陳名松, 潘璐璐,, 魯遠(yuǎn)甫, 佘榮斌, 李光元
(1.桂林電子科技大學(xué) 信息與通信學(xué)院,廣西 桂林 541004;2.中國科學(xué)院 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院,廣東 深圳 518055)
光療法由于具有不良反應(yīng)小、無耐藥性、無創(chuàng)傷、無污染等眾多優(yōu)點(diǎn),逐漸在皮膚病等臨床醫(yī)療中得到廣泛應(yīng)用。隨著各個(gè)波段的生物效應(yīng)逐漸研究應(yīng)用,給光療儀器帶來了新的機(jī)遇,參數(shù)多樣的光療儀器具有實(shí)用性和科研性,可為臨床研究提供多種參數(shù)選擇。光療儀器主要包括光療光源、光學(xué)結(jié)構(gòu)、硬件電路三部分。在Karu等[1]提出光的刺激效應(yīng)與是否為相干光無關(guān)后,LED以其壽命長、質(zhì)量輕、安全環(huán)保、控制方便等特有優(yōu)勢逐漸替代低強(qiáng)度激光在光生物調(diào)節(jié)的應(yīng)用以及大面積的光動(dòng)力療法。
不同波長在皮膚中的穿透深度也不同[2],在一些情況下,不同波長的組合可加強(qiáng)治療效果。如在痤瘡的治療中,以藍(lán)光的卟啉光動(dòng)力作用為主,紅光對卟啉的光動(dòng)力作用比藍(lán)光弱[3],但其波長較長,可以作用更深層的皮脂腺,并調(diào)節(jié)線粒體等通路,發(fā)揮抗炎作用,加速新陳代謝[4-5]。光療治療痤瘡可分為單純用藍(lán)光和紅光照射治療以及外用光敏劑結(jié)合藍(lán)光和紅光的治療方式[6]2種。兩者都屬于光動(dòng)力療法,只不過前者的光敏劑是痤瘡丙酸桿菌的自身代謝物質(zhì)[7],是內(nèi)源性的,后者是通過外界給藥,將光敏劑富集于皮脂腺。
通過對目前LED皮膚光療儀的特性和功能調(diào)研,發(fā)現(xiàn)存在如下不足:只可選擇波長,強(qiáng)度不可調(diào);組合模式少;功率較低;可調(diào)參數(shù)少;操作不便等。針對功能和結(jié)構(gòu)上的一些不足,設(shè)計(jì)了一種多波長皮膚光療儀。該光療儀具有多種波長和負(fù)氧離子功能,輻照度高,光能分布較為集中且均勻,光波長可自由組合,可為臨床提供穩(wěn)定可靠、參數(shù)豐富的設(shè)備。
光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是多波長皮膚光療儀的關(guān)鍵部分,目的在于按照所需合理地控制光路,使得光能分布集中且均勻,即輻照度盡可能高。
一般外用光敏劑的光動(dòng)力療法對輻照度要求不高,但對于單純的紅、藍(lán)光照射治療痤瘡,根據(jù)臨床經(jīng)驗(yàn)需要較大的輻照度,一般在20 mW/cm2以上。這對激光來說很容易實(shí)現(xiàn),但激光發(fā)光角度小,不適合大面積光療。常見的LED光療儀是將直插式的LED設(shè)計(jì)成LED陣列。目前基于COB(chip on board)集成式封裝的LED相對于單顆分離式封裝具有更好的散熱性能[8],集成的大功率LED,將幾十甚至上百個(gè)小型的LED燈珠封裝成一塊芯片,且面積小、功率高,單個(gè)燈珠可高達(dá)1 W的輻射功率。本光療儀的光源采用2塊集成的大功率LED芯片,每塊內(nèi)部是10顆×10顆的LED陣列,集成在約20 mm×20 mm的芯片上。為了增加輻照度,將2塊LED芯片設(shè)計(jì)成具有一定距離和夾角,并利用透鏡和反光杯的匯聚作用,使照射平面上光斑基本重合,增加照射面接收的輻照度,且照射區(qū)域光照均勻。以人感覺的舒適度為基礎(chǔ),設(shè)置光源距離照射區(qū)域20 cm,期望達(dá)到如圖1所示的出光效果。
