異質(zhì)

變調(diào)控[11]、異質(zhì)結(jié)工程[12-13]等,其中異質(zhì)結(jié)工程會引起材料應(yīng)變[14],抑制電子空穴對復(fù)合[15-16],已被證明是提高光催化能力的一種有效方法。如MoS2/WS2異質(zhì)結(jié)[17]、GaSe/g -C3N4異 質(zhì)結(jié)[18]、C2N/MoS2異質(zhì)結(jié)[19]等都實(shí)現(xiàn)了電子與空穴的分離,且提高了半導(dǎo)體的光催化性。以上研究表明搭建異質(zhì)結(jié)是一種有效控制電荷分離且提高光催化效率的方法。目前關(guān)于ZnO 為基底的異質(zhì)結(jié)光催化性能研究已取得重要進(jìn)展,如通過對g-Zn

感特性。構(gòu)筑二元異質(zhì)結(jié)是提高半導(dǎo)體材料氣敏性能的有效方法，通過選用能帶結(jié)構(gòu)匹配的半導(dǎo)體材料與SnS2復(fù)合，可實(shí)現(xiàn)材料界面的電子定向轉(zhuǎn)移，提高SnS2電子濃度，改善SnS2室溫NO2敏感性能。已有研究表明,通過構(gòu)筑SnS2/BP(黑磷)、SnS2/SnS、SnS2/MoS2等異質(zhì)結(jié)材料，在一定程度上縮短了SnS2基傳感器的響應(yīng)/恢復(fù)時間，并提高了室溫下靈敏度[13～15]。但基于SnS2與金屬氧化物異質(zhì)結(jié)氣體傳感器的報道還較少，開發(fā)SnS2與金屬氧化物異質(zhì)結(jié)

9］及建立范德華異質(zhì)結(jié)［10］等。范德華異質(zhì)結(jié)是通過范德華力將單層二維材料結(jié)合起來，不僅表現(xiàn)出豐富的界面性質(zhì)，而且可以優(yōu)化改善原始二維材料的電子結(jié)構(gòu)、光吸收，甚至熱傳導(dǎo)性能。一般來說，異質(zhì)結(jié)可以分為Ⅰ型異質(zhì)結(jié)和Ⅱ異質(zhì)結(jié)。Ⅰ型異質(zhì)結(jié)的導(dǎo)帶底和價帶頂都來源于同一個材料，在光照下光生電子和空穴都流向同一個單層材料，對光生載流子的分離不會起到改善作用；Ⅱ型異質(zhì)結(jié)的導(dǎo)帶底和價帶頂來源于不同材料，也就是說將形成交錯的能帶結(jié)構(gòu)，可以有效分離光生載流子，使得氧化和還原反應(yīng)

層g-ZnO進(jìn)行異質(zhì)結(jié)搭建，可以很好地改善其光催化性能，如：g-ZnO/MoS2異質(zhì)結(jié)[14]、g-ZnO/ZnS/CdS異質(zhì)結(jié)[15]、g-ZnO/g-C3N4異質(zhì)結(jié)[16]。單層g-ZnO基異質(zhì)結(jié)在不同程度上抑制了光生電子空穴對的復(fù)合，有效調(diào)節(jié)單層g-ZnO對可見光的響應(yīng)能力，提高了單層g-ZnO的光催化活性。近年來，研究人員發(fā)現(xiàn)二維材料的電子結(jié)構(gòu)對外部調(diào)控十分敏感，比如應(yīng)變會使半導(dǎo)體的幾何結(jié)構(gòu)產(chǎn)生變化，進(jìn)而影響其電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。因此，應(yīng)變成為調(diào)控

摻雜[8]和堆疊異質(zhì)結(jié)[9]可調(diào)控單層SnS2的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)，使其應(yīng)用更加廣泛。異質(zhì)結(jié)能夠集不同材料優(yōu)異性能于一體，具有獨(dú)特的物理性質(zhì)和優(yōu)異的性能[10]，可廣泛用于超薄光電探測器[11]、太陽能電池[12]、存儲器件[13]、柔性傳感器[14]和光催化器件[15]等領(lǐng)域。構(gòu)成異質(zhì)結(jié)的二維半導(dǎo)體材料的帶隙不同，異質(zhì)結(jié)界面處導(dǎo)帶底和價帶頂會出現(xiàn)不連續(xù)臺階，形成type-Ⅰ、type-Ⅱ、type-Ⅲ能帶排列[16]。其中，Ⅱ型異質(zhì)結(jié)中的光生電子-空穴對

