楊秀凡 劉令巍 楊榮燕 陸躍威 柳文章
(安順學院電子與信息工程學院,貴州 安順561000)
鋯鈦酸鉛(PZT)基陶瓷由于具有優(yōu)異的壓電性能[1]近幾十年來一直被人們應(yīng)用于傳感器、制動器和驅(qū)動器等器件領(lǐng)域。在生產(chǎn)和使用PZT陶瓷時,其中的鉛元素對環(huán)境和人體健康造成危害[2]。因此,尋找環(huán)境友好的壓電陶瓷材料成為人們研究的熱點[3-5]。在眾多的壓電陶瓷材料中,鈮酸鉀鈉((Na,K)NbO3,KNN)由于具有高居里溫度、較大壓電常數(shù)、環(huán)境無污染且價格低等優(yōu)點備受人們的關(guān)注。材料的結(jié)構(gòu)、制備工藝、元素摻雜等對KNN陶瓷的性能產(chǎn)生重要影響,國內(nèi)外學者在這些方面展開了豐富的研究[6-10]。KNN燒結(jié)制備過程中,溫度控制較為關(guān)鍵。溫度較高會導致陶瓷樣品過燒,溫度過低則陶瓷晶粒發(fā)育不充分,陶瓷材料致密度差。保溫時間同樣影響晶粒發(fā)育,對KNN陶瓷的性能產(chǎn)生重要影響。本文采用固相燒結(jié)法制備了(Na,K)NbO3(KNN)陶瓷樣品,研究保溫時間對KNN陶瓷性能的影響。
實驗藥品為分析純K2CO3(99.9%)、Na2CO3(99.8%)、Nb2O5(99.9%),按照K、Na、Nb元素化學計量摩爾比1∶1∶2進行稱量。將稱量好的藥品分別放入燒杯中,將盛有藥品的燒杯放進電熱鼓風干燥箱在80℃下干燥4h。除去水分后,以無水乙醇為介質(zhì)將以上藥品放入星型球磨機中球磨12h。將球磨后的粉料倒入瑪瑙研磨罐內(nèi)進行細磨,細磨后將粉體倒入60目的篩子上進行過篩,最后得到細致的粉體。將粉體加入3%的PVA粘合劑,在粉末壓片機上以7Mpa壓制成直徑10mm,厚度2mm的樣品。將樣品在700℃下排膠2h后進行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1100℃。保溫時間分別設(shè)置為1~4h,升溫速率為3℃/min。
采用VEGA3SBU掃描電鏡對燒結(jié)后KNN樣品進行表面形貌觀測,采用CH-50霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)測量樣品的載流子濃度、載流子遷移率、霍爾電壓,給定電流強度為2mA、磁場強度為100mT,采用紫外可見分光光度計測試樣品吸光度。
2.1 不同保溫時間樣品表面形貌
圖1為KNN樣品SEM照片。圖1(a)為保溫時間2h樣品SEM照片,由圖可見晶粒分布不均勻、孔隙較多,致密度差,平均晶粒尺寸為1μm。圖1(b)為保溫時間2.5h時樣品SEM照片,由圖可以看到晶粒大小分布較為均勻,孔隙減少,致密度變好,晶粒平均尺寸為2μm。圖1(c)為保溫時間3h樣品SEM照片,由圖可以看到規(guī)則方形晶粒減少,致密度變差。這可能是由于長時間保溫導致K、Na元素在燒結(jié)爐中揮發(fā),晶格受到破壞所致[9]。圖1(d)為保溫時間3.5h時樣品SEM照片,由圖可以看到KNN晶粒變小,白色箭頭的部分區(qū)域晶粒呈島狀生長。這可能是由于隨保溫時間的增加,K、Na元素的揮發(fā)加強,離子的擴散作用增強,在自由能低的區(qū)域沉積生長所致。隨保溫時間的增加,KNN晶粒間發(fā)生固溶強化,晶粒逐漸長大,樣品表面孔隙逐漸減少,致密度變好,當保溫時間超過2.5h后,由于K、Na元素易揮發(fā),晶粒規(guī)則性破壞,晶粒在原來的生長平面上成島狀生長。
圖1 不同保溫時間KNN樣品表面形貌
2.2 不同保溫時間KNN樣品載流子濃度
