硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層的一步電合成制備及其防護(hù)性能研究*

劉春陽(yáng),楊雨萌,蔡思婷,蔣馨怡,應(yīng)鈞億,朱本峰,衛(wèi)國(guó)英

(中國(guó)計(jì)量大學(xué) 材料與化學(xué)學(xué)院,杭州 310018)

0 引 言

海洋資源是社會(huì)經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展的重要支撐,“關(guān)心海洋、認(rèn)識(shí)海洋、經(jīng)略海洋”具有深刻的科學(xué)性以及現(xiàn)實(shí)性[1-2]。水下精密儀器是認(rèn)識(shí)、探索海洋的關(guān)鍵工具。由于海洋環(huán)境的復(fù)雜性以及生物的多樣性,常常有微生物附著在海洋儀器表面,導(dǎo)致儀器污損、功能退化,加速儀器的腐蝕、縮短儀器的使用壽命,甚至產(chǎn)生數(shù)以?xún)|計(jì)的經(jīng)濟(jì)損失[3-4]。因此,海工裝備的防污防護(hù)受到科技工作者的普遍關(guān)注。

自有機(jī)錫防污材料被禁止使用在海洋防污領(lǐng)域后,新的環(huán)境友好型的海洋防污材料成為研究熱門(mén)[5-7]。丙烯酸樹(shù)脂防污涂層具有較好的硬度、光澤、耐酸堿性以及良好的耐候性、耐污染性等優(yōu)點(diǎn)[8-9]。通常通過(guò)有機(jī)硅改性[10]、有機(jī)氟改性[11-12]以及納米粒子改性[13]等方式可以進(jìn)一步提高丙烯酸樹(shù)脂涂層的綜合性能。采用有機(jī)硅改性可在丙烯酸樹(shù)脂分子鏈上引入Si-O鍵。Si-O鍵與C-C鍵相比具有更高的鍵能,且鍵的極性更強(qiáng),從而導(dǎo)致有機(jī)硅化合物具有表面能低、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、生物相容性好、耐水性強(qiáng)且無(wú)毒環(huán)保的優(yōu)良性能[14-16]。有機(jī)硅化合物自身與水的相容性極小,再加上不易吸收水分,呈現(xiàn)出良好的疏水性[17]。含鈰化合物可取代鉛、鉻等對(duì)環(huán)境和人類(lèi)有害的金屬作為優(yōu)異的環(huán)保材料[18]。納米CeO2具有晶型單一,電化學(xué)性能以及光學(xué)性能良好等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)具有一定的自修復(fù)性,被廣泛應(yīng)用于防腐涂層等材料[19],在鋁合金[20]、鎂合金[21]、不銹鋼[22]和多種金屬鍍層的防護(hù)領(lǐng)域中具有潛在的廣闊應(yīng)用前景。

