晶片
- 碲鋅鎘晶片精密拋光效果的影響因素分析
0176)碲鋅鎘晶片是碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器的襯底材料，通過碲化鎘和碲化鋅多晶體顆粒經(jīng)過高溫熔融生長(zhǎng)單晶體，再經(jīng)過切磨拋等精密加工制作而成，其密度為5.8 g/cm3，莫氏硬度值為2.3左右，具有軟脆的特性[1]。碲和鎘在形成晶體時(shí)，由于鋅的存在，調(diào)整了晶格常數(shù)，增強(qiáng)碲和鎘在形成晶體時(shí)化學(xué)鍵的穩(wěn)定性，從而使得晶體在低位錯(cuò)密度生長(zhǎng)，增加了禁帶寬度，提高電阻率，是寬禁帶三元化合物半導(dǎo)體材料。碲鋅鎘晶片采用化學(xué)機(jī)械拋光的主要目的是為了消除晶體表面的損傷層、微裂紋
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年5期2022-12-30
- 線切藍(lán)寶石晶片面形質(zhì)量評(píng)價(jià)方法的試驗(yàn)研究
術(shù)將其由晶棒變?yōu)?span id="j5i0abt0b" class="hl">晶片，隨后通過研磨加工去除線切劃痕，因此切割后的晶片質(zhì)量對(duì)后續(xù)的研磨及拋光工藝有很大的影響。國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)線切后晶片的表面質(zhì)量進(jìn)行了大量研究。文獻(xiàn)[3-5]對(duì)多線切割加工運(yùn)動(dòng)方式進(jìn)行理論分析，通過調(diào)整加工工藝參數(shù)提高線切晶片的表面質(zhì)量。文獻(xiàn)[6]通過仿真研究多線鋸切過程中的切削溫度對(duì)切割后晶片表面翹曲度的影響規(guī)律。文獻(xiàn)[7-8]對(duì)線網(wǎng)不同位置處的晶片表面質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)，分析了線鋸磨損對(duì)晶片表面質(zhì)量的影響規(guī)律。文獻(xiàn)[9]研究了工藝參數(shù)對(duì)單晶硅表面
中國(guó)機(jī)械工程 2022年17期2022-09-20
- 拋光工藝對(duì)晶片表面粗糙度的影響
能電池等。CZT晶片的表面狀態(tài)對(duì)其作為器件和外延襯底應(yīng)用有著重要的影響。CZT晶錠切割后的晶片表面存在損傷層，表面損傷層內(nèi)晶格的周期性被嚴(yán)重破壞，形成空間電荷區(qū)，造成表面漏電流，從而影響了CZT電極接觸和器件性能。由于襯底表面的損傷層、雜質(zhì)以及微缺陷將導(dǎo)致外延生長(zhǎng)薄膜的高位錯(cuò)密度、晶格畸變等，完整的超光滑表面對(duì)外延技術(shù)提出了嚴(yán)格的要求。隨著實(shí)際應(yīng)用對(duì)晶片表面質(zhì)量要求的不斷提高，需要研制專用的晶片表面拋光設(shè)備和選擇相應(yīng)的表面拋光技術(shù)。目前，CZT晶片的表面拋
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年3期2022-09-09
- 消除外延襯底中心圈缺陷的晶片清洗工藝研究及應(yīng)用*
材料如砷化鎵、鍺晶片等產(chǎn)品的質(zhì)量，同時(shí)提高產(chǎn)品產(chǎn)量以按時(shí)完成產(chǎn)品交期，全自動(dòng)清洗機(jī)的使用已是大勢(shì)所趨。全自動(dòng)清洗機(jī)的運(yùn)作依靠程序的設(shè)定，對(duì)清洗流程時(shí)間把控準(zhǔn)確，對(duì)清洗工藝進(jìn)行固化，能大幅提高產(chǎn)量的同時(shí)還能保證產(chǎn)品質(zhì)量。在清洗工序中，每個(gè)小過程的時(shí)間設(shè)定、流速等是影響晶片清洗效果的主要因素。目前全自動(dòng)清洗機(jī)清洗出的晶片，長(zhǎng)外延后容易出現(xiàn)中心圈缺陷，全自動(dòng)清洗機(jī)面臨著需要研究出一套與其匹配的清洗工藝，以滿足晶片外延質(zhì)量要求。本研究對(duì)比傳統(tǒng)人工清洗與現(xiàn)有自動(dòng)清洗
云南冶金 2022年4期2022-08-31
- 碲鋅鎘晶片表面精密拋光系統(tǒng)研究
拋光技術(shù)是碲鋅鎘晶片表面平坦化的關(guān)鍵工藝技術(shù)。碲鋅鎘（Cadmium zinc telluride，縮寫為CZT）是一種性能優(yōu)異的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料，是碲鎘汞材料外延生長(zhǎng)的優(yōu)良襯底，需要具有完整的超光滑表面。隨著實(shí)際應(yīng)用對(duì)晶片表面質(zhì)量要求的不斷提高，需要研制專用的表面精密磨拋設(shè)備，選擇相應(yīng)的表面磨拋技術(shù)。目前，CZT 晶片拋光方法主要有機(jī)械雙面拋光、表面精密拋光和化學(xué)拋光[1]。機(jī)械雙面拋光是晶片上下兩面在液體磨料、拋光墊及加壓作用下，采用兩面磨拋裝
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年1期2022-07-13
- 基于機(jī)器視覺的晶片中心位置精密測(cè)量
方向發(fā)展[1].晶片作為當(dāng)今電子設(shè)備不可缺少的關(guān)鍵器件,市場(chǎng)需求量日益增加,為了實(shí)現(xiàn)高效率的檢測(cè)可以采用流水線自動(dòng)化檢測(cè)的方式,為了讓機(jī)械手準(zhǔn)確的抓住晶片,需要對(duì)生產(chǎn)線上的晶片進(jìn)行精確定位.吳曉[2]提出一種LED 芯片橢圓定位方法,該方法通過徑向幅射線的梯度變化閾值求出特征點(diǎn),根據(jù)特征點(diǎn)擬合出橢圓,求出LED 芯片的定位中心和旋轉(zhuǎn)角,但有時(shí)橢圓定位會(huì)比較困難,因?yàn)槲矬w在視覺系統(tǒng)中的顯示方式會(huì)受到多種變量的影響.蔡競(jìng)[3]提出的基于矩形擬合的貼片定位算法,