由圖2可知,KNN陶瓷的載流子濃度隨著保溫時間增加,載流子濃度逐漸降低并在保溫時間為2.5h時達到波谷2.3×107/cm3,隨后呈上升趨勢。隨保溫時間增加,KNN晶粒逐漸均勻,孔隙減少,致密度變好,結(jié)晶質(zhì)量變好,K、Na等元素進入晶格,不利于產(chǎn)生自由移動的載流子,因此載流子濃度隨保溫時間呈降低趨勢。當保溫時間大于2.5h后,K、Na元素的揮發(fā)增強,規(guī)則的晶粒減少,樣品結(jié)晶質(zhì)量變差,樣品結(jié)構(gòu)有利于產(chǎn)生載流子,因此載流子濃度升高。KNN壓電陶瓷材料本質(zhì)上屬于介質(zhì)材料,載流子主要為自由移動的粒子。當樣樣品結(jié)晶質(zhì)量好時K、Na元素進入KNN晶格,陶瓷樣品懸掛鍵減少,不利于產(chǎn)生載流子。當K、Na元素揮發(fā)較多時,由于晶格畸變產(chǎn)生大量懸掛鍵,有利于產(chǎn)生載流子。
圖2 不同保溫時間KNN樣品載流子濃度
2.3 不同保溫時間KNN樣品載流子遷移率 圖3為不同保溫時間KNN樣品載流子遷移率,由圖可知隨著保溫時間增加,載流子遷移率逐漸增強,當保溫時間為2.5h時載流子遷移率達到峰值為30.2cm2/v.s,隨后呈下降趨勢。隨保溫時間的增加,KNN陶瓷孔隙減少,致密度變好,晶格對載流子的散射作用減小,KNN體系內(nèi)有利于載流子的遷移,因此載流子遷移率增大。當保溫時間超過2.5h后規(guī)則晶粒減少,K、Na元素揮發(fā)增強,結(jié)晶質(zhì)量變差,晶格對載流子的散射作用增強,因此載流子遷移率呈下降趨勢。
圖3 不同保溫時間KNN樣品載流子遷移率
2.4 不同保溫時間KNN樣品霍爾電壓
圖4為不同保溫時間KNN樣品霍爾電壓??梢钥吹诫S保溫時間的增加,KNN樣品霍爾電壓呈增大趨勢,在保溫時間為2.5h時霍爾電壓達到峰值為24.8mv。本實驗制備的KNN樣品未摻雜,因此極化電荷成為霍爾電壓的主要貢獻。保溫時間為2.5h時,KNN樣品的晶粒均勻、晶體學缺陷少、致密度好,樣品結(jié)構(gòu)有利于電荷極化,因此霍爾電壓隨保溫時間呈增加趨勢。保溫時間大于2.5h后,K、Na元素揮發(fā)增強,部分晶粒呈島狀生長,此時樣品結(jié)構(gòu)不利于電荷極化,所以霍爾電壓隨保溫時間呈下降趨勢。
圖4 不同保溫時間KNN樣品霍爾電壓
2.5 不同保溫時間KNN樣品吸光度
由圖5可以看出,隨保溫時間的增加,KNN樣品吸光度逐漸增大,在保溫時間為2.5h時吸光度達到峰值為4.78A。此時樣品晶粒更均勻,致密度好,結(jié)晶學缺陷少,KNN樣品對光的散射作用減弱,此時的結(jié)構(gòu)有利于光的吸收,在此保溫時間下樣品對光的吸收較好。繼續(xù)增加保溫時間,晶粒異常長大,此時結(jié)構(gòu)不利于光吸收,使得光吸收度減小。材料對光吸收具有選擇性,保溫時間過延長時K、Na揮發(fā)較多,破壞KNN晶體能帶,使得KNN陶瓷材料對光吸收度減少。
圖5 同保溫時間KNN樣品吸光度
采用固相燒結(jié)法制備了(Na,K)NbO3(KNN)陶瓷材料,研究保溫時間對KNN壓電陶瓷性能的影響。當保溫時間為2.5h時所制備的KNN壓電陶瓷晶粒最為均勻,結(jié)晶質(zhì)量好。當保溫時間增加后KNN樣品規(guī)則性晶粒減少,結(jié)晶質(zhì)量變差。KNN陶瓷載流子濃度隨保溫時間增加呈現(xiàn)出先降低后增加的趨勢,載流子遷移率隨保溫時間呈現(xiàn)出先增加后降低的趨勢,保溫時間為2.5h時載流子遷移率最高為30.2cm2/v.s,霍爾電壓隨保溫時間呈現(xiàn)出先增加后降低的趨勢,霍爾電壓最大值為24.8mv,保溫時間為2.5h時KNN對光的吸收較好為4.83A。