李永強,李高春,林明亮
(1.海軍航空大學(xué), 山東 煙臺 264001; 2.91049 部隊, 山東 青島 266100)
復(fù)合固體推進(jìn)劑作為多相復(fù)合材料,在外力載荷的作用下,其內(nèi)部將出現(xiàn)顆粒脫濕、基體變形損傷乃至斷裂等現(xiàn)象,使得其宏觀力學(xué)性能隨之發(fā)生復(fù)雜變化[1]。因此,單尺度的研究難以探究宏觀損傷的底層機理[2],連續(xù)介質(zhì)力學(xué)角度出發(fā)的本構(gòu)方程固有其局限性[3],多尺度損傷演化研究逐步成為國內(nèi)外研究的熱點[4]。
實驗測定是模擬計算的基礎(chǔ),模擬計算是實驗測試的延伸,當(dāng)前對于固體推進(jìn)劑的研究大多從實驗 和 數(shù) 值 分 析2 個 方 面 展 開[5]。從 高 速 相 機[6]、超聲檢測到掃描電鏡[7]、微CT[8],再到質(zhì)譜與色譜[9]、電子探針[10],隨著檢測手段的進(jìn)步,對推進(jìn)劑的實驗研究從宏觀形貌發(fā)展為細(xì)觀結(jié)構(gòu),并逐漸演變到成分分析。然而,由于實驗手段的限制,單純的唯象表征難以進(jìn)行定量化分析,使得數(shù)字圖像處理、有限元仿真[11]、分子動力學(xué)等方法逐步應(yīng)用到推進(jìn)劑損傷的輔助研究中。CCD 相機和數(shù)字圖像法的結(jié)合[12]實現(xiàn)了推進(jìn)劑宏觀表面變形場的分析與參數(shù)反演,高精度微CT 的應(yīng)用[13-14]從細(xì)觀角度獲取了多種拉伸狀態(tài)下推進(jìn)劑內(nèi)部形貌和孔隙率的演變情況,構(gòu)建細(xì)觀本構(gòu)方程[15]以及使用有限元分析工具[16]則將力學(xué)性能的演化及其影響因素[17]進(jìn)行量化處理,而全原子分子動力學(xué)[18]的應(yīng)用則從微觀角度探究基體交聯(lián)結(jié)構(gòu)、加載速率[19]以及粘接界面[20]對推進(jìn)劑力學(xué)性能的影響,并模擬加載過程中分子鏈結(jié)構(gòu)的演化。
盡管以上研究對推進(jìn)劑開展了宏細(xì)觀損傷研究和形貌構(gòu)造,擬合并驗證了各個尺度的力學(xué)方程,但并未構(gòu)造宏-細(xì)-微觀損傷演化的橋梁,不能直觀地展示損傷演化的過程,難以對裂紋的萌生和擴展進(jìn)行深層次解讀。因此,本研究以原位加載下固體推進(jìn)劑為研究對象,使用CCD 相機實時獲取宏觀形貌,使用微CT 同步構(gòu)造內(nèi)部細(xì)觀結(jié)構(gòu),并通過構(gòu)建分子動力學(xué)模型進(jìn)行微觀損傷分析,深層次精準(zhǔn)解讀推進(jìn)劑損傷演化的本質(zhì)和影響因素,為推進(jìn)劑力學(xué)性能的提升和結(jié)構(gòu)完整性的保持提供參考和借鑒。
1.1.1 實驗樣品與設(shè)備
實驗采用XLAB-2000 型高精度、高效率顯微CT 和XFOR 系列原位拉伸平臺,同時搭配MV-CU120-10GM高速CCD 相機和MTS Advantage 光學(xué)引伸計,如圖1所示。XLAB-2000 采用開管射線源,像素矩陣和細(xì)節(jié)識別能力分別為4608×5890 和200 nm,空間分辨率最高為2 μm;XFOR 采用恒速加載的控制模式,載荷精 度 為 0.5%,加 載 速 率 最 小 為 0.4 μm·s-1;MV-CU120-10GM 采用自動增益和自由運行模式,有效像素為1200 萬,分辨率為4204×3036;MTS Advantage 視場范圍為50~500 mm,數(shù)據(jù)更新率最高為3000 Hz,分辨率最高為0.2 μm。
