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    海膽狀Mg Co2O4納米材料的制備及其電化學(xué)性能

    2022-04-26 14:15:16柯尊潔朱小龍
    關(guān)鍵詞:海膽電流密度電化學(xué)

    柯尊潔,倪 航,杜 銳,田 玉,朱小龍,鄭 廣

    (江漢大學(xué) 光電化學(xué)材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北 武漢 430056)

    0 引言

    人類在開發(fā)新能源的同時(shí)也在研究一些新的儲(chǔ)能器件,如超級(jí)電容器、鋰電池等。超級(jí)電容器是一種具有廣闊市場前景的新型能源儲(chǔ)存器件,因具有快速充放電、工作壽命長等優(yōu)勢,引起研究者們的廣泛關(guān)注[1?4]。超級(jí)電容器主要由正負(fù)極材料、集流體、隔膜、電解液4部分組成,其中超級(jí)電容器的重要組成部分——電極材料是影響電容器性能的關(guān)鍵因素[5?6]。因此,選擇合適的制備方法尤為重要。本實(shí)驗(yàn)采用一步水熱法,在泡沫鎳上直接生長了活性物質(zhì),不需要粘結(jié)劑,簡化了工藝流程,可以更為客觀地對電極材料進(jìn)行表征及電化學(xué)性能測試。

    目前,超級(jí)電容電極材料主要為碳材料[7]、金屬化合物(如RuO2[8]、MnO2、Ti O2[9]等)、導(dǎo)電聚合物[10]等。研究表明,二元系金屬化合物的綜合電化學(xué)性能表現(xiàn)強(qiáng)于一元系金屬化合物。鈷酸鎂作為尖晶石型二元系金屬化合物,具有多重價(jià)態(tài),理論比電容高達(dá)3 122 F/g[11],但是因?yàn)樾蚊病⒔Y(jié)構(gòu)、電導(dǎo)率等因素,實(shí)際獲得的比電容值并不高,因此如何獲得高比電容成為該材料的一個(gè)研究熱點(diǎn)。

    近年來已報(bào)道的MgCo2O4納米材料有納米鏈[4]、納米錐[11]、納米針[12]、海膽球[13]等。眾所周知,材料的電容器存儲(chǔ)性能主要受化學(xué)成分、結(jié)構(gòu)形態(tài)等的影響,目前已有研究結(jié)果顯示獲得的實(shí)際比電容值并不高,如Xu等[14]制備出雙海膽狀MgCo2O4分級(jí)結(jié)構(gòu),在2 A/g的電流密度下測試得到的比電容為508 F/g;Krishnan等[15]制備出立方體結(jié)構(gòu)的MgCo2O4,當(dāng)電流密度為1 A/g時(shí),比電容達(dá)到690 F/g。

    本文運(yùn)用水熱法[16],以尿素為沉淀劑,水解產(chǎn)生氫氧根離子,與鎂、鈷離子結(jié)合成前驅(qū)體復(fù)合在泡沫鎳上,而后通過進(jìn)一步高溫氧化制備出海膽狀MgCo2O4納米材料,該制備工藝簡便,且制備出的電極材料具有良好的電化學(xué)性能。

