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    化學(xué)鍍制備納米銀-石墨烯復(fù)合材料及其電化學(xué)性能

    2021-08-12 10:17:46李金磊鄧凌峰張淑嫻譚潔慧覃榕榮
    材料工程 2021年8期
    關(guān)鍵詞:陽極電化學(xué)石墨

    李金磊,鄧凌峰,3,張淑嫻,譚潔慧,覃榕榮,王 壯

    (1 中南林業(yè)科技大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,長沙 410004;2 中南林業(yè)科技大學(xué) 材料表界面科學(xué)與技術(shù)湖南省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,長沙 410004;3 湖南烯能新材料有限公司,長沙 410205)

    石墨烯(GR)是由單層密集排列的碳原子組成的二維碳納米材料,這種二維平面結(jié)構(gòu)為不同材料的雜化提供了多種平臺(tái)[1-4]。研究者們通過各種工藝及方法,在石墨烯上加入新的特征來實(shí)現(xiàn)某種特定的性質(zhì)或功能,其中金屬納米粒子為常用的一種添加物[5],如Au,Pt,Ag,F(xiàn)e,Cu等[6]。石墨烯與其復(fù)合組分之間存在強(qiáng)烈的協(xié)同作用,這增強(qiáng)了催化活性和穩(wěn)定性[7]。Liu等[8]采用一鍋水熱法和煅燒工藝制備了Fe3O4/C復(fù)合材料,發(fā)現(xiàn)其對人血清中色氨酸的氧化表現(xiàn)出優(yōu)異的電催化活性,具有兩個(gè)寬的檢測范圍(1.0~80 μmol/L和80~800 μmol/L)和0.26 μmol/L的低檢測限。Tu等[9]采用自模板法合成了GR/CuO/Cu-BTC復(fù)合材料,花狀GR提高了復(fù)合材料穩(wěn)定性和導(dǎo)電性,對咖啡酸的氧化表現(xiàn)出優(yōu)異的電催化活性。

    銀納米粒子(AgNPs)具有獨(dú)特的性質(zhì),在其表面上存在較多的活性位點(diǎn),可促進(jìn)電子轉(zhuǎn)移。通過微波法[10]、紫外線照射[11]、電化學(xué)方法[12]、還原劑如硼氫化鈉[13]和聚乙二醇[14-15]等方法將硝酸銀還原成AgNPs,制備過程簡單,成本效益高。AgNPs具有良好的電催化活性,但分散不良,溶液中易聚集。為了避免這種情況的發(fā)生,以GR作為載體引入AgNPs時(shí)不僅減少了石墨烯的堆積,從而提供了更高的表面積,而且GR作為生長載體充分發(fā)揮了AgNPs催化性能。

    銀-石墨烯納米復(fù)合材料的制備多采用水熱法合成或使用有毒有害的還原劑[16-17]。如Roya等[18]以檸檬酸為原料合成石墨烯量子點(diǎn),在GQDs的存在下,用NaBH4還原AgNO3,合成了AgNPs-GQDs,熒光最大發(fā)射波長為470 nm,且在磺胺嘧啶濃度0.04~22.0 μmol/L范圍內(nèi)呈線性增加,檢測限為10 nmol/L,可直接用于測定抗生素磺胺嘧啶的靈敏熒光分析,但局限性在于量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率較低。何光裕等[19]將氧化石墨烯和銀氨溶液混合,加入聚乙二醇,120 ℃水熱反應(yīng)2 h獲得平均粒徑為30 nm的Ag/rGO復(fù)合材料,且Ag/rGO在100 mg/L時(shí)能完全抑制大腸桿菌生長。Soysal等[20]以AgNO3和GO為原料,采用甘氨酸進(jìn)行氮摻雜并同時(shí)還原GO和AgNO3,180 ℃下保溫12 h制備NrGO-Ag納米復(fù)合材料,在NaBH4存在下,對4-硝基苯酚和亞甲基藍(lán)還原反應(yīng)進(jìn)行了催化活性測試,發(fā)現(xiàn)兩種物質(zhì)在210 s和44 s內(nèi)完全降解。

