fraction/%)
NiTiNb合金鑄態(tài)組織由含有少量Nb的Ni-Ti基體相和含Nb在80%(原子分?jǐn)?shù))左右的富Nb相組成,其中富Nb相和Ni-Ti基體相以共晶形式存在。根據(jù)合金中C,O含量多少,還存在少量黑色脆性的成分近似(Ti,Nb)4Ni2O的氧化物和(Ti,Nb)C的碳化物夾雜,并且黑色塊狀物絕大部分在初生的NiTi基體相的邊界形成,并和NiTi與Nb的共晶組織混雜在一起。王二敏等[6]的研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)合金中雜質(zhì)C,O含量較高時(shí),才明顯出現(xiàn)此黑色塊狀物。圖1顯示NiTiNb合金的鑄態(tài)顯微組織,圖1(a),(b),(c)分別表示坩堝Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ熔煉合金的顯微組織。從圖1(a)可以看出,組織中有大量的黑色塊狀物,這是因?yàn)椴捎蜜釄澧襁M(jìn)行熔煉時(shí),由于坩堝材料的密度低、純凈度差,而且強(qiáng)度也偏低,熔煉過程中石墨坩堝中的碳與合金溶液中的Ti反應(yīng),形成黑色碳化物雜質(zhì)進(jìn)入合金溶液中,這些黑色塊狀物使合金的記憶效應(yīng)受到影響,導(dǎo)致合金的相變點(diǎn)產(chǎn)生較大波動。相對圖1(a)來說,圖1(b)中的黑色塊狀物的數(shù)量要少、尺寸也有所減小,這是因?yàn)檑釄澧虿牧系膹?qiáng)度、密度、純凈度比坩堝Ⅰ的要好,熔煉過程中,坩堝表面的碳進(jìn)入合金溶液中的少,所形成的黑色碳化物夾雜也較圖1(a)中的數(shù)量少、尺寸要小。圖1(c)中幾乎沒有黑色塊狀物,這說明采用靜壓成型的高強(qiáng)度、高密度、孔隙度小、純凈度高的石墨材料制造的坩堝Ⅲ,在熔煉NiTiNb記憶合金過程中,坩堝表面的碳進(jìn)入合金溶液中非常少,坩堝的澆口也比較平滑,沒有碎裂和破損的痕跡。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,采用高等級、高密度和高純凈度的石墨坩堝,可以進(jìn)行NiTiNb記憶合金熔煉,也能夠獲得高質(zhì)量的NiTiNb記憶合金鑄錠。
圖1 NiTiNb合金的鑄態(tài)顯微組織 (a)坩堝Ⅰ熔煉;(b)坩堝Ⅱ熔煉;(c)坩堝Ⅲ熔煉Fig.1 Microstructure of NiTiNb ingots produced in crucibleⅠ(a),crucibleⅡ(b)and crucibleⅢ(c)
(1)石墨坩堝可以進(jìn)行NiTiNb形狀記憶合金真空感應(yīng)熔煉。
(2)在原材料和熔煉條件相同的條件下,選用等靜壓成型的高密度、高強(qiáng)度、高純凈度的石墨坩堝可以熔煉出高質(zhì)量的NiTiNb合金鑄錠。
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The Influence of Crucible Graphite on the Quality of Ni47Ti44Nb9Shape Memory Alloys During the Vacuum Induction Melting Process
YANG Gen-lin,WANG Er-min,HAN Jin,NI Zhi-ming
(Beijing Institute of Aeronautical Materials,Beijing 100095,China)
研究了三種不同種類的石墨坩堝進(jìn)行真空感應(yīng)熔煉Ni47Ti44Nb9形狀記憶合金。一種是低密度的擠壓石墨材料,另外兩種是不同孔隙度和純凈度的等靜壓石墨材料,并且用純Ni,Ti和Nb原材料進(jìn)行Ni47Ti44Nb9形狀記憶合金熔煉。采用低等級、低密度石墨坩堝進(jìn)行熔煉,合金鑄錠的碳含量會升高;選用高密度、高純凈度的石墨坩堝可以獲得較好質(zhì)量的合金鑄錠。
Ni47Ti44Nb9;形狀記憶合金;真空感應(yīng)熔煉;石墨坩堝
The performance of three different kinds of crucible graphite materials used during vacuum inductive melting of Ni47Ti44Nb9shape memory alloys(SMAs)was explored.One low-density extruded graphite and two isostatically pressed graphite-materials with different porosity and purity were used for melting Ni47Ti44Nb9-SMAs from pure Ni,Ti and Nb raw materials.The use of a low grade,lower density graphite crucible led to a high carbon contamination of the alloy ingot.Much better results were obtained using graphite crucibles with higher density and higher purity.
Ni47Ti44Nb9;shape memory alloy;vacuum induction melting;graphite crucible
TG224
A
1001-4381(2011)11-0051-02
2010-01-05;
2011-04-15
楊根林(1975-),男,高級工程師,碩士,研究方向?yàn)榻饘俟δ懿牧?,?lián)系地址:北京81信箱72分箱(100095),E-mail:genlin.yang@biam.ac.cn