/g-C3N4 異質(zhì)結(jié)的穩(wěn)定性、電子結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)及功函數(shù),同時考慮了電場效應(yīng).結(jié)果表明:GaN/g-C3N4 范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)的晶格失配率(0.9%)和晶格失配能極低(–1.230 meV/?2,1 ?=0.1 nm),說明該異質(zhì)結(jié)穩(wěn)定性很好,且該異質(zhì)結(jié)在很大程度上保留了GaN 和g-C3N4 的基本電子性質(zhì),可作為直接帶隙半導(dǎo)體材料.同時,GaN/g-C3N4 異質(zhì)結(jié)在界面處形成了從GaN 指向g-C3N4 的內(nèi)建電場,使得光生電子-空穴對可以有效分離

體催化劑結(jié)合形成異質(zhì)結(jié)能提高光催化性能。不同的半導(dǎo)體催化劑，具有不同的能帶結(jié)構(gòu)，通過形成異質(zhì)結(jié)后，可調(diào)整光催化劑帶隙寬度，改變氧化還原能力，促使光生成電荷的分離和轉(zhuǎn)移等[5]。異質(zhì)結(jié)可分為Ⅰ型異質(zhì)結(jié)、Ⅱ型異質(zhì)結(jié)、Ⅲ型異質(zhì)結(jié)和Z 型異質(zhì)結(jié)。前三種異質(zhì)結(jié)中Ⅱ型異質(zhì)結(jié)在光照條件下，由于其不同的化學(xué)勢，會導(dǎo)致載流子向相反的方向遷移，最為顯著提高空穴-電子對的空間分離。反應(yīng)中電子-空穴對復(fù)合的現(xiàn)象，也可以被有效避免。因此主要探討Ⅱ型異質(zhì)結(jié)和Z 型異質(zhì)結(jié)。但是Ⅱ型異質(zhì)

起形成范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)，不僅可以保留單一材料優(yōu)良性能，而且可以發(fā)揮二者的協(xié)同功能，使其展現(xiàn)出新的功能，因此得到越來越多研究者的廣泛研究[10-15]。例如，異質(zhì)結(jié)界面區(qū)域形成的內(nèi)建電場能更好實(shí)現(xiàn)電子和空穴對的分離進(jìn)而抑制兩者的復(fù)合，使電子或空穴更順利進(jìn)行還原或氧化反應(yīng)[12-14]。此外，二維范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)的電子結(jié)構(gòu)等性能還可以通過界面間距、應(yīng)變、或者外加電場等手段[16-19]來調(diào)節(jié)。Wang等[18]研究了雙軸應(yīng)變對ZnO/GeC異質(zhì)結(jié)的影響，結(jié)果表

面改性[14]及異質(zhì)結(jié)[15]等多種方式進(jìn)行調(diào)控，發(fā)現(xiàn)異質(zhì)結(jié)的層間范德瓦耳斯作用能夠最大程度地保留材料自身的優(yōu)異性能，并且由于層間耦合作用可能還會出現(xiàn)更加優(yōu)異的物理性質(zhì)[16-17]。如：Xu等[18]通過溶劑剝離法獲得g-C3N4納米片，顯示出了適度的光催化活性，后采用靜電自組裝法合成Fe2O3/g-C3N4異質(zhì)結(jié)，發(fā)現(xiàn)構(gòu)建異質(zhì)結(jié)能夠極大地提高體系的光催化活性。Zhang等[19]采用水熱法制備了In2S3/g-C3N4復(fù)合材料。通過對光電流響應(yīng)的分析，

MoO3等)制備異質(zhì)結(jié)得到廣泛的關(guān)注和研究[7-13]。Li Zhang等[14]制備的ZnO/ZnCr2O4@TiO2-NTA異質(zhì)結(jié)具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率和光電流密度(0.48 mA/cm2)；Lingxia Zheng等[15]制備的Se/TiO2-NTs異質(zhì)結(jié)具有高的響應(yīng)度(100 mA/W)和較短的上升/下降時間(1.4/7.8 ms)。氧化鋅(ZnO)具有和TiO2相似的帶隙寬度(3.37 eV)，是一種直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料，激子束縛能為60