通常情況下,丙烯酸樹(shù)脂類(lèi)涂料的化學(xué)聚合制備機(jī)理是丙烯酸酯單體在加熱及有引發(fā)劑的存在下將碳碳雙鍵打開(kāi)后重新接連,所制得的涂料通過(guò)噴涂、旋涂等方法涂敷在基底表面形成涂層,從而達(dá)到保護(hù)基底、防污耐蝕的目的[23-24]。此類(lèi)涂料往往通過(guò)兩步甚至多步才能附著在基體表面,步驟繁瑣,耗時(shí)耗力。電化學(xué)合成又稱(chēng)電解合成,是利用電解手段在電極表面進(jìn)行電極反應(yīng)從而生成新物質(zhì)的一種綠色合成技術(shù)[25]。與化合聚合相比,電化學(xué)合成具有產(chǎn)物易分離、易精制,產(chǎn)品純度高,通常在常溫、常壓下進(jìn)行,反應(yīng)條件溫和,能耗低,制備工藝簡(jiǎn)單[26]等優(yōu)點(diǎn);在電化學(xué)合成過(guò)程中,可以通過(guò)改變電化學(xué)工藝參數(shù)合成不同的產(chǎn)品,同時(shí)也可通過(guò)控制電極電位,使反應(yīng)按預(yù)定的目標(biāo)進(jìn)行[25,27]。Farzin等[28]通過(guò)恒電位法在2024鋁合金上制備了摻雜 ZnO 納米粒子的聚吡咯涂層,在 3.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的NaCl 溶液中該涂層表現(xiàn)出優(yōu)異的耐蝕性能。Karpakam 團(tuán)隊(duì)[29]在草酸水溶液中,采用循環(huán)伏安法在低碳鋼上電合成聚苯胺-鉬酸鹽涂層,結(jié)果顯示該涂層具有自愈能力以及高耐蝕性。Jaouhari等[30]在304不銹鋼表面通過(guò)恒電流法合成了磷酸鋅/聚吡咯涂層,通過(guò)電化學(xué)阻抗(EIS)以及動(dòng)態(tài)電位極化等電化學(xué)測(cè)試后,結(jié)果顯示該涂層具有良好的耐蝕性。在大多數(shù)納米粒子復(fù)合涂層的電化學(xué)制備過(guò)程中,納米顆粒被直接摻入電解液中,納米粒子不參與電極反應(yīng),而是通過(guò)物理作用嵌入涂層中,這種物理?yè)诫s的方法容易導(dǎo)致納米顆粒聚集,在涂層中分布不均勻,影響涂層的表面形貌及性能[31]。

本研究采用一步電化學(xué)合成法制備丙烯酸樹(shù)脂類(lèi)復(fù)合涂層,將丙烯酸酯單體、有機(jī)硅單體以及鈰化合物,通過(guò)電場(chǎng)作用直接在基體表面形成復(fù)合涂層,硅丙烯酸樹(shù)脂的聚合反應(yīng)和二氧化鈰的生成反應(yīng)同步發(fā)生,減少了涂層制備的步驟,簡(jiǎn)化工藝,能夠制備均勻的涂層本文系統(tǒng)研究了電化學(xué)工藝參數(shù)(沉積電壓、沉積溫度、沉積時(shí)間)對(duì)涂層形貌、組成和性能的影響,通過(guò)疏水性和電化學(xué)測(cè)試評(píng)價(jià)涂層的防污耐蝕性能。通過(guò)改變硅烷種類(lèi)評(píng)估不同硅烷對(duì)涂層性能的影響,從而擇優(yōu)選擇硅單體。本研究為制備具有防污耐腐蝕性的丙烯酸樹(shù)脂復(fù)合涂層提供了一種思路,可直接在基體表面進(jìn)行合成,對(duì)應(yīng)用于精密儀器中形狀復(fù)雜的零部件具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。

1 實(shí) 驗(yàn)

1.1 硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層制備

實(shí)驗(yàn)采用兩電極體系,工作電極和對(duì)電極均為Q235低碳鋼電極,涂層制備前將Q235低碳鋼電極表面分別用320、500、800、1000、1200目的金相砂紙進(jìn)行逐級(jí)打磨,再使用2.5 μm的金剛石研磨劑拋光至鏡面,最后用丙酮和蒸餾水進(jìn)行沖洗,并使用氮?dú)獯蹈蓚溆谩?/p>

配置電解液所用的丙烯酸丁酯(BA,99.0%)、硝酸鈰銨(CAN,99.0%)和乙烯基二甲基乙氧基硅烷(C6H14OSi)采購(gòu)于上海麥克林生物化學(xué)有限公司;甲基丙烯酸甲酯(MMA,99.0%)、乙烯基三甲氧基硅烷(A171,98%)和丙酮采購(gòu)于國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;乙醇(EtOH,99.7%)采購(gòu)于浙江騰宇新材料科技有限公司。所有藥品除特殊說(shuō)明外均為分析純?；A(chǔ)電解液組成為12 g MMA、8 g BA、1.5 g A171、0.5 g CAN和40 g EtOH。