圖1 微CT 組合測試平臺Fig.1 Micro-CT combined test platform
同時,為保證加載過程中掃描成像的效果,參照QJ924-85 標(biāo) 準(zhǔn)[21]制 作 微 啞 鈴 型 試 件,試 件 中 部 為5 mm×3 mm×3 mm 的端羥基聚丁二烯(HTPB)推進(jìn)劑,兩側(cè)粘接切割成型的亞克力板,具體尺寸參數(shù)示意如圖2 所示。
圖2 試件構(gòu)形及尺寸Fig.2 Configuration and size of specimen
1.1.2 實驗方法
實驗時將試件固定在拉伸夾具上,上端置于夾具凹槽內(nèi),下端通過加載夾具以5 μm·s-1的速率向下運動,外置透明管狀密封罩,并將加載平臺放置于檢測樣品臺。同時,高速CCD 相機以10 s 為間隔采集試件表觀形貌,微CT 間隔50 s 加載時間后掃描一周,由X 射線發(fā)生器發(fā)射的高能射線輻射穿透樣品后由探測器接收并記錄一組投影數(shù)據(jù),直至試件斷裂。微CT 掃描工作電壓為100 kV,工作電流為170 μA,空間分辨率為2 μm,Air 濾波片,掃描360°且掃描角度差為0.225°,拉伸、掃描及數(shù)據(jù)存儲將通過預(yù)設(shè)參數(shù)自動執(zhí)行。
此外,借助于DIC 對試件表觀形貌進(jìn)行處理,以實現(xiàn)對推進(jìn)劑宏觀損傷演化的初步分析。同時,為進(jìn)一步探究推進(jìn)劑內(nèi)部結(jié)構(gòu)的演變狀況,在z軸方向截取寬度為2500 μm 的關(guān)鍵損傷區(qū)域進(jìn)行三維重構(gòu)。三維重構(gòu)要求樣品必須旋轉(zhuǎn)一周,重構(gòu)精度則取決于單次旋轉(zhuǎn)度數(shù),由于物質(zhì)的密度影響其對X 射線的吸收能力,導(dǎo)致探測器對不同區(qū)域的接收信號產(chǎn)生差異,進(jìn)而導(dǎo)致投影成像的灰度值具有明顯的邊界,故借助于自研的三維重構(gòu)軟件,經(jīng)由預(yù)處理、投影校正、模型重建、后處理生成三維體積數(shù)據(jù),并進(jìn)行渲染處理。
推進(jìn)劑內(nèi)部界面層的細(xì)觀損傷揭示了宏觀力學(xué)性能轉(zhuǎn)變和微裂紋萌生擴展的根本原因,是推進(jìn)劑結(jié)構(gòu)性損傷的唯象性解釋。因此,為進(jìn)一步探究界面層損傷的底層機理,定量化表述界面層力學(xué)性能的轉(zhuǎn)變,并對兩相界面層損傷發(fā)生位置進(jìn)行合理化解釋,采用全原子分子動力學(xué)模擬,構(gòu)造高氯酸銨(AP)/HTPB、Al/HTPB 分子體系模型,并求解界面結(jié)合能和AP/HTPB界面層內(nèi)聚破壞的力學(xué)本構(gòu)。
1.2.1 模型構(gòu)建
(3)在行駛過程中,電動汽車SOC值將隨著行駛的繼續(xù)而不斷變化,根據(jù)此條件限制電動汽車是否需要充電以及充電量的大小。