- 5英寸銻化銦晶片加工及表征
測(cè)器件對(duì)InSb晶片總厚度變化(total thickness variation， TTV)、翹曲度(Warp)、表面粗糙度、拋光表面質(zhì)量等指標(biāo)要求較高。隨著探測(cè)器芯片尺寸的增加，TTV、Warp會(huì)直接影響光刻、倒裝焊、臺(tái)面腐蝕這幾個(gè)探測(cè)器制備極其重要工藝的質(zhì)量，從而影響探測(cè)器的性能[19]。表面粗糙度過高會(huì)導(dǎo)致器件漏電流增加[20-22]。拋光片表面的宏觀缺陷會(huì)直接影響InSb光電器件的性能和成品率[19-20]。所以在需要大尺寸的InSb晶片材料的同
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年12期2022-02-01
- 一種部分流水的多塔三維SoC測(cè)試時(shí)間優(yōu)化算法*
看，基于TSV的晶片堆疊將占主要地位，而測(cè)試工作將面臨的挑戰(zhàn)之一為，需要一種新的可測(cè)性設(shè)計(jì)方法來緩解增加的測(cè)試儀測(cè)試時(shí)間和測(cè)試資源問題[1]。與傳統(tǒng)二維芯片不同，三維SoC測(cè)試分綁定前、綁定中、綁定后和封裝[2]。綁定中測(cè)試指每新堆疊一層晶片就要對(duì)這個(gè)部分堆疊整體測(cè)試一次。它能更早地檢測(cè)出三維SoC綁定中引入的缺陷，但會(huì)導(dǎo)致測(cè)試時(shí)間劇增[3]，熱量分布不均[4]，測(cè)試成本高[5]等問題。若綁定中某一晶片或TSV出現(xiàn)缺陷，將導(dǎo)致所有晶片或TSV失效，則成品率
計(jì)算機(jī)工程與科學(xué) 2021年11期2021-11-22
- 邊緣梯度算法在LED 晶片定位的應(yīng)用研究*
580)LED 晶片分揀機(jī)是將LED 晶片按等級(jí)從晶片盤分揀至料片(成品)盤的設(shè)備,而對(duì)晶片盤中晶片的識(shí)別和定位是分揀過程中最為關(guān)鍵的步驟之一[1]。在對(duì)晶片盤中的晶片定位時(shí),晶片會(huì)出現(xiàn)微小角度歪斜,識(shí)別出歪斜晶片的角度可以減少漏檢率,也可以使LED 分揀機(jī)的分揀過程更加流暢。傳統(tǒng)LED 分揀機(jī)大多采用基于Hu 矩的形狀匹配或者基于灰度的模板匹配對(duì)LED 晶片進(jìn)行定位?；诨叶鹊哪０迤ヅ浞椒m然可以完成LED 晶片的定位,但該方法計(jì)算量大,耗時(shí)較長(zhǎng)。而Hu
電子器件 2021年4期2021-10-26
- 碲鋅鎘晶片雙面磨拋加工表面損傷層研究
電池等。CZT 晶片的表面狀態(tài)對(duì)其作為器件和外延襯底應(yīng)用有著重要的影響。CZT 晶錠切割后的晶片表面存在損傷層，表面損傷層內(nèi)晶格的周期性被嚴(yán)重破壞，形成空間電荷區(qū)，造成表面漏電流，從而影響了CZT 電極接觸和器件性能。外延襯底需要具有完整的超光滑表面，襯底表面的損傷層、雜質(zhì)以及微缺陷將導(dǎo)致外延生長(zhǎng)薄膜的高位錯(cuò)密度、晶格畸變等。隨著實(shí)際應(yīng)用對(duì)晶片表面質(zhì)量要求的不斷提高，需要研制專用的晶片雙面磨拋設(shè)備和選擇相應(yīng)的雙面磨拋技術(shù)。目前，CZT 晶片的雙面磨拋方法主
電子工業(yè)專用設(shè)備 2021年1期2021-03-10
- 業(yè)界要聞
HINA 上展示晶片到晶圓混合鍵合技術(shù)，用于加快異構(gòu)集成的發(fā)展異構(gòu)集成是指對(duì)具有不同特征尺寸和材質(zhì)的多種組件或晶片進(jìn)行制造、組裝和封裝，使其集成于單個(gè)器件或封裝之中。這種技術(shù)對(duì)于提高新一代半導(dǎo)體器件的性能具有重要意義。晶片到晶圓（D2W）混合鍵合是實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成的重要過程，半導(dǎo)體行業(yè)投入大量精力開發(fā)D2W 鍵合技術(shù)，目前已經(jīng)可以將該技術(shù)部署于制造應(yīng)用。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)也為發(fā)展異構(gòu)集成技術(shù)投入了大量戰(zhàn)略投資，因此D2W 鍵合技術(shù)的發(fā)展對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)尤為重要。
電子工業(yè)專用設(shè)備 2021年1期2021-03-10
- 軸向預(yù)壓縮雙晶片動(dòng)力學(xué)模型與特性分析*
6)引 言壓電雙晶片具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、質(zhì)量輕、帶寬高等優(yōu)點(diǎn)，但由于壓電陶瓷本身的激勵(lì)應(yīng)變小[1]，一般只有幾百個(gè)微應(yīng)變，因此壓電雙晶片存在輸出位移小的缺點(diǎn)。傳統(tǒng)上需要設(shè)計(jì)機(jī)械式的位移放大機(jī)構(gòu)放大雙晶片的輸出位移，但這卻在一定程度上降低了雙晶片的輸出力[2-4]。針對(duì)這一問題，Lesieutre等[5]提出了后屈曲預(yù)壓縮(post-buckled pre-compressed，縮寫為PBP)的概念，通過理論分析及實(shí)驗(yàn)得出的結(jié)論表明，對(duì)雙晶片施加軸向預(yù)壓力能夠同時(shí)
振動(dòng)、測(cè)試與診斷 2020年3期2020-08-06
- 碲鋅鎘表面鈍化層深度剖析及鈍化工藝優(yōu)化