研究沉積電壓的影響時(shí),沉積時(shí)間控制為3 h,溫度控制為50 ℃,分別施加沉積電壓為-10,-15,-20,-25,-30 V;研究沉積溫度的影響時(shí),沉積電壓控制為-20 V,沉積時(shí)間控制為3 h,分別調(diào)節(jié)沉積溫度為20,30,40,50,60 ℃;研究沉積時(shí)間的影響時(shí),沉積電壓控制為-20 V,溫度控制為50 ℃,分別調(diào)節(jié)沉積時(shí)間為2,2.5,3,3.5,4 h。研究不同種類(lèi)硅單體的影響時(shí),保持電解液中其他組分含量不變,分別添加相同物質(zhì)的量的 A171 以及 C6H14OSi,質(zhì)量分別為1.5和1.3 g。

最終制備得到的涂層用蒸餾水沖洗并用氮?dú)獯蹈珊蠓湃敫稍锲髦斜４?以備進(jìn)行后續(xù)測(cè)試。整個(gè)制備過(guò)程如圖1所示。

圖1 制備硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2 涂層的電聚合示意圖Fig.1 The schematic illustration for preparing the silicone acrylic resin/CeO2 coatings

1.2 結(jié)構(gòu)表征及性能測(cè)試

采用德國(guó)卡爾蔡司公司旗下的 SUPRA 55 SAPPHIRE 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)及附屬的 X 射線能譜儀(EDS)來(lái)檢測(cè)所制備硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層的微觀形貌以及元素含量。采用上海艾飛思精密儀器有限公司生產(chǎn)的 JC2000DF 接觸角測(cè)量?jī)x測(cè)試涂層的疏水性。測(cè)試過(guò)程中使用的水滴大小為 5 μL,接觸角讀數(shù)測(cè)量方法選用量角法,每個(gè)樣品選取 5 個(gè)區(qū)域進(jìn)行測(cè)量,取平均值作為樣品的接觸角。采用上海辰華儀器公司的 CHI-660E 型電化學(xué)工作站對(duì)涂層進(jìn)行電化學(xué)測(cè)試,評(píng)價(jià)涂層的耐蝕性。將樣品放置在 3.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的 NaCl 溶液中進(jìn)行阻抗測(cè)試以及 Tafel 極化曲線測(cè)定,工作電極為帶有涂層的Q235低碳鋼(10 mm×10 mm)試樣,輔助電極為 Pt 片電極 (25 mm×25 mm×0.2 mm),參比電極為飽和甘汞電極 (SCE)。測(cè)試 30 min 開(kāi)路電位,待開(kāi)路電位穩(wěn)定后,進(jìn)行塔菲爾曲線測(cè)試,設(shè)置電位范圍為開(kāi)路電位-800 mV ～開(kāi)路電位+300 mV,掃描速度為0.01 V/s。阻抗測(cè)試正弦激勵(lì)信號(hào)振幅為 10 mV,掃描范圍為0.01 Hz～10 kHz。

2 結(jié)果與討論

2.1 沉積電壓對(duì)涂層的影響分析

圖2為不同沉積電壓條件下硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層的SEM圖像?？梢钥闯?電壓對(duì)硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層的表面形貌影響較大,電壓為-10 V 時(shí),表面有較多凸起結(jié)構(gòu),當(dāng)電壓升高至-15～-25 V 時(shí),表面出現(xiàn)較多凹陷,這可能是由于沉積電壓升高,電極表面出現(xiàn)析氫現(xiàn)象,產(chǎn)生的氣泡附著在電極表面,導(dǎo)致涂層沉積不均勻,其中電壓為-20 V 時(shí),表面孔洞最少,最為均勻平整。而當(dāng)電壓進(jìn)一步升高至 -30 V時(shí),表面出現(xiàn)一些白色顆粒且凹陷變淺,這可能是由于電壓過(guò)高產(chǎn)生了一些副反應(yīng),抑制了涂層的生長(zhǎng)。表 1為不同沉積電壓條件下涂層的 X 射線能譜(EDS)的測(cè)試結(jié)果。當(dāng)電壓為 -10～-25 V 時(shí),Si 和 Ce 元素在涂層中的含量較高,說(shuō)明硅單體和 Ce 的氧化物成功進(jìn)入涂層體系,而當(dāng)電壓進(jìn)一步升高至-30 V時(shí),涂層中 Si 元素的含量顯著降低且并未檢測(cè)到Ce元素,說(shuō)明過(guò)高的電壓并不利于硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層的制備。

