程婭伊,李 倉(cāng),萬有權(quán)
(西安航空學(xué)院 材料工程學(xué)院,西安 710077)
作為一種清潔的新能源,鋰離子電池自商業(yè)化以來,與其他電池(如鉛酸電池和鎳氫電池)相比具有許多優(yōu)點(diǎn)。首先,鋰元素相對(duì)于其他元素具有非常低的還原電位,這使得鋰離子電池具有高操作電壓;其次,鋰是第三輕的元素,并具有小的鋰離子半徑;鋰離子電池具有高的重量和體積比以及高的功率密度。此外,鋰離子僅存在于電極和電解質(zhì)中,占整個(gè)鋰離子電池成本的一小部分并且相對(duì)便宜;鋰離子電池還具有無記憶效應(yīng)、自放電率低、無有毒物質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)[1-3]。因此,鋰離子電池多年來在儲(chǔ)能設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位[4-5]。
負(fù)極材料是鋰離子電池的重要組成部分,最早投入使用的負(fù)極材料是鋰金屬。但是鋰金屬在充放電過程中表面會(huì)形成樹枝狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu),易導(dǎo)致電池短路[6]。石墨負(fù)極材料引起了研究者的廣泛關(guān)注,石墨的理論容量為372 mAh·g-1,已投入商業(yè)化生產(chǎn)使用[7]。但是充電的石墨負(fù)極材料表面容易形成鋰枝晶,且由于首次充放電效率低、電解液共嵌入等問題,已不能完全滿足鋰離子電池高性能的應(yīng)用要求[7]。所以開發(fā)高安全性,高比能量,長(zhǎng)循環(huán)壽命的負(fù)極材料面臨著巨大的挑戰(zhàn)。
近幾年來,錫基負(fù)極材料由于高理論容量和高安全性受到了研究者的青睞,主要包括單質(zhì)錫、錫基氧化物、錫基硫化物及錫基硒化物[8-10]。錫基硒化物尤其是硒化錫(SnSe2)與其它錫基材料相比具有更高的導(dǎo)電性,且理論儲(chǔ)鋰容量高達(dá)814 mAh·g-1。同時(shí),SnSe2具有半導(dǎo)體的特性,是一種二維過渡金屬硫族化合物,CdI2型六方層狀晶體結(jié)構(gòu)(a=b=3.81 A和c=6.14 A,空間組P3 mL)[11-13]。在每一個(gè)SnSe2的單層里,六角雙層夾層由單層錫原子和兩層硒原子周期性疊合構(gòu)成,層間被范德華鍵松散的束縛,較大的層間距有利于鋰離子實(shí)現(xiàn)快速脫嵌[14-15]。
然而,SnSe2負(fù)極材料在鋰離子脫嵌過程中會(huì)產(chǎn)生較大的體積變化,循環(huán)數(shù)百圈后體積反復(fù)變化誘發(fā)的應(yīng)力可能導(dǎo)致結(jié)構(gòu)發(fā)生粉化,從而影響電荷傳輸,導(dǎo)致容量迅速衰減[16-17]。目前,常用的改性辦法是制備納米級(jí)的SnSe2材料,利用其小尺寸電荷傳輸路徑短,以及多晶界面可以釋放應(yīng)力的特點(diǎn),提高SnSe2的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及電荷傳輸速率[18]。如HUANG Z X等人采用溶劑熱法在180 ℃保溫12 h獲得了SnSe2量子點(diǎn)與石墨烯的復(fù)合物[19],該復(fù)合材料表現(xiàn)出了超高的倍率性能,電流密度為5 A·g-1時(shí),可逆容量達(dá)到325 mAh·g-1;ZHANG F等人采用水熱法制備了SnSe2六方納米片[13],初始可逆容量高達(dá)798 mAh·g-1,在0.1 A·g-1電流密度下循環(huán)100圈后可逆容量維持在515 mAh·g-1。綜上可見,通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控是一種提高SnSe2電化學(xué)性能的有效手段。