圖1 光療儀出光效果圖
所用的LED光源內(nèi)部燈珠為SMD封裝,可看作具有一定厚度的表面光源,半功率角度通常為±60°。利用測得的光譜圖與光源配光曲線,通過光學(xué)仿真軟件TracePro的插件surface source property generator對選用的紅、黃、藍(lán)光進(jìn)行表面光源模擬。
測量LED光源實(shí)物的尺寸參數(shù),根據(jù)實(shí)際模型在TracePro中建模,如圖2所示。在TracePro中將這3種光波長的屬性賦予100個(gè)表面光源。
圖2 LED陣列的TracePro建模
LED為朗伯輻射體,其光強(qiáng)分布可近似表示為
I(θ)=I0cosmθ。
(1)
其中:m值取決于半功率角;θ為光源光軸與任意發(fā)光面法線的角度。當(dāng)θ=θ1/2(θ1/2為半值角)時(shí),式(1)可改寫為
(2)
即對于半功率角為±60°的光源,m值為1。LED是非相干光,因此多個(gè)LED對某個(gè)平面的照度可線性疊加求解。假設(shè)LED光源為N×M的陣列光源,當(dāng)N和M都為偶數(shù)時(shí),空間坐標(biāo)點(diǎn)(x,y,z)的輻照度為[9]
(3)
對反光杯與光學(xué)透鏡建模,并將其與光源進(jìn)行組合。如圖3為LED光源光學(xué)模型。反光杯內(nèi)表面設(shè)置為吸收率5%的鏡面,透鏡材料設(shè)置為肖特基玻璃BK7,其發(fā)散角約為60°~70°,生成2組LED陣列。對這200顆LED及相關(guān)器件進(jìn)行光線追跡,在距離照射面20 cm處插入一個(gè)15 cm×15 cm的接收面,LED光源光線追跡如圖4所示。
圖3 LED光源光學(xué)模型
圖4 LED光源光線追跡
該仿真目標(biāo)在光照距離20 cm處兩光斑基本重合,即在照射區(qū)域光照集中且均勻,能完全覆蓋人臉。因底部散熱器尺寸和整體結(jié)構(gòu)制約,將兩LED中心距離設(shè)置為17 cm,因此通過調(diào)整兩LED陣列光源的夾角α來調(diào)節(jié)接收面的輻射照度分布,讓光斑重合的同時(shí),被照射區(qū)域光強(qiáng)較均勻。光強(qiáng)大小與輻照度相關(guān),這里以輻照度參量為準(zhǔn),通過對不同夾角α下的光學(xué)模型進(jìn)行仿真,得到輻照度分布圖,并利用區(qū)域最大輻照度Emax和區(qū)域平均輻照度Eave計(jì)算輻照度均勻性U,計(jì)算公式為[10]
(4)
將仿真得到的輻照度圖進(jìn)行分析,并計(jì)算均勻性,表1為不同夾角α下照射區(qū)域的輻照度數(shù)據(jù)和照度均勻度。表1中的輻照度數(shù)據(jù)為仿真數(shù)據(jù)的相對值,非實(shí)際輻照度。
從表1可看出,當(dāng)α=154.6°時(shí),均勻度最佳,為75.1%,當(dāng)α=154.2°時(shí),均勻度74.9%,且平均輻照度略比α=154.6°高,因此建議取α為154.6°或154.2°。α=154.2°對應(yīng)的輻照度分布圖如圖5示。從圖5可看出,輻照度曲線在水平或垂直方向都較為平坦。
光斑的輻照度分布除了與LED夾角有關(guān),還與反光杯和透鏡匯聚作用有關(guān),特別是當(dāng)去除透鏡后,光束發(fā)散,打在目標(biāo)平面的光強(qiáng)很弱。圖6為去掉透鏡后目標(biāo)探測面輻照度分布,相比于圖5,光強(qiáng)明顯變?nèi)?,平均輻照度下降約65%。