    1 樣品材料制備與方法

    1.1 實(shí)驗(yàn)試劑

    本實(shí)驗(yàn)所采用的藥品均為分析純,主要藥品信息見表1。

    表1 藥品信息表Tab.1 Chemical list

    1.2 海膽狀MgCo2O4納米材料的制備

    先裁取一定大小的泡沫鎳(2 cm×4 cm),隨后依次用鹽酸(3 mol/L)、丙酮、無水乙醇、去離子水分別超聲清洗15 min,去除氧化物、雜質(zhì)等,再在40℃的條件下干燥5 h。取0.77 g六水合硝酸鎂(Mg(NO3)2·6H2O)、1.75 g六水合硝酸鈷(Co(NO3)2·6H2O)、5.4 g尿素(CO(NH2)2)溶解于60 mL去離子水中,磁力攪拌1 h,隨后再轉(zhuǎn)移進(jìn)100 mL聚四氟乙烯內(nèi)膽的反應(yīng)釜中,斜插入干燥后的泡沫鎳,擰緊密封放入真空干燥箱中,100℃下反應(yīng)12 h。水熱反應(yīng)完成降至室溫后,分別使用去離子水和無水乙醇清洗多遍,再次在真空干燥箱中60℃干燥5 h。干燥完成后將樣品放入真空管式爐中350℃煅燒2 h,得到海膽球狀MgCo2O4納米材料,標(biāo)記為M?10。重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)兩次,其他條件不變,僅真空干燥箱中水熱反應(yīng)溫度分別設(shè)為80和120℃,產(chǎn)物標(biāo)記為M?8和M?12。

    1.3 樣品表征

    本實(shí)驗(yàn)使用XPert Powder型X射線粉末衍射儀(XRD)對樣品進(jìn)行物相分析,與標(biāo)準(zhǔn)卡比對,確定材料中存在的物相及純度等;使用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM,型號(hào)為SU8000,加速電壓為3 kV)來觀察和分析樣品微區(qū)形貌。

    1.4 電化學(xué)性能分析

    測試采用型號(hào)為CHI660E上海辰華電化學(xué)工作站。在三電極體系中,以待測材料為工作電極,PT片電極為對電極,Hg/HgO電極為參比電極,在3 mol/L KOH溶液中測試循環(huán)伏安(CV)曲線、恒電流充放電(GCD)曲線以及電化學(xué)交流阻抗譜(EIS)等。

    CV曲線為掃描電位與響應(yīng)電流線性相關(guān)的曲線,通過該曲線可以清晰地觀察判斷其電勢行為。GCD曲線為恒定電流下的充放電曲線,據(jù)此判斷電容特性、庫倫效率等。EIS曲線用于研究傳遞阻抗、分析材料內(nèi)阻等。材料比電容C(F/g)的計(jì)算公式[17]為

    式中,I為放電電流(A);Δt為放電時(shí)間(s);ΔV為去除電壓降后的電壓窗口(V);m為活性物質(zhì)量(g)。

    兩電極中,以泡沫鎳上生長著活性物質(zhì)的待測電極為工作電極,活性炭(AC)電極為對電極,其中AC、導(dǎo)電炭黑與聚偏氟乙烯質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為8∶1∶1,加入少量的N?甲基吡咯烷酮溶液攪拌均勻,完成后均勻涂覆在預(yù)處理后的泡沫鎳上,放入真空干燥箱中80℃干燥12 h,活性炭電極質(zhì)量計(jì)算公式為

    式中,m+、m?分別表示正負(fù)極質(zhì)量(g);C+、C?分別表示正負(fù)極比電容(F/g);ΔV+、ΔV?分別表示正負(fù)極測試電壓窗口(V),由此可得到碳電極質(zhì)量,再依據(jù)(1)式(此時(shí)式中I為兩電極體系放電電流(A);Δt為放電時(shí)間(s);m為體系中正負(fù)極電極材料的總質(zhì)量(g);ΔV為兩電極測試電壓窗口)可算出此兩電極體系的比電容(C,F(xiàn)/g)、能量密度(E,Wh/kg)以及功率密度(P,W/kg)[18]:

    2 結(jié)果分析

    2.1 樣品合成過程

    本實(shí)驗(yàn)M?10制備步驟分3步:①泡沫鎳預(yù)處理,使用化學(xué)試劑對純NF進(jìn)行超聲清洗;②水熱反應(yīng),高溫高壓下反應(yīng)生成MgCo2O4前驅(qū)物;③高溫煅燒,前驅(qū)物進(jìn)一步氧化生成目標(biāo)產(chǎn)物。反應(yīng)機(jī)理為溶液中尿素會(huì)參與水解產(chǎn)生OH?,進(jìn)而與Mg2+、Co2+反應(yīng)結(jié)合生成MgCo2(OH)6前驅(qū)物沉淀,再在管式爐中進(jìn)行脫水熱處理得到鈷酸鎂[19?20]。