Mg2Si/Si異質(zhì)結(jié)的能帶圖[2]。2013年Konstantin N.Galkin與Nikolay G.Galkin等人通過MBE的方法獲得了Si/2D Mg2Si/Si(111)雙異質(zhì)的肖特基結(jié)構(gòu)[3]。2016年廖楊芳等采用磁控濺射技術(shù)制備出玻璃襯底Mg2Si/Si異質(zhì)結(jié),結(jié)果表明:玻璃基板上的Mg2Si薄膜的PL強(qiáng)度遠(yuǎn)大于Si(111)基片上的Mg2Si膜[4]。本文采用Atlas模塊構(gòu)建了p-Mg2Si/n-Si異質(zhì)結(jié)光電探測器模型,研究了不同

合物(TMDs)異質(zhì)結(jié)由于其獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性，在光電探測器、晶體管、傳感器、發(fā)光二極管等光電子器件中具有廣闊的應(yīng)用前景[1-8]。機(jī)械剝離法已廣泛應(yīng)用于二維TMDs異質(zhì)結(jié)的制備，但是低生產(chǎn)率、繁瑣的制備步驟以及不可避免的界面污染制約了其進(jìn)一步的發(fā)展，探索新的制備方法已刻不容緩?；瘜W(xué)氣相沉積法(CVD)是一種簡易高效的方法，能夠制備更小晶格應(yīng)變和更低摻雜水平的二維異質(zhì)結(jié)[8-13]。CVD法制備異質(zhì)結(jié)分為一步法與兩步法。Tian等[2]采用兩步CVD法合

疊構(gòu)成范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)的研究工作獲得了大量成果[5-10].科學(xué)家們已成功制備了二維單層TMDs 如MoTe2和MoSe2等[11，12]， 為進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)研究奠定了基礎(chǔ).具有代表性的TMDs 材料MoTe2， 通常有三種晶體結(jié)構(gòu)[13，14]， 即2H-MoTe2， 1T′-MoTe2， Td-MoTe2.其中， 2H-MoTe2具有半導(dǎo)體屬性， 屬六方晶系， 空間群為P63/mmc.體材料MoTe2為間接帶隙半導(dǎo)體(約0.93 eV)， 載流子遷移率可高

410083)異質(zhì)結(jié)工程是一種提高半導(dǎo)體材料光電性能的有效方法.本文構(gòu)建了全無機(jī)鈣鈦礦CsPbX3 (X=Cl, Br,I)和二維五環(huán)石墨烯penta-graphene (PG)的新型范德瓦耳斯(vdW)異質(zhì)結(jié), 利用第一性原理研究了CsPbX3-PG異質(zhì)結(jié)不同界面接觸的穩(wěn)定性, 進(jìn)而計(jì)算了穩(wěn)定性較好的Pb-X 接觸界面異質(zhì)結(jié)的電子結(jié)構(gòu)和光電性能.研究結(jié)果表明, CsPbX3-PG (X=Cl, Br, I)異質(zhì)結(jié)具有II 型能帶排列特征, 能級差距由C

e/g-C3N4異質(zhì)結(jié)的制備取一定量的TU 和CuCl2·2H2O 分別溶于水，分散混合，將適量的g-C3N4加入到混合液中形成懸浮液，室溫放置8 h，向上述懸浮液中加入一定量Na2S·9H2O 溶液，繼續(xù)放置8 h。然后離心過濾，經(jīng)水洗醇洗數(shù)次，在60 ℃干燥6 h，得到CuS nanotube/g-C3N4異質(zhì)結(jié)。1.3 光催化降解實(shí)驗(yàn)將適量CuS nanotube/g-C3N4加入到50 mL RhB（10 mg/L）溶液中。超聲分散2 min 后，

者開始創(chuàng)建半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)，這不僅保留了原始單層材料的特性，而且還提供了其他迷人的性能[67]。此外，許多2D晶體材料已經(jīng)通過實(shí)驗(yàn)合成了，而且可以通過vdW代替共價相互作用來構(gòu)建各種異質(zhì)結(jié)。例如，MoS2/石墨烯/ WSe2vdW異質(zhì)結(jié)可用于光檢測，如圖2(a)所示。MoS2/石墨烯/ WSe2vdW異質(zhì)結(jié)的光學(xué)圖像見圖 2(b)上圖，示意性側(cè)視圖見圖 2(b)下圖。圖2(c)顯示了用于光檢測異質(zhì)結(jié)的光學(xué)顯微鏡圖像，其中黃色、灰色和綠色線分別顯示了MoS2、石