表1 LED在20 cm處不同夾角下的輻照度及均勻度
圖5 LED以夾角α=154.2°在20 cm處的輻照度分布
圖6 LED以夾角α=154.2°和無透鏡組合在20 cm處的輻照度分布
將光療儀的電路分為控制和驅(qū)動(dòng)電路2個(gè)部分,兩部分電路之間通過異步串口通信。具體的設(shè)計(jì)與采用的光源封裝結(jié)構(gòu)有關(guān),本研究采用的是定制的2塊集成LED陣列,每塊陣列有紅、藍(lán)、黃3路接口,因3種光所需的電參數(shù)不同,故采用3組LED驅(qū)動(dòng)電路來控制輸出的電壓電流。采用PIC單片機(jī)作為控制芯片的光療儀電路方案架構(gòu),如圖7所示。
圖7 光療儀電路方案架構(gòu)
光療儀的控制電路包括PIC單片機(jī)最小系統(tǒng)、輸入輸出界面、電壓轉(zhuǎn)換、用電器控制等部分。本光療儀選用的LED光源的電學(xué)參數(shù)如表2所示。工作電壓變化范圍為20~36 V,單路最大電流為2 400 mA。AC-DC電源選擇醫(yī)療專用的開關(guān)電源,以解決電磁兼容問題。通過DC-DC電壓轉(zhuǎn)換電路,給不同模塊提供不同的工作電壓。
表2 LED光源的電學(xué)參數(shù)
控制電路通過底層協(xié)議,發(fā)送字符指令至驅(qū)動(dòng)電路控制芯片的接收端,控制其開斷和輸出參數(shù)。PIC單片機(jī)工作電壓低,基本在3~3.6 V,且功耗低,驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)。它的優(yōu)勢在于抗干擾能力強(qiáng),保密性強(qiáng),其芯片EMC指標(biāo)高,適合用于醫(yī)療器械,且具有極強(qiáng)的保密性。根據(jù)3路UART串口和I/O口數(shù)量的需求,選用PIC33EP系列的數(shù)字信號(hào)控制器作為控制電路的核心。
控制電路的用電器有LED指示燈、數(shù)碼管顯示、風(fēng)扇、負(fù)氧離子模塊,主要通過PIC單片機(jī)的I/O口電平控制。負(fù)氧離子模塊由控制電路控制是否釋放負(fù)氧離子。風(fēng)扇用于LED光源和電路板散熱。當(dāng)選定工作模式時(shí),按啟停鍵后光療儀開始工作,風(fēng)扇開啟,除負(fù)氧離子按鍵和啟停鍵外,再觸發(fā)其他按鍵為無效操作,處于鎖屏狀態(tài),直到工作結(jié)束。
考慮LED驅(qū)動(dòng)的架構(gòu)時(shí),可基于輻射低但效率也較低的線性電源,或者效率高、輻射也高的開關(guān)電源形式。大功率的LED驅(qū)動(dòng)電路需采用恒流控制?;诰€性電源的恒流電路通常是壓控電流源。壓控恒流源硬件架構(gòu)如圖8所示。將數(shù)模轉(zhuǎn)換器與運(yùn)算放大器級(jí)聯(lián),通過微控制器和電流檢測電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器構(gòu)成的反饋環(huán)路,調(diào)整運(yùn)放的輸出電壓來控制負(fù)載電流,從而構(gòu)成一個(gè)數(shù)控的壓控恒流源。
圖8 壓控恒流源的硬件架構(gòu)