    本工作以綠色無毒害的葡萄糖為還原劑,在較低溫度下采用化學(xué)鍍的方法在石墨烯表面原位生成AgNPs,利用石墨烯較大的比表面積,將AgNPs分散在其表面,從而增強(qiáng)AgNPs的催化性和穩(wěn)定性,防止AgNPs的團(tuán)聚,以此制備出不同負(fù)載量的Ag/GR復(fù)合材料。同之前報(bào)道的水熱法等制備方法相比,該方法具有溫度較低、工藝簡單、低成本、安全無毒害、易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化等特點(diǎn)。采用XRD,EDS,XPS,SEM和FTIR等方法對Ag/GR復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)與形貌進(jìn)行表征,并將其修飾在玻碳電極(GCE)上,制成Ag/GR/GCE電化學(xué)傳感器。CV和EIS研究了Ag/GR/GCE電化學(xué)傳感器的表面電化學(xué)特性,AgNPs與GR間具有協(xié)同增效作用,表現(xiàn)出更高的電化學(xué)催化活性。同時(shí)用CV,LSV和DPV研究了抗壞血酸(AA)在Ag/GR/GCE上的電化學(xué)行為,優(yōu)化了實(shí)驗(yàn)參數(shù),并得到Ag/GR/GCE電極催化AA氧化還原的電化學(xué)機(jī)理。利用此電化學(xué)傳感器,采用差分脈沖伏安法可簡單、快速、準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)AA的靈敏測定。

    1 實(shí)驗(yàn)材料與方法

    1.1 Ag/GR制備

    石墨烯(購自湖南烯能新材技術(shù)有限公司)表面含有部分含氧官能團(tuán),不利于直接進(jìn)行化學(xué)鍍,因此在進(jìn)行化學(xué)鍍之前需對石墨烯進(jìn)行預(yù)處理[21],使石墨烯表面產(chǎn)生更多的活化位點(diǎn)。

    預(yù)處理后的石墨烯超聲分散在無水乙醇中,形成1 mg/mL的石墨烯乙醇溶液。將不同濃度銀氨溶液與上述溶液混合超聲分散30 min。得到的混合溶液于35 ℃下與還原液(葡萄糖、酒石酸鈉、蘋果酸和丁二酸)進(jìn)行混合,攪拌3 h,充分反應(yīng)后得到黑色渾濁溶液。真空抽濾,產(chǎn)物用95%乙醇和蒸餾水洗滌,50 ℃烘箱中干燥10 h,獲得Ag/GR復(fù)合材料。制備工藝流程如圖1所示。根據(jù)銀氨溶液配置過程中所添加的AgNO3溶液濃度的不同(5,6,7,8,9 g/L),將其對應(yīng)的納米銀-石墨烯復(fù)合材料樣品分別標(biāo)記為Ag/GR-5,Ag/GR-6,Ag/GR-7,Ag/GR-8,Ag/GR-9。

    圖1 Ag/GR的制備工藝流程Fig.1 Reparation process of Ag/GR

    1.2 電化學(xué)傳感器制備

    制備樣品超聲分散在無水乙醇中,獲得1 mg/mL Ag/GR懸浮液。用微量取樣器在玻碳電極(GCE)表面涂覆5 μL懸浮液,25 ℃恒溫烘干,制得Ag/GR/GCE電化學(xué)傳感器。

    1.3 性能測試

    晶體結(jié)構(gòu)分析采用Bruker Focus D8型X射線衍射儀。采用TESCAN MIRA3LMU場發(fā)射掃描電鏡檢測產(chǎn)物的顆粒形貌。AA在傳感器上的電化學(xué)行為是在CHI660E電化學(xué)測量儀上,運(yùn)用三電極體系進(jìn)行檢測,電解液為0.2 mol/L,pH值為5.2的醋酸緩沖溶液。利用CV,EIS,LSV和DPV對傳感器性能進(jìn)行研究。