密封結(jié)構(gòu)的不足。異質(zhì)復(fù)合材料具有優(yōu)越的物理化學(xué)性能和力學(xué)性能，被廣泛應(yīng)用與各行各業(yè)中[9]。異質(zhì)復(fù)合材料在載荷作用下，由于基體與異質(zhì)體變形的差異，載荷作用表面在異質(zhì)體所在位置會出現(xiàn)差異，CHEN等[10]對異質(zhì)顆粒復(fù)合材料表面點(diǎn)接觸彈流潤滑進(jìn)行了研究發(fā)現(xiàn)，在重載接觸狀態(tài)下，異質(zhì)復(fù)合材料表面在異質(zhì)顆粒處會形成凸起狀結(jié)構(gòu)(硬質(zhì)顆粒)或凹坑狀結(jié)構(gòu)(軟質(zhì)顆粒)。ZHOU等[11]對異質(zhì)顆粒復(fù)合材料在接觸狀態(tài)下的彈性場進(jìn)行了數(shù)值研究，表面位移會因?yàn)?span id="j5i0abt0b" class="hl">異質(zhì)顆粒的存在而表

第二期100MW異質(zhì)結(jié)建設(shè)項(xiàng)目第一片異質(zhì)結(jié)（HJT）M6（尺寸：166.00mm）電池片順利下線。本次投產(chǎn)的HJT M6電池技術(shù)，是對異質(zhì)結(jié)量產(chǎn)技術(shù)的一次全方位升級，也是晉能科技作為異質(zhì)結(jié)技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)針對異質(zhì)結(jié)量產(chǎn)技術(shù)的又一次重要探索，通過對非晶硅沉積、TCO沉積、金屬化等技術(shù)進(jìn)行突破性重塑設(shè)計(jì)，針對性地解決了異質(zhì)結(jié)產(chǎn)業(yè)化的痛點(diǎn)問題。此次下線的異質(zhì)結(jié)產(chǎn)品率先采用M6尺寸硅片，并疊加了多項(xiàng)自主研發(fā)技術(shù)，將充分發(fā)揮異質(zhì)結(jié)電池的競爭優(yōu)勢，預(yù)計(jì)2020年底平均效率

U-g-C3N4異質(zhì)結(jié)。通過X 射線衍射（X-ray diffraction，XRD）、透射電子顯微鏡（transmission electron microscope，TEM）和高分辨透射電子顯微鏡（high resolution transmission electron microscope，HRTEM）研究了β-FeOOH/U-g-C3N4異質(zhì)結(jié)的微觀結(jié)構(gòu)和形態(tài)?；诠怆娦阅艿臏y試結(jié)果，表明β-FeOOH/U-g-C3N4異質(zhì)結(jié)具有較高的光電催化活

.SiC/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以同時發(fā)揮SiC的導(dǎo)熱好、空穴與電子電離率差異大以及GaN的電子遷移率高、In(Al)xGa1-xN的能帶可調(diào)等優(yōu)勢，在功率電子、紫外探測等領(lǐng)域具有重要的研發(fā)價值[2-3].已經(jīng)開展了SiC/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其器件的理論和實(shí)驗(yàn)研究.因?yàn)?H-SiC與六方相GaN的晶格失配最小，在6H-SiC的面上生長GaN之前，戴憲起等[4]利用超原胞模型第一性原理贗勢方法計(jì)算發(fā)現(xiàn)，界面能最低時的可能異質(zhì)結(jié)構(gòu)為6H-SiC/P-6H-GaN/2H

任玉美，許群鄭州大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，鄭州 4500011 IntroductionUtilization of renewable solar energy in chemical transformations has been regarded as one of the most promising approach to satisfy the rising global energy demand and simultaneously sol

引 言隨著多維異質(zhì)網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)的發(fā)展，采用多維異質(zhì)網(wǎng)絡(luò)傳輸進(jìn)行大規(guī)模數(shù)據(jù)的傳輸，可實(shí)現(xiàn)多維異質(zhì)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)均衡調(diào)度和自適應(yīng)分配，提高冗余數(shù)據(jù)傳輸?shù)谋Ｕ嫘院蛡鬏斝省Ｑ芯慷嗑S異質(zhì)網(wǎng)絡(luò)的冗余數(shù)據(jù)傳輸控制模型，結(jié)合信道均衡控制方法，提高多維異質(zhì)網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)信息傳輸質(zhì)量，受到人們的極大重視。對多維異質(zhì)網(wǎng)絡(luò)的冗余數(shù)據(jù)傳輸是建立在信道的自適應(yīng)轉(zhuǎn)發(fā)和鏈路均衡控制基礎(chǔ)上，結(jié)合多維異質(zhì)網(wǎng)絡(luò)的信道調(diào)度實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)均衡配置，提高冗余數(shù)據(jù)的輸出質(zhì)量[1]。傳統(tǒng)方法，如基于最小均方誤差(L