用[1-3]。在晶片的制作過程中，切片、劃片等工作會(huì)在晶片表面形成損傷層。機(jī)械拋光和化學(xué)腐蝕用于去除表面損傷層，經(jīng)溴甲醇和溴乙二醇溶液腐蝕后，晶片表面富Te[4]。富Te 層相比于CdZnTe 晶體本身是高電導(dǎo)層，這會(huì)導(dǎo)致晶片的表面漏電流過大，影響器件性能。為減小由機(jī)械拋光和化學(xué)腐蝕造成的表面漏電流，應(yīng)采取適當(dāng)方法對(duì)晶片進(jìn)行鈍化處理。目前的鈍化工藝分為干法鈍化和濕法鈍化，干法鈍化通常要求高溫條件，對(duì)晶體本身影響較大，而濕法鈍化在室溫下進(jìn)行，對(duì)晶體和電極影響
- 相控陣檢測(cè)探頭晶片檢查的幾種方法
個(gè)相互獨(dú)立的壓電晶片來實(shí)現(xiàn)超聲波聲束的偏轉(zhuǎn)和聚焦。未被激活的晶片數(shù)量過多，會(huì)影響聲束聚焦、偏轉(zhuǎn)能力、靈敏度和分辨率，影響檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性，因此相控陣探頭的晶片檢查是相控陣檢測(cè)的必要環(huán)節(jié)。1 相控陣檢測(cè)探頭相控陣探頭由多個(gè)獨(dú)立的小的壓電晶片按照一定形狀和尺寸排列，由這些小的壓電晶片組成組件(即探頭)，輻射的總能量形成超聲波聲束，每個(gè)晶片有單獨(dú)的發(fā)射和接收電路。使用相控陣設(shè)備可以按照一定規(guī)則和時(shí)間順序?qū)μ筋^中的一組或所有晶片分別進(jìn)行激發(fā)，即在不同的時(shí)間內(nèi)相繼激
海洋工程裝備與技術(shù) 2020年6期2020-03-09
- 單晶硅晶片化學(xué)機(jī)械拋光基本特性研究
子遷移率，單晶硅晶片已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于從宏觀到納米級(jí)的器件中，用于照明，光電檢測(cè)，太陽能轉(zhuǎn)換等。例如，具有納米級(jí)光滑、超平坦且無損傷表面的單晶硅晶片適用于金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉淀，以生產(chǎn)高性能柔性太陽能電池和發(fā)光二極管(LED)[1]。在加工過程中，單晶硅晶片首先經(jīng)歷鋸切過程，由于其高硬度和脆性，在晶片表面深處引入缺陷和/或斷裂損傷，隨后，利用研磨和拋光過程去除鋸切引起的損傷并產(chǎn)生一個(gè)名義上的無損傷表面。目前，CMP是被用作生產(chǎn)納米級(jí)光滑表面最有效的方式之一。在
兵器裝備工程學(xué)報(bào) 2019年6期2019-07-05
- 鉭酸鋰黑片的制備與性能研究
礎(chǔ)材料之一。LT晶片具有較高的熱釋電系數(shù)(2.3×10-4C/(m2·K))，在SAW濾波器制作程中會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的熱釋電效應(yīng)[5]，易對(duì)叉指指條造成靜電損傷，而SAW器件頻率越高，指條越細(xì)，越易產(chǎn)生靜電損傷，嚴(yán)重影響高頻器件的開發(fā)。LT晶片經(jīng)過還原處理，能有效降低熱釋電效應(yīng)。還原程度主要取決于還原劑、溫度、時(shí)間等。這種處理會(huì)明顯增加晶體的光學(xué)吸收,使其表面變灰到棕黑甚至不透明,因此也稱為黑片[6]。本文以SAW器件常用的42°Y-LT晶片作為研究對(duì)象，對(duì)不同
壓電與聲光 2019年3期2019-06-25
- 化學(xué)還原壓電晶片測(cè)試淺析
處理之后的碳酸鋰晶片廣泛用于聲表面諧振器、聲光濾波器、光電換能器等傳統(tǒng)或新型電子領(lǐng)域相關(guān)聲/光/電等器件的研發(fā)加工制造，特別是壓電晶體優(yōu)良的機(jī)電耦合性能、鐵電溫度變換系數(shù)等化學(xué)性能而被用于制造高頻/超高頻聲表面波類型的電子器件，并廣泛應(yīng)用在只能手機(jī)、衛(wèi)星遙感，測(cè)繪通訊、航天航空等許多領(lǐng)域。目前在4.5G甚至于5G標(biāo)準(zhǔn)下的高頻SAW器件還暫未發(fā)現(xiàn)其它更具有優(yōu)異性能的壓電的材料用于替代鉭酸鋰晶體[4]。鉭酸鋰晶體作為一種長(zhǎng)期使用的壓電晶體材料，其關(guān)鍵性能指標(biāo)-
山東化工 2019年4期2019-03-28
- 晶片夾持技術(shù)概述
薛榮媛【摘 要】晶片的特點(diǎn)是薄、脆、易被污染。如何恰到好處地對(duì)晶片施加夾持力，又不會(huì)損傷晶片的表層物質(zhì)，是晶片搬運(yùn)機(jī)器人在晶片加工中要解決的首要問題。本文主要對(duì)晶片的夾持技術(shù)進(jìn)行了介紹?！娟P(guān)鍵詞】晶片；夾持；搬運(yùn)一、晶片夾持技術(shù)（一）晶片夾持技術(shù)分解通過對(duì)晶片夾持技術(shù)的專利文獻(xiàn)收集、標(biāo)引和梳理，對(duì)設(shè)計(jì)晶片夾持領(lǐng)域的專利文獻(xiàn)樣本的分析可知，晶片夾持主要有機(jī)械夾持和吸附式夾持兩大類。機(jī)械夾持即通過夾爪夾持住晶片的正反兩面或者從晶片的周邊進(jìn)行夾持，主要通過機(jī)械力
智富時(shí)代 2018年5期2018-07-18
- 碳化硅晶片減薄工藝試驗(yàn)研究
序后加工成碳化硅晶片[1，2]。其中的研磨工序是用高硬度的磨料對(duì)線切割后的碳化硅圓片表面進(jìn)行研磨，從而去除上一道工序在圓片表面留下的切痕和損傷層。為了提高研磨效率，研磨又分成粗研和精研兩道工序。粗研使用粒徑較大的磨粒進(jìn)行研磨，主要是用于去除切片工序給碳化硅圓片表面造成的切痕以及損傷層[3]。精研是用粒徑較小的磨粒進(jìn)行研磨，主要去除粗研留下的損傷層，以及保證研磨后晶片的面型精度，為下一步的拋光做準(zhǔn)備。表1 3代半導(dǎo)體材料物理特性對(duì)比現(xiàn)有粗研效率在3～10 μ
電子工業(yè)專用設(shè)備 2018年1期2018-03-16
- 基于最小二乘法的晶片臺(tái)防撞保護(hù)研究