本研究采用溶劑熱合成SnSe2納米晶,在合成過程中通過控制溶劑的類型,水熱釜填充比改變SnSe2的微觀形貌,探索溶劑以及填充比對(duì)SnSe2物相以及形貌的影響規(guī)律;并將SnSe2納米粉體組裝成鋰離子半電池,測(cè)試其循環(huán)充放電性能以及電化學(xué)阻抗譜,總結(jié)SnSe2納米結(jié)構(gòu)對(duì)電化學(xué)性能的影響。
SnSe2粉體的制備采用溶劑熱法,首先用分析天平稱取0.3418 g的SnCl2·2H2O溶于一定量(30 mL、50 mL、80 mL)的某種溶劑(乙二醇、乙醇、水)中,通過攪拌使其完全溶解,形成透明溶液,標(biāo)記為溶液A。再稱取0.1185 g的Se粉加入到5 mL水合肼中,混合溶液放置在磁力攪拌器上以600 r·min-1攪拌約1 h,形成磚紅色溶液,標(biāo)記為溶液B。最后使用一次性滴管將溶液B逐滴滴加到A中,待溶液充分混合后再攪拌約20 min倒入100 mL的水熱反應(yīng)釜中于160 °C保持6 h。反應(yīng)結(jié)束后,采用蒸餾水和無水乙醇反復(fù)離心洗滌3次,再將粉體放至真空干燥箱中待完全除去試樣中的水分,最后收集粉體備用。
(1)制漿:把實(shí)驗(yàn)得到的粉體(活性材料)與導(dǎo)電劑(super-P)、粘結(jié)劑羧甲基纖維素鈉(CMC)按照7:2:1的質(zhì)量比混合后在研缽中研磨至均勻,加入去離子水,再繼續(xù)研磨至膠體狀;(2)涂膜:拿一塊銅箔,用無水乙醇擦拭干凈后放置涂膜機(jī)上,將制備的漿體均勻倒在上面,設(shè)定好推刀高度(15 μm)使其均勻推開漿體,得到表面平滑的電極片;(3)烘干:先在自動(dòng)涂膜烘干機(jī)上于80 °C烘干2 h,再轉(zhuǎn)移至真空干燥箱繼續(xù)烘干得到完整電極片;(4)壓片:用紐扣電池切片機(jī)沖壓電極片,得到直徑為15.8 mm的圓形電極片。
將電極片組裝為型號(hào)CR2032的紐扣式電池,以制得的電極片為正極,鋰片為負(fù)極,電解液為1 M LiPF6的溶質(zhì)溶入等體積EC/DMC的混合液體,使用Cergard 2400作為隔膜,組裝過程按照負(fù)極外殼-彈片-墊片-負(fù)極片-隔膜-正極片-正極外殼的順序放置好,并在隔膜兩側(cè)滴入電解液,用紐扣電池封裝機(jī)將其封裝好,組裝好的電池至少靜置48 h后采用充放電測(cè)試儀測(cè)試電化學(xué)性能。
圖1不同溶劑制備的SnSe2粉體XRD圖 (a 乙二醇;b 乙醇;c 水)
不同溶劑制備的SnSe2粉體的XRD圖如圖1所示。從圖中可以看出,不同溶劑制備的粉體均為純相的SnSe2,與標(biāo)準(zhǔn)卡片JCPDS No:89-2939相對(duì)應(yīng),無其它雜質(zhì),其衍射峰分別與(001)、(011)、(012)、(003)、(103)和(004)晶面一一對(duì)應(yīng),但是不同溶劑制備的樣品其衍射峰的相對(duì)強(qiáng)度差別較大。以乙二醇為溶劑制備的SnSe2納米晶的衍射峰強(qiáng)度相對(duì)較弱,這可能是SnSe2的結(jié)晶性較差或者粒徑尺寸較小的原因。當(dāng)采用乙醇和水作為溶劑時(shí),(001)晶面的衍射峰強(qiáng)度明顯增高,這應(yīng)該是晶體c軸取向,(001)晶面生長(zhǎng)較快,而(011)和(012)兩個(gè)晶面生長(zhǎng)過慢,導(dǎo)致SnSe2晶體有沿(001)晶面定向生長(zhǎng)的趨勢(shì)。