HTPB 預(yù)聚物數(shù)均分子量為2796,單體數(shù)為50,其中順式、反式和乙烯基式占比分別為24%,56%,20%。在固化過程中,其與甲苯二異氰酸酯(TDI)通過如圖3 所示固化反應(yīng)生成氨基甲酸酯,以達(dá)到擴鏈固化的效果。此外,增塑劑癸二酸二辛酯(DOS)對于黏合劑體系力學(xué)性能的改善具有重要的作用,其與HTPB-TDI(固化反應(yīng)產(chǎn)物)在推進(jìn)劑整體中所占比例分別為3.3%和8.0%。對于Al 和AP 顆粒,其(0 1 1)晶面均是與基體分子產(chǎn)生相互作用的主界面,故借助Materials Studio[22]將 切 割 厚 度 為20 ? 的 晶 體 與 黏 合劑體系組建AP/HTPB 和Al/HTPB 界面。構(gòu)建的分子模型如圖4 所示。
圖3 固化反應(yīng)Fig.3 Curing reaction
圖4 微觀分子體系模型Fig.4 Microscopic molecular system model
1.2.2 平衡與加載
對于所構(gòu)建的基體和界面層模型,選用Compass力場進(jìn)行平衡處理,設(shè)置隨機初始速度,將10 ? 作為截 斷 半 徑,并 采 用Andersen[23]、Berendsen[24]方 法 控溫、控 壓,經(jīng) 由Max iterations 為5000 的Geometry Optimization、cycles 為50,始末溫度為100,400 K 的并采用NVE 系綜的Anneal、step 均為1 fs,總時間均為200 ps 的NVT 和NPT 系 綜 的Dynamics 處 理 后,所 獲得的基體模型NPT 系綜模擬過程中溫度、勢能和密度變化如圖5 所示。由圖5 可得,溫度、密度波動范圍在10 K、0.05 g·cm-3范圍內(nèi),且勢能在-2000 kJ·mol-1上下進(jìn)行微小波動,故可認(rèn)為分子模型體系已經(jīng)達(dá)到平衡狀態(tài),能夠支撐界面結(jié)合能的精準(zhǔn)計算。
圖5 基體分子體系平衡驗證Fig.5 Verification of matrix molecular system equilibrium
同時,為了從微觀層面揭示推進(jìn)劑界面層力學(xué)性能的演變機理,通過lammps 對分子模型進(jìn)行分子動力學(xué)拉伸模擬,從原子尺度解析鏈段結(jié)構(gòu)和能量變化。為確定固定和加載區(qū)域,以及界面層的位置,沿加載方向?qū)δP瓦M(jìn)行切片處理,并計算AP 和HTPB 的密度,如圖6 所示。分子體系拉伸模擬過程主要包括平衡和張力2 個方面,且能量最小化、控溫和控壓的平衡過程避免了模型初始隨機性的同時,消除了模型內(nèi)部可能存在的高能勢壘。
圖6 界面模型加載示意Fig.6 Interface model loading schematic
實驗中,CCD 相機所捕捉到了宏觀試件表面在原位加載過程中的變化,該變化定性描述了推進(jìn)劑在頸縮效應(yīng)下由均勻擴展轉(zhuǎn)變?yōu)榫植渴湛s,直至損傷斷裂的過程。為進(jìn)一步對變形場進(jìn)行定量分析,研究借助于數(shù)字圖像處理方法,對試件表面ROI 區(qū)域進(jìn)行灰度值劃分,并將其作為變形過程中各幀圖片的同源點以實現(xiàn)位置標(biāo)定。變形過程中,同源點的移動會產(chǎn)生一系列位移矢量,將其分解為旋轉(zhuǎn)和拉伸后,可通過位置的移動獲取拉伸張量。通過對加載時間分別為100,300,400 s 和500 s 的試件表面形貌設(shè)置ROI 區(qū)域,并與初始圖像對比,獲取x方向正應(yīng)變εxx云圖如圖7 所示。
圖7 推進(jìn)劑宏觀應(yīng)變云圖Fig.7 Macroscopic strain cloud map of propellant