和有效分離。1 晶片臺(tái)運(yùn)動(dòng)原理晶片承載機(jī)構(gòu)主要由晶片臺(tái)（又叫X-Y承載臺(tái)）和頂針臺(tái)兩個(gè)部件組成，如圖1所示，晶片臺(tái)主要負(fù)責(zé)承載芯片的藍(lán)膜框架，在芯片拾取過程中，在X、Y兩個(gè)相互垂直方向進(jìn)行運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)芯片準(zhǔn)確定位和頂針臺(tái)剝離芯片。頂針臺(tái)負(fù)責(zé)把芯片從藍(lán)膜上頂起，使芯片與藍(lán)膜脫離，與鍵合頭配合以便芯片有效拾取。圖1 晶片承載機(jī)構(gòu)示意圖從圖1中不難看出頂針臺(tái)在工作位時(shí)，晶片臺(tái)X、Y運(yùn)動(dòng)范圍是固定的，如超出范圍就會(huì)與頂針臺(tái)發(fā)生碰撞；而頂針臺(tái)在安全低位時(shí)，晶片臺(tái)在X、
電子工業(yè)專用設(shè)備 2018年1期2018-03-16
- Manz發(fā)布第三代SpeedPicker自動(dòng)化解決方案
池制造過程中的硅晶片，并能在整個(gè)生產(chǎn)過程中，以柔性化的方式處理太陽能電池，提高客戶的生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量。Manz開發(fā)的SpeedPicker SAS系統(tǒng)具有諸多技術(shù)亮點(diǎn)，它能使搬運(yùn)處理系統(tǒng)更加快速、精度更高、對(duì)工件更加柔和與軟性，因此也更加經(jīng)濟(jì)有效。由于Manz在2010年引入了其前導(dǎo)模型并采用Bernoulli吸盤，Bernoulli吸盤已被大眾所熟知?，F(xiàn)在，更將其設(shè)計(jì)改為雙吸。通過Bernoulli效應(yīng)，可以無痕轉(zhuǎn)移傳輸太陽能晶片。通過精準(zhǔn)定向，使空氣
智能制造 2018年6期2018-01-04
- 晶片的初始宏觀形變對(duì)硅-硅直接鍵合的影響
300220)晶片的初始宏觀形變對(duì)硅-硅直接鍵合的影響陳 晨，楊洪星(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，天津 300220)采用建立了硅硅直接鍵合的簡(jiǎn)化模型，依據(jù)薄板理論分析了鍵合發(fā)生的條件以及原始晶片的曲率與鍵合后晶片曲率的關(guān)系；理論分析認(rèn)為晶圓鍵合前有必要根據(jù)彎曲變形量來匹配鍵合晶圓，并通過試驗(yàn)進(jìn)行了驗(yàn)證。鍵合；彎曲變形；翹曲度晶片直接鍵合技術(shù)是指不需要中間粘附層，將表面平整潔凈的晶片對(duì)直接粘合在一起，而且粘合強(qiáng)度與晶片體材料斷裂強(qiáng)度相近。鍵合過程
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年4期2017-09-03
- 碲鋅鎘晶體化學(xué)機(jī)械拋光液的研究
制備適用于CZT晶片的化學(xué)機(jī)械拋光液。采用XPS能譜分析CZT表面元素化學(xué)態(tài)，研究CZT化學(xué)機(jī)械拋光過程中拋光液的化學(xué)作用機(jī)理，使用激光干涉儀、原子力顯微鏡研究拋光液中NaClO含量對(duì)晶片拋光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影響。結(jié)果表明，硅溶膠-次氯酸鈉拋光液通過與CZT晶體中Te單質(zhì)或CdTe發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成TeO2。隨后在一定壓力下，拋光盤與CZT晶片發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，并在硅溶膠磨料顆粒的輔助作用下去除反應(yīng)物。當(dāng)NaClO含量在2%～10%時(shí)，隨
紅外技術(shù) 2017年1期2017-03-26
- 日本研發(fā)出在晶片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)
日本研發(fā)出在晶片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)日本三菱化學(xué)株式會(huì)社及富士電機(jī)控股公司、豐田中央研究所株式會(huì)社、京都大學(xué)、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)成功突破了在氮化鎵（GaN）晶片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。該聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN晶片和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），并面向功率半導(dǎo)體改良了GaN晶片量產(chǎn)技術(shù)——“氨熱法”，優(yōu)化了晶體成長(zhǎng)條件，將晶片平均
軍民兩用技術(shù)與產(chǎn)品 2017年5期2017-01-01
- 單晶硅拋光片表面質(zhì)量探究
響。RCA清洗是晶片清洗最為成熟的工藝，其工藝穩(wěn)定性受到多重因素影響。從DHF溶液使用及PFA花籃質(zhì)量?jī)煞矫娣治隽薘CA清洗過程的兩個(gè)關(guān)鍵因素對(duì)晶片表面質(zhì)量的影響。清洗技術(shù)；花籃；氫氟酸；顆粒度自20世紀(jì)50年代固體元器件誕生以來，LED、集成電路等領(lǐng)域的發(fā)展都離不開Si材料的進(jìn)步。LED集成度越來越高，集成電路線寬也歷經(jīng)更迭，90 nm、65 nm到現(xiàn)今的14 nm。這些都對(duì)硅襯底表面的質(zhì)量提出了越來越嚴(yán)苛的要求，拋光片表面顆粒沾污對(duì)器件制造有著重要影響