表1 不同沉積電壓下所制備涂層的 EDS 元素含量Table 1 EDS element content of the coatings fabricated at different potentials

圖2 不同沉積電壓條件下,涂層的SEM圖：(a)基體;(b)-10 V;(c)-15 V;(d)-20 V;(e)-25V;(f)-30 VFig.2 SEM surface morphology of the coatings fabricated at different potentials：(a) substrate;(b) -10 V;(c) -15 V;(d)-20 V;(e) -25V;(f) -30 V

不同電壓下制備的涂層接觸角如圖3(a)所示,空白基體的接觸角僅為32.5°(見(jiàn)圖3(a)插圖),涂層的存在可以顯著提升表面的疏水性,隨著沉積電壓的升高,涂層接觸角逐漸變大,在-20 V時(shí)達(dá)到最大值110.5°,但當(dāng)電壓超過(guò)-20 V時(shí),復(fù)合涂層表面的接觸角逐漸下降到 101.0°。由此可見(jiàn),電壓對(duì)涂層的疏水性影響較大,這可能是由于電壓可以改變涂層的厚度、結(jié)構(gòu)以及涂層中低表面能物質(zhì)的含量,從而改變了表面的疏水性。

圖3 (A)不同電壓條件下的涂層接觸角(插圖為空白基體的接觸角圖片);(B)不同電壓條件下的Nyquist 圖(插圖為空白基體的Nyquist 圖);(C)不同電壓條件下的塔菲爾曲線：(a)基體;(b)-10 V;(c)-15 V;(d)-20 V;(e)-25V;(f)-30 VFig.3 (A) Contact angle,(B) Nyquist plots and (C) Tafel polarization curves of coatings fabricated at different potentials：(a) substrate;(b) -10 V;(c) -15 V;(d)-20 V;(e) -25V and (f) -30 V

表2 不同沉積電壓條件下,涂層的腐蝕電流密度(Icorr)及腐蝕電位(Ecorr)Table 2 Corrosion current density (Icorr) and corrosion potential (Ecorr) of coatings fabricated at different potentials

2.2 沉積溫度對(duì)涂層的影響分析

圖4為不同溫度條件下制備的硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層的SEM圖。結(jié)合圖2(d)和圖4可以看出,在低溫條件下(20 ℃),涂層表面出現(xiàn)較多的凹陷處,而在較高的溫度條件下涂層較為平整,僅含少量的凹陷處。這可能是由于析氫反應(yīng)產(chǎn)生的氣體在低溫條件下更容易粘附在電極表面,影響涂層的沉積,同時(shí)較低的溫度不利于單體的聚合,反應(yīng)速率較慢,提高溫度可以加快析出氣體的脫附,同時(shí)加快單體聚合的速率,生成較為平整的表面。表3為不同溫度條件下涂層的X射線能譜(EDS)元素分析表,結(jié)果表明硅單體和Ce化合物已成功進(jìn)入涂層體系,隨著溫度的升高,涂層中硅元素的含量逐漸增大,Ce元素的含量略有降低,說(shuō)明升高溫度更有利于硅單體的聚合,而不利于鈰化合物的摻雜。

表3 不同溫度下所制備涂層的 EDS 元素含量Table 3 EDS element content of the coatings fabricated at different temperature

圖4 不同溫度條件下,涂層的 SEM 圖：(a)20 ℃;(b)30 ℃;(c)40 ℃;(d)60 ℃Fig.4 SEM surface morphology of the coatings fabricated at different temperature：(a) 20 ℃;(b) 30 ℃;(c) 40 ℃;(d) 60 ℃