信和計(jì)算能力,而異質(zhì)傳感網(wǎng)中傳感器節(jié)點(diǎn)的計(jì)算資源可以不盡相同,因此,異質(zhì)傳感網(wǎng)是傳感器節(jié)點(diǎn)組網(wǎng)的主要方式。相比較而言,異質(zhì)傳感網(wǎng)在網(wǎng)絡(luò)生存期、網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性和網(wǎng)絡(luò)可靠度方面具有更好的性能,已廣泛用于智慧城市、智慧醫(yī)療、智慧農(nóng)業(yè)、智慧工廠等領(lǐng)域。然而,由于傳感器節(jié)點(diǎn)計(jì)算資源有限,不可能配置高強(qiáng)度的安全防御措施,使得惡意程序在異質(zhì)傳感網(wǎng)中容易傳播,這已成為異質(zhì)傳感網(wǎng)中的主要安全問題之一[1-9]。惡意程序一旦在異質(zhì)傳感網(wǎng)中廣泛傳播,它們將竊聽傳感器節(jié)點(diǎn)感知的數(shù)據(jù),

2WO6，并通過異質(zhì)外延生長法在Bi2WO6薄片上生長 ZnO 納米線微米盤，得到ZnO/Bi2WO6異質(zhì)結(jié)。對樣品進(jìn)行的主要表征有掃描電子顯微鏡形貌觀察、X射線粉末衍射、能譜分析、電化學(xué)阻抗譜等。結(jié)果表明，ZnO/Bi2WO6異質(zhì)結(jié)由直徑約1 μm、厚度為40～60 nm的Bi2WO6微米盤負(fù)載ZnO納米線構(gòu)成。在可見光下，ZnO/Bi2WO6異質(zhì)結(jié)的光催化制氫性能明顯優(yōu)于純ZnO及純Bi2WO6，ZnO/Bi2WO6異質(zhì)結(jié)的穩(wěn)定性也較高。試驗(yàn)對比了純B

電性能通常會采用異質(zhì)結(jié)形式。因?yàn)楣庹赵?span id="j5i0abt0b" class="hl">異質(zhì)結(jié)上會產(chǎn)生光生電荷，測試該電荷變化可以反映出半導(dǎo)體材料本身的光電性能本質(zhì)。目前，為了揭示NiO的光電特性，相關(guān)文獻(xiàn)主要報道的是ZnO/NiO異質(zhì)結(jié)[8-21]。本文中構(gòu)成異質(zhì)結(jié)的n型半導(dǎo)體采用的是Si，即將NiO直接沉積在n型Si襯底上。經(jīng)過前期研究，我們發(fā)現(xiàn)退火溫度對Si/NiO的光電特性有很大影響[22]。在高溫退火下缺陷減少的Si/NiO異質(zhì)結(jié)呈現(xiàn)優(yōu)異的光電學(xué)特性，但是高溫不利于將它與其他器件集成。接下來，人

ZnO/p-Si異質(zhì)結(jié)酒精敏感性能的影響周小巖，韓治德，李傳勇，劉曉龍（中國石油大學(xué)理學(xué)院，山東青島 266580）采用射頻磁控濺射的方法在不同電阻率的p型硅襯底上沉積氧化鋅薄膜，制備了ZnO/p－Si異質(zhì)結(jié)。通過X射線衍射（XRD）和掃描電鏡（SEM）分析ZnO薄膜的物相結(jié)構(gòu)和表面形貌。研究室溫下不同電阻率的硅襯底對ZnO/ p－Si異質(zhì)結(jié)電流－電壓特性和酒精敏感特性的影響。結(jié)果表明:ZnO薄膜結(jié)晶情況良好，具有高度的c軸擇優(yōu)取向，表面顆粒分布均勻;Zn

A.Alexeev,D.Baranov,S.Petrov,I.Sedova,S.Sorokin(1.SemiTEq JSC；2.Ioffe Physical Technical Institute of RAS)1 Materials and MethodsThe appearance of the commercial compact semiconductor lasers emitting in the green spectrum range (5