電子工業(yè)專用設(shè)備 2016年8期2016-08-24
- 三星與英特爾角逐芯片市場(chǎng) 物聯(lián)網(wǎng)是決勝焦點(diǎn)
焦點(diǎn)PC與伺服器晶片市場(chǎng)龍頭英特爾(Intel)，在2015年宣布發(fā)展記憶體晶片市場(chǎng)后，展現(xiàn)搶奪三星電子(Samsung Electronics)擅長(zhǎng)的晶片市場(chǎng)決心，后者隨即也不甘示弱宣布將發(fā)展伺服器晶片，兩家大廠角力戰(zhàn)正在展開。評(píng)論指出，進(jìn)入行動(dòng)時(shí)代后，雙方?jīng)Q戰(zhàn)焦點(diǎn)將在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場(chǎng)上，不再是從各自擅長(zhǎng)領(lǐng)域決勝負(fù)。據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，英特爾目前供應(yīng)全球99%伺服器及95%筆記型電腦(NB)所需處理器，仍穩(wěn)坐全球晶片第一大廠寶座，但三星
電子世界 2016年6期2016-04-20
- 表面處理對(duì)Au-CdZnTe電極接觸性能的影響
影響。研究發(fā)現(xiàn)對(duì)晶片表面進(jìn)行溴甲醇腐蝕處理和機(jī)械化學(xué)拋光均有助于提升Au-CdZnTe電極歐姆接觸性能。對(duì)晶片進(jìn)行機(jī)械化學(xué)拋光后再進(jìn)行溴甲醇腐蝕處理，使用這種晶片所制備的電極具有更加優(yōu)良的綜合電學(xué)性能。碲鋅鎘；表面處理；機(jī)械化學(xué)拋光；歐姆接觸0 引言碲鋅鎘（CdZnTe）具有較高的原子序數(shù)和禁帶寬度，被認(rèn)為是制作X射線、g射線核輻射探測(cè)器的一種理想的半導(dǎo)體材料[1]。核輻射探測(cè)器的性能不僅與體材料的質(zhì)量有關(guān)，還與晶體表面和接觸類型有關(guān)，科研人員在致力于提高
紅外技術(shù) 2016年7期2016-03-20
- IBM發(fā)明納米碳管晶片 可使晶片速度提高1000倍
BM發(fā)明納米碳管晶片 可使晶片速度提高1000倍2016年11月16日，IBM的研究人員已經(jīng)找到如何使用納米碳管制造微型晶片的方法，這一成果可以讓我們制造更強(qiáng)的晶片，使得曲面電腦、可注射晶片成為可能。這個(gè)位于紐約IBM實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)的發(fā)言人表示：他們?cè)谶@種分子水平制造出的晶片，理論上其速度可以達(dá)到現(xiàn)有產(chǎn)品的6至10倍，最終該納米技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)會(huì)使晶片速度快上1,000倍。這種納米規(guī)格的晶片能夠解決便攜終端計(jì)算量不夠的問題，根據(jù)《自然》雜志上一篇文章，納米碳管晶片
電子世界 2016年22期2016-03-12
- 浮柵氧化層前清洗金屬污染的分析及改善方法
清洗工藝是降低硅晶片表面的金屬污染,改善器件漏電,提高產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵步驟。在實(shí)際應(yīng)用中,隨著對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高,利用傳統(tǒng)方法來優(yōu)化化學(xué)清洗溶液的參數(shù)很難滿足器件對(duì)金屬污染的要求。通過對(duì)超純水沖洗過程中金屬污染產(chǎn)生的機(jī)制理論分析,找出了影響金屬污染的關(guān)鍵因素。實(shí)驗(yàn)中,利用稀釋的HF清洗,改變硅晶片表面的化學(xué)鍵,改善硅晶片表面的金屬污染,以提高少數(shù)載流子壽命。超純水沖洗 金屬污染 少數(shù)載流子壽命 邊界層1 引言閃存存儲(chǔ)器(Flash Memory)是
中國(guó)科技縱橫 2015年10期2015-12-13
- 翻邊壓電晶片激勵(lì)Lamb波聲場(chǎng)研究
003）翻邊壓電晶片激勵(lì)Lamb波聲場(chǎng)研究許燁東魏勤?智達(dá)（江蘇科技大學(xué)數(shù)理學(xué)院鎮(zhèn)江212003）壓電晶片廣泛應(yīng)用于超聲波檢測(cè)領(lǐng)域，是激勵(lì)和接收超聲波的最主要器件之一。本文用實(shí)驗(yàn)、有限元壓電模擬和半解析數(shù)值模擬方法，研究翻邊壓電晶片在板中激勵(lì)Lamb波聲場(chǎng)。三種方法得到的Lamb波信號(hào)吻合性好，僅A0模式由于頻散有少量差異。同時(shí)分析了翻邊電極面積對(duì)聲場(chǎng)分布以及聲場(chǎng)能量的影響。翻邊電極造成了Lamb波聲場(chǎng)不對(duì)稱，減少了聲場(chǎng)的能量，同時(shí)降低了壓電晶片的電容、機(jī)
應(yīng)用聲學(xué) 2015年6期2015-10-29
- SiC晶片倒角技術(shù)研究
加工是SiC 單晶片加工的主要工序。受SiC 材料性質(zhì)的限制(莫氏硬度為9．2，僅次于金剛石)，選用金剛石砂輪進(jìn)行倒角，根據(jù)晶片所需的形狀，可以將SiC 單晶片的倒角方法分為如圖1所示的兩種。因此，如何高精度、高質(zhì)量、低損傷地對(duì)SiC 晶體進(jìn)行倒角，使之減少對(duì)后續(xù)加工的影響。目前國(guó)內(nèi)使用的倒角設(shè)備主要有日本東京精密（TSK）的W-GM 系列倒角機(jī)和日本大圖電子（Daitron）的WBM 系列倒角機(jī)。倒角機(jī)設(shè)備使用的砂輪從制造方法上分主要有兩種類型：一種是電
電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年9期2015-07-04