由圖7 可知,ROI 區(qū)域大小為200×120 pixels,單個pixel 代表25 μm。加載初期,推進(jìn)劑內(nèi)部應(yīng)變較為散亂,出現(xiàn)非連續(xù)性局部帶狀高應(yīng)變區(qū)域與分散分布的應(yīng)變凹陷區(qū)域,且正負(fù)應(yīng)變值交替出現(xiàn);隨著加載的進(jìn)行,局部大應(yīng)變區(qū)域出現(xiàn),最大應(yīng)變峰值急劇上升;當(dāng)總體應(yīng)變達(dá)到0.4 時(圖7c),新的局部應(yīng)變峰值出現(xiàn),高應(yīng)變帶狀區(qū)域?qū)崿F(xiàn)逐步連通并呈現(xiàn)三處高應(yīng)變集中區(qū)域;隨著推進(jìn)劑形變的加劇,應(yīng)變峰值持續(xù)增加,中部高應(yīng)變區(qū)域向兩側(cè)擴展,形成寬約40 pixels的高應(yīng)變條狀區(qū)域。由ROI 區(qū)域應(yīng)變演化過程可知,固體推進(jìn)劑的加載擴展不能視為均勻變化,大粒徑的顆粒會形成應(yīng)變凹陷區(qū),而夾雜在顆粒間的基體則會形成高應(yīng)變帶狀區(qū)域。在持續(xù)的加載過程中,分散分布的高應(yīng)變基體將會逐步連通并向兩側(cè)擴展,從而演變生成裂縫,造成推進(jìn)劑整體的損傷斷裂。
通過組合PSO 和Hooke-Jeeves 搜索算法[5],對由微CT 獲取的z軸方向上寬度為2500 μm 的關(guān)鍵損傷區(qū)域投影數(shù)據(jù)進(jìn)行快速的閾值分割以實現(xiàn)三維重構(gòu),重構(gòu)的推進(jìn)劑模型如圖8 所示。
圖8 推進(jìn)劑關(guān)鍵損傷區(qū)域三維模型構(gòu)型Fig.8 Three-dimensional model configuration of propellant critical damage area
由圖8 可得,經(jīng)由渲染處理的藍(lán)色AP 顆粒呈現(xiàn)類球狀的不規(guī)則形貌,以極大的填充比例嵌套在灰色基體內(nèi),加之其他輔助成分,共同構(gòu)成了推進(jìn)劑整體。由于試件取自推進(jìn)劑方坯,在切割或移動過程中,破壞了界面層AP 顆粒的包覆效果,致使顆粒脫落,從而在基體表面形成多個分散不均的凹坑。由于凹坑的深度相對于三維模型整體而言,數(shù)值比例極小,故而不考慮其對推進(jìn)劑整體損傷的影響。此外,由于顆粒和基體的性能差異,加之生產(chǎn)工藝或環(huán)境因素的影響,推進(jìn)劑內(nèi)部一般會存在部分初始缺陷,且缺陷可能來自于顆粒、基體或界面層。因此,將顆粒剔除并重構(gòu)黑色孔隙區(qū)域,并將其渲染為紅色初始缺陷??傮w上,初始缺陷非常小且非均勻的分散在推進(jìn)劑的各個位置,呈現(xiàn)出兩側(cè)稀疏,中間密集的景象。
在原位加載過程中,推進(jìn)劑結(jié)構(gòu)的不均勻性使得其產(chǎn)生大量局部不規(guī)則形變,致使宏觀力學(xué)性能先后經(jīng)歷了線粘彈性、應(yīng)力軟化、應(yīng)力卸載以及損傷斷裂4個階段。為探究推進(jìn)劑宏觀力學(xué)性能轉(zhuǎn)變的緣由,并判別細(xì)觀損傷的影響,對拉伸應(yīng)變分別為0.1,0.3,0.4,0.5 狀態(tài)下試件關(guān)鍵損傷區(qū)域進(jìn)行重構(gòu),并間隔50 s 加載時間對孔隙率進(jìn)行計算,繪制圖9 如下。