圖5(a)為不同溫度下制備的涂層的接觸角,當(dāng)溫度為20 ℃ 時(shí),硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層表面的接觸角僅為88.1°。當(dāng)溫度逐漸上升至50 ℃時(shí),復(fù)合涂層表面的接觸角上升到110.5°;而當(dāng)溫度超過(guò) 50 ℃時(shí),復(fù)合涂層表面的接觸角逐漸下降到98.9°。這可能是由于溫度過(guò)高會(huì)導(dǎo)致硅單體中的—Si(OCH3) 基團(tuán)發(fā)生一定程度的縮合和水解,阻礙了疏水基團(tuán)向界面的遷移[34],從而使涂層在溫度高于50 ℃時(shí)接觸角反而減小。

圖5 (A)不同溫度條件下的涂層接觸角(插圖為空白基體的接觸角圖片);(B)不同溫度條件下的Nyquist 圖(插圖為空白基體的Nyquist 圖);(C)不同溫度條件下的塔菲爾曲線：(a)基體;(b)20 ℃;(c)30 ℃;(d)40 ℃;(e)50 ℃;(f)60 ℃Fig.5 (A) Contact angle,(B) Nyquist plots and (C) Tafel polarization curves of coatings fabricated at different temperature：(a) substrate;(b) 20 ℃;(c) 30 ℃;(d) 40 ℃;(e) 50 ℃;(f) 60 ℃

不同沉積溫度條件下制備的涂層的Nyquist圖如圖5(b)所示,與基體相比,覆蓋涂層后的阻抗增加了3個(gè)數(shù)量級(jí),大大提高了基體的耐蝕性,但溫度對(duì)涂層耐腐蝕性能的影響較小。塔菲爾極化曲線如圖5(c)所示,相應(yīng)的腐蝕電流密度(Icorr)和腐蝕電位(Ecorr)列于表4中,可以看出,不同溫度條件下制備的各涂層的腐蝕電流密度和腐蝕電位均相差不大,說(shuō)明溫度對(duì)硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層的耐蝕性影響不明顯,這可能是由于電能給予單體斷鍵的能量大于熱能給予的能量,從而導(dǎo)致溫度的影響不顯著,這一結(jié)果與阻抗的測(cè)試結(jié)果一致。

表4 不同溫度條件下,涂層的腐蝕電流密度(Icorr)及腐蝕電位(Ecorr)Table 4 Corrosion current density (Icorr) and corrosion potential (Ecorr) of coatings fabricated at different temperature

2.3 沉積時(shí)間對(duì)涂層的影響分析

圖6為不同沉積時(shí)間條件下制備的硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層的SEM圖。結(jié)合圖2(d)和圖6可以看出,不同沉積時(shí)間條件下涂層的微觀形貌較為相似,均含有一些凹陷處。沉積時(shí)間較短時(shí)(<3 h)涂層含有較多的凹陷,此時(shí)的涂層厚度較薄,單體聚合反應(yīng)過(guò)程中有氣體逸出對(duì)涂層的干擾性較強(qiáng)。表5為不同沉積時(shí)間條件下制備的涂層的X射線能譜(EDS)元素分析表?？梢钥闯?隨著沉積時(shí)間的延長(zhǎng),涂層中Si元素和Ce元素的含量均有所增加,說(shuō)明適當(dāng)延長(zhǎng)沉積時(shí)間可以提高硅單體的聚合量以及鈰化合物的摻雜量。

表5 不同沉積時(shí)間下所制備涂層的 EDS 元素含量Table 5 EDS element content of the coatings fabricated at different deposition times

圖6 不同沉積時(shí)間下,涂層的SEM圖：(a)2 h;(b)2.5 h;(c)3.5 h;(d)4 hFig.6 SEM surface morphology of the coatings fabricated at different deposition times：(a) 2 h;(b) 2.5 h;(c) 3.5 h;(d) 4 h