開關(guān)式恒流源的架構(gòu)如圖9所示。采用基于BUCK降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率電路,輸入48 V電壓,通過PWM調(diào)光控制功率電路中MOSFET的開關(guān)頻率與占空比,調(diào)整步進(jìn)電壓。同時(shí),通過反饋電路對電流取樣,穩(wěn)定輸出,經(jīng)模數(shù)轉(zhuǎn)換后,MCU計(jì)算實(shí)際電流值,當(dāng)檢測到電流有變化時(shí),通過MCU對PWM調(diào)光電路調(diào)整,從而改變開關(guān)占空比,調(diào)整輸出電壓,從而改變輸出電流。
圖9 開關(guān)式恒流源的架構(gòu)
設(shè)計(jì)路時(shí)需考慮MOSFET和續(xù)流二極管的散熱,可通過加大散熱器面積或者外部風(fēng)扇進(jìn)行散熱。由于MOSFET和大電感容易產(chǎn)生EMI問題,可采取適當(dāng)屏蔽措施,如MOSFET的柵極和源極管腳加磁珠,散熱器通過小電容再接地,避免高頻信號(hào)通過散熱片向外輻射。另外,選用AC-DC電源時(shí)要看輸出是否有Y電容,在改善傳導(dǎo)和空間輻射時(shí),可在電源的輸入輸出適當(dāng)加磁環(huán)。
使用光譜儀分別測試每種顏色的光譜,其中紅光的中心波長約為635.4 nm,其半波寬Δλ為17.5 nm;藍(lán)光的中心波長約為454.3 nm,其半波寬Δλ約20.4 nm;黃光的中心波長為597.3 nm,其半波寬Δλ約14.67 nm。圖10為距離光源20 cm處的光斑圖。從圖10可看出,2個(gè)LED陣列同時(shí)工作時(shí),20 cm處光斑基本重合,距離20 cm處的光斑直徑約26 cm,可覆蓋人臉,并有一定的余量,光能分布集中且較為均勻。
圖10 距離光源20 cm處的光斑
用功率計(jì)探頭測量光輻射功率。在探頭與透鏡距離為0(z=0)和探頭與透鏡距離20 cm(z=20 cm)位置,測得對應(yīng)光輻射功率,通過已知探測面積2.835 2 cm2即可計(jì)算出輻照度。通過計(jì)算得到的輻照度數(shù)據(jù)如表3所示。光輻射功率與電流大小有關(guān),硬件電路可對電流值進(jìn)行控制,從而切換光能量檔位。從表3可看出,在z=20 cm,即光斑重合位置,不同電流值對應(yīng)的輻照度不同。紅光輻照度達(dá)18.4 mW/cm2,藍(lán)光輻照度達(dá)29.6 mW/cm2,黃光輻照度達(dá)2.5 mW/cm2,因此總的輻照度輸出達(dá)50.5 mW/cm2。但此時(shí)電流并未處于最大值,紅、藍(lán)光電流值最大為2.4 A,黃光最大為1.2 A,因此總輻照度輸出可達(dá)50.5 mW/cm2。
為提高光療儀輻照度,增加光治療模式,設(shè)計(jì)了一種具有紅、藍(lán)、黃3種波長、光能分布集中且均勻的多波長皮膚光療儀。用TracePro進(jìn)行光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與仿真,在距離光源20 cm處的目標(biāo)平面,光斑重合,仿真光照均勻度可達(dá)75.1%。光療儀的電路包括控制電路和驅(qū)動(dòng)電路,兩部分電路之間通過異步串口通信,將大功率的驅(qū)動(dòng)電路與小功率的控制電路隔離,便于控制光波長和光能量的選擇,實(shí)現(xiàn)參數(shù)自由組合。測試結(jié)果表明,在目標(biāo)平面光斑直徑約26 cm,總輻照度達(dá)50.5 mW/cm2以上?;诒驹O(shè)計(jì)思路,若想進(jìn)一步提高輻照度,可增加集成LED光源數(shù)量,通過光學(xué)設(shè)計(jì)將光線匯聚,但對電路的效率和散熱要求較高。
表3 輻照度數(shù)據(jù)