圖9 關(guān)鍵損傷區(qū)域結(jié)構(gòu)演變Fig.9 Structural evolution of critical damage area
由圖9 可知,在初始階段,初始損傷的存在并未使得孔隙迅速擴張,試件總體呈現(xiàn)均勻形變,且未見明顯損傷;當(dāng)應(yīng)變達(dá)到0.2 左右時,應(yīng)力增速減緩,微小的孔隙在試件內(nèi)部萌生,并隨著加載的進(jìn)行而持續(xù)性擴展;而當(dāng)應(yīng)力進(jìn)入下降階段時,孔隙密集分布在推進(jìn)劑內(nèi)部,且中間部位分布密度明顯高于兩側(cè)。由孔隙率的統(tǒng)計數(shù)據(jù)可得,在加載過程中,推進(jìn)劑內(nèi)部孔隙率隨著應(yīng)變的增加由0.0255 增長到0.243,且分布密度增加、分布形貌更加明顯,并與宏觀應(yīng)變呈現(xiàn)類指數(shù)函數(shù)關(guān)系。此外,為直觀展現(xiàn)試件內(nèi)部形貌的演變,在應(yīng)變分別為0.1 和0.5 的狀態(tài)下,截取厚度一半位置,即1500 μm 處未渲染試件內(nèi)部景象如圖10a。同時,對初始標(biāo)號為213 的孔隙進(jìn)行4 個階段的追蹤,其萌生擴展過程如圖10b 所示。
圖10 推進(jìn)劑加載損傷演化Fig.10 Damage evolution of propellant under loading
如圖10 所示,對比高低應(yīng)變推進(jìn)劑內(nèi)部切片形貌可得,低應(yīng)變下,孔隙均位于較大AP 顆粒與基體的界面層,而Al 粉周邊及基體未見明顯損傷。隨著應(yīng)變的加劇,小尺寸AP 顆粒周邊逐漸萌生孔隙,而大尺寸顆粒周邊孔隙開始擴展,并通過對承載狀態(tài)下呈現(xiàn)絲帶狀的基體的損傷破壞完成交匯,進(jìn)而形成微裂紋。同時,初始孔隙呈現(xiàn)不規(guī)則的幾何形狀,在隨后的擴展中,逐漸形成圓弧狀凹陷,并向周邊擴展,逐漸形成更大的孔隙缺陷。孔隙的擴展形狀,表明其在推進(jìn)劑加載過程中,萌生于顆粒與基體的界面層,并沿著界面層擴展,通過孔隙的合并完成體量的升級。此外,圖10a中橘黃色區(qū)域所標(biāo)注的AP 顆粒內(nèi)部初始損傷,在大應(yīng)變狀態(tài)下,在包覆基體的壓縮作用下逐漸消失。為進(jìn)一步量化分析推進(jìn)劑內(nèi)部孔隙萌生情況,對4 種應(yīng)變狀態(tài)下孔隙的數(shù)量和等效半徑進(jìn)行統(tǒng)計,并對孔隙模型進(jìn)行重構(gòu)。通過對等效半徑大小進(jìn)行排序,繪制孔隙編號與等效半徑示意如圖11。
圖11 關(guān)鍵損傷區(qū)域孔隙演變Fig.11 Pore evolution of critical damage area
由圖11 可知,在原位加載過程中,孔隙數(shù)量由567 增長到1888,最大等效半徑由80.42 μm 擴展到444.92 μm,由于頸縮效應(yīng)使得推進(jìn)劑內(nèi)部區(qū)域受到三軸應(yīng)力的作用,孔隙呈現(xiàn)中間多、兩側(cè)少的分布狀態(tài),且應(yīng)力集中效應(yīng)使得大孔隙等效半徑的階躍效應(yīng)更加明顯。損傷和孔隙演變過程表明,微量的初始缺陷盡管不能影響推進(jìn)劑力學(xué)性能,但會引導(dǎo)其孔隙進(jìn)一步萌生擴展的范圍,且孔隙的累積和演化是推進(jìn)劑力學(xué)性能變化的主要原因。