- 激光加工中硅片晶圓的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)切割研究
像識(shí)別技術(shù)的自動(dòng)晶片切割道校位以及自動(dòng)設(shè)置切割街區(qū)功能的實(shí)現(xiàn)方法，使激光加工這一新型加工技術(shù)更加完善地融入到現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)之中。1 軟件主體控制時(shí)序該型激光加工平臺(tái)是應(yīng)用紅外激光束，經(jīng)激光導(dǎo)光聚焦系統(tǒng)產(chǎn)生聚焦光斑，并通過圖像視覺模塊完成晶片的橫向/ 縱向切割街區(qū)的校位之后，然后控制工作臺(tái)運(yùn)動(dòng)，對(duì)晶片進(jìn)行直線切割。本軟件控制系統(tǒng)主要由機(jī)器視覺模塊、運(yùn)動(dòng)控制模塊和激光器控制模塊組成。機(jī)器視覺模塊用來處理CMOS 攝像頭的工作臺(tái)圖像；運(yùn)動(dòng)控制模塊用來控制工作臺(tái)X、
電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年5期2015-07-04
- 石英晶片外觀缺陷對(duì)頻率的影響
00192）石英晶片外觀缺陷對(duì)頻率的影響宋佩頡，李東，王艷林（北京信息科技大學(xué)，北京100192）研究了石英晶片外觀缺陷對(duì)頻率的影響。石英晶片其自身存在的外觀缺陷包括：崩邊、玷污、缺角等，這些缺陷可能會(huì)影響到成品石英晶體電參數(shù)的性能，例如影響石英晶體的頻率特性、電阻特性、DLD特性等。目前石英晶片在鍍電極前均需要進(jìn)行外觀缺陷檢測(cè)，國(guó)內(nèi)大多采用人工目測(cè)檢測(cè)的方式，光學(xué)方法的石英晶片的缺陷自動(dòng)檢測(cè)技術(shù)還不成熟。無論哪種檢測(cè)方法，都具有比較大的主觀性，目前還沒有
現(xiàn)代電子技術(shù) 2015年9期2015-03-02
- InSb(111)A面腐蝕坑成因分析
中，部分InSb晶片在經(jīng)特定腐蝕液腐蝕后表面會(huì)出現(xiàn)不同的特征腐蝕坑，這些腐蝕坑若位于器件光敏面上，則影響器件的性能，對(duì)器件的穩(wěn)定性也有潛在的影響［4］。本文通過多次腐蝕試驗(yàn)，觀測(cè)了腐蝕坑的演變過程，從腐蝕機(jī)理上推斷這兩類腐蝕坑產(chǎn)生的原因，為工藝中避免類似問題的出現(xiàn)提供參考。2 實(shí)驗(yàn)2．1 腐蝕過程實(shí)驗(yàn)使用的InSb晶片為＜111＞方向n型InSb晶片，晶片表面經(jīng)過研磨、拋光等標(biāo)準(zhǔn)InSb晶片加工工藝，表面質(zhì)量達(dá)到后道器件工藝要求。清洗后的晶片使用腐蝕劑A(
激光與紅外 2014年9期2014-03-20
- 拋光片IPA干燥技術(shù)研究
型，其脫離效果與晶片提拉速率和IPA流量密切相關(guān)。研究中發(fā)現(xiàn)，IPA流量在20 L/min、提拉速率在1 mm/s時(shí)干燥效果最佳；另外，Marangoni干燥過程不能完全去除晶片底部的殘水，需要營(yíng)造合適的蒸發(fā)環(huán)境，減壓排風(fēng)下供給適量的IPA蒸汽有助于底部殘水的去除。晶片與花籃在干燥過程中有相互影響，完全分離的模式可以消除這種影響，但同時(shí)會(huì)使干燥時(shí)間增長(zhǎng)。異丙醇；馬蘭戈尼；底部殘水；水痕干燥步驟作為濕法清洗的最后一個(gè)步驟，最終決定了拋光片的表面狀態(tài)，是清洗工
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年11期2013-09-17
- 激光加工中切割PZT陶瓷的時(shí)序設(shè)計(jì)
與移動(dòng)工作臺(tái)來對(duì)晶片進(jìn)行直線切割。其中，軟件控制系統(tǒng)主要通過圖像視覺模塊完成晶片位置中心和晶片整體偏轉(zhuǎn)角度的提取，并依據(jù)提取到的晶片數(shù)據(jù)，結(jié)合對(duì)晶片切割參數(shù)的設(shè)置，來對(duì)晶片的偏轉(zhuǎn)角度進(jìn)行校正，然后通過設(shè)置切割起點(diǎn)來計(jì)算得到每條切割線的切割數(shù)據(jù)，最后控制工作臺(tái)運(yùn)動(dòng)，對(duì)PZT陶瓷進(jìn)行直線切割。本軟件系統(tǒng)主要由機(jī)器視覺模塊、運(yùn)動(dòng)控制模塊和激光器控制模塊組成。機(jī)器視覺模塊用來處理CMOS攝像頭提取到的工作臺(tái)圖像；運(yùn)動(dòng)控制模塊用來控制工作臺(tái)X、Y軸、旋轉(zhuǎn)向θ向電機(jī)以
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年4期2013-08-09
- 碳化硅襯底精密加工技術(shù)
特點(diǎn)，使得碳化硅晶片的精密加工非常困難，利用常規(guī)晶體材料的加工技術(shù)和工藝，無法獲得高質(zhì)量的碳化硅晶片。1 實(shí)驗(yàn)原理我們根據(jù)碳化硅材料的固有特性，借鑒成熟半導(dǎo)體材料的加工技術(shù)，經(jīng)過大量的工藝試驗(yàn)，突破了碳化硅材料加工的關(guān)鍵工藝。圖1所示為碳化硅材料精密加工技術(shù)主要加工工藝流程圖。圖1 碳化硅襯底精密加工技術(shù)主要工藝流程1.1 多線切割工藝原理多線切割工藝就是將晶錠（見圖2）按照一定的晶向，將晶錠切割成表面平整、厚度均勻一的切割片，以便于后面的研磨加工。其基本
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年5期2013-03-23
- 晶片定位原理與算法