不同溶劑制備的粉體SEM圖如圖2所示。圖中可以看到以乙二醇作為溶劑時(shí)制備的SnSe2納米晶呈現(xiàn)為不規(guī)則的納米顆粒,并且有部分團(tuán)聚現(xiàn)象;以乙醇作為溶劑時(shí)制備的SnSe2納米晶呈薄片狀結(jié)構(gòu),且薄片上負(fù)載許多細(xì)小的納米顆粒;以水做溶劑時(shí)獲得的SnSe2微米片較厚,片的厚度約1 μm,有堆疊現(xiàn)象。通過對(duì)比這三組實(shí)驗(yàn)可知溶劑對(duì)SnSe2的微觀形貌影響較大,可通過改變?nèi)軇┱{(diào)控SnSe2的形貌。
圖2 不同溶劑制備的SnSe2粉體SEM圖(a 乙二醇;b 乙醇;c 水)
圖3不同填充比制備的SnSe2的XRD圖 (a 35%;b 55%;c 85%)
不同填充比制備的SnSe2XRD圖如圖3所示,采用乙二醇作為溶劑,控制水熱釜的填充比分別為35%、55%和85%,對(duì)應(yīng)的SnSe2標(biāo)準(zhǔn)卡號(hào)為89-3197,通過對(duì)比可知不同填充比對(duì)產(chǎn)物的物相沒有影響,均為純相的SnSe2,其中位于14.4°、30.7°、40.04°、47.5°和57.5°的衍射峰分別對(duì)應(yīng)于(001)、(101)、(012)、(110)、和(201)晶面。對(duì)比各產(chǎn)物的衍射峰強(qiáng)度可知,當(dāng)填充比為85%時(shí),產(chǎn)物的衍射峰強(qiáng)度最高,說明產(chǎn)物的結(jié)晶性最好。
圖4所示為填充比分別為35%、55%和85%時(shí)制備的SnSe2的SEM圖。當(dāng)填充比為35%時(shí),SnSe2納米晶的結(jié)構(gòu)為不規(guī)則的小納米片夾雜納米顆粒;填充比為55%時(shí),SnSe2納米晶表現(xiàn)為交織在一起的薄納米片結(jié)構(gòu);填充比增加為85%時(shí),SnSe2納米晶表現(xiàn)為納米片組裝成的花球結(jié)構(gòu),同時(shí)納米片明顯增厚。綜合XRD與SEM測(cè)試結(jié)果表明,隨著水熱釜填充比的增大,產(chǎn)物的微觀結(jié)構(gòu)發(fā)育越來越完整,結(jié)晶度提高,由納米顆粒結(jié)構(gòu)發(fā)展為規(guī)整的納米片結(jié)構(gòu)。
圖4 不同填充比制備的SnSe2的SEM圖(a 35%;b 55%;c 85%)
圖5 不同填充比下制備SnSe2電極的循環(huán)性能圖 (a 35%;b 55%;c 85%)
不同填充比下制備的SnSe2電極的循環(huán)性能圖如圖5所示,將填充比分別為35%、55%和85%時(shí)制備的粉體組裝為CR2032扣式電池測(cè)試循環(huán)性能,測(cè)試設(shè)置的電流密度為200 mA·g-1,循環(huán)圈數(shù)為50圈。由圖可知,在填充比為35%時(shí)制備的電極材料初始充放電容量分別是884 mAh·g-1、1275 mAh·g-1,首次庫(kù)倫效率為69.3%,在循環(huán)15圈后充電容量驟減,20圈后其容量衰減變慢;當(dāng)填充比為55%,制備的電極材料初始充放電容量分別是884 mAh·g-1、1155 mAh·g-1,首次庫(kù)倫效率高達(dá)76.3%,循環(huán)10圈后充電容量驟減后趨平穩(wěn);填充比為85%時(shí),電極材料初始充放電容量分別是697 mAh·g-1、1198 mAh·g-1,首次庫(kù)倫效率僅為58.2%,在循環(huán)5圈后容量開始驟減。填充比為35%、55%和85%時(shí)制備的三種電極材料在50圈循環(huán)后,可逆容量分別穩(wěn)定在472mAh·g-1、339mAh·g-1和167mAh·g-1。這說明當(dāng)填充比為35%時(shí)制備的電極材料可逆容量最高,循環(huán)穩(wěn)定性最好,即納米顆粒結(jié)構(gòu)的電極材料電化學(xué)性能最佳。