    2 結(jié)果與分析

    2.1 Ag/GR納米復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)與形貌

    2.1.1 XRD分析

    采用XRD研究了不同AgNPs含量的Ag/GR樣品的晶體結(jié)構(gòu)。圖2為銀含量在5~9 g/L之間變化的Ag/GR樣品的XRD圖譜。從圖中的主要特征衍射峰可以看出,Ag/GR樣品中金屬銀單質(zhì)為面心立方結(jié)構(gòu)(JCPDS PDF No.99-0094)。在24°附近觀察到的2θ衍射峰對應(yīng)于石墨烯的(002)晶面。Bhujel等[22]在鎳修飾的石墨烯樣品中≈24.3°處獲得了類似的石墨烯XRD圖譜。通過比對分析,可以發(fā)現(xiàn)銀納米粒子的(111),(200),(220)和(311)晶面分別對應(yīng)37.90°,44.11°,64.29°和77.24°位置的衍射峰,進(jìn)一步表明面心立方結(jié)構(gòu)銀納米粒子(Fm3m)的形成。石墨烯和銀納米粒子的XRD峰的出現(xiàn)證實(shí)了銀修飾石墨烯的成功合成。在37.90°處出現(xiàn)的尖峰證實(shí)了銀納米粒子結(jié)晶度良好,添加石墨烯形成的AgNPs的XRD衍射峰更尖銳、更窄。根據(jù)Debye-Scherrer公式:

    圖2 Ag/GR復(fù)合材料的XRD圖Fig.2 XRD patterns of Ag/GR composites

    (1)

    式中:D是平均粒徑;R=0.89,為謝樂常數(shù);λ=0.15406 nm,為X射線波長;β為衍射峰半高峰寬;θ為衍射角。依據(jù)晶面(111)計(jì)算出Ag/GR樣品中AgNPs的晶粒尺寸約為21 nm。根據(jù)布拉格方程:

    (2)

    式中:d為晶面間距;n=1,為衍射級數(shù)。依據(jù)晶面(002)計(jì)算得到石墨烯的晶面間距約為0.36351 nm,Ag/GR樣品中石墨烯晶面間距約為0.36624 nm。經(jīng)過葡萄糖還原后石墨烯晶面間距增大,晶面間距增大是由于在石墨烯片層之間引入了更多數(shù)量的銀納米粒子,這進(jìn)一步促進(jìn)環(huán)碳原子與銀納米粒子的鍵合而導(dǎo)致碳鍵的sp2雜化環(huán)結(jié)構(gòu)的斷裂。

    要改進(jìn)造林方法,應(yīng)把減少人工造林、促進(jìn)人工林自然更新和重視森林自然更新三項(xiàng)任務(wù)結(jié)合起來,拓寬造林渠道。在退耕還林過程中,存在著許多認(rèn)知誤區(qū),如:天然林不如人工林,闊葉林不如針葉林等。這些誤差導(dǎo)致單向造林、闊葉林物種減少、采伐后相應(yīng)樹種數(shù)量減少、不均勻甚至稀少的情況。也就是說,樹種的結(jié)構(gòu)是不合理的。因此,人工造林、人員促進(jìn)森林自然更新與自然更新的有機(jī)結(jié)合,可以補(bǔ)充樹種,有利于生物多樣性和生態(tài)平衡;鼓勵(lì)多樣化造林,合理規(guī)劃森林資源。鼓勵(lì)企業(yè)投資林業(yè)建設(shè),加大扶持力度,提高天然林生產(chǎn)力;此外,還要對職工進(jìn)行技術(shù)知識(shí)指導(dǎo),調(diào)整林木結(jié)構(gòu),積極改變造林方式,造林方法應(yīng)創(chuàng)新和更新。

    2.1.2 EDS分析

    合成的Ag/GR復(fù)合材料用能譜儀進(jìn)行了元素分析表征,元素組成如圖3所示。能譜分析表明納米復(fù)合材料中存在銀、碳、氧和硅,其質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為:Ag(17.26%),C(68.37%),O(10.66%),Si(3.71%),進(jìn)一步證實(shí)了Ag/GR納米復(fù)合材料的成功制備。硅存在是由于樣品較薄,電子束穿透樣品打到基底硅片上。EDS分析最重要的是證實(shí)了復(fù)合材料中銀的存在。

    圖3 Ag/GR復(fù)合材料SEM照片(a)和EDS圖譜(b)Fig.3 SEM images (a) and EDS spectrum (b) of Ag/GR composites