成加工過程，保證晶片的加工精度[1]。自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用較多的工序有倒角、激光打標(biāo)、光刻等。目前晶片定位技術(shù)主要有兩種：電子定位、電子機(jī)械定位。在定位過程中，需要找到晶片的主參考面或者定位槽（對(duì)6英寸以上晶片）。對(duì)于有參考面的晶片，電子機(jī)械定位技術(shù)應(yīng)用較多，機(jī)械定位配合電傳感器，定位精度一般可以達(dá)到100 μm范圍，這樣的精度能夠滿足光刻工藝預(yù)對(duì)準(zhǔn)要求[2]。如果要同時(shí)滿足帶定位槽和帶參考面兩種晶片的定位要求，則往往采用電子定位系統(tǒng)，這是本文討論的重點(diǎn)。1 晶
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年1期2012-08-08
- 激光加工中切割PZT陶瓷的時(shí)序設(shè)計(jì)
與移動(dòng)工作臺(tái)來對(duì)晶片進(jìn)行直線切割。其中，軟件控制系統(tǒng)主要通過圖像視覺模塊完成晶片位置中心和晶片整體偏轉(zhuǎn)角度的提取，并依據(jù)提取到的晶片數(shù)據(jù)，結(jié)合對(duì)晶片切割參數(shù)的設(shè)置，來對(duì)晶片的偏轉(zhuǎn)角度進(jìn)行校正，然后通過設(shè)置切割起點(diǎn)來計(jì)算得到每條切割線的切割數(shù)據(jù)，最后控制工作臺(tái)運(yùn)動(dòng)，對(duì)PZT陶瓷進(jìn)行直線切割。本軟件系統(tǒng)主要由機(jī)器視覺模塊、運(yùn)動(dòng)控制模塊和激光器控制模塊組成。機(jī)器視覺模塊用來處理CMOS攝像頭提取到的工作臺(tái)圖像；運(yùn)動(dòng)控制模塊用來控制工作臺(tái)xy軸、旋轉(zhuǎn)θ向電機(jī)以及z
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年11期2012-08-08
- 無楔塊條件下超聲相控陣的聚焦特性測(cè)試
焦”是指由于各個(gè)晶片距離焦點(diǎn)的聲程不同，通過延時(shí)法則改變晶片的激發(fā)時(shí)間——距離焦點(diǎn)遠(yuǎn)的晶片先發(fā)射信號(hào)，距離焦點(diǎn)近的晶片后發(fā)射信號(hào)——可使各個(gè)晶片發(fā)射的信號(hào)同時(shí)到達(dá)焦點(diǎn)，在一個(gè)小區(qū)域形成一個(gè)高強(qiáng)度聲場(chǎng)。假設(shè)晶片間的距離為p，聚焦深度為F，介質(zhì)中的聲速為c，則各個(gè)晶片的延時(shí)時(shí)間為：式中n為晶片序號(hào)；t0是為了防止出現(xiàn)一個(gè)負(fù)的延時(shí)時(shí)間而設(shè)置的時(shí)間常數(shù)。2 無楔塊條件下相控陣聚焦能力測(cè)試試驗(yàn)使用的儀器是Olympus公司的OmniScan MX 32：128便攜式
無損檢測(cè) 2012年3期2012-07-24
- 加楔塊超聲相控陣的聚焦特性測(cè)試
焦”是指由于各個(gè)晶片距離焦點(diǎn)的聲程不同，通過改變晶片間的延時(shí)時(shí)間，讓距離焦點(diǎn)遠(yuǎn)的晶片先發(fā)射信號(hào)，而距離焦點(diǎn)近的晶片后發(fā)射信號(hào)，從而使各個(gè)晶片發(fā)射的信號(hào)同時(shí)到達(dá)焦點(diǎn)，并在一個(gè)小區(qū)域內(nèi) 形成一個(gè)高強(qiáng)度聲場(chǎng)。假設(shè)晶片間的距離為p，聚焦深度為F，介質(zhì)中的聲速為c，則各個(gè)晶片的延時(shí)時(shí)間為：式中n為晶片序號(hào)；t0是為了防止出現(xiàn)一個(gè)負(fù)的延時(shí)時(shí)間而設(shè)置的時(shí)間常數(shù)。2 安裝楔塊條件下相控陣聚焦能力測(cè)試2.1 測(cè)試裝置試驗(yàn)使用的儀器是OLYMPUS公司的OmniScan MX
無損檢測(cè) 2012年11期2012-07-01
- 激光加工中自動(dòng)旋轉(zhuǎn)校位切割的研究
像識(shí)別技術(shù)的自動(dòng)晶片切割道校位、自動(dòng)晶片輪廓提取以及自動(dòng)設(shè)置切割街區(qū)的功能實(shí)現(xiàn)方法，使激光這一新型加工技術(shù)更加完善地融入到現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)之中。1 軟件主體控制時(shí)序該型激光加工平臺(tái)是應(yīng)用紫外激光束，經(jīng)激光聚焦導(dǎo)光系統(tǒng)產(chǎn)生聚焦光斑，并通過圖像視覺模塊完成Al2O3晶片的橫向/縱向切割街區(qū)的校位之后，然后控制工作臺(tái)運(yùn)動(dòng)，對(duì)Al2O3圓晶進(jìn)行直線切割。本軟件主要由機(jī)器視覺模塊、運(yùn)動(dòng)控制模塊和激光器控制模塊組成。機(jī)器視覺模塊用來處理CMOS攝像頭的工作臺(tái)圖像；運(yùn)動(dòng)控制
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年7期2012-06-28
- 基于仿生結(jié)構(gòu)錫拋光墊的拋光接觸壓力分析
。在拋光過程中,晶片安裝在料架上并被壓向拋光墊的上表面,拋光墊在拋光臺(tái)支撐下繞主軸旋轉(zhuǎn)。拋光液噴灑在拋光墊表面,晶片表面材料經(jīng)過拋光液的化學(xué)腐蝕和拋光墊的機(jī)械摩擦被逐漸去除,從而達(dá)到除去晶片被拋表面材料的目的。圖1 化學(xué)機(jī)械拋光裝置原理在一般的化學(xué)機(jī)械拋光中,拋光墊材料的橫向牽連效應(yīng)使得接觸表面壓力分布不均勻,拋光液難以均勻地分布于接觸區(qū)域內(nèi),拋光形成的廢物也難以順暢地排出。同時(shí),拋光產(chǎn)生的摩擦熱在向外傳導(dǎo)過程中的不順暢會(huì)導(dǎo)致溫度場(chǎng)分布的不均勻。這些因素通
中國(guó)機(jī)械工程 2011年14期2011-09-07