從圖7(A)中可以看出當(dāng)沉積時(shí)間為2h時(shí),硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層表面的接觸角為98.0°。當(dāng)沉積時(shí)間逐漸延長(zhǎng)至3 h時(shí),復(fù)合涂層表面的接觸角上升到110.5°;但當(dāng)沉積時(shí)間超過(guò)3 h時(shí),復(fù)合涂層表面的接觸角逐漸下降至79.2°。沉積時(shí)間過(guò)長(zhǎng)可能引起涂層表面的副反應(yīng),硅氧烷可能發(fā)生一定程度的縮合和水解,表面羥基數(shù)量的增加也會(huì)在一定程度上降低疏水性,使得涂層在沉積時(shí)間超過(guò)3 h時(shí)接觸角反而減小。

圖7 (A)不同沉積時(shí)間下的涂層接觸角(插圖為空白基體的接觸角圖片);(B)不同沉積時(shí)間下的Nyquist 圖(插圖為空白基體的Nyquist 圖);(C)不同沉積時(shí)間下的塔菲爾曲線：(a)基體;(b)2 h;(c) 2.5 h;(d)3 h;(e)3.5 h;(f)4 hFig.7 (A) Contact angle,(B) Nyquist plots and (C) Tafel polarization curves of coatings fabricated at deposition times：(a) substrate;(b) 2 h;(c) 2.5 h;(d) 3 h;(e) 3.5 h;(f) 4 h

不同沉積時(shí)間條件下制備的涂層的Nyquist圖如圖7(B)所示,時(shí)間對(duì)涂層耐蝕性的影響不大。涂層的塔菲爾極化曲線如圖7(C)所示,結(jié)合表6中相應(yīng)的腐蝕電流密度(Icorr)和腐蝕電位(Ecorr),可以發(fā)現(xiàn),不同沉積時(shí)間條件下,腐蝕電流密度相差不大,這可能是由于聚合物涂層的導(dǎo)電性能較差,一旦表面覆蓋一層聚合物涂層后,后續(xù)的持續(xù)生長(zhǎng)速率較低,因此延長(zhǎng)沉積時(shí)間不能有效提高涂層的厚度,對(duì)腐蝕速率的影響較小。在2 h沉積時(shí)間條件下獲得的涂層腐蝕電位最正,即被腐蝕的傾向性較小。在4 h沉積時(shí)間條件下獲得的涂層腐蝕電位最負(fù),即被腐蝕的傾向性較大。沉積時(shí)間過(guò)長(zhǎng)(>3.5 h)對(duì)于涂層的耐蝕性能起的是消極作用,隨著沉積時(shí)間的不斷延長(zhǎng),涂層網(wǎng)絡(luò)被無(wú)機(jī)物填充的數(shù)量增多,即鈰化合物的加入,可能使得離子電流通過(guò)涂層向金屬表面流動(dòng)的導(dǎo)電路徑被拓寬,被腐蝕的傾向性增強(qiáng)[35]。

表6 不同沉積時(shí)間條件下,涂層的腐蝕電流密度(Icorr)及腐蝕電位(Ecorr)Table 6 Corrosion current density (Icorr) and corrosion potential (Ecorr) of coatings fabricated at different deposition times

電化學(xué)工藝參數(shù)對(duì)于涂層的疏水性和耐蝕性都有一定程度的影響,沉積涂層后耐蝕性相較于基體均有大幅度的提升。綜合以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以得出最佳電化學(xué)工藝參數(shù)為：沉積電壓-20 V、沉積溫度 50 ℃、沉積時(shí)間 3 h。后續(xù)對(duì)于改變電解液中硅單體種類(lèi)的實(shí)驗(yàn)都基于此參數(shù)實(shí)施。