    2.1.3 XPS分析

    圖4 Ag/GR-7和石墨烯的XPS全譜及其C,O和Ag元素的精細(xì)譜(a)Ag/GR-7全譜;(b)石墨烯全譜;(c)Ag/GR-7 C1s光譜;(d)石墨烯C1s能譜;(e)Ag/GR-7 O1 s光譜;(f)Ag/GR-7和石墨烯的Ag3d光譜Fig.4 Full range XPS spectrum of Ag/GR-7 and graphene and fine spectrum of C, O and Ag elements(a)full range spectrum of Ag/GR-7;(b)full range spectrum of graphene;(c)C1s spectra of Ag/GR-7;(d)C1s spectra of graphene;(e)O1s spectra of Ag/GR-7;(f)Ag3d spectra of Ag/GR-7 and graphene

    圖4(e)為526~547 eV動(dòng)能區(qū)間內(nèi)試樣O1s光譜及曲線擬合結(jié)果。從結(jié)果來看,Ag/GR-7中氧元素主要以4種形式存在,分別為與AgNPs相連接的氧原子(530.8 eV)、羥基氧(531.5 eV)、羧基氧(532.8 eV)及樣品中結(jié)合水中的氧原子(533.9 eV)。從圖4 (f)可以看出,與純石墨烯相比,可觀察到Ag/GR-7樣品中Ag3d的兩個(gè)特征峰,分別為Ag3d5/2(368.5 eV)和Ag3d3/2(374.5 eV)。值得注意的是,動(dòng)能相差約6 eV,表明銀在Ag/GR-7復(fù)合材料中以單質(zhì)的形式存在。

    2.1.4 Ag/GR納米復(fù)合材料的形貌

    圖5(a)~(e)是銀負(fù)載量在5~9 g/L之間變化的Ag/GR樣品的掃描電鏡圖像。在較低負(fù)載量下,AgNPs分布在石墨烯表面。在5 g/L和6 g/L的銀負(fù)載量下,銀納米顆粒非常致密,呈球狀并且分布在石墨烯片層的表面上,但是在更高的銀負(fù)載量下,即8~9 g/L,AgNPs形成了分散良好且形狀不規(guī)則的塊狀結(jié)構(gòu),其塊狀團(tuán)簇結(jié)合在石墨烯片層的內(nèi)部。在石墨烯預(yù)處理過程中,表面上的官能團(tuán)被除去,石墨烯表面變得粗糙,并包含許多缺陷部位,這些缺陷部位隨后被銀納米粒子填充。從掃描電鏡圖上看,隨著銀負(fù)載量從5 g/L升高到9 g/L,銀納米顆粒由球狀變?yōu)閴K狀,顆粒尺寸增加,這是因?yàn)殂y原子之間形成更多數(shù)量的銀-銀鍵,導(dǎo)致銀納米粒子團(tuán)聚形成更大尺寸的塊狀團(tuán)簇。

    圖5 不同銀負(fù)載量下Ag/GR復(fù)合材料的SEM微觀形貌(a)5 g/L;(b)6 g/L;(c)7 g/L;(d)8 g/L;(e)9 g/LFig.5 SEM images of Ag/GR composites under different silver loadings(a)5 g/L;(b)6 g/L;(c)7 g/L;(d)8 g/L;(e)9 g/L

