羅彥琦, 張錦榮
(東莞理工學院 城市學院智能制造學院,廣東 東莞523419)
鉍酸鑭鋇Ba2LaBiO6是一種具有獨特電子結(jié)構(gòu)的半導體材料,該材料呈現(xiàn)出明顯的NTC特征,常應用于壓敏電阻領(lǐng)域[1-2],但室溫電阻率ρ25(約為107Ω·cm)較大,嚴重制約其實際工程應用范圍。研究發(fā)現(xiàn),Al2O3摻雜的ZnO與Ba2LaBiO6進行復合,形成的Ba2LaBiO6/ZnO復相材料能有效降低Ba2LaBiO6材料的ρ25值,進一步改變原有的NTC特性,使其應用領(lǐng)域得到進一步擴大。
復相材料在制備過程中,不同的燒結(jié)溫度對材料的性能特性會產(chǎn)生較大的差異性,為了獲得樣品的特定性能,必須對制備工藝及燒結(jié)溫度進行深入研究。以此為契機通過初步試驗和合理預測選取ZnO摻雜的Al2O3固溶體材料為低阻相,Ba2LaBiO6材料為高B值高阻相,采用電熱鼓風恒溫干燥箱、程序控溫箱式電爐、XRD衍射儀器、SEM透射電子顯微鏡等各種儀器設(shè)備,從原料成分的選取、樣品的燒成溫度等方面研究制備工藝參數(shù)對材料的晶相組成、微觀形貌和電性能的影響規(guī)律,并獲得可靠的制備工藝參數(shù)。為深入研究熱敏電阻復相材料的結(jié)構(gòu)、微觀形貌和NTC性能等奠定基礎(chǔ)。
采用固相合成法制備樣品。以BaCO3、Bi2O3、La2O3為原料,按Ba:La:Bi=2:1:1的比例進行混合,燒結(jié)溫度為1000 ℃[3-4]。生成物粉碎過篩,得到Ba2LaBiO6粉末。
以ZnO和Al2O3為原料,按ZnO:Al2O3=1:0.02的比例配置,混合物放置電阻爐中焙燒,燒結(jié)溫度為1250 ℃。粉碎過篩,獲得ZnO:0.02Al2O3粉末。
將Ba2LaBiO6粉體與ZnO:0.02Al2O3粉末按表1進行配料,燒結(jié)溫度為1050℃,生成樣復相材料樣品。試驗技術(shù)路線如圖1所示。
表1 樣品的化學配比
圖1 試驗技術(shù)路線圖
從圖2中可以看出,所有Ba2LaBiO6/ZnO復相材料衍射峰均出現(xiàn)多相,且隨著樣品中ZnO固溶體含量的增加,衍射圖中除了Ba2LaBiO6和ZnO的主峰之外,還出現(xiàn)了少量雜峰,但因含量極少,且未能從XRD衍射圖譜中查證具體物質(zhì),在此暫視為未知相。
圖2 樣品在1050 ℃燒結(jié)3 h后的衍射圖譜
選取樣品N2、N3、N5,觀察其斷面的SEM照片,如圖3所示[5]。由圖可知,隨樣品中ZnO固溶體含量的增加,樣品晶間結(jié)合逐漸緊密,開口氣孔逐漸減少,晶粒度增加,晶粒發(fā)育良好。出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因主要包括:當復相材料中ZnO固溶體含量較少時,由于ZnO固溶體的熔點高于Ba2LaBiO6相熔點,在同等燒結(jié)溫度下,Ba2LaBiO6相出現(xiàn)熔融現(xiàn)象,晶粒邊界變得模糊,缺陷明顯可見,然而隨著ZnO固溶含量的增加,缺陷急劇減少,晶界清晰,晶粒分布均勻,結(jié)合電性能測試結(jié)果得出Ba2LaBiO6相之間存在ZnO固溶體低阻相,因此大幅度提升復相材料的導電性。其中以樣品N5最為明顯。