    2.2 物相分析及形貌表征

    為了避免泡沫鎳對樣品XRD圖譜造成影響,本實(shí)驗(yàn)采用反應(yīng)釜中沉淀物350℃煅燒2 h后的產(chǎn)物進(jìn)行XRD衍射測試,將衍射圖譜與標(biāo)準(zhǔn)圖譜(JCPDS No.81?0667)比對(見圖1)。由圖1可知,100℃及120℃水熱反應(yīng)的產(chǎn)物有7組晶面對應(yīng)性完好且無其他明顯雜質(zhì)峰,說明所制備的MgCo2O4晶體結(jié)晶性良好,與文獻(xiàn)[21]結(jié)果一致,純度較高,相較之下M?8則明顯存在不足。

    圖1 所制備3種樣品粉末的XRD圖Fig.1 XRD patterns of the three samples prepared

    圖2(a)、圖2(c)和圖2(e)分別對應(yīng)樣品M?8、M?10和M?12的低倍率SEM圖,圖2(b)、圖2(d)和圖2(f)對應(yīng)樣品M?8、M?10和M?12的高倍率SEM圖。從圖2可以看出,3種樣品對應(yīng)的形貌均為海膽狀結(jié)構(gòu)。樣品M?8、M?10對應(yīng)的海膽狀結(jié)構(gòu)尺寸大多在7μm左右,M?12的海膽狀結(jié)構(gòu)尺寸大多在5μm,同時(shí)表面還混有其他不規(guī)則結(jié)構(gòu)。相對M?10的海膽狀結(jié)構(gòu),圖2(a)和圖2(e)顯示M?8和M?12的形狀差異和不規(guī)則程度較大。高倍率圖中,M?10球體尺寸規(guī)則,由眾多放射狀納米針組裝而成,長度均勻,約為3~4μm,球體與球體間、納米針之間都有較大的空隙,可以增加電活性位點(diǎn),提高樣品電化學(xué)性能的各項(xiàng)參數(shù)[22]。

    2.3 電化學(xué)性能分析

    2.3.1 材料的電容量分析 本實(shí)驗(yàn)在3 mol/L KOH電解液中進(jìn)行測試。圖3(a)為M?8、M?10和M?12在5 mV/s掃描速率下的CV曲線,三者測試曲線均出現(xiàn)了氧化還原峰,說明均為贗電容,M?10峰值電位分別為0.5和0.316 V,M?12為0.499和0.338 V,M?8為0.446和0.335 V。

    由圖3(a)可以看到M?10的CV曲線面積最大,表明M?10具有較好的電容性能,存儲(chǔ)電荷能力更強(qiáng)。圖3(b)為M?8、M?10和M?12在0~0.5 V電壓范圍內(nèi)、1 A/g電流密度下測試的GCD曲線,各曲線充電與放電時(shí)間相接近,曲線基本對稱,表現(xiàn)出良好的可逆性,同時(shí)曲線中出現(xiàn)的放電平臺(tái)表明三者均具有法拉第贗電容特性,與圖3(a)分析結(jié)果保持一致。此外M?10的放電時(shí)間最長,表明其具有良好的儲(chǔ)能能力,與SEM表征中M?10擁有更為均勻分布的納米針間隙有關(guān),可增加活性位點(diǎn),綜合而言M?10的性能最好。

    圖2(a)M-8低倍SEM圖;(b)M-8高倍SEM圖;(c)M-10低倍SEM圖;(d)M-10高倍SEM圖;(e)M-12低倍SEM圖;(f)M-12高倍SEM圖Fig.2(a)Low magnification SEM image of M-8;(b)High magnification SEM image of M-8;(c)Low magnification SEM image of M-10;(d)High magnification SEM image of M-10;(e)Low magnification SEM image of M-12;(f)High magnification SEM image of M-12