    2.1.5 FTIR分析

    圖6 GO,GR和Ag/GR的FTIR圖Fig.6 FTIR spectra of GO, GR and Ag/GR

    2.2 Ag/GR納米復(fù)合材料電化學(xué)性能測試

    2.2.1 電化學(xué)傳感器的電化學(xué)性能評估

    圖7為不同電化學(xué)傳感器在[Fe(CN)6]3-/4-和KCl溶液中的CV圖,圖7中的曲線a(GCE)上存在一對弱氧化還原峰,陽極峰電流(Ipa)和陰極峰電流(Ipc)較小,分別為42.5 μA和35.9 μA,對應(yīng)于準(zhǔn)可逆電子轉(zhuǎn)移過程。在曲線b(GR/GCE)上,觀察到了清晰明確的氧化還原峰,峰值電流增加,陽極和陰極的峰值電流分別為110 μA和95.4 μA,而氧化還原峰電位差(ΔEp)為92 mV,表明石墨烯具有高電導(dǎo)性。曲線c是在Ag/GR/GCE上獲得的[Fe(CN)6]3-/4-的循環(huán)伏安圖,Ag/GR修飾GCE后,氧化還原峰值電流大約增加2倍,Ipa=212.9 μA,Ipc=165.1 μA,陽極峰電位(Epa)為0.332 V,陰極峰電位(Epc)為0.224 V,ΔEp為108 mV,這表明Ag/GR顯著提高了電化學(xué)性能。與GR/GCE相比,峰值電流增加,峰電位分離增大,得失電子數(shù)目增多,反應(yīng)速率加快,表明AgNPs修飾石墨烯具有優(yōu)異的催化活性,可提高[Fe(CN)6]3-/4-的電子傳遞速率,從而促進(jìn)了目標(biāo)分析物的積累,增加了響應(yīng)電化學(xué)信號(hào)。

    圖7 不同電化學(xué)傳感器在[Fe(CN)6]3-/4-和KCl溶液中的CV圖Fig.7 CV diagram of different electrochemical sensors in [Fe(CN)6]3-/4- and KCl solution

    2.2.2 電化學(xué)傳感器的界面性能評估

    EIS是獲得界面特性的一種有價(jià)值的工具,已廣泛用于研究各種電化學(xué)傳感器的界面特性。為了了解Ag/GR/GCE的界面性質(zhì),進(jìn)行了EIS研究。裸GCE,Ag/GR-5,Ag/GR-6,Ag/GR-7,Ag/GR-8和Ag/GR-9修飾GCE的Nyquist圖如圖8所示(其中X和Y軸分別表示實(shí)際阻抗Z′和虛阻抗Z″)。Nyquist圖顯示了電子轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)和擴(kuò)散特性。Nyquist圖也解釋了電荷轉(zhuǎn)移電阻(Rct)與穿過Ag/GR/GCE電極表面的電荷轉(zhuǎn)移之間的關(guān)系。圖中很明顯可以看出,在裸GCE處得到了最大的半圓形直徑(5500 Ω),這表明裸電極電子轉(zhuǎn)移限制過程的導(dǎo)電性較差。與裸GCE相比,Ag/GR-5,Ag/GR-6,Ag/GR-7,Ag/GR-8和Ag/GR-9修飾GCE的Rct值分別降低到104.2,174.5,90.5,100,110 Ω。Ag/GR-7/GCE的Rct最小,表明Ag/GR-7/GCE的電荷轉(zhuǎn)移電阻最低。在Ag/GR/GCE條件下,由于存在大量的電催化活性位點(diǎn),這些活性位點(diǎn)可以極大地加速AA的氧化還原反應(yīng),因此獲得了較低的Rct值,Ag/GR納米復(fù)合材料能夠有效地降低Rct。此外,尖銳的線性擴(kuò)散曲線表明反應(yīng)物通過電極快速擴(kuò)散。與其他電極相比,Ag/GR-7/GCE具有更大的CV面積和峰值電流。結(jié)果表明,Ag/GR/GCE可以在電極與電解液之間建立良好的電子轉(zhuǎn)移通道。

    圖8 銀負(fù)載量不同Ag/GR修飾電極的電化學(xué)阻抗譜 (a)Nyquist圖;(b)高頻區(qū)的放大Fig.8 Electrochemical impedance spectroscopy of Ag/GR modified electrodes with different silver loadings(a)Nyquist diagram;(b)magnification of high frequency region

