商世廣,王 睿,劉有耀,張文倩,高 浪
(西安郵電大學(xué) 電子工程學(xué)院,西安 710121)
二氧化鈦(TiO2)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為3.0~3.2 eV[1]。其中一維結(jié)構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列(TiO2-NTAs)具有大的比表面積、高的陷光效應(yīng)和好的定向電子傳導(dǎo)能力,能有效提高紫外光的吸收率、增加光生載流子的產(chǎn)生率和降低光生載流子的復(fù)合幾率,是制備紫外光電探測(cè)器的理想材料[2-6]。近年來,為有效提升TiO2-NTAs的紫外探測(cè)性能,將其結(jié)合其它半導(dǎo)體材料(例如ZnO、SnO2和MoO3等)制備異質(zhì)結(jié)得到廣泛的關(guān)注和研究[7-13]。Li Zhang等[14]制備的ZnO/ZnCr2O4@TiO2-NTA異質(zhì)結(jié)具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率和光電流密度(0.48 mA/cm2);Lingxia Zheng等[15]制備的Se/TiO2-NTs異質(zhì)結(jié)具有高的響應(yīng)度(100 mA/W)和較短的上升/下降時(shí)間(1.4/7.8 ms)。氧化鋅(ZnO)具有和TiO2相似的帶隙寬度(3.37 eV),是一種直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料,激子束縛能為60 meV,具有優(yōu)異的光電性能[16-17]。目前,關(guān)于TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)紫外探測(cè)性能研究的報(bào)道還較少。本文通過電子束蒸發(fā)技術(shù)、陽極氧化法和磁控濺射技術(shù)在氧化銦錫(Indium Tin Oxides, ITO)玻璃襯底上制備了TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié),其制備工藝簡(jiǎn)單、無毒害且成本低廉,具有優(yōu)異的紫外探測(cè)性能。
首先,利用電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)(ZZS700型)在ITO玻璃上沉積厚度為1 μm的鈦膜。其中,襯底溫度為350 ℃、電子槍電壓為8 kV、蒸鍍速率為3 ?/s。其次,利用陽極氧化法制備TiO2-NTAs,將沉積鈦膜的ITO玻璃作為陽極、石墨作為陰極,氟化銨和乙二醇的混合溶液作為前驅(qū)液,在20 V直流電壓下反應(yīng)20 min后,用去離子水沖洗、置于馬弗爐中450 ℃退火2 h。最后,使用磁控濺射系統(tǒng)(JGP-560型)在TiO2-NTAs上射頻沉積ZnO薄膜(工作氣壓為1 Pa、濺射功率為120 W),置于馬弗爐中450 ℃退火2 h,得到TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)。
ZeissEVO10型掃描電子顯微鏡用于測(cè)試分析異質(zhì)結(jié)的表面形貌;FlexSEM1000型X射線能譜儀用于分析異質(zhì)結(jié)的能譜;7000SAS型X射線衍射儀用于分析異質(zhì)結(jié)的晶體結(jié)構(gòu);FI532W型拉曼光譜儀用于分析異質(zhì)結(jié)的分子結(jié)構(gòu);UV-2300Ⅱ型紫外-可見分光光度計(jì)用于分析異質(zhì)結(jié)的透過率;CHI1000C型多通道電化學(xué)工作站和B2902A型精密測(cè)量單元用于測(cè)試異質(zhì)結(jié)的紫外光電探測(cè)特性曲線。
圖1為TiO2-NTAs的SEM圖片及TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的SEM、EDS Mapping圖片。圖1(a)為TiO2-NTAs表面形貌的SEM圖片,可以看出,二氧化鈦納米管陣列的表面結(jié)構(gòu)清晰、高度有序、分布均勻,外徑和內(nèi)徑平均為87.39 nm和61.25 nm。圖1(b)為TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的表面形貌,可以看出,ZnO呈顆粒狀附著在二氧化鈦納米管的表面。圖1(c)為TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的EDS能譜圖片,可以看出,在TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)中存在Ti、O和Zn 3種元素,原子百分比分別為62.47%、34.02%和3.51%。圖1(d~f)為TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的EDS Mapping圖片,可以看出,Ti、O和Zn 3種元素呈均勻分布。
圖1 (a~b)TiO2-NTAs和TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的SEM圖片(c-f)TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的EDS Mapping圖片F(xiàn)ig 1 SEM images of TiO2-NTAs and TiO2-NTAs/ZnO heterojunction and EDS mapping image of TiO2-NTAs/ZnO heterojunction
圖2為TiO2-NTAs及TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的XRD圖譜和Raman光譜。從圖2(a)中可以看出,TiO2-NTAs在2θ為25.26°、37.83°、48.03°、54.00°和55.08°處出現(xiàn)衍射峰,分別對(duì)應(yīng)于銳鈦礦型TiO2的(101)、(004)、(200)、(105)和(211)晶面,與TiO2標(biāo)準(zhǔn)譜圖(JCPDS No.01-084-1286)一致。其中,(101)晶面的衍射峰強(qiáng)度較高且半高寬較窄,說明TiO2-NTAs沿(101)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng)。TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)除具有TiO2-NTAs對(duì)應(yīng)的衍射峰外,在2θ為31.8°、34.4°和62.8°處出現(xiàn)六方纖鋅礦型ZnO(100)、(002)和(103)晶面的衍射峰,與ZnO標(biāo)準(zhǔn)譜圖(JCPDS No.79-0206)一致。圖2(b)為TiO2-NTAs和TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的Raman光譜(激發(fā)波長(zhǎng)為532 nm,積分時(shí)間為10 s),可以看出,二者均在波數(shù)為395 cm-1、514 cm-1和631 cm-1處出現(xiàn)拉曼頻移峰,分別對(duì)應(yīng)于銳鈦礦型TiO2的B1g、A1g/B1g和Eg振動(dòng)模式;另外,TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)在波數(shù)為438 cm-1出現(xiàn)六方纖鋅礦型ZnO的E2(H)聲子模式。以上兩種分析均表明了TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的形成。