- 石英晶片表面處理方法對(duì)比
7）0 引言石英晶片在工業(yè)生產(chǎn)、科學(xué)研究等領(lǐng)域中的應(yīng)用十分廣泛。一方面，石英晶體元器件可應(yīng)用于通信、計(jì)算機(jī)、彩色電視機(jī)、音像制品、電子玩具、汽車電子設(shè)備和醫(yī)用電子設(shè)備等諸多領(lǐng)域[1]；另一方面，石英晶片作為固定物質(zhì)的載體，廣泛應(yīng)用于檢測(cè)儀器中，如表面等離子體共振儀（surface plasmon resonance instrument，SPRI）[2]、核磁共振成像儀（nuclear magnetic resonance imaging，NMRI）[3]
湖南工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2011年4期2011-06-30
- QK型石英晶體微量天平頻溫效應(yīng)的初步研究
測(cè)其振蕩頻率獲得晶片表面污染沉積量的變化，為污染過程控制及評(píng)價(jià)提供依據(jù)[1]。由于QCM所用石英晶片振蕩頻率與晶片特性參數(shù)（密度和聲速）有關(guān)，而晶片的特性參數(shù)與溫度有關(guān)，因此晶片的振蕩頻率也與溫度有關(guān)。在石英晶體微量天平所獲得的頻率變化數(shù)據(jù)中，不僅包含由于污染物增加或減少造成的頻率變化，還包含由于晶片的溫度變化造成的頻率變化。后者將影響石英晶體微量天平的測(cè)量，增加后續(xù)數(shù)據(jù)判讀的難度，限制石英晶體微量天平的適應(yīng)性。美國(guó)專門研制航天器用石英晶體微量天平的QCM
航天器環(huán)境工程 2011年4期2011-06-08
- 晶片映射系統(tǒng)原理及實(shí)現(xiàn)算法研究
械手臂從料盒取放晶片，而由于不同用戶的不定需求，往往料盒中的料片不是全滿的，機(jī)械手進(jìn)行取片時(shí)普遍的做法是機(jī)械手臂運(yùn)行到料盒某層取片位，然后開啟真空，如果手臂上真空量大于某一域值，說明該層有晶片，手臂即可取走晶片；如果真空量小于等于該域值說明該層無晶片，此時(shí)手臂抬升到下一層位置，再通過真空量判斷是否有晶片，往復(fù)執(zhí)行到某層有片或該料盒最后一層被執(zhí)行完畢。這種真空吸附判斷法，有如下兩種弊端：一、執(zhí)行效率低，特別是料盒為空時(shí)，系統(tǒng)需要走完料盒中所有層才能判斷該料盒
電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年10期2011-06-04
- 可調(diào)色溫顯指的前沿白光大功率產(chǎn)品技術(shù)分析
指數(shù)/色溫可調(diào)；晶片；熒光粉；支架中圖分類號(hào)：TN312+.8 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：BThe Advanced Technology Aanlysis of Controllable CRI and CCT High Power White LEDLedman Optoelectronic Co., Ltd.(Ledman Optoelectronic Co., Ltd., Shenzhen 518108, China)Abstract: The applicat
現(xiàn)代顯示 2011年2期2011-01-19
- 一種新型寬波束超聲探頭聲場(chǎng)的研究
模仿真得到一種8晶片探頭和12晶片探頭的聲場(chǎng)分布圖，并據(jù)此對(duì)二者的聲場(chǎng)性能進(jìn)行對(duì)比分析，最后通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了仿真分析的正確性。1 超聲探頭相關(guān)參數(shù)1.1 探測(cè)的深度范圍臨床研究表明，胎心距離超聲探頭的正常范圍約為6～15 cm[4]，如圖1所示。圖1 超聲探頭胎心監(jiān)護(hù)模型Fig.1 The model of fetal monitoring of ultrasonic transducer超聲多普勒胎兒監(jiān)護(hù)設(shè)備所能探測(cè)的深度范圍，由主機(jī)和超聲探頭共同決定。主
中國(guó)醫(yī)療器械雜志 2010年4期2010-08-08
- 原子氧環(huán)境對(duì)石英晶體微量天平性能影響的分析
越高的要求。石英晶片作為石英晶體微量天平的重要部分，其性能決定了石英晶體微量天平的性能。本文通過理論分析及原子氧對(duì)石英晶片的影響試驗(yàn)來評(píng)估原子氧輻照對(duì)石英晶體微量天平性能影響。1 試驗(yàn)準(zhǔn)備1.1 石英晶片的結(jié)構(gòu)及參數(shù)石英晶片靠?jī)蓚€(gè)彈簧固定在安裝電路板上，其晶片電極也依靠彈簧引入到安裝電路板上，安裝電路板上將電極端引入到焊接端口，外形如圖1所示。圖1 石英晶片及底座外形圖Fig. 1 The quartz wafer and holder安裝電路板有兩個(gè)安裝
航天器環(huán)境工程 2010年6期2010-03-20
- 芯片制造業(yè)重新洗牌
地位的200毫米晶片不久將被直徑為300毫米大型晶片所代替。新晶片直徑的擴(kuò)大將帶來的最大的影響莫過于世界芯片制造業(yè)各路諸侯實(shí)力的重新洗牌。雖然不少以生產(chǎn)200毫米晶片為主的老廠家對(duì)300毫米的晶片采取了抵制的態(tài)度，但市場(chǎng)的無情壓力迫使他們也不得不加入到300毫米晶片生產(chǎn)的角逐當(dāng)中去。為了有效地減輕研發(fā)資金的壓力和投資風(fēng)險(xiǎn)，世界上主要的芯片制造公司將采取聯(lián)合開發(fā)的方式。不少芯片設(shè)計(jì)公司還將考慮剝離自己現(xiàn)有的生產(chǎn)加工業(yè)務(wù)，而把它們交給以中國(guó)為主的芯片加工廠去完
財(cái)經(jīng) 2002年22期2002-07-01