    圖3(c)為M?10在1、3、5和10 mV/s的掃描速率下的CV曲線,從圖3(c)可以清楚地觀察到一對氧化還原峰,這說明溶液中發(fā)生了典型的氧化還原反應(yīng),電容主要是贗電容[23?25]。隨著掃描速率的增加,對應(yīng)的CV曲線的面積也隨之增大,氧化峰與還原峰在向著相反的方向變化,這是材料內(nèi)部的歐姆電阻和極化反應(yīng)所致。

    圖3(d)為M?10在0~0.5 V的電位窗口中,1、2、3、7、10、20 A/g電流密度下測試的GCD曲線,曲線上均存在明顯的放電平臺(tái),表明材料主要發(fā)生的是贗電容行為[26];M?10的放電時(shí)間分別為534.5、255.0、163.0、58.4、37.4和12.2 s。據(jù)(1)式計(jì)算對應(yīng)的比電容分別為1 090.8、1 040.8、1018.8、888.7、850.0和625.6 F/g。

    2.3.2 M?10的倍率/阻抗性能 圖4(a)為M?10的倍率性能圖??梢钥吹诫S著電流密度的不斷加大,比電容值逐漸減小,這是因?yàn)槌浞烹娝俾时热芤褐须x子或質(zhì)子傳遞速率大,離子來不及充分反應(yīng),最終電極材料周圍的氧化還原反應(yīng)進(jìn)行得不夠徹底所致,當(dāng)電流密度達(dá)到20 A/g時(shí),比電容為625.6 F/g(計(jì)入了電壓降),容量保持率為57%,說明材料具有良好的可逆性以及不錯(cuò)的電子傳入與傳出效果[27?28]。

    為進(jìn)一步探究M?10阻抗性能,研究電極材料內(nèi)部的電荷轉(zhuǎn)移電阻和離子擴(kuò)散性能,分別測試3個(gè)樣品的EIS(見圖4(b))?;⌒吻€包含高頻的半圓區(qū)和低頻的直線區(qū),高頻區(qū)的半圓直徑反映了材料與電解液之間傳遞阻抗的大小,低頻直線區(qū)反映了材料界面的物理擴(kuò)散情況,直線的斜率越小,阻抗越大。由圖4(b)可知,M?10阻抗及擴(kuò)散性能介于M?8與M?12之間,其內(nèi)部阻抗(Rs)為0.42Ω。較小的阻抗有利于離子的擴(kuò)散[29]。

    圖3(a)M-8、M-10、M-12在5 mV/s掃描速率下的CV曲線;(b)M-8、M-10、M-12在0~0.5 V電壓范圍內(nèi)、1 A/g電流密度下的GCD曲線;(c)M-10在1、3、5和10 mV/s的掃描速率下的CV曲線;(d)M-10在0~0.5 V的電位窗口中,1、2、3、7、10、20 A/g電流密度下的GCD曲線Fig.3(a)CV curves of M-8,M-10,and M-12 at the scan rate of 5 m V/s;(b)GCD curves of M-8,M-10,and M-12 at the voltage window of 0~0.5 V and the current density of 1 A/g;(c)CV curves of M-10 at the scan rate of 1,3,5,and 10 mV/s;(d)GCD curves of M-10 at the voltage window of 0~0.5 V and the current density of 1,2,3,7,10,and 20 A/g

    圖4(a)M-10的倍率性能圖;(b)M-8、M-10、M-12 EIS曲線Fig.4(a)Rate performance of M-10;(b)EIS curves of M-8,M-10,and M-12