圖3 樣品在1050 ℃燒結(jié)3 h后的SEM照片
從圖4中可以看出,燒結(jié)溫度為1000 ℃時,晶粒發(fā)育不完全,晶界模糊,而能清楚看到樣品中的氣孔[6],說明溫度太低,致密性不好。當燒結(jié)溫度為1050 ℃時,晶粒尺寸變大,晶界清晰可見,單位氣孔數(shù)量減少,材料的致密性趨向一致,晶粒排列致密,未發(fā)現(xiàn)孔洞,晶粒呈現(xiàn)出規(guī)則幾何形狀[7]。當燒結(jié)溫度升到1100 ℃以后,晶界出現(xiàn)模糊現(xiàn)象,當溫度達1150 ℃時,材料中的低熔相出現(xiàn)熔融趨勢。由此得出Ba2LaBiO6/20ZnO復相材料的燒結(jié)溫度區(qū)間較窄,準確控制燒結(jié)溫度,對其性能的提高是必要的。
圖3 (續(xù))
圖4 在不同燒結(jié)溫度下的Ba2LaBiO6/20ZnO復相材料SEM照片
在測定電性能參數(shù)前需要對樣品表面涂銀處理,制備銀電極。將完備的樣品放置于熱敏電阻R-T特性測試系統(tǒng)(ZWX-C型)中測定材料在25~300 ℃范圍內(nèi)電阻率參數(shù)。通過測定的電阻值和樣品的尺寸,由式(1)計算出樣品的電阻率并繪制電阻率溫度曲線[8]:
式中:ρ為材料電阻率;R為材料電阻值;S為單位面積;l為材料單位長度。
從圖5中可以看出,Ba2LaBiO6/20ZnO復相材料的室溫電阻率隨著燒結(jié)溫度的升高出現(xiàn)先減小然后增大的現(xiàn)象。在1000 ℃時,由于燒結(jié)溫度較低,晶粒未能充分生長,室溫電阻率高。隨著燒結(jié)溫度的進一步升高,晶粒生長完全,室溫電阻率繼續(xù)減小,在1100 ℃時達到最小值[9]。此后雖溫度增加,但室溫電阻率基本不變。綜合分析后,確定1050~1100 ℃為適宜的燒結(jié)溫度。
圖5 Ba2LaBiO6/20ZnO材料的電性能與燒結(jié)溫度的關(guān)系曲線
試驗根據(jù)實際情況并結(jié)合表征材料熱敏性能的主要參數(shù)要求計算B值,公式為[10]
式中:B25/125為在25 ℃和125 ℃所對應的B值;ρ為材料電阻率;T為絕對溫度。
從圖6中可以看出,材料的B25/125系數(shù)值隨燒結(jié)溫度的升高基本不變,由于材料本身的電子結(jié)構(gòu)決定了B25/125系數(shù),當電子結(jié)構(gòu)未發(fā)生變化,其B25/125值保持不變。
研究了Ba2LaBiO6/ZnO復相材料的制備工藝、相組成、微觀形貌和電性能,主要得出以下結(jié)論:制備工藝對材料的電性能產(chǎn)生較大的影響,Ba2LaBiO6/ZnO復相材料主要由ZnO、Ba2LaBiO6及少數(shù)的未知相組成,復相材料的最佳燒結(jié)溫度為1050~1100 ℃,保溫3 h。隨燒結(jié)溫度的升高,晶界明顯,氣孔率低,晶粒間排列致密,呈現(xiàn)規(guī)則的幾何圖形,樣品的室溫電阻率ρ25由1000 ℃的8.65×105Ω·cm減小到1100 ℃的1.35×104Ω·cm,材料的B25/125系數(shù)值基本不變。Ba2LaBiO6/ZnO復相材料體系具有明顯的NTC性能。
圖6 Ba2LaBiO6/20ZnO材料的B25/125系數(shù)與燒結(jié)溫度的關(guān)系曲線