    2.2.3 Ag/GR電化學(xué)傳感器對AA的電化學(xué)響應(yīng)

    用循環(huán)伏安法比較了AA在5種不同工作電極上的電化學(xué)行為,AA的電化學(xué)行為是由其在Ag/GR樣品的電活性表面引起CV曲線上出現(xiàn)氧化還原峰來檢測的,結(jié)果如圖9所示。在CV曲線上有一對可逆氧化還原峰,表明Ag/GR/GCE表面經(jīng)歷了兩步電化學(xué)過程。當(dāng)緩沖溶液中加入0.5 μmol/LAA時(shí),在0.2~0.4 V的掃描窗口中,每個(gè)電極上出現(xiàn)陽極峰,在0~0.1 V的掃描窗口中,每個(gè)電極上出現(xiàn)陰極峰,表明AA經(jīng)歷了可逆的氧化還原過程。在Ag/GR-5電極上,AA在0.208 V出現(xiàn)陽極峰值,在0.041 V出現(xiàn)陰極峰值,電流響應(yīng)分別為181.5 μA和180.1 μA,而ΔEp為167 mV。在Ag/GR-6電極上,AA(Ipa=87.6 μA,Ipc=110 μA)的電流響應(yīng)小于Ag/GR-5,這是因?yàn)槠銻ct較大。在Ag/GR-8電極上,AA的陽極峰值電流為232.8 μA,陰極峰值電流293.9 μA。在Ag/GR-9電極上,Ipa=134.1 μA,Ipc=140.8 μA。圖9(c)上的AA氧化還原峰最強(qiáng),其電流響應(yīng)Ipa=272.2 μA,Ipc=295.6 μA,這無疑是由于AgNPs和GR協(xié)同效應(yīng)使響應(yīng)電流顯著增強(qiáng)。石墨烯由于自身較大的比表面積,使AA在電極表面的吸附效果得到增強(qiáng),從而表現(xiàn)出電化學(xué)信號(hào)的增強(qiáng)。另一方面,負(fù)載在GR表面的AgNPs加速了AA與電極表面的電子交換,促進(jìn)了電催化反應(yīng)。

    圖9 AA在Ag/GR-5(a),Ag/GR-6(b),Ag/GR-7(c),Ag/GR-8(d),Ag/GR-9(e)上的CV曲線Fig.9 CV curves of AA on Ag/GR-5(a), Ag/GR-6(b), Ag/GR-7(c), Ag/GR-8(d) and Ag/GR-9(e)

    CV曲線和Nyquist曲線之間存在合理的一致性,其中CV的峰值高度隨著Rct的下降而增加(圖10)。此外,Ag/GR納米復(fù)合材料顯著降低了電子轉(zhuǎn)移阻力(EIS證實(shí),圖8(b)),這大大加快了氧化還原動(dòng)力學(xué)。與其他Ag/GR納米復(fù)合材料相比,Ag/GR-7的氧化還原峰明顯最強(qiáng),這可能是由于AgNPs具有良好的電子中介作用和較大的GR基底比表面積,兩者結(jié)合在一起可以加速電子轉(zhuǎn)移,提高電流響應(yīng)。

    圖10 負(fù)載量與陽極峰值電流、陰極峰值電流和電荷轉(zhuǎn)移電阻的關(guān)系Fig.10 Relationship between load and peak anode current,peak cathode current and charge transfer resistance

    2.2.4 掃描速率對AA傳感的影響及機(jī)理

    通過研究掃描速率(v)與電化學(xué)響應(yīng)的關(guān)系,可以研究AA在電化學(xué)傳感器上的電極反應(yīng)動(dòng)力學(xué)。為了解Ag/GR-9/GCE電極檢測AA的正確機(jī)制,通過改變掃描速率從50 mV/s到5 mV/s進(jìn)行了詳細(xì)的研究。從圖11 (a)和圖11 (b)可以看出,隨著掃速的增加,氧化還原峰電流增加,且陽極峰電位正移,陰極峰電位負(fù)移。值得注意的是,在所有掃速下,Ipa/Ipc接近1,這意味著AA在Ag/GR-9/GCE上的氧化還原過程是準(zhǔn)可逆的。Ip與ν1/2之間有很好的線性關(guān)系,如圖11(c)所示,線性回歸方程為Ipa=14.5486ν1/2+28.2545和Ipc=-15.6956ν1/2-23.7163,相關(guān)系數(shù)(R2)分別為0.9916和0.9733,表明AA在Ag/GR-9/GCE上的擴(kuò)散控制過程是準(zhǔn)可逆的,Ip與v1/2圖的截距可以解釋為抗壞血酸分子擴(kuò)散到電極表面后的吸附,或在電催化過程后吸附其中間產(chǎn)物或氧化產(chǎn)物。通過繪制lgIp與lgv曲線(圖11 (d)),證實(shí)了擴(kuò)散控制行為,相應(yīng)的線性方程為lgIpa=0.3305 lgv+1.5467(R2=0.9890);lgIpc=-0.3397lgv-1.5382(R2=0.9578)。lgIp與lgv曲線的斜率<0.50,證實(shí)了電極過程的擴(kuò)散控制特性。由于抗壞血酸的還原性較強(qiáng),在化學(xué)反應(yīng)中易脫去2個(gè)H+,被氧化為脫氫抗壞血酸。其氧化過程為C6H8O6-2e--2H+→C6H6O6。AA在Ag/GR/GCE上的電催化是一個(gè)雙電子雙質(zhì)子過程(2e-,2H+)。圖12描述了AA氧化還原的電化學(xué)機(jī)理。