    2.3.3 材料的循環(huán)性能分析 為測試材料的循環(huán)穩(wěn)定性,對樣品M?8、M?10、M?12以12.6 A/g的電流密度各循環(huán)1 000圈的電容保持率曲線進(jìn)行了對比(見圖5(a))。比電容保持率分別為84.6%、94.5%和89.9%,M?10表現(xiàn)最穩(wěn)定。將M?10再以20 A/g的電流密度循環(huán)5 000圈(見圖5(b)),比電容保持了91.0%,插圖為其循環(huán)5 000圈時(shí)比電容變化圖,表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。圖5(c)為M?10循環(huán)5 000圈前后的CV曲線對比,氧化、還原峰位都分別在0.5、0.3 V附近。圖5(d)為循環(huán)5 000圈前后的GCD曲線對比,放電時(shí)間分別為126.5、125.9 s,皆未有明顯的變化,這說明M?10具有良好的循環(huán)性能,且電化學(xué)性能優(yōu)于其他同種MgCo2O4材料,具體數(shù)據(jù)見表2。

    圖5(a)M-8、M-10、M-12以12.6 A/g的電流密度循環(huán)1 000圈的電容保持率曲線;(b)M-10以20 A/g的電流密度循環(huán)5 000圈的電容保持率曲線;(c)M-10循環(huán)5 000圈前后的CV曲線;(d)M-10循環(huán)5 000圈前后的GCD曲線Fig.5 (a)Capacitance retention curves of M-8,M-10,M-12 after 1 000 cycles at the current density of 12.6 A/g;(b)Capacitance retention curves of M-10 after 5 000 cycles at the current density of 20 A/g;(c)CV curves of M-10 before and after 5 000 cycles;(d)GCD curves of M-10 before and after 5 000 cycles

    表2 M-10樣品與報(bào)道鈷基材料的電化學(xué)性能數(shù)據(jù)對比Tab.2 Electrochemical performance data comparison of M-10 sample and cobalt-based materials on earlier reports

    2.4 非對稱超級(jí)電容器電化學(xué)性能分析

    非對稱超級(jí)電容器(ASC)的活性炭電極按照(2)式計(jì)算結(jié)果來制備。在對兩電極體系進(jìn)行測試前,需先確定其電壓窗口區(qū)間。圖6(a)和圖6(b)分別為M?10∥AC ASC在兩電極體系中不同電位范圍的CV曲線和GCD曲線,當(dāng)電壓窗口從1 V增加到1.6 V時(shí),GCD曲線未表現(xiàn)出明顯不同,CV曲線出現(xiàn)翹曲的尖角,說明可選的最大合適電壓窗口為1.5 V。較之于傳統(tǒng)的以水系為電解液的碳基對稱超級(jí)電容器的工作區(qū)間(0.8~1.0 V)有所改善,也可以減少實(shí)際應(yīng)用中器件串聯(lián)數(shù)量[34?35]。

    圖6(a)M-10//AC ASC在兩電極體系中不同電位范圍的CV曲線;(b)M-10//AC ASC在兩電極體系中不同電位范圍的GCD曲線Fig.6 (a)CV curves of M-10//AC ASC at different voltage ranges in the two-electrode system;(b)GCD curves of M-10//AC ASC at different voltage ranges in the two-electrode system

    圖7(a)是M?10∥AC ASC在10、15、20、25 mV/s掃描速率下的CV曲線,圖中曲線為不規(guī)則的矩形,存在細(xì)微的氧化還原峰,表明存在法拉第贗電容行為。本實(shí)驗(yàn)中活性物質(zhì)的質(zhì)量約為7 mg,依據(jù)(2)式得活性炭的質(zhì)量約為16.3 mg,再依據(jù)(3)式可得電流密度為1、2、3、4和5 A/g下的質(zhì)量比電容為69.8、66.0、63.5、61.8和60.3 F/g(見圖7(b))。圖7(b)中GCD曲線都近乎對稱,但不是完全的線性規(guī)律,這也表明組裝的非對稱電容器是贗電容,具有較高的充放電庫倫效率。圖7(c)顯示出了M?10∥AC ASC在較大電流密度下仍有較好的電容保持率,保持了86.4%。

    圖7(a)M-10//AC ASC在不同掃描速率下的CV曲線;(b)M-10//AC ASC在不同電流密度下的GCD曲線;(c)M-10//AC ASC倍率性能圖Fig.7(a)CV curves of M-10//AC ASC at different scan rates;(b)GCD curves of M-10//AC ASC at different current densities;(c)Rate performance chart of M-10//AC ASC