界面結(jié)合能是指混合相體系中為維持結(jié)構(gòu)平衡而在各相之間產(chǎn)生的相互作用能量,能夠表征材料的界面行為和性能,揭示基體與顆粒之間的粘結(jié)狀況。對于AP 和Al 與HTPB 黏合劑之間的結(jié)合能,可表示為:
式中,ET為混合相體系的平均總能量,Einter為界面平均相 互 作 用 能,EAP/Al和EHTPB分 別 為AP,Al 晶 體 和HTPB的平均單點能,單位均為kJ·mol-1。
通過Forcite Calculation 對平衡優(yōu)化后200 ps 范圍內(nèi)AP/HTPB、Al/HTPB 體系進(jìn)行分子間相互作用能計算,對所獲取的多組數(shù)據(jù)取均值后可得界面結(jié)合能分別為1.088,4.263 kJ·mol-1。由界面結(jié)合能的大小可得,對于相同粒徑下的AP 和Al 所產(chǎn)生的界面層,AP界面層更容易脫粘,加之AP 粒徑遠(yuǎn)大于Al 顆粒,其所產(chǎn)生的應(yīng)力集中現(xiàn)象更為明顯,故而在一般情況下,AP/HTPB 界面層的損傷遠(yuǎn)早于Al/HTPB 界面層的損傷。同時,為進(jìn)一步探究外載作用下AP/HTPB 界面層的變形損傷情況,設(shè)定加載速率為10-3?·fs-1,對界面層體系模型在常溫下進(jìn)行單軸拉伸,并采用Ovito 軟件[25]對4 種加載應(yīng)變εzz狀態(tài)下分子模型體應(yīng)變進(jìn)行可視化顯示。微觀結(jié)構(gòu)演變?nèi)鐖D12 所示。
圖12 微觀界面層體應(yīng)變演化云圖Fig.12 Evolutionary cloud map of microscopic interface layer volume strain
由圖12 可知,界面層分子體系局部大變形首先出現(xiàn)在HTPB 內(nèi)部,并呈現(xiàn)不規(guī)則的分布狀態(tài);隨著外載的增加,局部大應(yīng)變區(qū)域逐步擴展到界面層,且應(yīng)變峰值急劇增大;當(dāng)上端移動距離增大到12 ? 時,界面層產(chǎn)生明顯損傷,HTPB 與AP 之間出現(xiàn)空隙,其余區(qū)域應(yīng)變減小、應(yīng)力釋放,整體上形成以界面層為核心區(qū)的高應(yīng)變帶狀區(qū)域;當(dāng)拉伸距離進(jìn)一步增加時,空隙逐步擴展,AP 上殘留部分HTPB 分子鏈,界面層區(qū)域HTPB分子鏈重排,與AP 形成多條獨立的鏈狀連接,且連接的分子鏈均處于高應(yīng)變狀態(tài)[18]。為探究分子體系形態(tài)與力學(xué)性能的關(guān)系,提取拉伸方向界面應(yīng)力,并與z軸方向的位移共同構(gòu)成數(shù)值曲線[20]。此外,分子鏈結(jié)構(gòu)的演變致使微觀空隙的萌生和擴展,最終導(dǎo)致兩相界面的分離。因此,通過提取lammps 所生成的dump格式的軌跡文件,實現(xiàn)對每種拉伸形態(tài)下原子位置的定位,并將Simulation cell 區(qū)域按照一定的尺寸劃分為多個方塊,以方塊內(nèi)有無原子判別并計算微觀空隙率。同時,從能量角度出發(fā),探究形變區(qū)域中外力做功的作用效果和轉(zhuǎn)化形式。繪制的應(yīng)力、空隙率以及能量演變曲線如圖13 所示。