    圖11 掃描速率對抗壞血酸傳感的影響(a)AA在Ag/GR-9/GCE上的CV圖;(b)Ipa和Ipc與v的關(guān)系;(c)Ipa和Ipc與v1/2的關(guān)系;(d)lgIp與lgv的關(guān)系Fig.11 Effect of scanning rate on ascorbic acid sensing(a)CV diagram of AA on Ag/GR-9/GCE;(b)relationship of Ipa and Ipc with v;(c)relationship of Ipa and Ipc with v1/2;(d)relationship between lgIp and lgv

    圖12 AA氧化還原的電化學(xué)機(jī)理Fig.12 Electrochemical mechanism of AA redox

    2.2.5 AA在Ag/GR修飾電極上的電化學(xué)行為

    本工作利用LSV研究了不同掃描速率對AA電化學(xué)行為的影響。圖13(a)為Ag/GR-8/GCE電極在醋酸緩沖液中氧化AA的LSV響應(yīng)曲線,掃速5~100 mV/s。不同掃速下,在約0.2 V處均觀察到尖銳的陽極峰。當(dāng)掃描速率從5 mV/s增加到100 mV/s時(shí),觀察到陽極峰值電位和電流連續(xù)增加(圖13(b),(c)),線性方程為Epa=0.1869v+0.0004312(R2=0.9963)和Ipa=22.3503v1/2-20.5493(R2=0.9924),結(jié)果與圖9中所示的CV曲線相符。lgIpa與lgv的線性方程可以表示為lgIpa=0.5879lgv+1.1325(R2=0.9983)。此外,隨著掃速的增加,陽極峰正移,這一現(xiàn)象主要?dú)w因于氧化反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)緩慢、電極反應(yīng)可逆性降低以及在較高掃速時(shí)電極表面抗壞血酸的吸附增加。在5~100 mV/s的掃描速率下,AA分子首先吸附在Ag/GR/GCE電極表面,然后由于Ag/GR樣品的多孔結(jié)構(gòu)而擴(kuò)散到電極表面,從而對AA具有良好的電催化氧化作用。

    圖13 AA在Ag/GR修飾電極上的電化學(xué)行為(a)AA的LSV曲線;(b)Epa與v的關(guān)系;(c)Ipa與v1/2的關(guān)系;(d)lgIpa與lgv的線性關(guān)系Fig.13 Electrochemical behavior of AA on Ag/GR modified electrode(a)LSV curves of AA;(b)relationship of Epa and v;(c)relationship of Ipa and v1/2;(d)linear relationship between lgIpa and lgv

    2.2.6 定量分析

    最適條件下,使用DPV對AA進(jìn)行定量分析。如圖14(a)所示,在濃度5~120 μmol/L內(nèi),AA的陽極峰電流隨著濃度的增加而增大,Ag/GR對AA具有良好的電催化效果。從圖14(b)可知,當(dāng)AA濃度范圍為5~50 μmol/L時(shí),AA的陽極峰值電流與濃度c的線性關(guān)系為Ipa=0.1527c+238.9049(R2=0.9870)。較低濃度域下,AA的陽極峰值電流與AA濃度自然對數(shù)(lnc)的線性回歸方程可表示為Ipa=2.9713lnc+233.9809(R2=0.9547),如圖14(c)所示。高濃度域下,抗壞血酸分子數(shù)目較多,積累能力較強(qiáng),易于在電極表面富集,促進(jìn)電子轉(zhuǎn)移,提高了抗壞血酸的響應(yīng)陽極峰值電流。如圖14(d)所示,AA的響應(yīng)陽極峰值電流在50~120 μmol/L濃度范圍內(nèi)增加,線性關(guān)系為Ipa=0.17c+237.3529(R2=0.9941)。然而,AA的響應(yīng)陽極峰值電流與較高濃度域(50~120 μmol/L)的AA濃度自然對數(shù)(lnc)高度相關(guān),如圖14(e)所示,線性回歸方程可表示為Ipa=13.3779 lnc+192.8401(R2=0.9894)。兩個(gè)線性區(qū)域的斜率相差較大,這是因?yàn)樵诓煌瑵舛确秶鷥?nèi),AA在Ag/GR-8/GCE上的擴(kuò)散吸附過程不同,較高濃度有利于抗壞血酸分子擴(kuò)散到電極表面后進(jìn)行吸附。