2.4 不同種類(lèi)硅單體對(duì)涂層的影響分析

圖8為電解液中添加C6H14OSi硅單體時(shí)所制備出的涂層的SEM 圖,與添加A171時(shí)涂層的表面形貌(圖2(d))相比,有大量較小的凹陷分布在涂層表面,這可能是由于C6H14OSi分子鏈與A171相比較長(zhǎng),受到空間位阻效應(yīng)較大[36],導(dǎo)致雙鍵斷裂速度緩慢,電聚合過(guò)程變慢,從而在涂層表面形成大量微小缺陷,從而導(dǎo)致涂層的耐腐蝕性降低(見(jiàn)圖9)。

圖8 C6H14OSi作為硅單體所制備涂層的 SEM 圖(右圖為左圖的放大)Fig.8 SEM surface morphology (left) and the corresponding enlarged image (right) of the coatings fabricated in the solution containing C6H14OSi as silicone monomer

圖9 C6H14OSi 作為硅單體所制備涂層的塔菲爾極化曲線Fig.9 Tafel polarization curves of the coatings fabricated in the solution containing C6H14OSi as silicone monomer

圖10 以不同種類(lèi)硅烷作為硅單體所制備的涂層的示意圖Fig.10 Schematic diagram of the coating synthesized by using different kinds of silicone monomers

電解液中加入不同種類(lèi)硅單體時(shí)所制備涂層的塔菲爾極化曲線如圖 9 所示,以C6H14OSi為硅單體制備的腐蝕電流密度(Icorr)和腐蝕電位(Ecorr)分別為2.378×10-5A/cm2與 -0.962 V。與采用 A171作為硅單體時(shí)制備的涂層相比(見(jiàn)圖3(c)和表 2),使用C6H14Osi作為硅單體制備的涂層的腐蝕電位略微正移,但腐蝕電流密度增大了兩個(gè)數(shù)量級(jí),腐蝕速率明顯增大,可能是由于空間位阻效應(yīng),C6H14OSi的斷鍵速度慢,影響涂層的聚合速度,在相同的制備時(shí)間內(nèi),以C6H14OSi為硅單體的涂層表面缺陷處較多,未完全覆蓋基體,導(dǎo)致其耐蝕性也相對(duì)較差。

硅烷種類(lèi)的不同對(duì)于涂層疏水性具有重大影響。硅烷中雙鍵通過(guò)電能發(fā)生斷鍵與丙烯酸酯單體相連,增加所形成的分子鏈中的硅氧鍵。如圖 10,由于兩種硅烷的分子鏈長(zhǎng)短不同,所受到的空間位阻效應(yīng)也不同,硅烷中雙鍵斷裂速度不同,C6H14OSi 中碳碳雙鍵在電能作用下的斷裂速度小于 A171,導(dǎo)致分子鏈中所連硅烷較少,從而很大程度影響涂層的接觸角大小。經(jīng)測(cè)量,以C6H14OSi 為硅單體的涂層的疏水性較差,接觸角僅為80.2°,遠(yuǎn)小于以 A171為硅單體的涂層的接觸角。

3 結(jié) 論

本文采用兩電極一步電合成方法成功制備了一系列具有防污耐蝕性能的硅丙烯酸樹(shù)脂/CeO2涂層。分別研究了主要電合成工藝參數(shù)及不同硅單體對(duì)涂層組成、結(jié)構(gòu)以及性能的影響,經(jīng)過(guò)多種測(cè)試表征得出以下主要結(jié)論：

(1)采用本方法制備涂層的最佳電化學(xué)參數(shù)為：沉積電壓為-20 V,沉積溫度為 50 ℃,沉積時(shí)間為3 h。

(2)最佳工藝條件下所制備涂層的接觸角為110.5°,與基體相比提高了78.0°,腐蝕電位從-1.029 V正移到-0.989 V,腐蝕電流密度為2.052×10-7A/cm2,較基體減小了兩個(gè)數(shù)量級(jí),疏水性和耐蝕性均得到顯著提高。

(3)比較使用A171和C6H14OSi作為硅單體的涂層發(fā)現(xiàn),使用A171作為硅單體的涂層耐蝕性和疏水性更佳。