圖13 力學(xué)及能量演變曲線Fig.13 Mechanics and energy evolution curves
由圖13 可知,應(yīng)力曲線總體上呈現(xiàn)初始線性增加,屈服后應(yīng)力增速減緩,越過峰值后應(yīng)力急劇下降的形態(tài),且由于分子體系熱波動的影響,應(yīng)力呈現(xiàn)明顯的振蕩現(xiàn)象。因此,為直觀地描述內(nèi)聚破壞的力學(xué)本構(gòu),采用適用于脆性材料的唯象指數(shù)型內(nèi)聚力模型擬合應(yīng)力數(shù)據(jù),可得當(dāng)前AP/HTPB 界面結(jié)合強度為129.4 MPa,法向分離位移為6.668 ?。此外,由于計算成本的限制,分子體系應(yīng)變率遠(yuǎn)高于實驗,致使應(yīng)力數(shù)據(jù)與實驗[21]及反演[22]數(shù)據(jù)在數(shù)量級上產(chǎn)生差異。
通過對包括價鍵、交叉項和非鍵項在內(nèi)的分子體系能量進(jìn)行計算,可得在模型加載過程中,只有非鍵能產(chǎn)生明顯變化,其他類型能量未見明顯波動。對比應(yīng)力、空隙率和非鍵能曲線,考慮到應(yīng)變滯后效應(yīng)的影響,應(yīng)力的增長伴隨著非鍵能的增加,而應(yīng)力的削弱則伴隨著空隙率的增大。界面層分子鏈在外載作用下共經(jīng)歷了3 個階段,在小應(yīng)變的初始階段,分子鏈整體向中心區(qū)域收縮,分子間距減小,微觀空隙被壓縮,外力作用所產(chǎn)生的應(yīng)變能以非鍵能的方式存儲,體系整體呈現(xiàn)彈性;隨著位移的增加,HTPB 分子鏈產(chǎn)生相對滑移,分子間距增大,非鍵能減小,微觀空隙得到初步擴展;在大應(yīng)變的分離階段,部分與AP 構(gòu)成良好粘接關(guān)系的分子鏈由于上端的牽引作用逐步脫離AP 界面,并在拉力和粘接力的作用下產(chǎn)生局部大應(yīng)變,微觀空隙進(jìn)一步擴展,界面層遭到內(nèi)聚破壞,應(yīng)力持續(xù)減小。
對基于原位加載的HTPB 推進(jìn)劑開展宏細(xì)觀實驗和微觀數(shù)值模擬,多尺度探究其損傷演化過程,得到以下結(jié)論:
(1) AP/HTPB 分子體系高應(yīng)變區(qū)域由HTPB 內(nèi)部萌生,逐步擴展至界面層,持續(xù)外載作用致使分子鏈重排,分子間距改變,微觀空隙在分子鏈間萌生并擴展,且牽引-分離曲線符合指數(shù)型內(nèi)聚力模型,高應(yīng)變率作用致使當(dāng)前分子體系界面結(jié)合強度達(dá)到129.4 MPa,法向分離位移為6.668 ?。
(2) Al 和AP 顆粒與HTPB 基體界面結(jié)合能3.9 倍的差異以及粒徑大小影響下的應(yīng)力集中,加之微觀空隙的演變,致使細(xì)觀孔隙首先萌生于大粒徑AP 顆粒處,并沿兩相界面層擴展,導(dǎo)致顆粒間隙處基體在高應(yīng)變下?lián)p傷斷裂,從而演變成微裂紋,且細(xì)觀孔隙率與應(yīng)變呈現(xiàn)類指數(shù)函數(shù)關(guān)系。
(3) 復(fù)合材料的本質(zhì)使得推進(jìn)劑宏觀應(yīng)變不均且分散,在大顆粒處形成應(yīng)變凹陷區(qū),頸縮現(xiàn)象使得正負(fù)應(yīng)變值交替出現(xiàn),且細(xì)觀微裂紋的出現(xiàn)使得高應(yīng)變區(qū)由分散布局的帶狀連通并演變成條塊狀,從而形成宏觀裂紋,導(dǎo)致推進(jìn)劑整體損傷斷裂。