    圖14 Ag/GR-8/GCE在含不同濃度AA醋酸緩沖液中的差分脈沖伏安圖(a)總DPV曲線;(b)5~50 μmol/L的DPV曲線;(c)Ipa與lnc的關(guān)系;(d)50~120 μmol/L的DPV曲線;(e)Ipa與lnc的關(guān)系Fig.14 Differential pulse voltammograms of Ag/GR-8/GCE in acetic acid buffer with different concentrations of AA(a)total DPV curve; (b) DPV curve of 5-50 μmol/L;(c)relationship between Ipa and lnc;(d)DPV curve of 50-120 μmol/L;(e)relationship between Ipa and lnc

    在信噪比S/N=3時(shí),AA的檢測限(LOD=3σ/s,其中σ是空白溶液的標(biāo)準(zhǔn)偏差,s是低濃度范圍內(nèi)回歸線的斜率)為0.06 μmol/L。為了與用于檢測抗壞血酸的其他電化學(xué)傳感器進(jìn)行比較,表1總結(jié)了不同電化學(xué)傳感器的傳感參數(shù)性能。結(jié)果表明,與其他傳感器相比,Ag/GR/GCE可提供更加精細(xì)的線性響應(yīng)范圍和更低的檢測限。另外,本工作所述的Ag/GR/GCE具有高靈敏度、良好的選擇性、電極制備簡單和分析性能好的特點(diǎn),可用于AA的電化學(xué)催化氧化檢測。

    表1 納米銀-石墨烯復(fù)合材料修飾電極(Ag/GR/GCE)與其他修飾電極在抗壞血酸電化學(xué)測定中的效率比較Table 1 Comparison of the efficiency of nano-silver-graphene composite modified electrode (Ag/GR/GCE) and other modified electrodes in the electrochemical determination of ascorbic acid

    3 結(jié)論

    (1)以無毒綠色的葡萄糖為還原劑,酒石酸鈉和蘋果酸為絡(luò)合劑,丁二酸為穩(wěn)定劑,采用簡便且綠色的化學(xué)鍍低溫還原銀氨溶液和石墨烯混合溶液,制備出不同負(fù)載量的納米銀-石墨烯復(fù)合材料。

    (2)結(jié)合AgNPs和石墨烯的優(yōu)點(diǎn),采用滴涂法制備了一種新型的基于Ag/GR復(fù)合材料的電化學(xué)傳感器。Ag/GR復(fù)合材料具有較大的有效電活性面積和較低的電荷轉(zhuǎn)移電阻。在各種修飾電極中,Ag/GR-7的Rct最小,峰值電流最大,表明Ag/GR對AA的電催化具有協(xié)同增強(qiáng)作用。在5~120 μmol/L范圍內(nèi),陽極峰值電流與AA濃度成正比,陽極峰值電流與AA濃度的自然對數(shù)在5 μmol/L~120 μmol/L范圍內(nèi)呈線性關(guān)系。在5~50 μmol/L范圍內(nèi),Ipa與lnc的相關(guān)系數(shù)為0.9547,在50~120 μmol/L范圍內(nèi),Ipa與lnc的相關(guān)系數(shù)為0.9894,由此可知,在高濃度域下,Ipa與lnc的相關(guān)性更強(qiáng)。檢測限為0.06 μmol/L。Ag/GR納米復(fù)合材料可以在電極的有限表面積內(nèi)得到最大程度的利用,提供一個(gè)電子轉(zhuǎn)移的微環(huán)境,實(shí)現(xiàn)AA的靈敏測定。

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