    依據(jù)GCD曲線及(3)式和(4)式計(jì)算能量密度、功率密度和倍率性能,結(jié)果如圖8所示。圖8(a)中功率密度為731.5 W/kg時(shí),擁有最大能量密度為20.71 Wh/kg;當(dāng)能量密度為14.4 Wh/kg時(shí),擁有功率密度為3 281 W/kg。圖8(b)為將M?10∥AC ASC以6 A/g電流密度循環(huán)3 000圈測試圖,比電容保持率為96.8%,表明體系在循環(huán)后仍保持活躍的狀態(tài),擁有良好的電化學(xué)性能。插圖為以5 A/g電流密度循環(huán)3 000圈前后的GCD曲線,循環(huán)后充放電時(shí)間有細(xì)微增加,可能由活化作用引起,表明M?10具有較為優(yōu)良的電化學(xué)性能。

    圖8(a)M-10//AC ASC能量密度與功率密度關(guān)系圖;(b)M-10//AC ASC在6 A/g電流密度下循環(huán)3 000圈的電容保持率曲線以及循環(huán)測試前后的GCD曲線Fig.8 (a)Energy density vs.power density of M-10//AC ASC;(b)Capacitance retention curves of M-10//AC ASC after 3 000 cycles at the current density of 6 A/g and GCD curves before and after the cycle

    圖9為海膽狀MgCo2O4的合成及電化學(xué)測試示意圖。在純鎳基底(見圖9(a))上以不同溫度制備MgCo2O4納米材料,標(biāo)記為M?8、M?10、M?12,形貌皆為海膽狀,但是M?8和M?12有團(tuán)簇現(xiàn)象,M?10則反應(yīng)充分,分布均勻,如圖9(b)所示,球體納米針之間間隙較大,使得電解液中的OH?能與活性物質(zhì)充分反應(yīng)。圖9(c)為測試電化學(xué)性能時(shí)溶液中可能存在的OH?和電子流動(dòng)滲透示意圖,M?8和M?12由于團(tuán)簇,不易被滲透,OH?和電子只是在其表面作用,而M?10中納米球排布較均勻、尺寸均一,接觸面積增加,傳輸滲透的通道更多,從而電化學(xué)性質(zhì)表現(xiàn)優(yōu)異。

    圖9(a)純鎳基底;(b)M-8、M-10、M-12海膽狀Mg Co2 O4合成示意圖;(c)M-8、M-10、M-12電化學(xué)性能測試示意圖Fig.9 (a)Pure nickel substrate;(b)Synthetic schematics of urchin ball-like Mg Co2O4 of M-8,M-10,and M-12;(c)Schematic diagram of electrochemical properties test of M-8,M-10,and M-12

    3 結(jié)語

    1)采用水熱法在80、100、120℃下成功制備出均勻生長在泡沫鎳上、密集度較高的海膽狀MgCo2O4電極材料,XRD分析顯示其結(jié)晶度較高,M?10為較純相的MgCo2O4。

    2)M?10電化學(xué)性能測試表明,在電流密度為1 A/g時(shí),GCD曲線的放電比電容為1 090.8 F/g,在20 A/g的電流密度下循環(huán)5 000圈,比電容保持率為91.0%,表現(xiàn)出良好的循環(huán)穩(wěn)定性。

    3)M?10∥AC兩電極體系在1 A/g的電流密度下,放電時(shí)間為204.4 s,計(jì)算比電容為69.8 F/g,在6 A/g的電流密度下循環(huán)3 000圈后,比電容保持率達(dá)到96.8%。兩電極體系M?10∥AC在功率密度為731.5 W/kg時(shí),擁有最大能量密度為20.71 Wh/kg,當(dāng)能量密度為14.4 Wh/kg時(shí),擁有功率密度為3 281 W/kg。以上實(shí)驗(yàn)表明M?10電極材料具有較大蓄存電荷的潛力,具有良好的電化學(xué)性能。

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