圖2 TiO2-NTAs和TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的XRD圖譜和Raman光譜Fig 2 XRD and Raman spectra of TiO2-NTAs and TiO2-NTAs/ZnO heterojunction
圖3為TiO2-NTAs及TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的透過率曲線。從圖3可以看出,TiO2-NTAs及TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的截止波長(zhǎng)分別位于320 nm和340 nm處,說明TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)對(duì)紫外光具有更好的吸收特性;在波長(zhǎng)為200~378 nm范圍內(nèi)的紫外光區(qū),TiO2-NTAs及TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的平均透過率分別為2.1%和0.8%;在波長(zhǎng)為378~800 nm范圍內(nèi)的可見光區(qū),TiO2-NTAs及TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的的平均透過率分別為30.6%和21.9%;說明相比于TiO2-NTAs,TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)可有效增強(qiáng)TiO2-NTAs在紫外-可見光區(qū)的吸收效率。
圖3 TiO2-NTAs和TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的透過率曲線Fig 3 Transmittance curves of TiO2-NTAs and TiO2-NTAs/ZnO heterojunction
圖4為TiO2-NTAs和TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的光電特性曲線。圖4(a)為在暗場(chǎng)和紫外光(波長(zhǎng)375 nm的紫外光,功率密度為5 mW/cm2)照射下測(cè)試的I-V特性曲線。從圖4(a)中可以看出,TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)具有較高的光電流,在反向偏置電壓為2 V時(shí),TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的光電流和暗電流分別為461.09 μA和45.12 μA,光暗電流比為10.24,約是TiO2-NTAs光暗電流比(1.46)的七倍。圖4(b)為TiO2-NTAs和TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的響應(yīng)恢復(fù)曲線。從圖4(b)可以看出,TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)和TiO2-NTAs均具有穩(wěn)定可重復(fù)的光電流響應(yīng)特性,TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的響應(yīng)恢復(fù)速度較快;二者的響應(yīng)時(shí)間分別為0.8和3.6 s、恢復(fù)時(shí)間分別為0.6和2.4 s。該結(jié)果表明TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)較TiO2-NTAs具有較高的紫外探測(cè)性能。主要因?yàn)門iO2-NTAs和ZnO薄膜緊密接觸形成異質(zhì)結(jié)時(shí),由于TiO2-NTAs具有較大的功函數(shù),導(dǎo)致ZnO薄膜中的自由電子轉(zhuǎn)移至TiO2-NTAs上[18],形成由ZnO指向TiO2-NTAs的內(nèi)建電場(chǎng)。在反向偏置電壓下,TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)空間電荷區(qū)的寬度增加,降低了光生載流子的復(fù)合幾率、延長(zhǎng)了載流子的壽命;同時(shí),紫外光照射下異質(zhì)結(jié)的光生電子-空穴對(duì)快速分離,增加了傳輸速度,提高了TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)響應(yīng)/恢復(fù)速度。
圖4 TiO2-NTAs和TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)的光電特性曲線Fig 4 Photoelectric performance curves of TiO2-NTAs and TiO2-NTAs/ZnO heterojunction
通過電子束蒸發(fā)技術(shù)、陽極氧化法和磁控濺射技術(shù)在ITO玻璃襯底上制備了TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié),進(jìn)行表征分析及紫外探測(cè)性能研究。結(jié)果表明,TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)具有較強(qiáng)的紫外探測(cè)能力,為提高紫外探測(cè)器的性能提供了一種有效的方法。主要內(nèi)容包括:
(1)陽極氧化法制備的TiO2-NTAs為排列有序、分布均勻的管狀陣列結(jié)構(gòu),呈銳鈦礦型且沿(101)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng),磁控濺射技術(shù)沉積的ZnO呈顆粒狀附著在TiO2-NTAs表面,呈六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),Ti、O和Zn 3種元素呈均勻分布。
(2)TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)在紫外光區(qū)和可見光區(qū)的平均透過率分別為0.8%和21.9%;相比TiO2-NTAs,TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)對(duì)紫外光具有更好的吸收特性,并有效地增強(qiáng)了TiO2-NTAs在紫外-可見光區(qū)的吸收效率。
(3)在功率密度為5 mW/cm2的紫外光照射下,TiO2-NTAs/ZnO異質(zhì)結(jié)具有較大的光電流(461.09 μA)、較高的光暗電流比(10.24)和較短的響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間(0.8 s和0.6 s),歸因于其具有較高的紫外光吸收率、較強(qiáng)的電子-空穴對(duì)的分離能力和載流子傳輸能力,可有效改善TiO2-NTAs的紫外探測(cè)性能。