不同填充比下制備SnSe2電極的首次容量-電壓曲線如圖6所示,第一圈循環(huán)曲線中三個(gè)樣品均存在三個(gè)電壓平臺(tái),它們的變化趨勢(shì)一致,其中高嵌鋰平臺(tái)位于約2.0 V,中嵌鋰平臺(tái)位于約1.3 V,低嵌鋰電位在約0.5 V,分別對(duì)應(yīng)電化學(xué)反應(yīng)過程中的插層反應(yīng)式(1)、轉(zhuǎn)化反應(yīng)式(2)和合金化反應(yīng)式(3),如下所示:
(1)
(2)
(3)
充放電過程中,填充比55%時(shí)制備的SnSe2高電壓區(qū)域的平臺(tái)迅速消失,而填充比35%和85%時(shí)制備的電極平臺(tái)緩慢消失,分析可能是因?yàn)樵诳焖俪浞烹娗闆r下,鋰離子來不及遷移導(dǎo)致插層反應(yīng)容量貢獻(xiàn)降低,同時(shí)三種電極材料的充放電平臺(tái)均表現(xiàn)為斜坡,這與材料的納米化效應(yīng)有關(guān)[20]。
不同填充比下制備SnSe2電極的電化學(xué)阻抗譜如圖7所示,由圖可得知,EIS譜線由處在高頻區(qū)的弧形與低頻區(qū)的斜線兩部分組成,低頻區(qū)的斜線與鋰離子擴(kuò)散過程有關(guān),高頻區(qū)的半圓直徑反應(yīng)電荷轉(zhuǎn)移阻抗。對(duì)比三個(gè)電極材料在高頻區(qū)的半圓直徑發(fā)現(xiàn),b曲線的半圓直徑最大,c曲線的半圓直徑次之,a曲線的半圓直徑最小,這表明三種電極材料的電荷轉(zhuǎn)移阻抗大小為Rb>Rc>Ra,即填充比為35%時(shí)制備的電極材料電荷轉(zhuǎn)移阻抗最小,填充比為55%時(shí)最大。結(jié)合前期微觀形貌檢測(cè)分析表明,當(dāng)SnSe2微觀形貌表現(xiàn)為納米顆粒時(shí)電荷在其內(nèi)部遷移受到的阻礙最小,電化學(xué)性能最佳,這是因?yàn)殡姾稍诩{米顆粒內(nèi)部的遷移路徑較短;相反,表現(xiàn)為納米片狀結(jié)構(gòu)的SnSe2電極材料性能較差,仍需進(jìn)一步優(yōu)化納米結(jié)構(gòu),提升電化學(xué)性能。
研究溶劑(乙二醇、乙醇、水)對(duì)SnSe2物相和微觀形貌的影響發(fā)現(xiàn),三種溶劑可獲得不同形貌的純相SnSe2納米晶。采用乙二醇為溶劑時(shí),SnSe2表現(xiàn)為混雜的納米顆粒形貌;乙醇作為溶劑時(shí),SnSe2為沿(001)晶面定向生長(zhǎng)的納米片;水為溶劑時(shí)制備的SnSe2表現(xiàn)為較厚的納米片堆疊的形貌,這表明溶劑對(duì)SnSe2納米晶的微觀形貌影響較大。研究水熱釜填充比(35%、55%、85%)的影響發(fā)現(xiàn),隨著填充比的增大,SnSe2的微觀結(jié)構(gòu)由混雜的納米顆粒發(fā)展為結(jié)晶性良好的納米片組裝成的納米花結(jié)構(gòu)。電化學(xué)性能測(cè)試比較表明SnSe2納米顆粒性能最佳,在200 mA·g-1的電流密度下首次可逆容量達(dá)884 mAh·g-1,循環(huán)50圈后容量仍可維持在472 mAh·g-1,同時(shí)電極的電荷轉(zhuǎn)移阻抗較小,這說明納米材料的結(jié)構(gòu)對(duì)電化學(xué)性能影響較大,通過優(yōu)化產(chǎn)物結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步提高電化學(xué)性能。